JPH0624249B2 - 薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents

薄膜太陽電池の製造方法

Info

Publication number
JPH0624249B2
JPH0624249B2 JP60180372A JP18037285A JPH0624249B2 JP H0624249 B2 JPH0624249 B2 JP H0624249B2 JP 60180372 A JP60180372 A JP 60180372A JP 18037285 A JP18037285 A JP 18037285A JP H0624249 B2 JPH0624249 B2 JP H0624249B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
front electrode
glow discharge
layer
tin
transparent front
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60180372A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61100979A (ja
Inventor
ケビン・ケー・マツカマル
ドン・エル・モレル
デイビツド・ピー・タナー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SHIIMENSU SOORAA IND LP
Original Assignee
SHIIMENSU SOORAA IND LP
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHIIMENSU SOORAA IND LP filed Critical SHIIMENSU SOORAA IND LP
Publication of JPS61100979A publication Critical patent/JPS61100979A/ja
Publication of JPH0624249B2 publication Critical patent/JPH0624249B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明の背景 本発明は薄膜太陽電池の製法に関し、特に、透明な前面
電極と半導体層との間に遊離金属の層を有する太陽電池
の製法に関する。
薄膜太陽電池の技術は周知でありそしてそのようなデバ
イスを商業的に実際的なものとする努力においてその技
術における改良がなされつつある。例えば、無定形珪素
ｐ−ｉ−ｎ構造が米国特許第４，３８５，２００号及び
同第4,388,482 号に開示されている。他の米国特許第4,
410,559 号は種々のドーピング材料を用いて無定形珪素
膜を蒸着するためのグロー放電技術に関するより詳細な
技術を教示する。
無定形珪素太陽電池は全く単純であると思われる一方
で、続けられた開発はそのような電池において多くの限
界のあることを発見した。上記特許は全体的な電池効率
を改良する種々の方法を論じている。それらの特許に示
されているように、これらの中で代表的な太陽電池は、
透明な前面導電体層を支持しているガラスのような透明
な基板を含み、この層上に無定形珪素のデバイスを蒸着
し更にこの上に通常金属の後面導電体を蒸着している。
電流は前面透明導電体及び後面金属導電体の手段により
デバイスから運ばれる。導電体の抵抗率、特に透明な導
電体における改良はデバイスの内部抵抗を減少させるこ
とが出来、そしてそれにより効率を改良することが長い
間認識されてきた。最大作動電圧近くにピーク電流出力
を維持する為の能力は電池フイル（fill）とファクター
（CFF）と称され高い等級が好ましいとされる。種々の
導電性層及びそれらの間の界面の内部抵抗はＣＦＦを改
良するために減少されなければならない。
本発明の概要 本発明によれば、透明な導電層と半導体層との間に遊離
金属が存在すると電池フイルファクターが改良されるこ
とが見い出された。また半導体層を蒸着するのと同じグ
ロー放電装置を用いて、遊離金属が透明な導電層上に有
効に形成出来ることが見い出された。
好ましい態様の記載 第１図に本発明による基本的な太陽電池の構造が例示さ
れる。この態様において、太陽電池は透明な絶縁基板１
０上に形成される。好ましい態様において、この基板１
０は約１ミリメートルの厚さを有する比較的に安いソー
ダ石灰ガラスである。透明な導電体（ＴＣ）層は基板１
０上に蒸着されて完成デバイスにおける前面接触子すな
わち前面電極１２を形成する。前面電極１２は代表的に
は４０００〜５０００オングストロームの厚さでありそ
して主として酸化錫から形成されるがしかし当業界に周
知であるようにインジウムまたは弗素のような材料を用
いてドーピング処理されてもよい。
遊離金属層１４は前面電極１２上に形成されてもよいし
あるいは蒸着されてもよい。好ましい態様において、層
１４は、例えばスパッタリングにより、直接蒸着される
かあるいはグロー放電装置中において前面電極１２の一
部分の還元により形成される錫である。層１４は約１０
〜１００好ましくは約１０〜５０オングストロームの厚
さを有する。層１４は、基板１０を通過して受け入れら
れる光の伝達を妨げないように十分に薄くなければなら
ないことは明らかである。
本明細書に用いられる用語「遊離金属」例えば遊離錫と
は何ら酸素の結合を有しない金属または錫の元素状態を
言う。これは完全太陽電池デバイスにおいて、金属また
は錫原子がおたがいに多量に結合している金属または錫
の連続層が存在することを必ずしも意味しない。むしろ
以下に記載される珪素の如き光起電力半導体層１６の第
一部分の構造中に遊離金属が含まれることがありうる。
半導体層１６は層１４上に形成される。好ましい態様に
おいて半導体層１６は上に言及した米国特許に教示され
ているようなＰ−Ｉ−Ｎ無定形珪素光起電力電池であり
そして全体で約５０００〜７０００オングストロームの
厚さを有するだろう。各々のＰ、Ｉ及びＮ層は、図面を
簡略化するために図中に別に図解されていない。
本発明の太陽電池は半導体層１６上に後面電気接触子す
なわち後面電極１８を提供することにより完成される。
好ましい態様において、後面電極１８はアルミニウムか
ら形成されそして約2000オングストロームの厚さに蒸着
される。後面電極18は、勿論、前面電極１２のために典
