JPH06225221A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH06225221A JPH06225221A JP5008562A JP856293A JPH06225221A JP H06225221 A JPH06225221 A JP H06225221A JP 5008562 A JP5008562 A JP 5008562A JP 856293 A JP856293 A JP 856293A JP H06225221 A JPH06225221 A JP H06225221A
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- signal
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Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 クロックの高周波・高速化を図っても、出力
信号の信号期間に雑音の発生のない固体撮像装置を提供
する。 【構成】 CCDレジスタαに供給される第1の2相転
送クロックφ1a,φ2aに対してCCDレジスタβに
供給される第2の2相転送クロックφ1b,φ2bを1
/2クロック分ずらすようにしている。このため、フロ
ーティングディフュージョン部16,36から同相の信
号V11,V12を出力することができる。出力される
信号V11,V12が同相であるので、必然的に、信号
期間とクロック(リセットゲートパルス)の立ち下がり
部分、すなわち遷移部分とが時間的に分離され、信号期
間にカップリングを原因とする雑音がのることがなくな
る。したがって、クロックの高周波化・高速化を図るこ
とが可能になり、信号処理の高周波化・高速化ができ
る。
信号の信号期間に雑音の発生のない固体撮像装置を提供
する。 【構成】 CCDレジスタαに供給される第1の2相転
送クロックφ1a,φ2aに対してCCDレジスタβに
供給される第2の2相転送クロックφ1b,φ2bを1
/2クロック分ずらすようにしている。このため、フロ
ーティングディフュージョン部16,36から同相の信
号V11,V12を出力することができる。出力される
信号V11,V12が同相であるので、必然的に、信号
期間とクロック(リセットゲートパルス)の立ち下がり
部分、すなわち遷移部分とが時間的に分離され、信号期
間にカップリングを原因とする雑音がのることがなくな
る。したがって、クロックの高周波化・高速化を図るこ
とが可能になり、信号処理の高周波化・高速化ができ
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、多数の光電変換画素が
ライン状に配列されたリニアセンサ又は面状に配列され
たエリアセンサに適用して好適な固体撮像装置に関す
る。
ライン状に配列されたリニアセンサ又は面状に配列され
たエリアセンサに適用して好適な固体撮像装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来から、固体撮像装置、例えば、CC
Dリニアセンサでは、2相転送クロックを利用して電荷
を転送する技術が採用されている。駆動回路が簡単に構
成できることと高速転送に適することなどが採用する主
な理由である。
Dリニアセンサでは、2相転送クロックを利用して電荷
を転送する技術が採用されている。駆動回路が簡単に構
成できることと高速転送に適することなどが採用する主
な理由である。
【0003】図5は、このような2相転送クロックを利
用するIC化されたCCDリニアセンサ1の一般的な構
成を示している。
用するIC化されたCCDリニアセンサ1の一般的な構
成を示している。
【0004】図5例のCCDリニアセンサ1は、約5000
個の光電変換画素が一列に配列された光センサ2を有
し、この光センサ2の奇数番目の光電変換画素PO(P
1,P3,…)が読出ゲート電極4を通じてCCDレジ
スタαに接続され、光センサ2の偶数番目の光電変換画
素PE(P2,P4,…)が読出ゲート電極4を通じて
