JPH06234235A - レーザビーム記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 レーザビーム記録装置において、複数のレー
ザビームを用いて微小な集光スポットを安定に形成し、
集光スポットの光強度を飛躍的に増加させるとともに並
列記録を可能とすることにより、記録密度の向上と記録
速度の飛躍的向上を図る。 【構成】 複数のレーザ光源を用い、第１の高出力レー
ザ光源からのレーザビームによって被照射物上に形成さ
れる集光スポットの内部に、各々独立な画像記録信号に
よって駆動される複数の第２のレーザ光源より出射され
た複数のレーザビームにより複数の集光スポットを隣接
して配置するように構成し、微小な領域において光エネ
ルギーが加算されて記録に必要な熱エネルギーが与えら
れるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザビーム記録装置
に関し、特にレーザビームの光エネルギーを熱エネルギ
ーに変換し、この熱エネルギーを用いて所望画像を記録
紙上に記録するレーザビーム記録装置において、複数の
レーザビームを用い並列記録を行う記録方式に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】図９は例えば特開昭５９−１４３６５７
号公報に開示された、インクフィルムに塗布されたイン
クを半導体レーザのエネルギ−により溶融させ、受像紙
に転写する方式による従来のレーザビーム記録装置を示
す斜視図である。図において、１０１は半導体レーザ、
１０２は半導体レーザ１０１により出射されたレーザビ
ームを反射偏向する回転多面鏡、１０３はインクフィル
ム、１０４は受像紙であり、この場合の被照射物はレー
ザビームの光熱変換手段を有するインクフィルム１０３
である。

【０００３】次に動作について説明する。半導体レーザ
１０１から出射されたレーザビームは画像データにより
強度変調を受け、回転多面鏡１０２に入射して反射偏向
され、インクフィルム１０３上を図中矢印Ｘ方向に走査
（主走査）される。それとともにインクフィルム１０３
及び受像紙１０４が主走査方向と略直角な矢印Ｙ方向に
搬送されて副走査がなされる。このようにインクフィル
ム１０３に照射されたレーザビームはその強度に応じて
照射部分に吸収され、光熱変換が行われインクを溶融し
受像紙１０４に転写する。したがって上記主走査及び副
走査を繰り返して行なうことにより受像紙１０４上への
インクの転写が２次元的になされ所望の２次元画像が形
成される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来のレーザビーム記
録装置、特にレーザビームの光エネルギーを熱エネルギ
ーに変換し、この熱エネルギーを用いて所望画像を記録
紙上に記録するレーザビーム記録装置においては、イン
クを溶融あるいは昇華するための熱エネルギーがレーザ
ビームの強度に依存する構成となっているので、記録速
度の向上を図るにはレーザビームの強度を増大させるこ
とが必要となる。飛躍的な記録速度を向上させるための
数ワット級の高強度のレーザビームを出力するレーザ光
源としては、固体レーザ装置やブロードエリア型等の大
出力半導体レーザが知られているが、固体レーザ装置で
は直接的にレーザビームを変調できず、装置が大型化、
高価格化するなどの問題点があり、また、ブロードエリ
ア型等の大出力半導体レーザでは、出射ビームの横モー
ドがマルチモードで発振するため集光スポット形状が不
安定になるなどの問題点があった。

【０００５】また、単一レーザビームを用いて記録を行
うため、走査速度の制限などによって飛躍的な記録速度
の向上は困難であった。

【０００６】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、レーザビームの微小な集光スポ
ットを安定に形成し、集光スポットの光強度を増加さ
せ、並列記録を行うことにより記録密度の向上と記録速
度の飛躍的向上を図ったレーザビーム記録装置を得るこ
とを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係るレ
ーザビーム記録装置は、第１の高出力レーザ光源からの
レーザビームによって被照射物上に形成される集光スポ
ットの内部に、各々独立な画像記録信号によって駆動さ
れる複数の第２のレーザ光源より出射されたレーザビー
ムにより複数の集光スポットを隣接して配置するように
構成したものである。

【０００８】請求項２の発明に係るレーザビーム記録装
置は、第１の高出力レーザ光源からのレーザビームによ
って被照射物上に形成される集光スポットを、各々独立
な画像記録信号によって駆動される複数の第２のレーザ
光源より出射された複数のレーザビームにより中心位置
が略同一線上に隣接して配置された複数の集光スポット
より大きくし、中心位置を前記略同一線上に配置するよ
うに構成したのもである。

