JPH06232726A - 入力回路、及び半導体集積回路 - Google Patents
入力回路、及び半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH06232726A JPH06232726A JP5015238A JP1523893A JPH06232726A JP H06232726 A JPH06232726 A JP H06232726A JP 5015238 A JP5015238 A JP 5015238A JP 1523893 A JP1523893 A JP 1523893A JP H06232726 A JPH06232726 A JP H06232726A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- level
- input
- interface
- cmos
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
- Dram (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
応可能な入力回路を提供することにある。 【構成】 制御手段としての、選択回路40、MOSト
ランジスタ18,26を設け、外部制御端子42の論理
状態によって、ECLレベル対応のECLインタフェー
スを有効とするか、CMOSレベル対応のCMOSイン
タフェースを有効とするかを、容易に切換え可能とす
る。
Description
力信号のレベル変換機能を備えた入力回路にに関し、例
えばDRAM(ダイナミック・ランダム・アクセス・メ
モリ)やインタフェース用論理LSIに適用して有効な
技術に関する。
一つの手段として、信号を例えば0.8Vのような小振
幅で伝達するECL(Emitter Coupled
Logic)インタフェース方式がある。このインタ
フェース方式がディジタルデータ処理装置等のバス接続
に用いられるとき、各機能ブロックは、ECLレベルの
入力信号をCMOSレベルの内部信号に変換するECL
・CMOSレベルシフタ(レベル変換回路とも称され
る)と、逆にCMOSレベルの内部信号をECLレベル
の出力信号に変換するCMOS・ECLレベル変換回路
とを備える必要がある。
例としては、昭和62年6月1日に技術評論社より発行
された「TTL−ICえらび方・使い方(岡田弘
著)」がある。
でCMOSレベルのインタフェースとされていた入力バ
ッファをECLレベルのインタフェースに変更した場合
には、例えば、LSIのテスト時に、CMOSレベルの
インタフェースとされるテスタなどの外部装置を、その
まま結合することができない。また、ECLレベルのイ
ンタフェースでは、定常電流が流れるため、LSIテス
ト時に、スタンバイ電流テストが適用できない。
対応可能な入力回路を提供することにある。また、本発
明の別の目的は、そのような入力バッファを含む半導体
集積回路を提供することにある。さらに、本発明の別の
目的は、LSIテストにおけるECLインタフェースの
定常電流を阻止するための技術を提供することにある。
特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるで
あろう。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。
第1インタフェースと、上記第1入力信号レベルとは異
なる第2信号レベルに対応する第2インタフェースと、
所定の外部端子に与えられる論理レベルに呼応してイン
タフェース切換えを行うための制御手段とを含んで入力
回路を構成するものである。このとき、上記第1インタ
フェースと上記第2インタフェースとで、同一の外部入
力端子を共有することができる。さらに具体的な態様で
は、第1入力信号レベルがECL入力レベルとされると
き、第2入力レベルがCMOS入力レベルとされる。ま
た、CMOSレベル対応の第2インタフェースが選択さ
れた状態において、ECLレベル対応の第1インタフェ
ースの定常電流を阻止するため、当該第1インタフェー
スの動作を停止させるとよい。
の外部端子に与えられる論理レベルに呼応してインタフ
ェース切換えを行い、このことが、異なる入力信号レベ
ルに対応可能とする。
(ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ)の全体
的な構成が示される。
をマトリクス配置して成るメモリセルアレイであり、メ
モリセルの選択端子はロウ方向毎にワード線に結合さ
れ、メモリセルのデータ入力端子はカラム方向毎に相補
データ線に結合される。そしてそれぞれの相補データ線
は、相補データ線に1対1で結合された複数個のカラム
選択スイッチを含むY選択スイッチ回路57を介して相
補コモンデータ線に共通接続される。特に制限されない
が、アドレスマルチプレクス方式が採用され、ロウ及び
カラムアドレス入力信号を、それらのタイミングをずら
すことにより共通のアドレス端子から取込むようにして
いる。すなわち、Xアドレスラッチ及びXデコーダ52
と、Yアドレスラッチ及びYデコーダ56の前段にはア
ドレスマルチプレクサ51が配置され、アドレスバッフ
ァ50を介して取込まれたアドレス信号が、アドレスマ
ルチプレクサ51によりXアドレスラッチ及びXデコー
ダ52と、Yアドレスラッチ及びYデコーダ56とに振
分けられる。このようなアドレス入力を円滑に行うため
RAS*(ロウアドレスストローブ)及びCAS*(カ
ラムアドレスストローブ)の2種類のクロック信号を外
部から与えるようにしている。一つのメモリサイクル
(RAS*クロックの1周期)中に読出しあるいは書込
みの一方の動作のみを可能とするため、RAS*クロッ
クの立下り時点でロウアドレスを、CAS*クロックの
立下り時点でカラムアドレスを内部回路に取込むように
し、ライトイネーブル信号WE*の状態によって当該サ
イクルが書込みサイクルか読出しサイクルかの判断を可
能としている。このような判断並びに各部の動作制御は
制御部55によって行われる。
されたXアドレスラッチ及びXデコーダのデコードに基
づいてワード線を選択レベルに駆動する。そしてYアド
