JPH06241930A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPH06241930A JPH06241930A JP2702893A JP2702893A JPH06241930A JP H06241930 A JPH06241930 A JP H06241930A JP 2702893 A JP2702893 A JP 2702893A JP 2702893 A JP2702893 A JP 2702893A JP H06241930 A JPH06241930 A JP H06241930A
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- pressure sensor
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- semiconductor pressure
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Abstract
(57)【要約】
【目的】加工工数を低減し、かつ検出感度および検出信
号の線形性を可及的に向上する。 【構成】ダイアフラム１５はこのダイアフラムの直径方
向の厚肉の梁部１５Ｃと、この梁部１５Ｃを除く薄肉の
膜部１５Ｄと、前記梁部１５Ｃの上面に形成されたスト
レンゲージ３１，３２，３３，３４とからなるようにす
る。
号の線形性を可及的に向上する。 【構成】ダイアフラム１５はこのダイアフラムの直径方
向の厚肉の梁部１５Ｃと、この梁部１５Ｃを除く薄肉の
膜部１５Ｄと、前記梁部１５Ｃの上面に形成されたスト
レンゲージ３１，３２，３３，３４とからなるようにす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体圧力センサ、特に
微圧検出用の半導体圧力センサに関する。
微圧検出用の半導体圧力センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の半導体圧力センサの一例を
示し、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は断面図であ
る。図５において円柱状の半導体チップ１に下面からエ
ッチングなどによって窪み１１を加工し、その上面部
に、例えば厚さ数１０μｍのダイアフラム１５を形成す
る。このダイアフラム１５の周辺部上面に半径方向のス
トレンゲージ３１および３３を、中央部上面に半径方向
のストレンゲージ３２および３４を、例えば不純物の拡
散などによって形成する。半導体チップ１の下面は、例
えばガラスからなり、その中央部に半導体チップ１の窪
み１１に連通する圧力導入口２１を有する基板２を静電
接合などによって結合する。また、ストレンゲージ３
１，３２，３３，３４は、例えば図８に示すホイースト
ーンブリッジに結線する。なお、図８においてＩＮ１，
ＩＮ２は入力端子で、例えば定電圧が印加され、ＯＵＴ
１，ＯＵＴ２は検出信号の出力端子である。
示し、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は断面図であ
る。図５において円柱状の半導体チップ１に下面からエ
ッチングなどによって窪み１１を加工し、その上面部
に、例えば厚さ数１０μｍのダイアフラム１５を形成す
る。このダイアフラム１５の周辺部上面に半径方向のス
トレンゲージ３１および３３を、中央部上面に半径方向
のストレンゲージ３２および３４を、例えば不純物の拡
散などによって形成する。半導体チップ１の下面は、例
えばガラスからなり、その中央部に半導体チップ１の窪
み１１に連通する圧力導入口２１を有する基板２を静電
接合などによって結合する。また、ストレンゲージ３
１，３２，３３，３４は、例えば図８に示すホイースト
ーンブリッジに結線する。なお、図８においてＩＮ１，
ＩＮ２は入力端子で、例えば定電圧が印加され、ＯＵＴ
１，ＯＵＴ２は検出信号の出力端子である。
【０００３】この半導体圧力センサの動作は次の通りで
ある。基板２の圧力導入口２１から流体の圧力を加える
とダイアフラム１５は上に凸に変形し、このダイアフラ
ム１５の上面に形成されたストレンゲージ３１，３３は
圧縮応力を受けてその抵抗値が低下し、ストレンゲージ