CCDレジスタβに接続されている。なお、読出ゲート
電極4は、読出ゲートパルスφTGの入力端子5に接続
されている。
個の光電変換画素が一列に配列された光センサ2を有
し、この光センサ2の奇数番目の光電変換画素PO(P
1,P3,…)が読出ゲート電極4を通じてCCDレジ
スタαに接続され、光センサ2の偶数番目の光電変換画
素PE(P2,P4,…)が読出ゲート電極4を通じて
CCDレジスタβに接続されている。なお、読出ゲート
電極4は、読出ゲートパルスφTGの入力端子5に接続
されている。
【0005】CCDレジスタαの各レジスタは1つ置き
に、クロックφ1の入力端子10とクロックφ2の入力
端子12とに接続されている。出力側の最後のレジスタ
はクロックφ2Lの入力端子14に接続されるととも
に、フローティングディフュージョン部(FD)16に
接続されている。このフローティングディフュージョン
部16の出力側はバッファ18を通じて出力端子20に
接続される。出力端子20には、信号V1が表れる。
に、クロックφ1の入力端子10とクロックφ2の入力
端子12とに接続されている。出力側の最後のレジスタ
はクロックφ2Lの入力端子14に接続されるととも
に、フローティングディフュージョン部(FD)16に
接続されている。このフローティングディフュージョン
部16の出力側はバッファ18を通じて出力端子20に
接続される。出力端子20には、信号V1が表れる。
【0006】同様に、CCDレジスタβの各レジスタは
1つ置きに、クロックφ1の入力端子30とクロックφ
2の入力端子32とに接続されている。出力側の最後の
レジスタはクロックφ1Lの入力端子34に接続される
とともに、フローティングディフュージョン部36に接
続されている。このフローティングディフュージョン部
36の出力側はバッファ38を通じて出力端子40に接
続される。出力端子40には、信号V2が表れる。
1つ置きに、クロックφ1の入力端子30とクロックφ
2の入力端子32とに接続されている。出力側の最後の
レジスタはクロックφ1Lの入力端子34に接続される
とともに、フローティングディフュージョン部36に接
続されている。このフローティングディフュージョン部
36の出力側はバッファ38を通じて出力端子40に接
続される。出力端子40には、信号V2が表れる。
【0007】また、フローティングディフュージョン部
16,36の出力側には、FET17,37のソース側
が接続されている。FET17,37のゲート、いわゆ
るリセットゲートは、それぞれ、リセットゲートパルス
(必要に応じてリセットゲートクロックという)φR
1,φR2の入力端子19,39に接続されている。F
ET17,37のドレインは共通に接続され電源電圧V
DDの入力端子21に接続されている。
16,36の出力側には、FET17,37のソース側
が接続されている。FET17,37のゲート、いわゆ
るリセットゲートは、それぞれ、リセットゲートパルス
(必要に応じてリセットゲートクロックという)φR
1,φR2の入力端子19,39に接続されている。F
ET17,37のドレインは共通に接続され電源電圧V
DDの入力端子21に接続されている。
【0008】次に図5例の動作を説明する。
【0009】図6A〜図6Hは、図5例の動作説明に供
されるタイミングチャートを示している。
されるタイミングチャートを示している。
【0010】すなわち、まず、図6Aに示すラインクロ
ックに対応する読出ゲートパルスφTGが入力端子5を
通じて読出ゲート電極4に供給されると、光センサ2の
各光電変換画素PO,PEに蓄積されていた電荷がそれ
ぞれCCDレジスタα及びCCDレジスタβに一度に転
送される。
ックに対応する読出ゲートパルスφTGが入力端子5を
通じて読出ゲート電極4に供給されると、光センサ2の
各光電変換画素PO,PEに蓄積されていた電荷がそれ
ぞれCCDレジスタα及びCCDレジスタβに一度に転
送される。
【0011】次に、図6B,Cに示す2相の転送クロッ
クφ1(φ1L)とφ2(φ2L)とが入力端子10,
30,34及び入力端子12,32,14を通じてCC
Dレジスタα,βの各レジスタに供給されることで、光