レスラッチ及びYデコーダ56のデコード出力に基づい
てY選択スイッチ回路57が駆動され、これにより特定
されるメモリセルからのデータ読出し若しくはデータ書
込みが可能とされる。
スアンプ回路59が結合され、メモリセル情報がこのセ
ンスアンプで増幅されるようになっている。この場合、
データ入出力回路58にはメインアンプなどが含まれ、
このメインアンプを介して読出しデータの外部送出が可
能とされる。
まれる入力回路が示される。
ないが、擬似ECLレベルの入力信号Vinを取込み、
それをCMOSレベルに変換するための第1インタフェ
ースとしてのECLバッファ11と、CMOSレベルの
入力信号を取込むための第2インタフェースとしてのC
MOSバッファ31と、このECLバッファ11とCM
OSバッファ31とを、外部制御端子42の論理状態に
呼応して切換えるための選択回路40とを含む。すなわ
ち、上記ECLバッファ11と、CMOSバッファ31
とで、同一の外部入力端子41が共有されており、上記
選択回路40によってECLバッファ11が選択される
か、CMOSバッファが選択されるかによって、インタ
フェース切換えが可能とされる。
ないが、入力信号Vinを基準レベルVrefと比較す
ることによって当該入力信号を高電位側電源Vddと低
電位側電源Vss(グランド)との中間レベル程度に電
圧変換するためのレベルシフタ11Aと、このレベルシ
フタ11Aの出力信号を増幅するためのセンスアンプ1
1Bと、このセンスアンプ11Bの出力信号をCMOS
レベルに変換するためのバッファ31とを含む。
型MOSトランジスタ14,15の負荷としてpチャン
ネル型MOSトランジスタ12,13が結合される。n
チャンネル型MOSトランジスタ16,17が並列接続
され、上記nチャンネル型MOSトランジスタ14,1
5のソース電極が、このMOSトランジスタ16,1
7、及びnチャンネル型MOSトランジスタ18を介し
て低電位側電源Vssに結合される。このレベルシフタ
11Aは差動入力構成となっており、ECLレベルの微
小入力信号Vinは、このレベルシフタ11Aによって
高電位側電源Vccと低電位側電源Vssとの中間のレ
ベルに電圧変換される。このようなレベルに変換するの
は、後段のセンスアンプ11Bが、ゲインの最も大きな
動作点で動作可能とするためである。レベルシフタ11
Aの動作はそれの定電流源素子を兼ねるMOSトランジ
スタ18によって制御される。つまり、このMOSトラ
ンジスタ18がオン状態の場合には回路に電流が流れる
のでレベルシフタとして動作するが、逆にMOSトラン
ジスタ18がオフの場合には、回路電流が遮断されるの
で動作しない。
たnチャンネル型MOSトランジスタ22,23と、そ
れの負荷としてのpチャンネル型MOSトランジスタ1
9,20,21とを含む。上記MOSトランジスタ2
2,23のソース電極は、定電流素子としてのnチャン
ネル型スイッチMOSトランジスタ24を介して上記n
チャンネル型MOSトランジスタ18に結合される。つ
まり、このセンスアンプ11Bも、上記レベルシフタ1
1と同様に、このMOSトランジスタ24がオンの場合
にのみ動作される。
トランジスタ14,15のドレイン電極からの差動出力
が、MOSトランジスタ22,23のゲート電極に伝達
され、このセンスアンプ11Bで増幅されてから、後段
のバッファ31に伝達され、ここでCMOSレベルに変
換されるようになっている。
チャンネル型MOSトランジスタ45、pチャンネル型
MOSトランジスタ43を含み、外部端子42に外部か
ら入力される制御信号Venの論理様態によって入力信
号の伝達経路が形成されるようになっている。
Sトランジスタ43,45がオンされ、外部入力端子4
1から入力された信号が、CMOSバッファ25に伝達
可能とされる。この状態では、CMOSインタフェース
が有効とされ、入力信号Vinが、CMOSバッファ2
5、インバータ30、ノアゲート32を介して後段回路
へ伝達される。また、このとき、MOSトランジスタ1
8がオフ状態とされ、レベルシフタ11A、センスアン
プ回路11Bへの電源供給経路が遮断されるので、この
レベルシフタ11A、センスアンプ回路11Bは、非動
作状態とされる。
には、MOSトランジスタ18がオンされることによっ
て、上記レベルシフタ11A、センスアンプ11Bに通
電されるので、それらが動作可能状態とされる。その場
合、ECLインタフェースが有効とされ、入力信号Vi
nが、レベルシフタ11A、センスアンプ11B、さら
にはノアゲート32を介して後段回路に伝達される。ま
た、この場合には、MOSトランジスタ43,45が共
にオフ状態とされるので、上記外部入力端子41から入
力された信号が上記CMOSバッファ25に伝達される
ことはない。しかも、このとき、nチャンネル型MOS
トランジスタ26がオンされるので、CMOSバッファ
25の入力端子が低電位側電源Vssレベルとされるこ
とによって、論理レベルの不確定状態が排除される。
40や、nチャンネル型MOSトランジスタ18,26
を含んで成る制御手段を有することにより、外部制御端
子42の論理状態によって、ECLレベル対応のECL
インタフェースを有効とするか、CMOSレベル対応の
CMOSインタフェースを有効とするかを、容易に切換
えることができるので、例えば、CMOSインタフェー
スを有効とすることによって、LSIテスト用の従来の
テスタをそのまま外部入力端子41に結合し、LSI動
作試験を行うことができる。また、その場合において、
ECLバッファ11への電源供給経路が遮断され、当該
回路の動作が停止されるので、定常電流を阻止すること
ができる。
が示される。
ように構成される。
れるpチャンネル型MOSトランジスタ62は、pチャ
ンネル型MOSトランジスタ61を介して高電位側電源
Vddに、また、nチャンネル型MOSトランジスタ6
4を介して低電位側電源Vssに結合される。基準レベ
ルVrefが入力されるpチャンネル型MOSトランジ
スタ63は、pチャンネル型MOSトランジスタ61を
介して高電位側電源Vddに結合され、また、nチャン
ネル型MOSトランジスタ65を介して低電位側電源V
ssに結合される。
るセンスアンプ11Bは次のように構成される。pチャ