３２，３４は引っ張り応力を受けてその抵抗値が上昇す
るので、図８に示すホイーストーンブリッジの出力端子
ＯＵＴ１，ＯＵＴ２から圧力の検出信号が出力される。
ある。基板２の圧力導入口２１から流体の圧力を加える
とダイアフラム１５は上に凸に変形し、このダイアフラ
ム１５の上面に形成されたストレンゲージ３１，３３は
圧縮応力を受けてその抵抗値が低下し、ストレンゲージ
３２，３４は引っ張り応力を受けてその抵抗値が上昇す
るので、図８に示すホイーストーンブリッジの出力端子
ＯＵＴ１，ＯＵＴ２から圧力の検出信号が出力される。
【０００４】ところで最近、都市ガスのガス漏れ検出な
どにおいて、ガス漏れ時に生じる数十mmＨ2 Ｏ程度の微
小な圧力を半導体圧力センサによって検出する要望が増
加している。このような微小圧力の検出に前述の半導体
圧力センサを適用するとダイアフラム１５の厚さを数μ
ｍまで薄くする必要が生じる。このようにダイアフラム
１５の厚さが薄くなるとダイアフラムの仕上り厚さのば
らつきが大きくなり製品の歩止まりが低下しコスト上昇
の要因となる。更に、ダイアフラムの撓み長（ほぼこの
ダイアフラムの半径となり図５でＬ1 で示す）に対する
厚さの比が小さくなるので、ダイアフラム１５の変形は
非線形となり検出信号の特性が非線形になってしまう。
どにおいて、ガス漏れ時に生じる数十mmＨ2 Ｏ程度の微
小な圧力を半導体圧力センサによって検出する要望が増
加している。このような微小圧力の検出に前述の半導体
圧力センサを適用するとダイアフラム１５の厚さを数μ
ｍまで薄くする必要が生じる。このようにダイアフラム
１５の厚さが薄くなるとダイアフラムの仕上り厚さのば
らつきが大きくなり製品の歩止まりが低下しコスト上昇
の要因となる。更に、ダイアフラムの撓み長（ほぼこの
ダイアフラムの半径となり図５でＬ1 で示す）に対する
厚さの比が小さくなるので、ダイアフラム１５の変形は
非線形となり検出信号の特性が非線形になってしまう。
【０００５】この問題を解決するために図６に示す圧力
センサが提案されている。図６は図５においてダイアフ
ラム１５の中央部の下面に円柱状の突部１５Ａを設けた
もので、図６のダイアフラム１５は円板部１５Ｂと突部
１５Ａとで構成されている。図６においては、ダイアフ
ラム１５の撓み長は円筒状の突部１５Ａの外周とダイア
フラムの外周との間の距離（図６でＬ2 で示す）になる
ので、ダイアフラムの撓み長に対する厚さの比が大きく
なる。なお、この場合ストレンゲージ３１，３３はダイ
アフラム１５の円板部１５Ｂの周辺部上面に、ストレン
ゲージ３２，３４はダイアフラム１５の円板部１５Ｂの
突部１５Ａが設けられた外周部上面に設ける。このよう
にしてダイアフラム１５のストレンゲージが設けられて
いる個所の変形は線形に近づくので検出信号の線形性が
向上する。
センサが提案されている。図６は図５においてダイアフ
ラム１５の中央部の下面に円柱状の突部１５Ａを設けた
もので、図６のダイアフラム１５は円板部１５Ｂと突部
１５Ａとで構成されている。図６においては、ダイアフ
ラム１５の撓み長は円筒状の突部１５Ａの外周とダイア
フラムの外周との間の距離（図６でＬ2 で示す）になる
ので、ダイアフラムの撓み長に対する厚さの比が大きく
なる。なお、この場合ストレンゲージ３１，３３はダイ
アフラム１５の円板部１５Ｂの周辺部上面に、ストレン
ゲージ３２，３４はダイアフラム１５の円板部１５Ｂの
突部１５Ａが設けられた外周部上面に設ける。このよう
にしてダイアフラム１５のストレンゲージが設けられて
いる個所の変形は線形に近づくので検出信号の線形性が
向上する。
【０００６】しかしながらこの提案された半導体圧力セ
ンサにおいては、前述したように撓み長が短かくなるの
で撓み量が減少し検出感度が低下する問題点があり、充
分な解決とはなっていない。そこで、新しく図７に示す
半導体圧力センサが提案されている。図７は図６におい
て、ダイアフラム１５の円板部１５Ｂの上面からエッチ
ングなどにより窪み１２を加工し、１５Ｃで示されるこ
のダイアフラム１５のストレンゲージ３１，３２，３
３，３４を含む直径方向の梁部を除いてその他の部分１
５Ｄをごく薄い膜に形成したものである。すなわちこの
ダイアフラム１５は厚肉の梁部１５Ｃと２個の極薄肉の
膜部１５Ｄと突部１５Ａとで構成される。これによって
加えられた圧力は主として梁部１５Ｃで支えられ、膜部