【０００９】請求項３の発明に係るレーザビーム記録装
置は、複数のレーザ光源において、連続的に照射するレ
ーザビームの波長λ１を記録画像信号により強度変調さ
れるレーザビームの波長λ２より大きく（長波長）して
構成したものである。

【００１０】請求項４の発明に係わるレーザビーム記録
装置は、複数のレーザ光源において、連続的に照射する
レーザ光源に横モードがマルチモード化して発振する大
出力半導体レーザを、記録画像信号により強度変調され
る複数のレーザ光源に単一モードで発振する半導体レー
ザを用いて構成したものである。

【００１１】請求項５の発明に係るレーザビーム記録装
置は、複数のレーザ光源において、連続的に照射するレ
ーザ光源に横モードがマルチモード化して発振する大出
力半導体レーザを、記録画像信号により強度変調される
複数のレーザ光源に単一モードで発振する半導体レーザ
素子を同一基板上に形成したマルチビーム半導体レーザ
を用いて構成したものである。

【００１２】

【作用】請求項１の発明においては、第１の高出力レー
ザ光源からのレーザビームの光エネルギーが、各々独立
な画像記録信号によって駆動される複数の第２のレーザ
光源より出射された複数のレーザビームによって形成さ
れた集光スポット全体の光エネルギーに加算され記録に
必要な熱エネルギーが与えられる。

【００１３】請求項２の発明においては、第１の高出力
レーザ光源からのレーザビームの光エネルギーが、各々
独立な画像記録信号によって駆動される複数の第２のレ
ーザ光源より出射された複数のレーザビームによって形
成された集光スポットの中央部の光エネルギーに加算さ
れ記録に必要な熱エネルギーが与えられる。

【００１４】請求項３の発明においては、複数のレーザ
光源から出射されるレーザビームによって形成される光
スポットの内部に半導体レーザからの変調されたレーザ
ビームによって形成される光スポットを配置するため
に、変調されるレーザビームの波長を他のレーザビーム
の波長より短くして構成した。

【００１５】請求項４の発明においては、複数のレーザ
光源において、連続的に照射するレーザ光源に横モード
がマルチモード化して発振する大出力半導体レーザを用
い、これらのレーザビームによって形成される光スポッ
トの内部に半導体レーザからの変調されたレーザビーム
によって形成される光スポットを配置するために、変調
するレーザ光源に単一横モードで発振する半導体レーザ
を用いて構成した。

【００１６】請求項５の発明においては、複数のレーザ
光源において、連続的に照射するレーザ光源に横モード
がマルチモード化して発振する大出力半導体レーザを用
い、これらのレーザビームによって形成される光スポッ
トの内部に半導体レーザからの変調されたレーザビーム
によって形成される光スポットを配置するために、記録
画像信号により強度変調される複数のレーザ光源に単一
モードで発振する半導体レーザ素子を同一基板上に形成
したマルチビーム半導体レーザを用いて構成した。

【００１７】

【実施例】

実施例１． 以下、本発明を図面に基づいて説明する。
図１は本発明の第１の実施例におけるレーザビーム記録
装置を示す斜視図である。図において、符号１０１〜１
０４は図９の従来例と同様のものであり、同一符号を付
して説明を省略する。１ａ、１ｂは記録画像に関わる印
写信号発生部、２ａ、２ｂはそれぞれ印写信号発生部１
ａ、１ｂから出力された記録画像信号によってレーザビ
ームの強度変調を行う半導体レーザ駆動装置、３は半導
体レーザ駆動装置２ｂによって強度変調される半導体レ
ーザ、４はレーザビーム合成手段、５は半導体レーザ１
０１及び３から出射されたレーザビームを平行光に変換
するためのコリメート光学系、６は固体レーザ等を用い
たレーザ光源、レーザ光源６は図示しないレーザ駆動装
置によって画像記録開始と共に連続発振するように動作
させられる。７は半導体レーザ１０１及び３からの出射
ビームとレーザ光源４からの出射ビームを略同一の光軸
に合成するためのビーム合成手段、８は例えばｆ・θレ
ンズからなりレーザビームを集光するための光学系、イ
ンクフィルム１０３はレーザビーム集光光学系８の略集
光（焦点）位置に配置されており、９ａ、９ｂはインク
フィルム１０３の送り出し、巻き取りを行うインクフィ
ルムローラ、１０は受像紙１０４の搬送動作を行うプラ
テンローラである。

