JPH06232457A - 発光ダイオード表示装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 透明シリコン系樹脂が基板から外れにくい、
かつ各々の発光ダイオードによる輝度ばらつきの少ない
発光ダイオード表示装置を提供するものである。 【構成】 基板上に各々分離して設けられた電極と、各
々の電極上に設けられた発光ダイオードと、少なくとも
電極と発光ダイオードを覆う低粘度のコーティング樹脂
と、輝度の低い発光ダイオードの中央近傍に位置するコ
ーティング樹脂を覆う高粘度の透明シリコン系樹脂と、
発光ダイオードの近傍を囲む様に前記基板上に固定され
た反射枠とを設けるものである。
かつ各々の発光ダイオードによる輝度ばらつきの少ない
発光ダイオード表示装置を提供するものである。 【構成】 基板上に各々分離して設けられた電極と、各
々の電極上に設けられた発光ダイオードと、少なくとも
電極と発光ダイオードを覆う低粘度のコーティング樹脂
と、輝度の低い発光ダイオードの中央近傍に位置するコ
ーティング樹脂を覆う高粘度の透明シリコン系樹脂と、
発光ダイオードの近傍を囲む様に前記基板上に固定され
た反射枠とを設けるものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の発光ダイオード
が設けられた発光ダイオード表示装置に関する。
が設けられた発光ダイオード表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、発光ダイオード表示装置が例えば
実開昭５４−９４１６３号公報により図６の様に示され
ている。発光ダイオード２１が基板２２上に形成され銅
箔等からなる電極２３の上に載置され、他の電極２４に
配線されている。発光ダイオード２１の輝度を向上させ
るために、透明シリコン系樹脂２５が発光ダイオード２
１の周辺に形成されている。この様な透明シリコン系樹
脂２５に覆われた発光ダイオード２１が複数個基板２２
上に設けられ、透明シリコン系樹脂２５を囲む様に反射
枠２６が設けられている。
実開昭５４−９４１６３号公報により図６の様に示され
ている。発光ダイオード２１が基板２２上に形成され銅
箔等からなる電極２３の上に載置され、他の電極２４に
配線されている。発光ダイオード２１の輝度を向上させ
るために、透明シリコン系樹脂２５が発光ダイオード２
１の周辺に形成されている。この様な透明シリコン系樹
脂２５に覆われた発光ダイオード２１が複数個基板２２
上に設けられ、透明シリコン系樹脂２５を囲む様に反射
枠２６が設けられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかして上述の装置で
は、反射枠２６を基板２２に装着し又は外す時に、透明
シリコン系樹脂２５が反射枠２６の内壁にぶつかり、透
明シリコン系樹脂２５が基板２２から外れ易いという第
１の欠点がある。本発明者がその原因を究明した所、透
明シリコン系樹脂２５と、電極２３又は他の電極２４又
は基板２２との界面での接触角が大きく、すなわち濡れ
性が悪い。そのため、透明シリコン系樹脂２５の接触面
積が小さくなり、接着力が小さいためである。
は、反射枠２６を基板２２に装着し又は外す時に、透明
シリコン系樹脂２５が反射枠２６の内壁にぶつかり、透
明シリコン系樹脂２５が基板２２から外れ易いという第
１の欠点がある。本発明者がその原因を究明した所、透
明シリコン系樹脂２５と、電極２３又は他の電極２４又
は基板２２との界面での接触角が大きく、すなわち濡れ