１５Ｄは梁部１５Ｃの変形を拘束することが少ないの
で、図６に示すものに比し撓み量は増加し検出感度が向
上し、図６と同様撓み長Ｌ2 が短かいので検出信号の線
形性もよい。なおこのダイアフラム１５の膜部１５Ｄ
は、その厚さがごく薄いので、この仕上り厚さのばらつ
きは当然大きくなるが、前述したように加えられた圧力
は梁部１５Ｃで主として支えられ、膜部１５Ｄは梁部１
５Ｃの変形を拘束することは少ないので、このばらつき
が検出精度に悪影響を及ぼすことは少ない。
ンサにおいては、前述したように撓み長が短かくなるの
で撓み量が減少し検出感度が低下する問題点があり、充
分な解決とはなっていない。そこで、新しく図７に示す
半導体圧力センサが提案されている。図７は図６におい
て、ダイアフラム１５の円板部１５Ｂの上面からエッチ
ングなどにより窪み１２を加工し、１５Ｃで示されるこ
のダイアフラム１５のストレンゲージ３１，３２，３
３，３４を含む直径方向の梁部を除いてその他の部分１
５Ｄをごく薄い膜に形成したものである。すなわちこの
ダイアフラム１５は厚肉の梁部１５Ｃと２個の極薄肉の
膜部１５Ｄと突部１５Ａとで構成される。これによって
加えられた圧力は主として梁部１５Ｃで支えられ、膜部
１５Ｄは梁部１５Ｃの変形を拘束することが少ないの
で、図６に示すものに比し撓み量は増加し検出感度が向
上し、図６と同様撓み長Ｌ2 が短かいので検出信号の線
形性もよい。なおこのダイアフラム１５の膜部１５Ｄ
は、その厚さがごく薄いので、この仕上り厚さのばらつ
きは当然大きくなるが、前述したように加えられた圧力
は梁部１５Ｃで主として支えられ、膜部１５Ｄは梁部１
５Ｃの変形を拘束することは少ないので、このばらつき
が検出精度に悪影響を及ぼすことは少ない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述の新しく提案され
た半導体圧力センサにおいても、なお次のような問題が
ある。まず、ダイアフラムにはその下面に突部が設けら
れているので、この下面と基板２とが接触しないように
空隙ｇを設ける必要がある。このためエッチング加工は
２段階に分けて第１段階で空隙ｇの深さまで加工し、そ
の後この突部の下面をマスクしてリング状の窪みを加工
して、膜部を所定の厚さに仕上げることが必要で、加工
に工数がかかる。更に、ダイアフラムの中心部は変形に
寄与しないので、梁部の撓み長が短かくなりその分検出
感度が低くなっている。
た半導体圧力センサにおいても、なお次のような問題が
ある。まず、ダイアフラムにはその下面に突部が設けら
れているので、この下面と基板２とが接触しないように
空隙ｇを設ける必要がある。このためエッチング加工は
２段階に分けて第１段階で空隙ｇの深さまで加工し、そ
の後この突部の下面をマスクしてリング状の窪みを加工
して、膜部を所定の厚さに仕上げることが必要で、加工
に工数がかかる。更に、ダイアフラムの中心部は変形に
寄与しないので、梁部の撓み長が短かくなりその分検出
感度が低くなっている。
【０００８】本発明の目的は前述の問題点を解決し、エ
ッチングの加工工数を短かくし、かつ検出感度および検
出信号の線形性を可及的に向上した半導体圧力センサを
提供することにある。
ッチングの加工工数を短かくし、かつ検出感度および検
出信号の線形性を可及的に向上した半導体圧力センサを
提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
めに本発明はその下部に窪みが設けられてその上面部に
ダイアフラムが形成された円柱状の半導体チップと、こ
の半導体チップの下面に結合され前記窪みに連通する圧
力導入口を有する基板と、前記ダイアフラムの上面に形
成されたストレンゲージとからなる半導体圧力センサに
おいて、前記ダイアフラムはこのダイアフラムの直径方
向の厚肉の梁部と、この梁部を除く薄肉の膜部とからな
る。あるいは前記直径方向の厚肉の梁部は十文字状に形
成される。更にこれらダイアフラムの梁部は、ストレン
ゲージが形成されている個所の幅を狭く形成する。更に
これらダイアフラムの梁部の幅が狭く形成された個所
は、その端部を幅方向に広がるなだらかな曲線で形成す
る。
めに本発明はその下部に窪みが設けられてその上面部に
ダイアフラムが形成された円柱状の半導体チップと、こ
の半導体チップの下面に結合され前記窪みに連通する圧
