JPH06229526A - ガス加熱装置 - Google Patents

ガス加熱装置

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JPH06229526A
JPH06229526A JP1633993A JP1633993A JPH06229526A JP H06229526 A JPH06229526 A JP H06229526A JP 1633993 A JP1633993 A JP 1633993A JP 1633993 A JP1633993 A JP 1633993A JP H06229526 A JPH06229526 A JP H06229526A
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gas
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spiral
power supply
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Makoto Haga
誠 葉賀
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 小型かつ簡便な構成を有し、雰囲気ガスの予
熱処理及び排ガスの廃棄処理に伴う臭気除去などを行う
ことができるガス加熱装置を提供する。 【構成】 本発明に係るガス加熱装置1は、軸芯方向に
沿う二重の螺旋部6を有し、かつ、互いの先端6a同士
が連結された各螺旋部6間には所定幅の隙間5が設けら
れた発熱体3と、各螺旋部6の基端から延出された一対
の給電端子7とからなる円筒形のスパイラルヒータ2を
備えるとともに、このスパイラルヒータ2の給電端子7
間に挿入されてガスGの導入路となる円筒形のセラミッ
クチューブ8を具備していることを特徴とするものであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック焼成炉のよ
うな工業用炉に供給される雰囲気ガスの予熱処理や工業
用炉から排出される排ガスの廃棄処理などを行う際に使
用されるガス加熱装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、セラミック製品の製造に際し
ては、バインダなどを含むセラミック原料からなる所要
形状のセラミック成形品を作成した後、得られた成形品
を工業用炉の一種であるセラミック焼成炉によって加熱
して焼成するのが一般的な手順となっている。そして、
これらの焼成にあたっては、まず、セラミック成形品を
低温下で加熱することによっての脱バインダ処理、すな
わち、成形品中に含まれていたバインダの除去を行った
後、脱バインダ処理済みとなった成形品を高温下で加熱
する本焼成によって焼き固めることが行われている。
【0003】ところで、セラミック成形品の脱バインダ
処理や調整済み雰囲気ガスを用いての本焼成などを行っ
た場合には、これらの処理に使用したセラミック焼成炉
から排ガスが排出されることになるので、環境汚染など
に対する考慮を払いながら排ガスの廃棄処理を行う必要
が生じる。そして、このような排ガスの廃棄処理を行う
に際しては、従来周知の手順に従って排ガスを液化した
うえで集めたり、電気ヒータもしくはガスバーナなどを
用いて排ガスを直接的に燃焼させることによって臭気の
除去を行うのが一般的となっていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来例のような排ガスの廃棄処理においては、つぎのよう
な不都合が生じることになる。すなわち、まず、排ガス
を液化して集める方法では、液化によって排ガスの臭気
が強まることになる結果、集めた排ガス液の最終的な処
理にあたってはやはり燃焼によって臭気を除去しなけれ
ばならず、排ガスの廃棄処理に手間取ることになってし
まう。
【0005】一方、排ガスを燃焼させて臭気を除去する
方法では、ランニングコスト(運転費用)が安くて済む
にも拘わらず、燃焼設備が大掛かりとなってイニシャル
コスト(設備費用)が高くつくとともに、この燃焼設備
の設置スペースを確保するのが難しい。また、最近で
は、多種少量生産に適した小型のセラミック焼成炉が数
多く設置されるようになっていることから、これらの焼
成炉においても不都合なく使用し得る小型かつ簡便な構
成とされた排ガス廃棄処理用などのガス加熱装置を求め
る要望も強まっている。
【0006】本発明は、これらの不都合を解消すべく創
案されたものであって、工業用炉から排出される排ガス
の廃棄処理に伴う臭気除去のみならず、工業用炉へ雰囲
気ガスの予熱処理にあたっても使用可能な構成を有する
ガス加熱装置の提供を目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明に係るガス加熱装
置は、このような目的を達成するために、軸芯方向に沿
う二重の螺旋部を有し、かつ、互いの先端同士が連結さ
れた各螺旋部間には所定幅の隙間が設けられた発熱体
と、各螺旋部の基端から延出された給電端子とからなる
円筒形のスパイラルヒータを備えるとともに、このスパ
イラルヒータの給電端子間に挿入されてガスの導入路と
なる円筒形のセラミックチューブを具備していることを
特徴とするものである。
【0008】
【作用】上記構成によれば、スパイラルヒータの発熱体
はこれを構成する螺旋部のそれぞれから延出された給電
端子を介しての通電によって発熱することになり、廃棄
処理もしくは予熱処理すべきガスはセラミックチューブ
を通過したうえで発熱体の螺旋部間に設けられた隙間か
ら流出することによって加熱されることになる。そこ
で、この発熱体における発熱温度を適宜に調整すること
により、雰囲気ガスの予熱処理や排ガスの廃棄処理に伴