性が悪い。そのため、透明シリコン系樹脂２５の接触面
積が小さくなり、接着力が小さいためである。
【０００４】そして各々の発光ダイオード２１にそれぞ
れ透明シリコン系樹脂２５が設けられているので、輝度
の平均値は上がるが、低い輝度の発光ダイオードは依然
として輝度が低い。そのため、各々の発光ダイオード２
１の輝度ばらつきが大きいという第２の欠点がある。本
発明はかかる従来の欠点を鑑みて、透明シリコン系樹脂
が基板から外れにくいかつ各々の発光ダイオードによる
輝度ばらつきの少ない発光ダイオード表示装置を提供す
るものである。
れ透明シリコン系樹脂２５が設けられているので、輝度
の平均値は上がるが、低い輝度の発光ダイオードは依然
として輝度が低い。そのため、各々の発光ダイオード２
１の輝度ばらつきが大きいという第２の欠点がある。本
発明はかかる従来の欠点を鑑みて、透明シリコン系樹脂
が基板から外れにくいかつ各々の発光ダイオードによる
輝度ばらつきの少ない発光ダイオード表示装置を提供す
るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、基板上に各々分離して設けられた電極
と、各々の電極上に設けられた発光ダイオードと、少な
くとも電極と発光ダイオードを覆う低粘度のコーティン
グ樹脂と、輝度の低い発光ダイオードの中央近傍に位置
するコーティング樹脂を覆う高粘度の透明シリコン系樹
脂と、発光ダイオードの近傍を囲む様に前記基板上に固
定された反射枠とを設けるものである。
決するために、基板上に各々分離して設けられた電極
と、各々の電極上に設けられた発光ダイオードと、少な
くとも電極と発光ダイオードを覆う低粘度のコーティン
グ樹脂と、輝度の低い発光ダイオードの中央近傍に位置
するコーティング樹脂を覆う高粘度の透明シリコン系樹
脂と、発光ダイオードの近傍を囲む様に前記基板上に固
定された反射枠とを設けるものである。
【０００６】
【作用】上述の様に本発明では、コーティング樹脂は粘
度が低いので、電極と発光ダイオード上に一様に薄く形
成され、電極との接着力が十分確保される。またコーテ
ィング樹脂上に設けられた透明シリコン系樹脂は界面で
の接触角が小さいので、接触面積が大きくなり、コーテ
ィング樹脂との接着力が十分確保される。そして透明シ
リコン系樹脂は粘度が高いので、曲率半径が小さくで
き、輝度の低い発光ダイオードの輝度が上がるから、各
々の発光ダイオードによる輝度ばらつきは少なくなる。
度が低いので、電極と発光ダイオード上に一様に薄く形
成され、電極との接着力が十分確保される。またコーテ
ィング樹脂上に設けられた透明シリコン系樹脂は界面で
の接触角が小さいので、接触面積が大きくなり、コーテ
ィング樹脂との接着力が十分確保される。そして透明シ
リコン系樹脂は粘度が高いので、曲率半径が小さくで
き、輝度の低い発光ダイオードの輝度が上がるから、各
々の発光ダイオードによる輝度ばらつきは少なくなる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に従って説明す
る。図１は本実施例に係る発光ダイオード表示装置の要
部断面図であり、図２はその装置の平面図である。これ
らの図において、基板１は例えばガラスエポキシ樹脂等
からなり、その基板１上に銅箔等からなり各々分離した
位置にある複数の電極２と複数の他の電極３が、印刷等
により形成されている。
る。図１は本実施例に係る発光ダイオード表示装置の要
部断面図であり、図２はその装置の平面図である。これ
らの図において、基板１は例えばガラスエポキシ樹脂等