力導入口を有する基板と、前記ダイアフラムの上面に形
成されたストレンゲージとからなる半導体圧力センサに
おいて、前記ダイアフラムはこのダイアフラムの直径方
向の厚肉の梁部と、この梁部を除く薄肉の膜部とからな
る。あるいは前記直径方向の厚肉の梁部は十文字状に形
成される。更にこれらダイアフラムの梁部は、ストレン
ゲージが形成されている個所の幅を狭く形成する。更に
これらダイアフラムの梁部の幅が狭く形成された個所
は、その端部を幅方向に広がるなだらかな曲線で形成す
る。
【００１０】
【作用】請求項１記載のものにおいては、ダイアフラム
はこのダイアフラムの直径方向の厚肉の梁部と、この梁
部を除く薄肉の膜部とからなるようにしたので、梁部は
その全長が撓むので撓み長が長く検出感度が向上する。
またこの梁部には導入圧力によって分布荷重が加わるの
で、その変形は線形となり検出信号の線形性が向上する
（両端固定の梁の変形は加えられる分布荷重に対して線
形である）。また、ダイアフラムはその下面が平坦であ
るので、例えばエッチング加工は１段階でよく加工工数
が低減する。なお、膜部はその厚さが薄いので梁部の変
形を拘束することは少ない。
はこのダイアフラムの直径方向の厚肉の梁部と、この梁
部を除く薄肉の膜部とからなるようにしたので、梁部は
その全長が撓むので撓み長が長く検出感度が向上する。
またこの梁部には導入圧力によって分布荷重が加わるの
で、その変形は線形となり検出信号の線形性が向上する
（両端固定の梁の変形は加えられる分布荷重に対して線
形である）。また、ダイアフラムはその下面が平坦であ
るので、例えばエッチング加工は１段階でよく加工工数
が低減する。なお、膜部はその厚さが薄いので梁部の変
形を拘束することは少ない。
【００１１】請求項２記載のものにおいては、請求項１
記載のものにおいて、直径方向の厚肉の梁部は十文字状
に形成されるようにしたので、膜部の厚さに不均一を生
じた場合に梁部に生じるねじれが少なく、更に梁部の形
を拘束することはない。請求項３記載のものにおいて
は、ダイアフラムの梁部は、ストレンゲージが形成され
ている個所の幅を狭く形成したので、ストレンゲージが
形成されている個所の断面係数が小さくなるので撓み量
が増加し、圧力の検出感度が向上する。
記載のものにおいて、直径方向の厚肉の梁部は十文字状
に形成されるようにしたので、膜部の厚さに不均一を生
じた場合に梁部に生じるねじれが少なく、更に梁部の形
を拘束することはない。請求項３記載のものにおいて
は、ダイアフラムの梁部は、ストレンゲージが形成され
ている個所の幅を狭く形成したので、ストレンゲージが
形成されている個所の断面係数が小さくなるので撓み量
が増加し、圧力の検出感度が向上する。
【００１２】また、請求項３記載のものにおいて、請求
項４記載のようにダイアフラムの梁部の幅が狭く形成さ
れた個所は、その端部を幅方向に広がるなだらかな曲線
で形成したので、この端部に生じる応力集中が緩和され
この応力集中によるダイアフラムの信頼性の低下が防止
される。
項４記載のようにダイアフラムの梁部の幅が狭く形成さ
れた個所は、その端部を幅方向に広がるなだらかな曲線
で形成したので、この端部に生じる応力集中が緩和され
この応力集中によるダイアフラムの信頼性の低下が防止
される。
【００１３】
【実施例】図１は本発明の半導体圧力センサの一実施例
を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面
図である。図１に示す本発明の圧力センサは図７に示す
従来の圧力センサにおいてダイアフラム１５の下面に設
けられた突部１５Ａを取り除いたものである。すなわ
ち、ダイアフラム１５はこのダイアフラム１５の直径方
向の厚肉の梁部１５Ｃとこの梁部１５Ｃを除く２個の薄
肉の膜部１５Ｄとからなっている。
を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面
図である。図１に示す本発明の圧力センサは図７に示す
従来の圧力センサにおいてダイアフラム１５の下面に設
けられた突部１５Ａを取り除いたものである。すなわ
ち、ダイアフラム１５はこのダイアフラム１５の直径方
向の厚肉の梁部１５Ｃとこの梁部１５Ｃを除く２個の薄
肉の膜部１５Ｄとからなっている。
【００１４】このダイアフラム１５では、その梁部１５
Ｃはその全長が撓むので撓み長が長くなり検出感度が向