型的に使用されるような透明な導電体又はその他の導電
体材料から形成されてもよい。
上記のように、ＣＦＦを改良するための内部デバイス抵
抗の減少は薄膜太陽電池の研究及び開発の目的であった
が、本発明による遊離金属層１４の使用は非常にＣＦＦ
を改良することが分かった。この改良は、前面電極１２
と半導体層１６との界面での抵抗の減少によると信じら
れる。前面電極１２が酸化錫から主として形成される場
合は、遊離金属、なるべくは錫、は前面電極１２に対し
良好な電気的接触を与えるものと思われる。半導体層１
６のグロー放電蒸着の際、遊離金属層１４は蒸着された
半導体の第一部分との合金となり、それにより半導体層
１６への良好な電気的接触を形成すると信じられる。す
なわちＣＦＦに関する電池性能の実質的な改良をもたら
し、これは前面電極１２と半導体層１６との間に低い抵
抗の接触が行われるからであると信じられる。
遊離金属層１４を形成する好ましい方法は、半導体層１
６を蒸着するために使用される同じグロー放電装置にお
いて行われる。例えば、上記米国特許第４，４１０，５
５９号に教示されているようなグロー放電装置はこの目
的のために適当であろう。水素ガスの流れが提供される
そのようなグロー放電に前面電極１２をさらすことによ
り遊離金属層１４がその上に形成出来ることが分かっ
た。例えば、約３０オングストロームの遊離錫は、次の
条件下のグロー放電処理により酸化錫よりなる前面電極
１２上に形成出来る。
１００標準cm3／分で流れる水素、１．５トルの圧力、
１３．５６ＭＨｚの３０ワットを６秒間２１５平方イン
チの表面に適用。
上記方法は、水素グロー放電が、珪素の蒸着前に前面電
極被覆基板をクリーニングする目的で使用された時見出
された。ＣＦＦにおける予期しなかった驚くべき改良が
そのようなクリーニング工程から生じたとき、本発明者
等は、遊離金属が生成されつつあり且つそれが改良され
た性能の原因となったことを了解した。水素グロー放電
の結果として遊離金属の存在を証明するために前面電極
１２上に直接蒸着された遊離錫を用いてサンプルのデバ
イスをつくった。例えば、前面電極被覆基板をスパッタ
リング室に置きそして約３０オングストロームの厚さを
有する遊離錫層を蒸着するために錫ターゲットが使用さ
れた。次にこの基板をグロー放電室に移動させ、そこで
無定形珪素ｐ−ｉ−ｎ構造を蒸着させた。次にアルミニ
ウムよりなる後面電極１８の蒸着によりデバイスを完成
させた。試験の結果、遊離錫の存在により電池フイル
（fill）ファクターが改良されたことが分かった。例え
ばスパッタリング処理された錫層を有する電池のＣＦＦ
は約０．７３であった。これに対しスパッタリングによ
っても又は水素グロー放電によっても錫を適用しなかっ
たがしかし他の点では同一であった電池は約０．６４の
ＣＦＦを示したに過ぎない。
ここで前面電極１２上の遊離錫の効果が前面電極上への
錫の直接蒸着により例示されたけれども、遊離金属の製
造のためにグロー放電技術が好ましいと思われる。
グロー放電装置は、その室から基板を取り出すことなし
に本質的に連続的方法で複数の珪素層が蒸着されるよう
にオートメーション化しうる。遊離金属層１４の生成
は、基板の物理的運動をなんら必要とせずにグロー放電
処理の第１工程として行うことが出来る。これにより労
力が節約されるのみならず蒸発室からグロー放電室への
基板の運動中の基板汚染を回避することができる。
このような方法を用いることにより得られた結果の例は
第１表に示される。水素グロー条件は、電池パラメータ
についての効果を測定するために時間を変えた以外は上
に示された条件と同じであった。０．１〜５分の処理時
間でＣＦＦは非常に改良されたけれども、処理時間が
０．１分を越えて増加するにつれて電池効率は減少し
た。したがって、初期の有効量以上の遊離錫の使用は前
面電極１２の光の透過量を単に減少させるように思われ
る。
第１表により示されるように、約０．１分の水素グロー
処理時間が好ましいように思われる。しかしながら、そ
のような短い処理時間では製造状態において均一且つ再
現可能な結果を達成すべくコントロールすることはむず
かしい。
本発明者等は多少遅い速度で前面電極１２から遊離錫を
生じさせそしてしたがってより容易にコントロールしう
ると思われる他のグロー放電法を開発した。一つの方法
は、半導体層１６の初期の部分が蒸着された後に上記水
素グロー放電処理を使用することである。これは、半導
体層１６のＰドーピング処理された部分（この部分は約
１００オングストロームの厚さである）の蒸着後都合良
く行うことが出来る。この半導体層１６は前面電極１２
を遮蔽するあるいはさもなければ還元処理を送らせるが
しかしそれを完全にストップさせない。第１表の０．１
分の処理時間に等しい結果は５分のグロー放電時間で達
成される。
グロー放電処理の他の方法は非反応性ガスを使用するこ
とである。前面電極１２の表面に対しこれらのガスによ
る衝撃が選択的に酸素を除去し、それにより遊離錫を生
じさせるように思われる。上記と同様であるがしかし水
素の代わりにアルゴンを用いたグロー放電処理は、もし
より長い処理時間を使用したならば同じ改良された結果
を与えた。したがって、１分間のアルゴングロー放電へ
の酸化錫の前面電極１２の露出は、前面電極１２上への
遊離錫の３０オングストロームの直接スパッタリングに
相当する電池改良を生ずる。
遊離金属の効果は前面電極上への純粋な錫の蒸着により
立証されたが、他の金属元素が遊離金属層１４に存在し
てもよいように思われる。したがって前面電極１２はイ
ンジウム及び他の物質を含有してもよい。遊離金属層１
４がグロー放電還元により形成される場合、錫以外の遊
離金属成分も生成することが予想される。
本発明は、特定の構造の太陽電池の製造方法に関して例
示され且つ記載されたけれども、本発明の範囲内で種々
の変更がなされることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明方法により得られる薄膜太陽電池の１例
の拡大横断面図を示す。 １０……透明な絶縁基板、１２……前面電極、１４……
遊離金属層、１６……光起電力半導体、１８……後面電
極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デイビツド・ピー・タナー アメリカ合衆国カリフオルニア州，サウザ ンド・オークス，バレンシア・サークル 2669番 (56)参考文献 特開 昭59−22361（ＪＰ，Ａ)