からなり、その基板１上に銅箔等からなり各々分離した
位置にある複数の電極２と複数の他の電極３が、印刷等
により形成されている。
【０００８】複数の発光ダイオード４がその各々の電極
２上に銀ペースト等の導電性接着剤５を介して載置され
ている。発光ダイオード４は例えば燐化ガリウムからな
り、約５６５ｎｍの緑色を発光し、大きさは一辺が約３
００μｍの略立方体である。発光ダイオード４は３個の
日の字Ａ、Ｂ、Ｃと１個の変形日の字と５個のコロン部
に、合計３２個用いられている。各々の発光ダイオード
４の表面電極と各々の他の電極３は金属細線６により配
線されている。
２上に銀ペースト等の導電性接着剤５を介して載置され
ている。発光ダイオード４は例えば燐化ガリウムからな
り、約５６５ｎｍの緑色を発光し、大きさは一辺が約３
００μｍの略立方体である。発光ダイオード４は３個の
日の字Ａ、Ｂ、Ｃと１個の変形日の字と５個のコロン部
に、合計３２個用いられている。各々の発光ダイオード
４の表面電極と各々の他の電極３は金属細線６により配
線されている。
【０００９】コーティング樹脂７が少なくとも発光ダイ
オード４と電極２を覆う様に、例えばハケ等の塗布によ
り形成されている。コーティング樹脂７は発光ダイオー
ド４と電極２と他の電極３と基板１をすべて覆う様に形
成する方が、ハケ等の作業がし易いので望ましい。コー
ティング樹脂７は主成分がシリコン系樹脂からなる電気
絶縁防湿コーティング材から選ばれ、例えば信越化学工
業(株)製のＫＪＣ−７０２２が用いられる。コーティン
グ樹脂７は、２５°Ｃで２００〜３５０ポアズの低粘度
のＫＪＣ−７０２２を、１：１の重量比でキシレンで希
釈されたものを厚さ約０．１ｍｍに塗布され、室温にて
乾燥されたものである。
オード４と電極２を覆う様に、例えばハケ等の塗布によ
り形成されている。コーティング樹脂７は発光ダイオー
ド４と電極２と他の電極３と基板１をすべて覆う様に形
成する方が、ハケ等の作業がし易いので望ましい。コー
ティング樹脂７は主成分がシリコン系樹脂からなる電気
絶縁防湿コーティング材から選ばれ、例えば信越化学工
業(株)製のＫＪＣ−７０２２が用いられる。コーティン
グ樹脂７は、２５°Ｃで２００〜３５０ポアズの低粘度
のＫＪＣ−７０２２を、１：１の重量比でキシレンで希
釈されたものを厚さ約０．１ｍｍに塗布され、室温にて
乾燥されたものである。
【００１０】輝度の低い発光ダイオード４のみの中央の
近傍に位置するコーティング樹脂７を覆う様に、透明シ
リコン系樹脂８が形成されている。輝度の高い発光ダイ
オード４には、透明シリコン系樹脂８は形成されていな
い。透明シリコン系樹脂８は例えば信越化学工業(株)製
のＫＪＲ−９０３８が用いられる。透明シリコン樹脂８
は、２５°Ｃで３５０〜６００ポアズの高粘度のＫＪＲ
−９０３８を原液のままで塗布され、約１３０°Ｃの雰
囲気中で約１５０分間乾燥されたものである。透明シリ
コン系樹脂８は、高さが０．８〜１．２５ｍｍ、先端の
曲率半径が０．４５〜１．０ｍｍの略ドーム状に形成さ
れている。ディスペンサーを用いて、この略ドーム状の
透明シリコン系樹脂８が得られる。ディスペンサーは注
射器状の容器の１端に注射針が取付けられ、他端にチュ
ーブを介して本体が取付けられたものである。この容器
の中にはＫＪＲ−９０３８が封入され、チューブには本
体から加圧された空気が供給されている。本体に取付け
られたスイッチを入れると、所定時間の間に所定の空気
圧が供給される様に制御されている。スイッチを入れた
時に、１滴が０．０００３ｃｃの原液が出る様にし、数