上する。また、両端固定の梁の変形は加えられる分布荷
重に対して線形であるので、導入圧力によって分布荷重
が加わるこの梁部１５Ｃの変形は線形となり圧力の検出
信号の線形性も向上する。また、ダイアフラム１５はそ
の下面が平坦であるので、エッチング加工は１段階でよ
く加工工数が低減する。
Ｃはその全長が撓むので撓み長が長くなり検出感度が向
上する。また、両端固定の梁の変形は加えられる分布荷
重に対して線形であるので、導入圧力によって分布荷重
が加わるこの梁部１５Ｃの変形は線形となり圧力の検出
信号の線形性も向上する。また、ダイアフラム１５はそ
の下面が平坦であるので、エッチング加工は１段階でよ
く加工工数が低減する。
【００１５】図２は本発明の半導体圧力センサの異なる
実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−
Ｂ断面図である。図２は図１において、梁部１５Ｃの他
にこの梁部１５Ｃと直角方向でこのダイアフラム１５の
直径方向の梁１５Ｅを設けたものである。すなわち、ダ
イアフラム１５はストレンゲージ３１，３２，３３，３
４が設けられた梁部１５Ｃとストレンゲージが設けられ
ていない梁部１５Ｅと４個の膜部１５Ｄとからなってい
る。このダイアフラム１５は２個の梁部１５Ｃと１５Ｅ
とが十文字に形成されているので、膜部１５Ｄの厚さに
不均一を生じた場合に、梁部のねじれが少なくより梁部
の変形を拘束することは少ない。
実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−
Ｂ断面図である。図２は図１において、梁部１５Ｃの他
にこの梁部１５Ｃと直角方向でこのダイアフラム１５の
直径方向の梁１５Ｅを設けたものである。すなわち、ダ
イアフラム１５はストレンゲージ３１，３２，３３，３
４が設けられた梁部１５Ｃとストレンゲージが設けられ
ていない梁部１５Ｅと４個の膜部１５Ｄとからなってい
る。このダイアフラム１５は２個の梁部１５Ｃと１５Ｅ
とが十文字に形成されているので、膜部１５Ｄの厚さに
不均一を生じた場合に、梁部のねじれが少なくより梁部
の変形を拘束することは少ない。
【００１６】なお、梁部１５Ｅにストレンゲージを設け
てもよいことは勿論である。図３は本発明の半導体圧力
センサの更に異なる実施例を示し、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。図３は図１にお
いて、ダイアフラム１５の梁部１５Ｃのストレンゲージ
３１，３２，３３，３４が形成されている個所、すなわ
ち梁部１５Ｃの中央部１５ＣＡと梁部１５Ｃの両端部１
５ＣＢの幅を狭く形成したものである。これによってス
トレンゲージが形成されている個所の断面係数が小さく
なるので撓み量が増加し、圧力の検出感度が向上する。
てもよいことは勿論である。図３は本発明の半導体圧力
センサの更に異なる実施例を示し、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。図３は図１にお
いて、ダイアフラム１５の梁部１５Ｃのストレンゲージ
３１，３２，３３，３４が形成されている個所、すなわ
ち梁部１５Ｃの中央部１５ＣＡと梁部１５Ｃの両端部１
５ＣＢの幅を狭く形成したものである。これによってス
トレンゲージが形成されている個所の断面係数が小さく
なるので撓み量が増加し、圧力の検出感度が向上する。
【００１７】図４は本発明の半導体圧力センサの更に異
なる実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の
Ｄ−Ｄ断面図である。図４は図３のダイアフラム１５の
梁部１５Ｃにおいて、梁部１５Ｃの幅が狭く形成された
個所１５ＣＡおよび１５ＣＢは、その端部をＲで示すよ
うに幅方向に広がるなだからな曲線で形成したものであ
る。これによってこの端部に生じる応力集中が緩和さ
れ、この応力集中によるダイアフラムの信頼性の低下が
防止される。
なる実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の
Ｄ−Ｄ断面図である。図４は図３のダイアフラム１５の
梁部１５Ｃにおいて、梁部１５Ｃの幅が狭く形成された
個所１５ＣＡおよび１５ＣＢは、その端部をＲで示すよ
うに幅方向に広がるなだからな曲線で形成したものであ
