JP2000180757A - マルチ光ビ―ム露光装置 - Google Patents
マルチ光ビ―ム露光装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ハイパワー半導体レーザを用いることなくハイ
パワー化が可能であり、しかもスポット状の光ビームを
照射することのできる低コスト且つ高信頼のマルチ光ビ
ーム露光装置を提供すること。 【解決手段】複数の光源からそれぞれ射出される光ビー
ムＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３の少なくとも一部の領域が全
て露光面で重なるように該複数の光源を配置してなる光
源ユニットを複数有すると共に、前記各光源ユニットか
らそれぞれ発生されるビーム束を露光面上で所定の一軸
方向において等間隔になるように照射する露光光学系を
有することを特徴とする。
パワー化が可能であり、しかもスポット状の光ビームを
照射することのできる低コスト且つ高信頼のマルチ光ビ
ーム露光装置を提供すること。 【解決手段】複数の光源からそれぞれ射出される光ビー
ムＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３の少なくとも一部の領域が全
て露光面で重なるように該複数の光源を配置してなる光
源ユニットを複数有すると共に、前記各光源ユニットか
らそれぞれ発生されるビーム束を露光面上で所定の一軸
方向において等間隔になるように照射する露光光学系を
有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、網点画像を形成す
る光プリンターなどに適用される、低コストで高信頼の
ハイパワー化が可能なマルチ光ビーム露光装置に関す
る。
る光プリンターなどに適用される、低コストで高信頼の
ハイパワー化が可能なマルチ光ビーム露光装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、かかるマルチ光ビーム露光装置と
しては、図５に示すものが知られている。このマルチ光
ビーム露光装置は、それぞれ半導体レーザ１１とコリメ
ータレンズ１２からなる複数の光源ユニット１０がレン
ズ２１の前側主点を中心とする曲面３０上に所定の配列
パターンで配設されて構成されており、一つの光源ユニ
ット１０の半導体レーザ１１から出射した光ビームは、
コリメータレンズ１２によって略平行な光ビームとさ
れ、該光ビームがレンズ２１の前側主点を通過するよう
に、レンズ２１、２２、２３からなる露光光学系２０に
入射される。光ビームはレンズ２１及び２２からなるア
フォーカル光学系を経てビーム径が拡大され、次いでレ
ンズ２３を経て露光面４０上に照射されるようになって
いる。また、他の光源ユニットからの光ビームもそれぞ
れ同様の過程を経て露光面４０上に照射される。
しては、図５に示すものが知られている。このマルチ光
ビーム露光装置は、それぞれ半導体レーザ１１とコリメ
ータレンズ１２からなる複数の光源ユニット１０がレン
ズ２１の前側主点を中心とする曲面３０上に所定の配列
パターンで配設されて構成されており、一つの光源ユニ
ット１０の半導体レーザ１１から出射した光ビームは、
コリメータレンズ１２によって略平行な光ビームとさ
れ、該光ビームがレンズ２１の前側主点を通過するよう
に、レンズ２１、２２、２３からなる露光光学系２０に
入射される。光ビームはレンズ２１及び２２からなるア
フォーカル光学系を経てビーム径が拡大され、次いでレ
ンズ２３を経て露光面４０上に照射されるようになって
いる。また、他の光源ユニットからの光ビームもそれぞ
れ同様の過程を経て露光面４０上に照射される。
【０００３】かかる従来のマルチ光ビーム露光装置は、
光源ユニット１０が一つの半導体レーザ１１及びコリメ
ータレンズ１２からなるため、各光源ユニットからは単
一の光ビームが発生し、該単一の光ビームを露光面４０
上に照射するようになっている。このため、露光面４０
上では光源ユニット１０の個数、即ち半導体レーザ１１
の個数だけのビームスポットが得られるようになってい
る。
光源ユニット１０が一つの半導体レーザ１１及びコリメ
ータレンズ１２からなるため、各光源ユニットからは単
一の光ビームが発生し、該単一の光ビームを露光面４０
上に照射するようになっている。このため、露光面４０
上では光源ユニット１０の個数、即ち半導体レーザ１１
の個数だけのビームスポットが得られるようになってい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近時、レーザ熱溶融型
記録装置等のように、半導体レーザから出射される光ビ
ームの持つ熱エネルギーを利用して、記録材料（感熱材
料）の露光面に画像を記録する技術が知られている。上
記従来のマルチ光ビーム露光装置をかかるレーザ熱溶融
型記録装置等に用いる場合、半導体レーザから出射され
る光ビームで感熱材料上に画像を記録可能とするため