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】主として酸化錫よりなる透明な前面電極を
    有する基板がグロー放電室に配置されそして半導体層が
    前記透明な前面電極上に蒸着される、薄膜太陽電池の製
    造方法において、 前記半導体層の蒸着の前に、前記透明な前面電極の表面
    上に遊離錫の本質的に透明な層を生じさせるのに十分な
    時間の間グロー放電を用いて前記透明な前面電極を処理
    することを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】前記グロー放電が水素ガスを含む特許請求
    の範囲第（１）項に記載の方法。
  3. 【請求項３】前記グロー放電が非反応性ガスのみを含む
    特許請求の範囲第（１）項に記載の方法。
  4. 【請求項４】前記グロー放電が主としてアルゴンガスの
    みを含む特許請求の範囲第（１）項に記載の方法。
  5. 【請求項５】主として酸化錫よりなる透明な前面電極を
    有する基板がグロー放電室に配置されそして半導体層が
    該透明な前面電極上に蒸着される、薄膜太陽電池の製造
    方法において、 第一半導体層の蒸着後に、前記透明な前面電極と前記第
    一半導体層との界面で遊離錫の本質的に透明な層を生じ
    させるのに十分な時間の間、水素ガスを含むグロー放電
    を用いて前記基板を処理することを特徴とする方法。
JP60180372A 1984-10-22 1985-08-16 薄膜太陽電池の製造方法 Expired - Lifetime JPH0624249B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US663648 1984-10-22
US06/663,648 US4584427A (en) 1984-10-22 1984-10-22 Thin film solar cell with free tin on tin oxide transparent conductor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61100979A JPS61100979A (ja) 1986-05-19
JPH0624249B2 true JPH0624249B2 (ja) 1994-03-30