【００１８】次に動作について説明する。外部からの画
像記録信号Ｓａは印写信号発生部１ａに入力され、所定
の処理を加えられた後半導体レーザ駆動装置２ａに入力
される。半導体レーザ駆動装置２ａは半導体レーザ１０
１を印写信号発生部１ａからの画像記録信号に従って光
パルスもしくは２値レベルに強度変調する。同様に並列
記録を行うための独立した画像記録信号Ｓｂは印写信号
発生部１ｂに入力され、所定の処理を加えられた後半導
体レーザ駆動装置２ｂに入力される。半導体レーザ駆動
装置２ｂは半導体レーザ３を印写信号発生部１ｂからの
画像記録信号に従って光パルスもしくは２値レベルに強
度変調する。半導体レーザ１０１及び３より出射された
レーザビームはレーザビーム合成手段４により合成さ
れ、コリメート光学系５によって平行光に変換される。
一方、画像記録開始と共にレーザ光源６からレーザビー
ムが出射されており、半導体レーザ１０１及び４から出
射したレーザビームとレーザビーム合成手段７において
合成され略単一のレーザビームとなる。この合成された
レーザビームは回転多面鏡１０２により反射偏向され第
２の光学系８を透過した後、インクフィルム１０３上に
集光スポットを形成され、矢印Ｘ方向に走査（主走査）
される。それとともにインクフィルム１０３及び受像紙
１０４がインクフィルムローラ９ａ、９ｂ及びプラテン
ローラ１０によって主走査方向と略直角な矢印Ｙ方向に
搬送されて副走査がなされる。インクフィルム１０３に
照射されたレーザビームは、その強度に応じて被照射部
分に設けられた光熱変換手段によって熱エネルギーに変
換され、インクを溶融し、受像紙１０４に転写する。上
記主走査、副走査を繰り返して行うことにより受像紙１
０４上へのインク転写が２次元的に行われ画像が形成さ
れる。

【００１９】次に、上記インクフィルム１０３に集光、
照射された合成されたレーザビームの光スポットについ
て説明する。図２は本発明の第１の実施例における集光
スポットの配置の様子を示す図であり、図において、２
０１は半導体レーザ１０１から出射されたレーザビーム
によって形成された集光スポット、２０２は半導体レー
ザ３から出射されたレーザビームによって形成された集
光スポット、２０３はレーザ光源６から出射されたレー
ザビームによって形成された集光スポットである。前記
集光スポット２０１、２０２の形状は、前記集光スポッ
ト２０３の形状とほぼ等しいか小さく形成し、前記集光
スポット２０１、２０２は前記集光スポット２０３の内
部に位置するように配置している。また、前記集光スポ
ット２０１、２０２は、図中Ａで示す主走査方向に対し
て平行して配置しているため、２走査線を同時に並列記
録できる。

【００２０】上記インクフィルム１０３に集光、照射さ
れた合成されたレーザビームの光強度について図３を用
いて説明する。図３はレーザ光源６から出射されたレー
ザビーム強度ａ、半導体レーザ１０１から出射されたレ
ーザビーム強度ｂ及び合成されたレーザビーム強度の時
間変化と記録に必要なレーザビーム強度ｚを模式的に示
したものである。この図において、レーザ光源６から連
続的に出射されたレーザビームと、半導体レーザ１０１
から画像記録信号によって２値レベルに変調されたレー
ザビームの個々のレーザビーム強度は、図中の記録に必
要なレーザビーム強度ｚを越えることはなく個々のレー
ザビーム単体では記録を行うことができないことを示し
ているが、これらのレーザビームを加算することによ
り、画像記録信号に伴って記録に必要なレーザビーム強
度ｚが達成され、記録が可能となることを示している。
半導体レーザ３から出射されたレーザビームについても
同様であり説明は省略する。

【００２１】実施例２．次に、本発明の第２の実施例に
ついて説明する。本発明の第２の実施例は、複数のレー
ザビームの合成後の配置に関するものであり、前記第１
の実施例とはレーザビームの集光スポットの配置に関し
てのみ異なる。従って、本実施例の構成に関する説明は
省略し、発明の要点をインクフィルム１０３上に形成さ
れた集光スポットを用いて説明する。図４は本発明の第
２の実施例を示すインクフィルム１０３上に照射された
レーザビームの集光スポットの配置の様子を示す図あ
る。図において、２０１〜２０３は図３と同様のもので
あり説明を省略する。図中、斜線をつけて表示した２０
１ａ、２０２ａはそれぞれ集光スポット２０１と集光ス
ポット２０３との重畳領域、集光スポット２０２と集光
スポットとの重畳領域である。前記集光スポット２０
１、２０２は図中Ａで示す主走査方向に対して平行して
配置しているため、２走査線を同時に並列記録できる。