に、光源ユニット１０のそれぞれの半導体レーザ１１
に、より高出力のハイパワー半導体レーザを用いる必要
がある。
記録装置等のように、半導体レーザから出射される光ビ
ームの持つ熱エネルギーを利用して、記録材料（感熱材
料）の露光面に画像を記録する技術が知られている。上
記従来のマルチ光ビーム露光装置をかかるレーザ熱溶融
型記録装置等に用いる場合、半導体レーザから出射され
る光ビームで感熱材料上に画像を記録可能とするため
に、光源ユニット１０のそれぞれの半導体レーザ１１
に、より高出力のハイパワー半導体レーザを用いる必要
がある。
【０００５】しかし、ハイパワー半導体レーザは、通常
の半導体レーザに比べて高価で且つ信頼性に劣る上に、
冷却を必要とするという実用上の問題を有している。
の半導体レーザに比べて高価で且つ信頼性に劣る上に、
冷却を必要とするという実用上の問題を有している。
【０００６】また、露光記録される画像の分解能を高め
るためには、光源ユニットから出射される光ビームを小
さなスポット状とすることにより、記録密度を高め得る
ようにすることが望まれる。しかし、ハイパワー半導体
レーザは横モードがマルチモードであって、射出される
光ビームが横長の線状となるため、そのビーム径を小さ
く収束してスポット状の光ビームとして露光面に照射す
ることが難しい。従って、高い画像分解能が得られ難
く、網点画像等のように高い画像分解能が要求される画
像を形成することが極めて困難であるという問題があ
る。
るためには、光源ユニットから出射される光ビームを小
さなスポット状とすることにより、記録密度を高め得る
ようにすることが望まれる。しかし、ハイパワー半導体
レーザは横モードがマルチモードであって、射出される
光ビームが横長の線状となるため、そのビーム径を小さ
く収束してスポット状の光ビームとして露光面に照射す
ることが難しい。従って、高い画像分解能が得られ難
く、網点画像等のように高い画像分解能が要求される画
像を形成することが極めて困難であるという問題があ
る。
【０００７】そこで、本発明は、ハイパワー半導体レー
ザを用いることなくハイパワー化が可能であり、しかも
スポット状の光ビームを照射することのできる低コスト
且つ高信頼のマルチ光ビーム露光装置を提供することを
課題とする。
ザを用いることなくハイパワー化が可能であり、しかも
スポット状の光ビームを照射することのできる低コスト
且つ高信頼のマルチ光ビーム露光装置を提供することを
課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の請求項１記載のマルチ光ビーム露光装置は、複数の光
源からそれぞれ射出される光ビームの少なくとも一部の
領域が全て露光面で重なるように該複数の光源を配置し
てなる光源ユニットを複数有すると共に、前記各光源ユ
ニットからそれぞれ発生されるビーム束を露光面上で所
定の一軸方向において等間隔になるように照射する露光
光学系を有することを特徴とする。
の請求項１記載のマルチ光ビーム露光装置は、複数の光
源からそれぞれ射出される光ビームの少なくとも一部の
領域が全て露光面で重なるように該複数の光源を配置し
てなる光源ユニットを複数有すると共に、前記各光源ユ
ニットからそれぞれ発生されるビーム束を露光面上で所
定の一軸方向において等間隔になるように照射する露光
光学系を有することを特徴とする。
【０００９】請求項２記載の発明は、上記露光光学系
は、複数のビーム束に対して共通の露光光学系であるこ
とを特徴とする請求項１記載のマルチ光ビーム露光装置
である。
は、複数のビーム束に対して共通の露光光学系であるこ
とを特徴とする請求項１記載のマルチ光ビーム露光装置
である。
【００１０】請求項３記載の発明は、上記各ビーム束
は、それぞれの光ビームのビーム強度重心を露光面上で
副走査方向にずらして重ねてなることを特徴とする請求
項１又は２記載のマルチ光ビーム露光装置である。
は、それぞれの光ビームのビーム強度重心を露光面上で
副走査方向にずらして重ねてなることを特徴とする請求
項１又は２記載のマルチ光ビーム露光装置である。
【００１１】請求項４記載の発明は、上記各ビーム束
は、それぞれの光ビームのビーム強度重心を露光面上で
主走査方向にずらして重ねると共に、各光源の点灯タイ
ミングを主走査方向の走査速度に合わせて制御してなる
ことを特徴とする請求項１又は２記載のマルチ光ビーム
露光装置である。
は、それぞれの光ビームのビーム強度重心を露光面上で
主走査方向にずらして重ねると共に、各光源の点灯タイ
ミングを主走査方向の走査速度に合わせて制御してなる
ことを特徴とする請求項１又は２記載のマルチ光ビーム
露光装置である。
【００１２】請求項５記載の発明は、上記ビーム束を構
成する各光ビームは、少なくともいずれか一つが異なる
波長特性を有することを特徴とする請求項１〜４のいず
れかに記載のマルチ光ビーム露光装置である。
成する各光ビームは、少なくともいずれか一つが異なる
波長特性を有することを特徴とする請求項１〜４のいず