Family

ID=24662728

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60180372A Expired - Lifetime JPH0624249B2 (ja) 1984-10-22 1985-08-16 薄膜太陽電池の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4584427A (ja)
EP (1) EP0179547B1 (ja)
JP (1) JPH0624249B2 (ja)
DE (1) DE3569438D1 (ja)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS613471A (ja) * 1984-06-15 1986-01-09 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 半導体装置
AU583423B2 (en) * 1985-09-21 1989-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device free from the electrical shortage through a semiconductor layer and method for manufacturing same
US4769086A (en) * 1987-01-13 1988-09-06 Atlantic Richfield Company Thin film solar cell with nickel back
US4965655A (en) * 1987-12-10 1990-10-23 Minnesota Mining And Manufacturing Company Interconnected semiconductor devices
DE4000664A1 (de) * 1990-01-11 1991-07-18 Siemens Ag Transparente elektrode aus leitfaehigem oxid fuer photodioden und verfahren zu ihrer herstellung
JPH06232430A (ja) * 1993-08-11 1994-08-19 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 光起電力装置の製法
US7732243B2 (en) * 1995-05-15 2010-06-08 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US20080314433A1 (en) * 1995-05-15 2008-12-25 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US6459032B1 (en) 1995-05-15 2002-10-01 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US8664030B2 (en) 1999-03-30 2014-03-04 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US7635810B2 (en) * 1999-03-30 2009-12-22 Daniel Luch Substrate and collector grid structures for integrated photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US8138413B2 (en) * 2006-04-13 2012-03-20 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8222513B2 (en) 2006-04-13 2012-07-17 Daniel Luch Collector grid, electrode structures and interconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture
US20080011350A1 (en) * 1999-03-30 2008-01-17 Daniel Luch Collector grid, electrode structures and interconnect structures for photovoltaic arrays and other optoelectric devices
US20090111206A1 (en) 1999-03-30 2009-04-30 Daniel Luch Collector grid, electrode structures and interrconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture
US20090107538A1 (en) * 2007-10-29 2009-04-30 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US7507903B2 (en) * 1999-03-30 2009-03-24 Daniel Luch Substrate and collector grid structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US8076568B2 (en) * 2006-04-13 2011-12-13 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US7898053B2 (en) * 2000-02-04 2011-03-01 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US8198696B2 (en) 2000-02-04 2012-06-12 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US20110067754A1 (en) * 2000-02-04 2011-03-24 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US7898054B2 (en) * 2000-02-04 2011-03-01 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US8884155B2 (en) 2006-04-13 2014-11-11 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9865758B2 (en) 2006-04-13 2018-01-09 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8822810B2 (en) 2006-04-13 2014-09-02 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9236512B2 (en) 2006-04-13 2016-01-12 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9006563B2 (en) 2006-04-13 2015-04-14 Solannex, Inc. Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8729385B2 (en) 2006-04-13 2014-05-20 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US7982127B2 (en) 2006-12-29 2011-07-19 Industrial Technology Research Institute Thin film solar cell module of see-through type
FR2919428B1 (fr) * 2007-07-27 2010-01-01 Univ Nantes Electrode de composant optoelectronique,comprenant au moins une couche d'un oxyde transparent revetue d'une couche metallique,et composant optoelectronique correspondant.
US8316590B2 (en) 2009-03-20 2012-11-27 Northern States Metals Company Support system for solar panels
US8256169B2 (en) 2009-03-20 2012-09-04 Northern States Metals Company Support system for solar panels
US8839573B2 (en) 2011-02-11 2014-09-23 Northern States Metals Company Spring clip
US9303663B2 (en) 2013-04-11 2016-04-05 Northern States Metals Company Locking rail alignment system