センサ2から各レジスタに転送されていた電荷が順次出
力側に転送される。フローティングディフュージョン部
16,36まで転送された電荷は、このフローティング
ディフュージョン部16,36において、電圧信号に変
換された後、バッファ18,38を通じて出力端子2
0,40に逆相の2相出力信号V1,V2(図6F,G
参照)として表れる。
クφ1(φ1L)とφ2(φ2L)とが入力端子10,
30,34及び入力端子12,32,14を通じてCC
Dレジスタα,βの各レジスタに供給されることで、光
センサ2から各レジスタに転送されていた電荷が順次出
力側に転送される。フローティングディフュージョン部
16,36まで転送された電荷は、このフローティング
ディフュージョン部16,36において、電圧信号に変
換された後、バッファ18,38を通じて出力端子2
0,40に逆相の2相出力信号V1,V2(図6F,G
参照)として表れる。
【0012】なお、フローティングディフュージョン部
16,36において電圧信号に変換された後に、そのフ
ローティングディフュージョン部16,36に残った電
荷は、入力端子19,39からリセットゲートパルスφ
R1,φR2(図6D,E参照)が供給されることで、
FET17,37及び端子21を通じて電源電圧VDD側
に掃きだされる。
16,36において電圧信号に変換された後に、そのフ
ローティングディフュージョン部16,36に残った電
荷は、入力端子19,39からリセットゲートパルスφ
R1,φR2(図6D,E参照)が供給されることで、
FET17,37及び端子21を通じて電源電圧VDD側
に掃きだされる。
【0013】図6H及び図6F,Gから分かるように、
このCCDリニアセンサ1は、出力側に8個(ビット)
分の黒基準用の光電変換画素P1〜P8を有し、以下、
上流側に順に、22ビットの光学的黒基準用の光電変換画
素P9〜P30、2ビットの無効光電変換画素P31,
P32、5000ビットの有効光電変換画素P33〜P50
32、2ビットの無効光電変換画素P5033,P50
34及びダミー光電変換画素P5035〜P5037を
有する。
このCCDリニアセンサ1は、出力側に8個(ビット)
分の黒基準用の光電変換画素P1〜P8を有し、以下、
上流側に順に、22ビットの光学的黒基準用の光電変換画
素P9〜P30、2ビットの無効光電変換画素P31,
P32、5000ビットの有効光電変換画素P33〜P50
32、2ビットの無効光電変換画素P5033,P50
34及びダミー光電変換画素P5035〜P5037を
有する。
【0014】実際上、このCCDリニアセンサ1の出力
信号V1,V2のうち、光センサ2の有効光電変換画素
P33〜P5032に対応する低レベル部分が信号Sで
ある。信号Sの期間を信号期間Tという。
信号V1,V2のうち、光センサ2の有効光電変換画素
P33〜P5032に対応する低レベル部分が信号Sで
ある。信号Sの期間を信号期間Tという。
【0015】図12は、CCDリニアセンサ1とこれに
接続される信号処理回路42の構成例を示している。
接続される信号処理回路42の構成例を示している。
【0016】すなわち、上記信号Sは、このCCDリニ
アセンサ1の出力端子20,40にそれぞれ接続される
サンプルホールド回路44,46によって、端子45,
47から供給される互いに逆相の2種類のサンプルホー
ルドパルスSH1,SH2によりサンプルホールドされ
た後、共通に接続されるA/D変換器48によりデジタ
ル信号に変換され、出力端子50を通じて使用に供され
ることになる。
アセンサ1の出力端子20,40にそれぞれ接続される
サンプルホールド回路44,46によって、端子45,
47から供給される互いに逆相の2種類のサンプルホー
ルドパルスSH1,SH2によりサンプルホールドされ
た後、共通に接続されるA/D変換器48によりデジタ
ル信号に変換され、出力端子50を通じて使用に供され
ることになる。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
CCDリニアセンサなどの固体撮像装置を利用する分野
においては、信号処理のリアルタイム性と高画質化が必
須の要件とされる場合が多い。