【００２２】上記集光スポット２０１、２０２では、そ
れぞれの内部に形成された重畳領域２０１ａ、２０２ｂ
においてのみ光強度の加算が行われ、図３にて示したよ
うに記録に必要なレーザビーム強度ｚが達成され記録が
可能となる。集光スポット２０１〜２０３は、重畳する
領域を有するように任意に配置することが可能である
が、一般には、レーザ光源から出射されるレーザビーム
は、その断面強度分布がガウス分布形状であることが知
られており、図４のように、集光スポットの中心位置を
略同一として配置することにより、光エネルギーの加算
が最も効率よく達成される。

【００２３】実施例３．次に、本発明の第３の実施例に
ついて説明する。本発明の第３の実施例は、前記実施例
１を容易に達成するための手段を示したものであり、複
数のレーザビームの構成、特に発振波長に関するもので
ある。前記第１の実施例とはレーザビームの発振波長を
規定すると共に、ダイクロイックミラー等によるレーザ
ビーム合成手段を用いることを可能としたことのみが異
なる。従って、本実施例の構成、動作に関する説明は省
略し、発明の要点をインクフィルム１０３上に形成する
集光スポットの様子を用いて説明する。図５は本発明の
第３の実施例を示すインクフィルム１０３上に照射され
るレーザビームの集光の様子と、インクフィルム１０３
上に形成される集光スポットの形状を模式的に示したも
のであり、説明を容易にするために２つにレーザビーム
を用いている。図５において、α、λ１、ω１は、それ
ぞれ前記レーザ光源６から出射されたレーザビームとそ
の波長及び集光スポット２０３の直径、β、λ２、ω２
は、それぞれ前記半導体レーザ１０１から出射されたレ
ーザビームとその波長及び集光スポット２０１の直径を
示しており、λ１≧λ２としている。

【００２４】上記のように、レーザビームの波長が異な
る場合、同一の光学系を用いて集光すると、硝材の屈折
率が波長依存性を有することにより、異なった位置に集
光スポットが形成される。一般には波長が短くなるに従
い、光学系の焦点距離が短くなるため、半導体レーザ１
０１から出射されたレーザビームの集光位置は、レーザ
光源６からのレーザビームの集光位置より手前に形成さ
れ、この位置にインクフィルム１０３を配置する。これ
によりインクフィルム上に形成される集光スポット２０
１は集光スポット２０３の内部に配置される。したがっ
て、前記実施例１に示した合成された集光スポットの構
成を容易に達成することができる。半導体レーザ３によ
る集光スポット２０２についても同様であり説明を省略
するが、集光スポット２０１、２０２を分離して集光ス
ポット２０３内部に配置するためには半導体レーザ１０
１及び４から出射するレーザビームの光軸を集光スポッ
トの分離量に従って光軸を傾けて配置すればよい。

【００２５】さらに、レーザビームは同一の光学系を用
いる場合、波長が短いほど微小な集光スポットを形成す
ることができる。このため上記集光スポット２０３の内
部に位置する集光スポット２０１をより微小に形成する
ことが可能となる。

【００２６】実施例４．次に、本発明の第４の実施例に
ついて図６を用いて説明する。本発明の第４の実施例
は、前記までの実施例を容易に達成するするための手段
を示したものであり、複数のレーザ光源をすべて半導体
レーザで構成した。図６は本発明の第４の実施例におけ
るレーザビーム記録装置を示す斜視図である。図におい
て、１０２〜１０４、１、２、４、５、７〜１０は図１
の第１の実施例と同様のものであり、同一符号を付して
説明を省略する。６０１、６０２は単一横モードで発振
する第１の半導体レーザ、６０３は数百ｍＷ以上の連続
出力を有し、横モードがマルチモードで発振する第２の
半導体レーザである。