る。これによってこの端部に生じる応力集中が緩和さ
れ、この応力集中によるダイアフラムの信頼性の低下が
防止される。
【００１８】なお、前述の図３および図４の実施例は図
１の実施例の梁部に適用した場合について説明したが、
図２の実施例における梁部に適用しても有効であること
は勿論である。
１の実施例の梁部に適用した場合について説明したが、
図２の実施例における梁部に適用しても有効であること
は勿論である。
【００１９】
【発明の効果】本発明の半導体圧力センサにおいては、
ダイアフラムをこのダイアフラムの直径方向の厚肉の梁
部と梁部を除く薄肉の膜部とで構成し、そしてこの梁部
は一文字状あるいは十文字状に構成する。更にこれら梁
部のストレンゲージが形成されている個所の幅を狭くし
たので、加工工数が短かく、かつ検出感度および検出信
号の線形性が可及的に向上する。
ダイアフラムをこのダイアフラムの直径方向の厚肉の梁
部と梁部を除く薄肉の膜部とで構成し、そしてこの梁部
は一文字状あるいは十文字状に構成する。更にこれら梁
部のストレンゲージが形成されている個所の幅を狭くし
たので、加工工数が短かく、かつ検出感度および検出信
号の線形性が可及的に向上する。
【００２０】また、前述の梁部のストレンゲージが形成
されている個所を狭くしたものにおいて、その狭く形成
された個所の端部を幅方向に広がるなだらかな曲線で形
成したので、この端部の応力集中によるダイアフラムの
信頼性の低下が防止される。
されている個所を狭くしたものにおいて、その狭く形成
された個所の端部を幅方向に広がるなだらかな曲線で形
成したので、この端部の応力集中によるダイアフラムの
信頼性の低下が防止される。
【図１】本発明の半導体圧力センサの一実施例を示し、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図
【図２】本発明の半導体圧力センサの異なる実施例を示
し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図
し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図
【図３】本発明の半導体圧力センサの更に異なる実施例
を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面
図
を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面
図
【図４】本発明の半導体圧力センサの更に異なる実施例
を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ断面
図
を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ断面
図
【図５】従来の半導体圧力センサの一例を示し、（ａ）
は平面図、（ｂ）は断面図
は平面図、（ｂ）は断面図
【図６】従来の半導体圧力センサの異なる例を示し、
（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図
（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図
【図７】従来の半導体圧力センサの更に異なる例を示
し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ断面図
し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ断面図
【図８】ホイーストーンブッリジの結線図
１ 半導体チップ １１ 窪み １５ ダイアフラム １５Ｃ 梁部，第１の梁部 １５Ｄ 膜部 １５Ｅ 第２の梁部 ２ 基板 ２１ 圧力導入口 ３１ ストレンゲージ ３２ ストレンゲージ ３３ ストレンゲージ ３４ ストレンゲージ
Claims (4)
- 【請求項１】その下部に窪みが設けられてその上面部に
ダイアフラムが形成された円柱状の半導体チップと、こ
の半導体チップの下面に結合され前記窪みに連通する圧
力導入口を有する基板と、前記ダイアフラムの上面に形
成されたストレンゲージとからなる半導体圧力センサに
おいて、前記ダイアフラムはこのダイアフラムの直径方
向の厚肉の梁部と、この梁部を除く薄肉の膜部とからな