回スイッチを入れることにより、所定の位置に５〜８滴
垂らすことによって、上述の様な形状の透明シリコン系
樹脂８が得られる。
近傍に位置するコーティング樹脂７を覆う様に、透明シ
リコン系樹脂８が形成されている。輝度の高い発光ダイ
オード４には、透明シリコン系樹脂８は形成されていな
い。透明シリコン系樹脂８は例えば信越化学工業(株)製
のＫＪＲ−９０３８が用いられる。透明シリコン樹脂８
は、２５°Ｃで３５０〜６００ポアズの高粘度のＫＪＲ
−９０３８を原液のままで塗布され、約１３０°Ｃの雰
囲気中で約１５０分間乾燥されたものである。透明シリ
コン系樹脂８は、高さが０．８〜１．２５ｍｍ、先端の
曲率半径が０．４５〜１．０ｍｍの略ドーム状に形成さ
れている。ディスペンサーを用いて、この略ドーム状の
透明シリコン系樹脂８が得られる。ディスペンサーは注
射器状の容器の１端に注射針が取付けられ、他端にチュ
ーブを介して本体が取付けられたものである。この容器
の中にはＫＪＲ−９０３８が封入され、チューブには本
体から加圧された空気が供給されている。本体に取付け
られたスイッチを入れると、所定時間の間に所定の空気
圧が供給される様に制御されている。スイッチを入れた
時に、１滴が０．０００３ｃｃの原液が出る様にし、数
回スイッチを入れることにより、所定の位置に５〜８滴
垂らすことによって、上述の様な形状の透明シリコン系
樹脂８が得られる。
【００１１】反射枠９は例えばＡＢＳ樹脂等からなり、
発光ダイオード４の近傍を囲む様にセグメント孔１０が
形成されている。透明シリコン系樹脂８が設けられてい
る場所では、この透明シリコン系樹脂８及び金属細線６
とぶつからない様に、また透明シリコン系樹脂８が設け
られていない場所では、発光ダイオード４の中央近傍の
コーティング樹脂７及び金属細線６とぶつからない様に
セグメント孔１０が形成されている。反射枠９の所定位
置にボス１１が形成され、このボス１１が基板１の孔に
挿入され先端が熱溶着され、反射枠９が基板１に固定さ
れている。コーティング樹脂７が基板１と反射枠９の裏
面の間にも設けられると、発光ダイオード４からの光が
基板１と反射枠９の間から漏れないので望ましい。光拡
散板１２は半透明の厚さ０．５ｍｍのポリエステル樹脂
からなり、その裏面に設けられた接着剤により、反射枠
９の表面に固定されている。これらの部品により本実施
例の発光ダイオード表示装置は構成されている。
発光ダイオード４の近傍を囲む様にセグメント孔１０が
形成されている。透明シリコン系樹脂８が設けられてい
る場所では、この透明シリコン系樹脂８及び金属細線６
とぶつからない様に、また透明シリコン系樹脂８が設け
られていない場所では、発光ダイオード４の中央近傍の
コーティング樹脂７及び金属細線６とぶつからない様に
セグメント孔１０が形成されている。反射枠９の所定位
置にボス１１が形成され、このボス１１が基板１の孔に
挿入され先端が熱溶着され、反射枠９が基板１に固定さ
れている。コーティング樹脂７が基板１と反射枠９の裏
面の間にも設けられると、発光ダイオード４からの光が
基板１と反射枠９の間から漏れないので望ましい。光拡
散板１２は半透明の厚さ０．５ｍｍのポリエステル樹脂
からなり、その裏面に設けられた接着剤により、反射枠
９の表面に固定されている。これらの部品により本実施
例の発光ダイオード表示装置は構成されている。
【００１２】次に本発光ダイオード表示装置において、
発光ダイオード４の輝度を向上させるため、透明シリコ
ン系樹脂８の適切な形状を説明する。まず図３は透明シ
リコン系樹脂８の曲率半径に対する輝度向上倍率特性を