【００２７】次に本実施例の要点を説明する。横モード
がマルチモードで発振するレーザビームを集光した場
合、回折限界まで集光することができず、同一の光学系
を用いた場合、単一横モードのレーザビームによる集光
スポット形状より大きく形成される。このため、略集光
位置に配置されたインクフィルム１０３上に形成される
半導体レーザ６０１、６０２から出射されたレーザビー
ムによる集光スポット２０１、２０２は、半導体レーザ
６０３から出射されたレーザビームによる集光スポット
２０３の内部に配置される。したがって、前記実施例１
に示した合成された集光スポットの構成を達成すること
ができる。

【００２８】さらに、前記半導体レーザ６０１、６０２
の発振波長を、前記半導体レーザ６０３の発振波長より
短くすることにより、上記第３の実施例に示したように
上記集光スポット２０３の内部に位置する集光スポット
２０１、２０２をより微小に形成することが可能とな
る。

【００２９】実施例５．次に、本発明の第５の実施例に
ついて説明する。本発明の第５の実施例は、前記実施例
４を容易に達成するするための手段を示したものであ
り、複数の単一横モードで発振する半導体レーザの構
成、特に半導体レーザ素子に関するものである。図７は
本発明の第５の実施例におけるレーザビーム記録装置を
示す斜視図であり、図において、１０２〜１０４、１、
２、５、８〜１０は図６の第４の実施例と同様のもので
あり、同一符号を付して説明を省略する。７０１は単一
横モードで発振するマルチビーム半導体レーザ、６０３
は数百ｍＷ以上の連続出力を有し、横モードがマルチモ
ードで発振する大出力半導体レーザであり、前記２つの
半導体レーザは出射レーザビームの偏光方向が互いに直
交するように配置されている。７０２は偏光ビームスプ
リッタ等の偏光性光学素子を用いた半導体レーザ７０１
からの出射ビームと半導体レーザ６０３からの出射ビー
ムを略同一の光軸に合成するためのビーム合成手段であ
る。

【００３０】次に本実施例の要点を図８を合わせて用い
ながら説明する。図８は複数の半導体レーザ素子が同一
基板上に形成されたマルチビーム半導体レーザ素子の概
略構成を示す斜視図であり、７０１ａ、７０２ｂは同一
基板上の異なるレーザ共振器から出射された単一横モー
ド発振するレーザビームである。マルチビーム半導体半
導体レーザ７０１のレーザビーム７０１ａ、７０１ｂは
各々独立に印写信号発生部からの画像記録信号に従って
光パルスもしくは２値レベルに強度変調され、ｐ方向に
偏光したレーザビームを出射し、コリメート光学系５に
よって平行光に変換される。一方、画像記録開始と共に
半導体レーザ６０３からｓ方向に偏光されたレーザビー
ムが出射されており、マルチビーム半導体レーザ７０１
から出射したレーザビームと偏光ビームスプリッタ等で
構成されたレーザビーム合成手段７０２において合成さ
れ略単一のレーザビームとなる。

【００３１】上記のように、横モードがマルチモードで
発振するレーザビームを集光した場合、回折限界まで集
光することができず、単一横モードのレーザビームによ
る集光スポット形状より大きく形成される。このため、
略集光位置に配置されたインクフィルム１０３上に形成
されるマルチビーム半導体レーザ７０１から出射された
レーザビームによる集光スポットは、半導体レーザ６０
３から出射されたレーザビームによる集光スポットの内
部に中心位置を略同一として配置される。したがって、
前記実施例４に示した合成された集光スポットの構成を
達成することができる。

【００３２】

【発明の効果】請求項１の発明によれば、第１の高出力
レーザ光源からのレーザビームによって被照射物上に形
成される集光スポットの内部に、各々独立な画像記録信
号によって駆動される複数の第２のレーザ光源より出射
された複数のレーザビームにより複数の集光スポットを
隣接して主走査方向に並列して配置するように構成した
ので記録に用いる複数の集光スポットの光強度を同時に
増加させることができ、記録速度の飛躍的向上を図った
レーザビーム記録装置が得られる。

【００３３】請求項２の発明によれば、第１の高出力レ
ーザ光源からのレーザビームによって被照射物上に形成
される集光スポットを、各々独立な画像記録信号によっ
て駆動される複数の第２のレーザ光源より出射された複
数のレーザビームにより中心位置が略同一線上に隣接し
て配置された複数の集光スポットより大きくし、中心位
置を前記略同一線上に配置するように構成したので、記
録に用いる複数の集光スポットの光強度を増大させる領
域を微少な領域に限定でき、記録密度の向上と記録速度
の飛躍的な向上を図ったレーザビーム記録装置が得られ
る。