ることを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項２】請求項１記載のものにおいて、直径方向の
厚肉の梁部は十文字状に形成されていることを特徴とす
る半導体圧力センサ。 - 【請求項３】請求項１あるいは２記載のものにおいて、
ダイアフラムの梁部は、ストレンゲージが形成されてい
る個所の幅を狭く形成したことを特徴とする半導体圧力
センサ。 - 【請求項４】請求項３記載のものにおいて、ダイアフラ
ムの梁部の幅が狭く形成された個所は、その端部を幅方
向に広がるなだらかな曲線で形成したことを特徴とする
半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2702893A JPH06241930A (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2702893A JPH06241930A (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06241930A true JPH06241930A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12209625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2702893A Pending JPH06241930A (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06241930A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007327922A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Epson Toyocom Corp | 圧力センサ用ダイヤフラム、及び圧力センサ |
| KR20100114731A (ko) * | 2009-04-16 | 2010-10-26 | 타이코에이엠피(유) | 하중센서 및 이를 이용한 차량용 승객 체중 감지장치 |
| US9891124B2 (en) | 2013-05-24 | 2018-02-13 | Hitachi Metals, Ltd. | Pressure sensor, and mass flow meter, and mass flow controller using same |
| KR20200012728A (ko) * | 2018-07-27 | 2020-02-05 | 아즈빌주식회사 | 압력 센서 |
| JP2020085628A (ja) * | 2018-11-22 | 2020-06-04 | アズビル株式会社 | 圧力センサ素子および圧力センサ |
-
1993
- 1993-02-17 JP JP2702893A patent/JPH06241930A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007327922A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Epson Toyocom Corp | 圧力センサ用ダイヤフラム、及び圧力センサ |
| KR20100114731A (ko) * | 2009-04-16 | 2010-10-26 | 타이코에이엠피(유) | 하중센서 및 이를 이용한 차량용 승객 체중 감지장치 |
| US9891124B2 (en) | 2013-05-24 | 2018-02-13 | Hitachi Metals, Ltd. | Pressure sensor, and mass flow meter, and mass flow controller using same |
| KR20200012728A (ko) * | 2018-07-27 | 2020-02-05 | 아즈빌주식회사 | 압력 센서 |
| JP2020085628A (ja) * | 2018-11-22 | 2020-06-04 | アズビル株式会社 | 圧力センサ素子および圧力センサ |
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