示す。図２の表示装置において、日の字Ａの７個のセグ
メント１０内の各々の発光ダイオード４の略中央部のコ
ーティング樹脂７の周辺に、透明シリコン系樹脂８の先
端が曲率半径０．４ｍｍに形成されたものがＡ1で、日
の字Ｂに曲率半径０．５ｍｍが形成されたものがＢ
1で、日の字Ｃに曲率半径１．１ｍｍが形成されたもの
がＣ1である。これらの透明シリコン系樹脂８は全て高
さが１．０ｍｍで粘度が５００ポウズのものである。そ
して反射枠９と光拡散板１２を外し、透明シリコン系樹
脂８がない状態の日の字Ａ、Ｂ、Ｃの各々の平均輝度に
対する、上述の透明シリコン系樹脂８が形成された日の
字Ａ、Ｂ、Ｃの各々の平均輝度の割合を輝度向上倍率と
呼び、図３にプロットしてある。この特性図より曲率半
径が小さい程、輝度向上倍率が上がるが、曲率半径が
０．４ｍｍ以下になると、点光源として視認され表示品
質が落ちる。また、セグメント孔１０の底面の大きさは
約２ｍｍであるので、曲率半径が１．１ｍｍより大きく
なると、透明シリコン系樹脂８の底面の拡がりと反射枠
９の内壁がぶつかる。従って曲率半径は０．４５〜１．
０ｍｍの範囲が好ましい。
発光ダイオード４の輝度を向上させるため、透明シリコ
ン系樹脂８の適切な形状を説明する。まず図３は透明シ
リコン系樹脂８の曲率半径に対する輝度向上倍率特性を
示す。図２の表示装置において、日の字Ａの７個のセグ
メント１０内の各々の発光ダイオード４の略中央部のコ
ーティング樹脂７の周辺に、透明シリコン系樹脂８の先
端が曲率半径０．４ｍｍに形成されたものがＡ1で、日
の字Ｂに曲率半径０．５ｍｍが形成されたものがＢ
1で、日の字Ｃに曲率半径１．１ｍｍが形成されたもの
がＣ1である。これらの透明シリコン系樹脂８は全て高
さが１．０ｍｍで粘度が５００ポウズのものである。そ
して反射枠９と光拡散板１２を外し、透明シリコン系樹
脂８がない状態の日の字Ａ、Ｂ、Ｃの各々の平均輝度に
対する、上述の透明シリコン系樹脂８が形成された日の
字Ａ、Ｂ、Ｃの各々の平均輝度の割合を輝度向上倍率と
呼び、図３にプロットしてある。この特性図より曲率半
径が小さい程、輝度向上倍率が上がるが、曲率半径が
０．４ｍｍ以下になると、点光源として視認され表示品
質が落ちる。また、セグメント孔１０の底面の大きさは
約２ｍｍであるので、曲率半径が１．１ｍｍより大きく
なると、透明シリコン系樹脂８の底面の拡がりと反射枠
９の内壁がぶつかる。従って曲率半径は０．４５〜１．
０ｍｍの範囲が好ましい。
【００１３】更に図４は透明シリコン系樹脂８の高さに
対する輝度向上倍率を示す。日の字Ａの７個のセグメン
ト１０内の各々の発光ダイオード４の略中央部のコーテ
ィング樹脂７の周辺に、透明シリコン系樹脂８の高さが
０．８ｍｍに形成されたものがＡ2で、日の字Ｂに高さ
が１．０ｍｍの透明シリコン系樹脂８が形成されたもの
がＢ2で、日の字Ｃに高さが１．３ｍｍの透明シリコン
系樹脂８が形成されたものがＣ2である。これらの透明
シリコン系樹脂８は全て曲率半径が０．５ｍｍで粘度が
５００ポウズである。そして反射枠９と光拡散板１２を
外し、透明シリコン系樹脂８がない状態の日の字Ａ、
Ｂ、Ｃの各々の平均輝度に対する、上述の透明シリコン
系樹脂８が形成された日の字Ａ、Ｂ、Ｃの各々の平均輝
度の割合が図４にプロットしてある。この特性図より透
明シリコン系樹脂８が高い程、輝度向上倍率が上がる
が、１．３ｍｍより高くなると、透明シリコン系樹脂８
の底面の拡がりと反射枠９の内壁がぶつかる。従って、
透明シリコン系樹脂８の高さは０．８〜１．２５ｍｍの