う臭気除去などを行い得ることになる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
【0010】図1は本実施例に係るガス加熱装置の全体
構造を示す一部破断側面図、図2はその要部構造を拡大
して示す側断面図であり、これらの図における符号1は
ガス加熱装置である。
【0011】このガス加熱装置1は、円筒形のスパイラ
ルヒータであるSiCヒータ、例えば、内径が52mm
で全長が600mmとされたSiCヒータ2と、このS
iCヒータ2の具備する発熱体、すなわち、全長が40
0mmとされた発熱体3を取り囲む所定厚みの断熱材か
ら構成された箱形の炉室4とを備えている。そして、S
iCヒータ2の発熱体3は、SiCヒータ2の軸芯方向
に沿って二重となり、かつ、互いの間に所定幅の隙間5
が設けられたうえで先端6a同士が互いに連結された一
対の螺旋部6によって構成されている。また、隙間5を
介して分離された各螺旋部6の基端それぞれからは半円
形断面を有する給電端子7が延出されており、これらの
給電端子7は炉室4の一方側壁面を貫通したうえで外部
にまで引き出されている。
【0012】そこで、このSiCヒータ2の具備する発
熱体3は、螺旋部6のそれぞれから延出された給電端子
7を介しての通電によって発熱することになり、100
0℃程度まで加熱されることになる。なお、通常の排ガ
ス処理装置における加熱温度は700〜800℃程度と
設定されるのが一般的であるから、このSiCヒータ2
によって排ガスGを確実に燃焼させ得ることは勿論であ
る。ところで、この炉室4内には熱電対(図示していな
い)が配置されており、この熱電対を通じての温度制御
が行われるようになっている。
【0013】さらにまた、所定幅の隙間5を介して分離
された一対の給電端子7間には、図2で拡大して示すよ
うに、これらの内面と略密着し得る外径を有する円筒形
のセラミックチューブ8が軸芯方向に沿って差し込み挿
入されており、このセラミックチューブ8の外側開口に
は炉室4の外部に設置された気体ファンを通じてセラミ
ック焼成炉(いずれも図示していない)からの排ガスG
が供給されている。すなわち、このようにして供給され
た排ガスGは、その導入路として機能するセラミックチ
ューブ8を通過したうえでSiCヒータ2を構成する発
熱体3の内部にまで流れ込むことになり、この発熱体3
を構成する螺旋部6間に設けられた隙間5を通って炉室
4内に流出することになる。
【0014】そこで、このとき、SiCヒータ2の発熱
体3が通電によって発熱したうえで所要の温度まで加熱
されていると、排ガスGは隙間5を通過しながら加熱さ
れて燃焼させられることになり、排ガスGの臭気は燃焼
に伴って除去されてしまう。なお、図1中の符号9は炉
室4におけるいずれかの壁面に形成された排気口であ
り、臭気が除去された廃棄処理後の排ガスGは排気口9
を通って炉室4の外部へ排出されていくことになる。そ
して、この排ガスG中に難燃性成分が含まれていた場
合、これらの成分は炉室4内に滞留したうえで長時間を
かけて燃焼させられることになる。また、より確実な排
ガスGの排気処理を行おうとする場合には、別体として
構成されたガス加熱装置を炉室4内の排気口9付近に設
置しておけばよい。
【0015】ところで、本実施例においては、上記ガス
加熱装置1がセラミック焼成炉から排出される排ガスG
の廃棄処理を行う際に使用されるものであるとしている
が、これに限定されることはなく、例えば、脱バインダ
処理済みとなった成形品の本焼成時などに必要とされる
雰囲気ガスの予熱用としてガス加熱装置1を使用しても
よいことは勿論である。ただし、このような際には、雰
囲気ガスの予熱必要温度に見合うようSiCヒータ2の
具備する発熱体3における発熱温度を適宜に調整してお
くことになる。なお、セラミック焼成炉以外の工業用炉
に対し、本発明に係るガス加熱装置1を適用することも
可能であることはいうまでもない。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るガス
加熱装置によれば、ガス加熱装置の構成が小型かつ簡便
なものとなり、大掛かりな燃焼設備を設置する必要がな
くなる結果、ランニングコスト及びイニシャルコストの
低減が可能となるばかりか、小型の工業用炉においても
ガス加熱装置を使用し得るという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施例に係るガス加熱装置の全体構造を示す
一部破断側面図である。
【図2】その要部構造を拡大して示す側断面図である。
【符号の説明】
1 ガス加熱装置 2 SiCヒータ(スパイラルヒータ) 3 発熱体 5 隙間 6 螺旋部 6a 先端 7 給電端子 8 セラミックチューブ G 排ガス(ガス)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】軸芯方向に沿う二重の螺旋部(6)を有
    し、かつ、互いの先端(6a)同士が連結された各螺旋
    部(6)間には所定幅の隙間(5)が設けられた発熱体
    (3)と、各螺旋部(6)の基端から延出された給電端
    子(7)とからなる円筒形のスパイラルヒータ(2)を
    備えるとともに、 このスパイラルヒータ(2)の給電端子(7)間に挿入
    されてガス(G)の導入路となる円筒形のセラミックチ
    ューブ(8)を具備していることを特徴とするガス加熱
    装置。
JP01633993A 1993-02-03 1993-02-03 ガス加熱装置 Expired - Lifetime JP3264014B2 (ja)

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