れかに記載のマルチ光ビーム露光装置である。
【００１３】請求項６記載の発明は、上記複数の光源ユ
ニットからそれぞれ発生されるビーム束のうちの一部の
ビーム束の光ビーム数が、他のビーム束の光ビーム数と
異なることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載
のマルチ光ビーム露光装置である。
ニットからそれぞれ発生されるビーム束のうちの一部の
ビーム束の光ビーム数が、他のビーム束の光ビーム数と
異なることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載
のマルチ光ビーム露光装置である。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面に基づいて説明する。
て図面に基づいて説明する。
【００１５】図１は、本発明に係るマルチ光ビーム露光
装置の一例を示す概略図である。図中、１は一つの光源
ユニットを示しており、該光源ユニット１は、半導体レ
ーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３からなる３つの光源と、そ
れら半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３のそれぞれに
対応して設けられたコリメータレンズＣＬ１、ＣＬ２、
ＣＬ３と、半導体レーザＬＤ２、ＬＤ３から出射した光
ビームを半導体レーザＬＤ１から出射した光ビームと略
平行光となるように反射するべく該半導体レーザＬＤ
２、ＬＤ３にそれぞれ対応して設けられたミラーＭ１、
Ｍ２とを有して構成されている。
装置の一例を示す概略図である。図中、１は一つの光源
ユニットを示しており、該光源ユニット１は、半導体レ
ーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３からなる３つの光源と、そ
れら半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３のそれぞれに
対応して設けられたコリメータレンズＣＬ１、ＣＬ２、
ＣＬ３と、半導体レーザＬＤ２、ＬＤ３から出射した光
ビームを半導体レーザＬＤ１から出射した光ビームと略
平行光となるように反射するべく該半導体レーザＬＤ
２、ＬＤ３にそれぞれ対応して設けられたミラーＭ１、
Ｍ２とを有して構成されている。
【００１６】各半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３か
らそれぞれ出射した光ビームは、それぞれコリメータレ
ンズＣＬ１、ＣＬ２、ＣＬ３によって略平行な光ビーム
とされる。そのうち半導体レーザＬＤ２、ＬＤ３から出
射した光ビームは、それそれミラーＭ１、Ｍ２によって
半導体レーザＬＤ１から出射した光ビームと略平行な光
ビームとされ、各半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３
からそれぞれ出射した３つの略平行な光ビームからなる
多重のビーム束ＬＢが形成される。
らそれぞれ出射した光ビームは、それぞれコリメータレ
ンズＣＬ１、ＣＬ２、ＣＬ３によって略平行な光ビーム
とされる。そのうち半導体レーザＬＤ２、ＬＤ３から出
射した光ビームは、それそれミラーＭ１、Ｍ２によって
半導体レーザＬＤ１から出射した光ビームと略平行な光
ビームとされ、各半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３
からそれぞれ出射した３つの略平行な光ビームからなる
多重のビーム束ＬＢが形成される。
【００１７】２は露光光学系であり、この露光光学系２
は従来同様にレンズ２ａ、２ｂ、２ｃの３つのレンズを
有して構成されており、光源ユニット１から発生した上
記ビーム束ＬＢがレンズ２ａの前側主点を通過するよう
に該レンズ２ａ及び２ｂからなるアフォーカル光学系に
入射した後、そのビーム径が拡大され、レンズ２ｃを介
して露光面４上に照射されるようになっている。この露
光光学系２は各光源ユニット１に対して共通であり、こ
れにより露光装置の低コスト化を図ることができる。
は従来同様にレンズ２ａ、２ｂ、２ｃの３つのレンズを
有して構成されており、光源ユニット１から発生した上
記ビーム束ＬＢがレンズ２ａの前側主点を通過するよう
に該レンズ２ａ及び２ｂからなるアフォーカル光学系に
入射した後、そのビーム径が拡大され、レンズ２ｃを介
して露光面４上に照射されるようになっている。この露
光光学系２は各光源ユニット１に対して共通であり、こ
れにより露光装置の低コスト化を図ることができる。
【００１８】ところで、前記各半導体レーザＬＤ１、Ｌ
Ｄ２、ＬＤ３は、上記露光光学系２を介して露光面４上
に照射された際、多重のビーム束ＬＢ構成する３つの光
ビームの少なくとも一部の領域が全て露光面４上で重な
るように光源ユニット１に配置されている。即ち、図２
に示すように、各半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３