範囲が好ましい。
対する輝度向上倍率を示す。日の字Ａの７個のセグメン
ト１０内の各々の発光ダイオード４の略中央部のコーテ
ィング樹脂７の周辺に、透明シリコン系樹脂８の高さが
０．８ｍｍに形成されたものがＡ2で、日の字Ｂに高さ
が１．０ｍｍの透明シリコン系樹脂８が形成されたもの
がＢ2で、日の字Ｃに高さが１．３ｍｍの透明シリコン
系樹脂８が形成されたものがＣ2である。これらの透明
シリコン系樹脂８は全て曲率半径が０．５ｍｍで粘度が
５００ポウズである。そして反射枠９と光拡散板１２を
外し、透明シリコン系樹脂８がない状態の日の字Ａ、
Ｂ、Ｃの各々の平均輝度に対する、上述の透明シリコン
系樹脂８が形成された日の字Ａ、Ｂ、Ｃの各々の平均輝
度の割合が図４にプロットしてある。この特性図より透
明シリコン系樹脂８が高い程、輝度向上倍率が上がる
が、１．３ｍｍより高くなると、透明シリコン系樹脂８
の底面の拡がりと反射枠９の内壁がぶつかる。従って、
透明シリコン系樹脂８の高さは０．８〜１．２５ｍｍの
範囲が好ましい。
【００１４】次に図５は透明シリコン系樹脂８の粘度に
対する輝度向上倍率を示す。Ｄ1は日の字Ａの７個のセ
グメント１０内の各々の発光ダイオード４の略中央部の
コーティング樹脂７の周辺に、粘度３０ポアズの透明シ
リコン系樹脂８の高さが１．０ｍｍに形成されたもので
ある。そしてＤ2、Ｄ3、Ｄ4、Ｄ5、Ｄ6はそれぞれ粘度
８０、１５０、２５０、５００、７００ポアズの透明シ
リコン系樹脂８の高さが１．０ｍｍに形成されたもので
ある。またＤ4とＤ5とＤ6は曲率半径が０．５ｍｍに形
成されているが、Ｄ1とＤ2とＤ3は粘度が低いので、曲
率半径は制御できない。そして反射枠９と光拡散板１２
を取付け、透明シリコン系樹脂８がない状態の日の字Ａ
の平均輝度に対する、上述の透明シリコン系樹脂８が形
成された日の字Ａの平均輝度の割合が図５にプロットし
てある。この特性図より透明シリコン系樹脂８の粘度が
３５０〜６００ポアズの範囲ならば、輝度向上倍率は
１．３〜１．５倍の範囲に入る。
対する輝度向上倍率を示す。Ｄ1は日の字Ａの７個のセ
グメント１０内の各々の発光ダイオード４の略中央部の
コーティング樹脂７の周辺に、粘度３０ポアズの透明シ
リコン系樹脂８の高さが１．０ｍｍに形成されたもので
ある。そしてＤ2、Ｄ3、Ｄ4、Ｄ5、Ｄ6はそれぞれ粘度
８０、１５０、２５０、５００、７００ポアズの透明シ
リコン系樹脂８の高さが１．０ｍｍに形成されたもので
ある。またＤ4とＤ5とＤ6は曲率半径が０．５ｍｍに形
成されているが、Ｄ1とＤ2とＤ3は粘度が低いので、曲
率半径は制御できない。そして反射枠９と光拡散板１２
を取付け、透明シリコン系樹脂８がない状態の日の字Ａ
の平均輝度に対する、上述の透明シリコン系樹脂８が形
成された日の字Ａの平均輝度の割合が図５にプロットし
てある。この特性図より透明シリコン系樹脂８の粘度が
３５０〜６００ポアズの範囲ならば、輝度向上倍率は
１．３〜１．５倍の範囲に入る。
【００１５】再び図２において、透明シリコン系樹脂８
がなくてコーティング樹脂７のみが形成されている状態
の各セグメントａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇの輝度はそ
れぞれ0.9, 1.3, 1.2，0.7，1.1，1.0，0.8ｍｃｄであ
り、輝度ばらつきは1.0ｍｃｄ±３０％である。これに
対して、輝度の低いｄとｇに曲率半径０．５ｍｍで高さ
１．０ｍｍで粘度５００ポアズの透明シリコン系樹脂８
が設けられた状態の各セグメントの輝度はそれぞれ0.