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5137155B2 (ja) * 1973-03-12 1976-10-14
US4226897A (en) * 1977-12-05 1980-10-07 Plasma Physics Corporation Method of forming semiconducting materials and barriers
US4320249A (en) * 1979-08-13 1982-03-16 Shunpei Yamazaki Heterojunction type semiconductor photoelectric conversion device
DE2938260A1 (de) * 1979-09-21 1981-03-26 Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8000 München Halbleiterbauelement fuer die umsetzung von licht in elektrische energie
JPS56114384A (en) * 1980-02-13 1981-09-08 Sanyo Electric Co Ltd Solar battery
JPS5842126B2 (ja) * 1980-10-31 1983-09-17 鐘淵化学工業株式会社 アモルファスシリコンの製造方法
US4385199A (en) * 1980-12-03 1983-05-24 Yoshihiro Hamakawa Photovoltaic cell having a hetero junction of amorphous silicon carbide and amorphous silicon
US4388482A (en) * 1981-01-29 1983-06-14 Yoshihiro Hamakawa High-voltage photovoltaic cell having a heterojunction of amorphous semiconductor and amorphous silicon
JPS5878473A (ja) * 1981-11-05 1983-05-12 Seiko Epson Corp 薄膜太陽電池
JPS5892281A (ja) * 1981-11-27 1983-06-01 Seiko Epson Corp 薄膜太陽電池

Also Published As

Publication number Publication date
DE3569438D1 (en) 1989-05-18
JPS61100979A (ja) 1986-05-19
EP0179547B1 (en) 1989-04-12
EP0179547A1 (en) 1986-04-30
US4584427A (en) 1986-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0624249B2 (ja) 薄膜太陽電池の製造方法
US4166918A (en) Method of removing the effects of electrical shorts and shunts created during the fabrication process of a solar cell
US4167015A (en) Cermet layer for amorphous silicon solar cells
US5486238A (en) Photovoltaic device
US4316049A (en) High voltage series connected tandem junction solar battery
JPS6228599B2 (ja)
US4320154A (en) Method of forming solar cells by grid contact isolation
JPH07297421A (ja) 薄膜半導体太陽電池の製造方法
JPH0864849A (ja) 光起電力素子用裏面反射層及びその形成方法並びに光起電力素子及びその製造方法
US5668050A (en) Solar cell manufacturing method
JPH10178193A (ja) 光起電力素子の製造方法
JP3377931B2 (ja) 太陽電池素子
JPH09246577A (ja) 太陽電池の金属電極形成方法
JPH07326784A (ja) 太陽電池素子の製造方法
JP3162261B2 (ja) 太陽電池の製造方法及び製造装置
JPH0566753B2 (ja)
JP4562220B2 (ja) 薄膜太陽電池
TW201201396A (en) Method for manufacturing a solar panel
JPH022183A (ja) 低い光水準で使用可能な光電池
JPH08107225A (ja) 薄膜太陽電池の製造方法
JP3346119B2 (ja) 銀系の薄膜構造
JP2001068709A (ja) 薄膜太陽電池
JPH0878355A (ja) 化合物半導体のオーミック電極及びその製造方法
JPH06196734A (ja) 半導体太陽電池の製造方法及びその半導体太陽電池
JPH06196738A (ja) 太陽電池の製法