ンネル型MOSトランジスタ68nチャンネル型MOS
トランジスタ71とが直列接続され、この直列接続箇所
が、センスアンプ11Bの出力端子とされ、それが後段
のCMOSバッファ25に結合される。pチャンネル型
MOSトランジスタ69とpチャンネル型MOSトラン
ジスタ70とが並列接続され、それにnチャンネル型M
OSトランジスタ72が直列接続される。また、nチャ
ンネル型MOSトランジスタ71,72は、nチャンネ
ル型MOSトランジスタ73を介して低電位側電源Vs
sに結合される。外部制御端子42から入力される制御
信号Venは、上記レベルシフタ11Aの電源スイッチ
として機能するpチャンネル型MOSトランジスタ6
1、入力信号Vinの伝達経路を断続するためのスイッ
チとして機能するnチャンネル型MOSトランジスタ6
6、さらには、インバータ67を介してpチャンネル型
MOSトランジスタ70及びnチャンネル型MOSトラ
ンジスタ73に伝達される。
pチャンネル型MOSトランジスタ61、及びnチャン
ネル型MOSトランジスタ73がオンされることによっ
て、レベルシフタ11A、センスアンプ11Bに通電さ
れるので、それらが動作可能状態とされ、ECLインタ
フェースが有効とされる。
の場合には、pチャンネル型MOSトランジスタ61、
及びnチャンネル型MOSトランジスタ73がオフされ
ることによって、レベルシフタ11A、センスアンプ1
1Bへの電源供給が遮断されるので、それらが非動作状
態とされる。このとき、nチャンネル型MOSトランジ
スタ66がオンされるので、入力信号Vinがこのnチ
ャンネル型MOSトランジスタ66を介してCMOSバ
ッファ25に伝達され、CMOSインタフェースが有効
とされる。
ネル型MOSトランジスタ61、及びnチャンネル型M
OSトランジスタ66,73を含んで成る制御手段を備
え、制御信号Venを取込む外部制御端子の論理状態に
より、ECLインタフェースとCMOSインタフェース
とを択一的に切換えることができるので、上記実施例の
場合と同様の効果を得ることができるとともに、図1の
構成と比較して明らかなように、構成素子数が少なくて
済む。
例に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲におい
て種々変更可能であることは言うまでもない。
ベルVrefに代えて、相補レベルの一方の入力信号を
与えるようにしてもよい。すなわち、入力信号が相補レ
ベルで与えられる場合には、nチャンネル型MOSトラ
ンジスタ15、及びpチャンネル型MOSトランジスタ
63のゲート電極を、信号入力に使用することができ
る。
なされた発明をその背景となった利用分野であるDRA
Mに適用した場合について説明したが、本発明はそれに
限定されるものではなく、各種半導体記憶装置や、それ
を内蔵するようなマイクロコンピュータなどのデータ処
理装置、さらには各種半導体集積回路に広く適用するこ
とができる。
ことを条件に適用することができる。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
理レベルに呼応してインタフェース切換えが可能とされ
るので、異なる入力信号レベルに対応可能な入力回路、
及びそれを備えた半導体集積回路を得ることができる。
である。
図である。
ロック図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 第1入力信号レベルに対応する第1イン
タフェースと、上記第1入力信号レベルとは異なる第2
信号レベルに対応する第2インタフェースと、所定の外
部端子に与えられる論理レベルに呼応してインタフェー
ス切換えを行うための制御手段とを含むことを特徴とす
る入力回路。 - 【請求項2】 上記第1インタフェースと上記第2イン
タフェースとで、同一の外部入力端子が共有される請求
項1記載の入力回路。 - 【請求項3】 第1入力信号レベルがECL入力レベル
とされるとき、第2入力レベルがCMOS入力レベルと
される請求項1又は2記載の入力回路。 - 【請求項4】 上記制御手段は、CMOSレベル対応の
第2インタフェースが選択された状態で、ECLレベル
対応の第1インタフェースの動作を停止させる請求項3
記載の入力回路。 - 【請求項5】 上記請求項1,2,3又は4のいずれか
に記載の入力回路を含んで成る半導体集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01523893A JP3199883B2 (ja) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01523893A JP3199883B2 (ja) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06232726A true JPH06232726A (ja) | 1994-08-19 |
JP3199883B2 JP3199883B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=11883291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP01523893A Expired - Lifetime JP3199883B2 (ja) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3199883B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1432125A1 (de) * | 2002-12-18 | 2004-06-23 | Alcatel | Ein Konverter von ECL nach CMOS für ein digitales Netzwerk |
KR100480916B1 (ko) * | 2002-10-30 | 2005-04-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전류 소모를 줄인 입력 버퍼 회로 |