9，1.3，1.2，1.05，1.1，1.0，1.15ｍｃｄであり輝度
ばらつきは1.1ｍｃｄ±１８％となり、輝度ばらつきが
少なくなる。更に輝度の低い発光ダイオード４の輝度の
程度により、透明シリコン系樹脂８の曲率半径と高さと
粘度を選択する事により、所望の輝度が得られる。
がなくてコーティング樹脂７のみが形成されている状態
の各セグメントａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇの輝度はそ
れぞれ0.9, 1.3, 1.2，0.7，1.1，1.0，0.8ｍｃｄであ
り、輝度ばらつきは1.0ｍｃｄ±３０％である。これに
対して、輝度の低いｄとｇに曲率半径０．５ｍｍで高さ
１．０ｍｍで粘度５００ポアズの透明シリコン系樹脂８
が設けられた状態の各セグメントの輝度はそれぞれ0.
9，1.3，1.2，1.05，1.1，1.0，1.15ｍｃｄであり輝度
ばらつきは1.1ｍｃｄ±１８％となり、輝度ばらつきが
少なくなる。更に輝度の低い発光ダイオード４の輝度の
程度により、透明シリコン系樹脂８の曲率半径と高さと
粘度を選択する事により、所望の輝度が得られる。
【００１６】
【発明の効果】本発明は上述の様に、コーティング樹脂
が粘度が低いので、電極と発光ダイオード上に一様に薄
く形成され、電極との接着力が十分確保される。またコ
ーティング樹脂上に設けられた透明シリコン系樹脂は界
面での接触角が小さいので、接触面積が大きくなり、コ
ーティング樹脂との接着力が十分確保される。故に透明
シリコン系樹脂が基板から外れにくくなる。具体的に
は、従来では反射枠を５回着脱すると、３２個の透明シ
リコン系樹脂の中の２個のものが基板から外れるが本発
明では同条件下で１個も外れない。
が粘度が低いので、電極と発光ダイオード上に一様に薄
く形成され、電極との接着力が十分確保される。またコ
ーティング樹脂上に設けられた透明シリコン系樹脂は界
面での接触角が小さいので、接触面積が大きくなり、コ
ーティング樹脂との接着力が十分確保される。故に透明
シリコン系樹脂が基板から外れにくくなる。具体的に
は、従来では反射枠を５回着脱すると、３２個の透明シ
リコン系樹脂の中の２個のものが基板から外れるが本発
明では同条件下で１個も外れない。
【００１７】更に透明シリコン系樹脂は粘度が高いの
で、曲率半径が小さくでき、高さも高く形成できるの
で、輝度の低い発光ダイオードの輝度が上がるから、各
々の発光ダイオードによる輝度ばらつきは少なくなり、
輝度の均一化が向上し表示品質が上がる。また透明シリ
コン系樹脂の曲率半径と高さと粘度を選択する事によ
り、所望の輝度が得られる。
で、曲率半径が小さくでき、高さも高く形成できるの
で、輝度の低い発光ダイオードの輝度が上がるから、各
々の発光ダイオードによる輝度ばらつきは少なくなり、
輝度の均一化が向上し表示品質が上がる。また透明シリ
コン系樹脂の曲率半径と高さと粘度を選択する事によ
り、所望の輝度が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係る発光ダイオード表示装置
の要部断面図である。
の要部断面図である。
【図２】本発明の実施例に係る発光ダイオード表示装置
の平面図である。
の平面図である。
【図３】本発明の実施例に係る発光ダイオード表示装置
における、透明シリコン系樹脂の曲率半径を変化させた
時の輝度向上倍率の特性図である。
における、透明シリコン系樹脂の曲率半径を変化させた
時の輝度向上倍率の特性図である。
【図４】本発明の実施例に係る発光ダイオード表示装置
における、透明シリコン系樹脂の高さを変化させた時の
輝度向上倍率の特性図である。
における、透明シリコン系樹脂の高さを変化させた時の
輝度向上倍率の特性図である。
【図５】本発明の実施例に係る発光ダイオード表示装置
における、透明シリコン系樹脂の粘度を変化させた時の
輝度向上倍率の特性図である。
における、透明シリコン系樹脂の粘度を変化させた時の
輝度向上倍率の特性図である。
【図６】従来の発光ダイオード表示装置の要部断面図で
ある。
ある。
１ 基板 ２ 電極 ４ 発光ダイオード ７ コーティング樹脂 ８ 透明シリコン系樹脂 ９ 反射枠
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に各々分離して設けられた電極
と、その各々の電極上に設けられた発光ダイオードと、
少なくともその電極と発光ダイオードを覆う低粘度のコ
ーティング樹脂と、輝度の低い発光ダイオードの中央近
傍に位置するコーティング樹脂を覆う高粘度の透明シリ
コン系樹脂と、前記発光ダイオードの近傍を囲む様に前
記基板上に設けられた反射枠とを具備した事を特徴とす
る発光ダイオード表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1475093A JPH06232457A (ja) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | 発光ダイオード表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1475093A JPH06232457A (ja) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | 発光ダイオード表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232457A true