から出射された３つの光ビームＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３
が露光光学系２を経て露光面４上に照射された際、それ
ら３つの光ビームＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３の全てが必ず
重なる領域Ａをビーム束ＬＢの少なくとも一部に有して
いることになる。同図に示す態様では、ビーム束ＬＢの
３つの光ビームＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３のビーム強度重
心を、露光面４上で副走査方向に少しずつずらして重
ね、それら３つの光ビームＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３の全
てが必ず重なる領域Ａを形成するようにした例を示して
いる。
Ｄ２、ＬＤ３は、上記露光光学系２を介して露光面４上
に照射された際、多重のビーム束ＬＢ構成する３つの光
ビームの少なくとも一部の領域が全て露光面４上で重な
るように光源ユニット１に配置されている。即ち、図２
に示すように、各半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３
から出射された３つの光ビームＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３
が露光光学系２を経て露光面４上に照射された際、それ
ら３つの光ビームＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３の全てが必ず
重なる領域Ａをビーム束ＬＢの少なくとも一部に有して
いることになる。同図に示す態様では、ビーム束ＬＢの
３つの光ビームＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３のビーム強度重
心を、露光面４上で副走査方向に少しずつずらして重
ね、それら３つの光ビームＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３の全
てが必ず重なる領域Ａを形成するようにした例を示して
いる。
【００１９】このように構成された光源ユニット１は、
曲面３上に、各光源ユニット１からそれぞれ発生される
多重のビーム束ＬＢが各光源ユニット１に共通の露光光
学系２を介して露光面４上に照射された際に、主走査方
向若しくは副走査方向の少なくともいずれかの一軸方向
において等間隔になるように複数配設される。
曲面３上に、各光源ユニット１からそれぞれ発生される
多重のビーム束ＬＢが各光源ユニット１に共通の露光光
学系２を介して露光面４上に照射された際に、主走査方
向若しくは副走査方向の少なくともいずれかの一軸方向
において等間隔になるように複数配設される。
【００２０】然して、かかるマルチ光ビーム露光装置の
作用について説明すると、各光源ユニット１の光源であ
る半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３から出射し、コ
リメータレンズＣＬ１、ＣＬ２、ＣＬ３によってそれぞ
れ略平行に整形された光ビームＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３
からなるビーム束ＬＢは、各光源ユニット１に対して共
通の露光光学系２に入射される。各ビーム束ＬＢは露光
光学系２のレンズ２１及びレンズ２２を経てビーム径が
拡大され、次いでレンズ２３を経て露光面４上にそれぞ
れ照射される。
作用について説明すると、各光源ユニット１の光源であ
る半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３から出射し、コ
リメータレンズＣＬ１、ＣＬ２、ＣＬ３によってそれぞ
れ略平行に整形された光ビームＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３
からなるビーム束ＬＢは、各光源ユニット１に対して共
通の露光光学系２に入射される。各ビーム束ＬＢは露光
光学系２のレンズ２１及びレンズ２２を経てビーム径が
拡大され、次いでレンズ２３を経て露光面４上にそれぞ
れ照射される。
【００２１】この露光面４上に照射された各ビーム束Ｌ
Ｂは、光ビームＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３の全てが必ず重
なる領域Ａを少なくとも一部に有している多重ビーム束
であるため、この多重化された領域Ａにおいて光エネル
ギーが増強されている。これにより、光源として高価で
且つ信頼性に劣るハイパワー半導体レーザを用いずに、
民生品に採用されている安価で信頼性の高い通常の半導
体レーザを用いても、露光面４上にハイパワー半導体レ
ーザと同等の光エネルギーを持つビーム光を照射させる