WO2014189050A1 (ja) * | 2013-05-23 | 2014-11-27 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-02-02 JP JP01523893A patent/JP3199883B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100480916B1 (ko) * | 2002-10-30 | 2005-04-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전류 소모를 줄인 입력 버퍼 회로 |
EP1432125A1 (de) * | 2002-12-18 | 2004-06-23 | Alcatel | Ein Konverter von ECL nach CMOS für ein digitales Netzwerk |
WO2014189050A1 (ja) * | 2013-05-23 | 2014-11-27 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3199883B2 (ja) | 2001-08-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4392212A (en) | Semiconductor memory device with decoder for chip selection/write in | |
US6282128B1 (en) | Integrated circuit memory devices having multiple data rate mode capability and methods of operating same | |
US4912677A (en) | Programmable logic device | |
US5506522A (en) | Data input/output line sensing circuit of a semiconductor integrated circuit | |
US6249468B1 (en) | Semiconductor memory device with switching element for isolating bit lines during testing | |
US5446700A (en) | Decoder circuit having CMOS inverter circuits | |
US4730133A (en) | Decoder circuit of a semiconductor memory device | |
US4634900A (en) | Sense amplifier | |
US5815450A (en) | Semiconductor memory device | |
US6879524B2 (en) | Memory I/O buffer using shared read/write circuitry | |
JP3199883B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
JP2892697B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JPH0766669B2 (ja) | デコーダバッファ回路 | |
JPH0690161A (ja) | 入力回路、及び半導体集積回路 | |
JPH02244479A (ja) | 半導体メモリ装置 | |
JPH0548430A (ja) | 半導体回路 | |
JPH06132747A (ja) | 半導体装置 | |
JPH11328966A (ja) | 半導体記憶装置及びデータ処理装置 | |
US6252819B1 (en) | Reduced line select decoder for a memory array | |
JP3265291B2 (ja) | 出力バッファ回路および半導体集積回路 | |
US7286424B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
JP2792256B2 (ja) | 半導体メモリ | |
KR960012725A (ko) | 반도체 메모리 장치의 출력 버퍼 회로용 제어 회로 | |
US5289405A (en) | Semiconductor memory circuit device having memory cells constructed on a Bicmos gate array | |
JPH07312384A (ja) | 信号線切替回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080615 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080615 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090615 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615 Year of fee payment: 10 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615 Year of fee payment: 10 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120615 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120615 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130615 Year of fee payment: 12 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130615 Year of fee payment: 12 |