JPH06232457A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=11869794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1475093A Pending JPH06232457A (ja) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | 発光ダイオード表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06232457A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5909037A (en) * | 1998-01-12 | 1999-06-01 | Hewlett-Packard Company | Bi-level injection molded leadframe |
| US5946554A (en) * | 1996-05-28 | 1999-08-31 | Denso Corporation | Method of producing resin-sealed electronic device |
| US6204523B1 (en) * | 1998-11-06 | 2001-03-20 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range |
| JP2001196644A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 光半導体装置及びその製造方法 |
| KR20040021951A (ko) * | 2002-09-06 | 2004-03-11 | 럭스피아 주식회사 | 백색 발광다이오드 |
| US7157744B2 (en) * | 2003-10-29 | 2007-01-02 | M/A-Com, Inc. | Surface mount package for a high power light emitting diode |
| CN100420047C (zh) * | 2003-12-26 | 2008-09-17 | 三洋电机株式会社 | 发光元件用封装件及其制造方法 |
| EP2323186A1 (en) * | 2009-11-13 | 2011-05-18 | Tridonic Jennersdorf GmbH | Light-emitting diode module and corresponding manufacturing method |
| TWI393266B (zh) * | 2005-06-03 | 2013-04-11 | Intellectual Discovery Co Ltd | 具有改良壽命之光源 |
| US8963188B2 (en) | 2005-10-27 | 2015-02-24 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting diode package and method of manufacturing the same |
| KR20150067588A (ko) * | 2013-12-10 | 2015-06-18 | 삼성전자주식회사 | 발광장치 제조방법 |
-
1993
- 1993-02-01 JP JP1475093A patent/JPH06232457A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8963188B2 (en) | 2005-10-27 | 2015-02-24 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting diode package and method of manufacturing the same |
| US9012947B2 (en) | 2005-10-27 | 2015-04-21 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting diode package and method of manufacturing the same |
| US9054283B2 (en) | 2005-10-27 | 2015-06-09 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting diode package and method of manufacturing the same |
| EP2323186A1 (en) * | 2009-11-13 | 2011-05-18 | Tridonic Jennersdorf GmbH | Light-emitting diode module and corresponding manufacturing method |
| WO2011057831A1 (en) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Tridonic Jennersdorf Gmbh | Light-emitting diode module and corresponding manufacturing method |
| KR20150067588A (ko) * | 2013-12-10 | 2015-06-18 | 삼성전자주식회사 | 발광장치 제조방법 |
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