CCDリニアセンサなどの固体撮像装置を利用する分野
においては、信号処理のリアルタイム性と高画質化が必
須の要件とされる場合が多い。
【0018】固体撮像装置において、そのような信号処
理のリアルタイム性の要件を満足するためには、クロッ
クの高周波・高速化を図る必要がある。また、高画質化
を図るためには、信号Sに雑音が少ないことが必要であ
る。
理のリアルタイム性の要件を満足するためには、クロッ
クの高周波・高速化を図る必要がある。また、高画質化
を図るためには、信号Sに雑音が少ないことが必要であ
る。
【0019】このような観点から考察すると、図5及び
図6から分かるように、信号V1を出力するために必要
なクロックはクロックφTG,φ1,φ2(φ2L),
φR1の4種類のクロックであり、クロックφ1L,φ
R2は不要である。また、信号V2を出力する場合に
は、クロックφ2L,φR1は不要である。ここで、ク
ロックφ1L,φ2Lは、それぞれ、クロックφ1,φ
2と同相のクロックであるので高画質化上問題とはなら
ない。
図6から分かるように、信号V1を出力するために必要
なクロックはクロックφTG,φ1,φ2(φ2L),
φR1の4種類のクロックであり、クロックφ1L,φ
R2は不要である。また、信号V2を出力する場合に
は、クロックφ2L,φR1は不要である。ここで、ク
ロックφ1L,φ2Lは、それぞれ、クロックφ1,φ
2と同相のクロックであるので高画質化上問題とはなら
ない。
【0020】ところが、リセットゲートパルスφR1,
φR2は高画質化上問題を発生するタイミングになって
いる。
φR2は高画質化上問題を発生するタイミングになって
いる。
【0021】すなわち、出力信号V1の信号期間T中の
信号S(図6Fの有効光電変換画素部分参照)に、その
出力信号V1を出力するためには必要のないリセットゲ
ートパルスφR2が立ち下がるタイミング(矢印付き点
線X参照)になっており、また、出力信号V2の信号期
間(図6Gの有効光電変換画素部分参照)T中の信号S
に、出力信号V2を出力するためには必要のないリセッ
トゲートパルスφR1(矢印付き点線Y参照)が立ち下
がるタイミングになっている。
信号S(図6Fの有効光電変換画素部分参照)に、その
出力信号V1を出力するためには必要のないリセットゲ
ートパルスφR2が立ち下がるタイミング(矢印付き点
線X参照)になっており、また、出力信号V2の信号期
間(図6Gの有効光電変換画素部分参照)T中の信号S
に、出力信号V2を出力するためには必要のないリセッ
トゲートパルスφR1(矢印付き点線Y参照)が立ち下
がるタイミングになっている。
【0022】このため信号Sの波形にリセットゲートパ
ルスφR1,φR2の立ち下がり部分を原因とするカッ
プリング(結合)による雑音、いわゆるクロック被りに
よる雑音Nが混入して、その信号Sが平坦ではなくなっ
てくるという問題が発生する。
ルスφR1,φR2の立ち下がり部分を原因とするカッ
プリング(結合)による雑音、いわゆるクロック被りに
よる雑音Nが混入して、その信号Sが平坦ではなくなっ
てくるという問題が発生する。
【0023】クロックの周波数が比較的に低い場合に
は、この雑音Nの発生期間、言い換えれば、信号S中の
揺れている期間(雑音Nがのっている期間)と揺れてい
ない真の信号期間とが離れた位置に発生することになる
ので、サンプルホールド回路44,46のサンプルタイ
ミング(サンプリングパルスSH1,SH2)をその揺
れていない真の信号期間に一致させることでサンプルホ
ールドした信号中に雑音Nが含まれないようにすること
ができる。
は、この雑音Nの発生期間、言い換えれば、信号S中の
揺れている期間(雑音Nがのっている期間)と揺れてい
ない真の信号期間とが離れた位置に発生することになる
ので、サンプルホールド回路44,46のサンプルタイ
ミング(サンプリングパルスSH1,SH2)をその揺
れていない真の信号期間に一致させることでサンプルホ
ールドした信号中に雑音Nが含まれないようにすること
ができる。
【0024】しかしながら、クロックの高周波化・高速
化を図ろうとすると、上記雑音Nにより信号Sの全期