【００３４】請求項３の発明によれば、第１の高出力レ
ーザ光源からのレーザビームの波長λ１を記録画像信号
により強度変調される複数の第２の半導体レーザからの
レーザビームの波長λ２より大きく（長波長）して構成
したので、被照射面を第２の半導体レーザの集光位置に
配置すれば、第１のレーザ光源からのレーザビームによ
って形成される集光スポットの内部に第２の半導体レー
ザからのレーザビームによって形成される集光スポット
を容易に配置することができる。

【００３５】請求項４の発明によれば、複数のレーザ光
源において、連続的に照射する第１のレーザ光源に横モ
ードがマルチモード化して発振する大出力半導体レーザ
を、記録画像信号により強度変調される第２の複数のレ
ーザ光源に単一モードで発振する半導体レーザを用いて
構成したので、単一の光学系を用いて集光した場合、第
１の半導体レーザからのレーザビームによって形成され
る光スポットの内部に第２の半導体レーザからの変調さ
れたレーザビームによって形成される光スポットを容易
に配置することができる。

【００３６】請求項５の発明によれば、複数のレーザ光
源において、連続的に照射する第１のレーザ光源に横モ
ードがマルチモード化して発振する大出力半導体レーザ
を、記録画像信号により強度変調される複数の第２のレ
ーザ光源に単一モードで発振する半導体レーザ素子を同
一基板上に形成したマルチビーム半導体レーザを用いて
構成したので、第１の半導体レーザからのレーザビーム
によって形成される光スポットの内部に第２の半導体レ
ーザからの変調されたレーザビームによって形成される
光スポットを容易に配置することができ、光学系の簡略
化、装置の小型化、低価格化も図ったレーザビーム記録
装置が得られる。

【００３７】なお、上記の実施例では、回転多面鏡によ
る走査方法を用いて説明したが、ガルバノミラーなどの
ビーム偏向手段を用いても良い。また、ドラム回転によ
って主走査を、ドラム回転方向と直交する方向へレーザ
ビームを移動させ副走査を行う記録方式を用いても同様
の効果を呈する。被照射体においてもインクフィルムに
限定されずレーザビームを吸収し、光熱変換を行うこと
ができるものであれば良い。

【００３８】さらに、本発明では、連続的に照射される
レーザビームと画像記録信号で変調されたレーザビーム
を加算する方式について示したが、連続的に照射される
レーザビームが画像記録信号で変調、もしくは画像記録
信号より高い周波数でパルスあるいは２値変調されて加
算されていても同様の効果を奏する。また、画像記録信
号で変調された２つ以上のレーザビームを２次元的に配
置してもよい。

【００３９】また、本発明では、連続的に照射されるレ
ーザビームと画像記録信号で変調されたレーザビームの
光軸を略一致するようにした場合についてのみ説明した
が、熱バイアス効果を与えるレーザビームは情報記録を
行うレーザビームより主走査方向に対して先行するよう
に配置し、前記先行レーザビームで発生した熱の拡散を
利用して熱バイアス効果を得るように構成しても同様の
効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例におけるレーザビーム記
録装置を示す斜視図である。