ことが可能となる。よって、ハイパワー化を可能としな
がらも低コストで高信頼性を有するマルチ光ビーム露光
装置を実現することができる。
Ｂは、光ビームＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３の全てが必ず重
なる領域Ａを少なくとも一部に有している多重ビーム束
であるため、この多重化された領域Ａにおいて光エネル
ギーが増強されている。これにより、光源として高価で
且つ信頼性に劣るハイパワー半導体レーザを用いずに、
民生品に採用されている安価で信頼性の高い通常の半導
体レーザを用いても、露光面４上にハイパワー半導体レ
ーザと同等の光エネルギーを持つビーム光を照射させる
ことが可能となる。よって、ハイパワー化を可能としな
がらも低コストで高信頼性を有するマルチ光ビーム露光
装置を実現することができる。
【００２２】しかも、各光ビームＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ
３はシングルモードの光であるので、各光源ユニット１
から露光面４上に照射されるビーム光は小さなスポット
状とすることができるため、容易に小ビーム化を達成す
ることができる。これにより、露光記録される画像の記
録密度の向上を図ることができ、高い画像分解能を得る
ことができるようになる。
３はシングルモードの光であるので、各光源ユニット１
から露光面４上に照射されるビーム光は小さなスポット
状とすることができるため、容易に小ビーム化を達成す
ることができる。これにより、露光記録される画像の記
録密度の向上を図ることができ、高い画像分解能を得る
ことができるようになる。
【００２３】また、図２に示すように、各ビーム束ＬＢ
の３つの光ビームＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３のビーム強度
重心を、露光面４上で副走査方向にずらして重ねた態様
において、各半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３をそ
れぞれ点灯制御すれば、従来の単一の光ビームで点灯制
御する場合に比べ、副走査方向に３倍の分解能で画像書
き込みが可能であり、分解能の向上を図ることも可能で
ある。
の３つの光ビームＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３のビーム強度
重心を、露光面４上で副走査方向にずらして重ねた態様
において、各半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３をそ
れぞれ点灯制御すれば、従来の単一の光ビームで点灯制
御する場合に比べ、副走査方向に３倍の分解能で画像書
き込みが可能であり、分解能の向上を図ることも可能で
ある。
【００２４】図３は、多重のビーム束ＬＢの別の態様に
おいて露光面４上に照射されるビーム光の配列パターン
を示している。この態様において各光ビームＬＢ１、Ｌ
Ｂ２、ＬＢ３は、そのビーム強度重心を露光面４上で主
走査方向に少しずつずらして重ねることにより、それら
３つの光ビームＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３の全てが必ず重
なる領域Ａを少なくとも一部に形成するようにしてい
る。
おいて露光面４上に照射されるビーム光の配列パターン
を示している。この態様において各光ビームＬＢ１、Ｌ
Ｂ２、ＬＢ３は、そのビーム強度重心を露光面４上で主
走査方向に少しずつずらして重ねることにより、それら
３つの光ビームＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３の全てが必ず重
なる領域Ａを少なくとも一部に形成するようにしてい
る。
【００２５】この態様の場合、各光ビームＬＢ１、ＬＢ
２、ＬＢ３を出射する半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、Ｌ
Ｄ３は、その点灯タイミングを主走査方向の走査速度に
合わせて制御することが好ましい。
２、ＬＢ３を出射する半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、Ｌ
Ｄ３は、その点灯タイミングを主走査方向の走査速度に
合わせて制御することが好ましい。
【００２６】図４は、その半導体レーザＬＤ１、ＬＤ
２、ＬＤ３の点灯タイミングを示すタイミングチャート
である。図中、（イ）は主走査に同期した書込みクロッ
ク、（ロ）は従来の単一の半導体レーザによる光ビーム
の点灯タイミングである。本発明に係るマルチ光ビーム
露光装置では、従来の単一の光ビームの点灯タイミング
時間内に、各半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３を主
走査方向の走査速度に合わせて順次点灯制御することに
より、記録材料の移動に同期した露光が可能となる。こ
れにより、各半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３から
出射した光ビームＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３の多重化され
た領域Ａが露光面４上の同一場所に集中するようにな
り、画像形成に必要な露光エネルギーを下げることが可
能になる。従って、各光ビームＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３
を同時点灯する場合に比べ、必要なビーム数が少なくて
も対応することができる利点がある。
２、ＬＤ３の点灯タイミングを示すタイミングチャート
である。図中、（イ）は主走査に同期した書込みクロッ
ク、（ロ）は従来の単一の半導体レーザによる光ビーム
の点灯タイミングである。本発明に係るマルチ光ビーム
露光装置では、従来の単一の光ビームの点灯タイミング
時間内に、各半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３を主
走査方向の走査速度に合わせて順次点灯制御することに
より、記録材料の移動に同期した露光が可能となる。こ
れにより、各半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３から
出射した光ビームＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３の多重化され
た領域Ａが露光面４上の同一場所に集中するようにな
り、画像形成に必要な露光エネルギーを下げることが可
能になる。従って、各光ビームＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３
を同時点灯する場合に比べ、必要なビーム数が少なくて
も対応することができる利点がある。
【００２７】なお、本発明において各光ビームＬＢ１、
ＬＢ２、ＬＢ３は、同一の波長特性を有するものに限ら
ず、少なくともいずれか一つが異なる波長特性を有する
ものであってもよい。これにより、分光感度の異なる複
数の記録材料への書き込みが可能となる。
ＬＢ２、ＬＢ３は、同一の波長特性を有するものに限ら
ず、少なくともいずれか一つが異なる波長特性を有する
ものであってもよい。これにより、分光感度の異なる複
数の記録材料への書き込みが可能となる。
【００２８】また、各光源ユニット１からそれぞれ発生
されるビーム束ＬＢを構成する光ビームの数は各光源ユ
ニット１それぞれに同一である必要はなく、複数の光源
ユニットのうちの一部の光源ユニットから発生するビー
ム束を構成する光ビーム数が他の光源部ユニットから発
生するビーム束の光ビーム数と異なる態様であってもよ
い。一般に、各ビーム束ＬＢが露光面４上に配列された
際に端部に位置するビーム束は画像形成に必要な露光エ
ネルギーが大きい。また、小さなドットを形成するため
の露光エネルギーは、大きなドットを形成するために必
要なエネルギーよりも大きなエネルギーが必要とされ
る。従って、このような大きなエネルギーが要求される
一部のビーム束の光ビームの数を増やせば、全体として
エネルギー利用効率が向上するので好ましい。
されるビーム束ＬＢを構成する光ビームの数は各光源ユ
ニット１それぞれに同一である必要はなく、複数の光源
ユニットのうちの一部の光源ユニットから発生するビー
ム束を構成する光ビーム数が他の光源部ユニットから発
生するビーム束の光ビーム数と異なる態様であってもよ
い。一般に、各ビーム束ＬＢが露光面４上に配列された
際に端部に位置するビーム束は画像形成に必要な露光エ
ネルギーが大きい。また、小さなドットを形成するため
の露光エネルギーは、大きなドットを形成するために必
要なエネルギーよりも大きなエネルギーが必要とされ
る。従って、このような大きなエネルギーが要求される
一部のビーム束の光ビームの数を増やせば、全体として
エネルギー利用効率が向上するので好ましい。
【００２９】なお、以上の説明では、一つの光源ユニッ
ト１に半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３からなる３
つの光源を有するものに基づいて説明したが、光源の数
は必ずしもこれに限定されない。
ト１に半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３からなる３
つの光源を有するものに基づいて説明したが、光源の数
は必ずしもこれに限定されない。
【００３０】また、光源ユニット１は曲面３上に配設さ
れるものに限らず、平面上に配設されるものであっても
よい。
れるものに限らず、平面上に配設されるものであっても
よい。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、ハイパワー半導体レー
ザを用いることなくハイパワー化が可能であり、しかも
スポット状の光ビームを照射することのできる低コスト