【図２】本発明の第１の実施例における集光スポットの
配置の様子を示す図である。

【図３】本発明の第１の実施例における集光スポットの
光強度の様子を示す図である。

【図４】本発明の第２の実施例における集光スポットの
配置の様子を示す図である。

【図５】本発明の第３の実施例における集光されるレー
ザビームの様子と形成される集光スポットを示す図であ
る。

【図６】本発明の第４の実施例におけるレーザビーム記
録装置を示す斜視図である。

【図７】本発明の第５の実施例におけるレーザビーム記
録装置を示す斜視図である。

【図８】本発明の第５の実施例におけるマルチビーム半
導体レーザの構成を示す図である。

【図９】従来のレーザビーム記録装置を示す斜視図であ
る。

【符号の説明】

１ａ、１ｂ 印写信号発生部 ２ａ、２ｂ 半導体レーザ駆動装置 ３ 半導体レーザ ４ レーザビーム合成手段 ５ コリメート光学系 ６ レーザ光源 ７ レーザビーム合成手段 ８ 集光光学系 １０１ 半導体レーザ １０３ インクフィルム ６０１、６０２ 単一モード半導体レーザ ６０３ マルチモード大出力半導体レーザ ７０１ マルチビーム半導体レーザ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尾台 佳明 鎌倉市大船二丁目14番40号 三菱電機株式 会社生活システム研究所内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記録画像信号を出力する複数の印写信号
   発生部と、被照射物にレーザビームを照射するための複
   数のレーザ光源と、前記複数のレーザ光源は、印写時に
   おいて、少なくとも１つのレーザビームを連続的あるい
   は記録画像信号の周波数より高い周波数で変調して出射
   させる第１のレーザ光源と、上記記録画像信号にもとづ
   いて光パルスもしくは２値信号に変調させる第２の複数
   の半導体レーザで構成され、前記複数のレーザ光源を各
   々独立に駆動するレーザ光源駆動装置と、前記複数のレ
   ーザ光源から出射されたレーザビームを略同一光軸に合
   成する合成手段と、該合成されたレーザビームを被照射
   物に集光する光学系と、集光されたレーザビームを被照
   射物上に走査させる走査手段と、前記集光されたレーザ
   ビームの略集光位置に光エネルギーを熱エネルギーに変
   換する光熱変換手段を備えたレーザビーム記録装置にお
   いて、上記の第１のレーザ光源の出射ビームによって形
   成される集光スポットの内部に、上記第２の半導体レー
   ザの出射ビームによって形成される複数の集光スポット
   を配置したことを特徴とするレーザビーム記録装置。
2. 【請求項２】 記録画像信号を出力する複数の印写信号
   発生部と、被照射物にレーザビームを照射するための複
   数のレーザ光源と、前記複数のレーザ光源は、印写時に
   おいて、少なくとも１つのレーザビームを連続的あるい
   は記録画像信号の周波数より高い周波数で変調して出射
   させる第１のレーザ光源と、上記記録画像信号にもとづ
   いて光パルスもしくは２値信号に変調させる第２の複数
   の半導体レーザで構成され、前記複数のレーザ光源を各
   々独立に駆動するレーザ光源駆動装置と、前記複数のレ
   ーザ光源から出射されたレーザビームを略同一光軸に合
   成する合成手段と、該合成されたレーザビームを被照射
   物に集光する光学系と、集光されたレーザビームを被照
   射物上に走査させる走査手段と、前記集光されたレーザ
   ビームの略集光位置に光エネルギーを熱エネルギーに変
   換する光熱変換手段を備え、上記第２の複数の半導体レ
   ーザの出射ビームによって形成される集光スポットを中
   心位置を略同一線上に近接して配置したレーザビーム記
   録装置において、上記の第１のレーザ光源の出射ビーム
   によって形成される集光スポットを、上記略同一線上に
   上記第２の半導体レーザによって形成された集光スポッ
   トより大きくなるように形成、配置したことを特徴とす
   るレーザビーム記録装置。
3. 【請求項３】 上記複数のレーザ光源は、異なる波長を
   有する少なくとも２つ以上のレーザ光源で構成され、上
   記第１のレーザ光源の波長λ１と上記第２の半導体レー
   ザ素子の波長λ２が、λ１≧λ２であることを特徴とす
   る請求項１、及び請求項２記載のレーザビーム記録装
   置。
4. 【請求項４】 上記複数のレーザ光源は、少なくとも２
   つ以上の半導体レーザ素子で構成され、印写時におい
   て、レーザビームを連続的に出射する第１の半導体レー
   ザ素子は横モードがマルチモードで発振し、上記記録画
   像信号にもとずいて光パルスもしくは２値信号に変調さ
   れる第２の複数の半導体レーザ素子は横モードが単一モ
   ードで発振することを特徴とする請求項１、及び請求項
   ２記載のレーザビーム記録装置。
5. 【請求項５】 上記複数のレーザ光源は、少なくとも２
   つ以上の半導体レーザ素子で構成され、印写時におい
   て、レーザビームを連続的に出射する第１の半導体レー
   ザ素子は横モードがマルチモードで発振し、上記記録画
   像信号にもとずいて光パルスもしくは２値信号に変調さ
   れる第２の複数の半導体レーザ素子は横モードが単一モ
   ードで発振し、少なくとも２個以上の半導体レーザ素子
   が同一基板上に形成されたマルチビーム半導体レーザで
   あることを特徴とする請求項１、請求項２、及び請求項
   ４記載のレーザビーム記録装置。