且つ高信頼のマルチ光ビーム露光装置を提供することが
できる。
ザを用いることなくハイパワー化が可能であり、しかも
スポット状の光ビームを照射することのできる低コスト
且つ高信頼のマルチ光ビーム露光装置を提供することが
できる。
【図１】本発明に係るマルチ光ビーム露光装置を示す概
略図
略図
【図２】露光面上に射影された各ビーム束の光ビームの
配列を示す平面図
配列を示す平面図
【図３】露光面上に射影された各ビーム束の光ビームの
他の配列を示す平面図
他の配列を示す平面図
【図４】半導体レーザの点灯タイミングを示すタイミン
グチャート
グチャート
【図５】従来のマルチ光ビーム露光装置を示す概略図
１ 光源ユニット ２ 露光光学系 ２ａ、２ｂ、２ｃ レンズ ３ 曲面 ４ 露光面 ＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３ 半導体レーザ ＣＬ１、ＣＬ２、ＣＬ３ コリメータレンズ Ｍ１、Ｍ２ ミラー ＬＢ ビーム束 ＬＢ１、ＬＢ２、ＬＢ３ 光ビーム Ａ 多重化された領域
Claims (6)
- 【請求項１】複数の光源からそれぞれ射出される光ビー
ムの少なくとも一部の領域が全て露光面で重なるように
該複数の光源を配置してなる光源ユニットを複数有する
と共に、前記各光源ユニットからそれぞれ発生されるビ
ーム束を露光面上で所定の一軸方向において等間隔にな
るように照射する露光光学系を有することを特徴とする
マルチ光ビーム露光装置。 - 【請求項２】上記露光光学系は、複数のビーム束に対し
て共通の露光光学系であることを特徴とする請求項１記
載のマルチ光ビーム露光装置。 - 【請求項３】上記各ビーム束は、それぞれの光ビームの
ビーム強度重心を露光面上で副走査方向にずらして重ね
てなることを特徴とする請求項１又は２記載のマルチ光
ビーム露光装置。 - 【請求項４】上記各ビーム束は、それぞれの光ビームの
ビーム強度重心を露光面上で主走査方向にずらして重ね
ると共に、各光源の点灯タイミングを主走査方向の走査
速度に合わせて制御してなることを特徴とする請求項１
又は２記載のマルチ光ビーム露光装置。 - 【請求項５】上記ビーム束を構成する各光ビームは、少
なくともいずれか一つが異なる波長特性を有することを
特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のマルチ光ビ
ーム露光装置。 - 【請求項６】上記複数の光源ユニットからそれぞれ発生
されるビーム束のうちの一部のビーム束の光ビーム数
が、他のビーム束の光ビーム数と異なることを特徴とす
る請求項１〜５のいずれかに記載のマルチ光ビーム露光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37508498A JP2000180757A (ja) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | マルチ光ビ―ム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37508498A JP2000180757A (ja) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | マルチ光ビ―ム露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000180757A true JP2000180757A (ja) | 2000-06-30 |
Family
ID=18504941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37508498A Pending JP2000180757A (ja) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | マルチ光ビ―ム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000180757A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012163889A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-30 | Canon Inc | 画像形成装置及び画像形成方法 |
-
1998
- 1998-12-11 JP JP37508498A patent/JP2000180757A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012163889A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-30 | Canon Inc | 画像形成装置及び画像形成方法 |
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