間、すなわち信号期間Tの全期間で雑音Nにより波形が
揺れてしまうことになるので、この揺れている期間でサ
ンプルホールドせざるを得なくなり、サンプルホールド
した信号中に雑音Nが含まれ、結果として高画質化を達
成することができないという問題があった。
化を図ろうとすると、上記雑音Nにより信号Sの全期
間、すなわち信号期間Tの全期間で雑音Nにより波形が
揺れてしまうことになるので、この揺れている期間でサ
ンプルホールドせざるを得なくなり、サンプルホールド
した信号中に雑音Nが含まれ、結果として高画質化を達
成することができないという問題があった。
【0025】本発明はこのような課題を考慮してなされ
たものであり、クロックの高周波・高速化を図っても、
出力信号の信号期間に雑音の発生のない固体撮像装置を
提供することを目的とする。
たものであり、クロックの高周波・高速化を図っても、
出力信号の信号期間に雑音の発生のない固体撮像装置を
提供することを目的とする。
【0026】
【課題を解決するための手段】本発明は、例えば、図1
及び図2に示すように、複数の光電変換画素Pを有する
光センサ2と、この光センサ2の奇数番目の光電変換画
素PO(P1,P3,…)から読み出された電荷Q1,
Q3,‥‥が互いに逆相の第1の2相転送クロックφ1
a,φ2aにより第1の信号変換部16へ転送される第
1の電荷転送素子αと、光センサ2の偶数番目の光電変
換画素PE(P2,P4,…)から読み出された電荷Q
2,Q4,‥‥が互いに逆相の第2の2相転送クロック
φ1b,φ2bにより第2の信号変換部36へ転送され
る第2の電荷転送素子βとを備える固体撮像装置におい
て、第1及び第2の2相転送クロック(φ1a,φ2
a),(φ1b,φ2b)のうちいずれか一方の2相転
送クロックを1/2クロック分ずらして、第1及び第2
の信号変換部16,36から同相の信号V11,V12
が出力されるようにしたものである。
及び図2に示すように、複数の光電変換画素Pを有する
光センサ2と、この光センサ2の奇数番目の光電変換画
素PO(P1,P3,…)から読み出された電荷Q1,
Q3,‥‥が互いに逆相の第1の2相転送クロックφ1
a,φ2aにより第1の信号変換部16へ転送される第
1の電荷転送素子αと、光センサ2の偶数番目の光電変
換画素PE(P2,P4,…)から読み出された電荷Q
2,Q4,‥‥が互いに逆相の第2の2相転送クロック
φ1b,φ2bにより第2の信号変換部36へ転送され
る第2の電荷転送素子βとを備える固体撮像装置におい
て、第1及び第2の2相転送クロック(φ1a,φ2
a),(φ1b,φ2b)のうちいずれか一方の2相転
送クロックを1/2クロック分ずらして、第1及び第2
の信号変換部16,36から同相の信号V11,V12
が出力されるようにしたものである。
【0027】
【作用】本発明によれば、第1及び第2の電荷転送素子
α、βにそれぞれ供給される第1及び第2の2相転送ク
ロック(φ1a,φ2a),(φ1b,φ2b)のうち
いずれか一方の2相転送クロックを1/2クロック分ず
らすようにしている。このため、第1及び第2の信号変
換部16,36から同相の信号V11,V12を出力す
ることができる。
α、βにそれぞれ供給される第1及び第2の2相転送ク
ロック(φ1a,φ2a),(φ1b,φ2b)のうち
いずれか一方の2相転送クロックを1/2クロック分ず
らすようにしている。このため、第1及び第2の信号変
換部16,36から同相の信号V11,V12を出力す
ることができる。
【0028】出力される信号V11,V12が同相であ
るので、必然的に、信号期間とクロック(リセットゲー
トパルスφR1)の立ち下がり部分、すなわち遷移部分
とが時間的に分離され、信号期間にカップリングを原因
とする雑音がのることがなくなる。したがって、クロッ
クの高周波化・高速化を図ることが可能になり、信号処
理の高周波化・高速化ができる。
るので、必然的に、信号期間とクロック(リセットゲー
トパルスφR1)の立ち下がり部分、すなわち遷移部分
とが時間的に分離され、信号期間にカップリングを原因
とする雑音がのることがなくなる。したがって、クロッ
クの高周波化・高速化を図ることが可能になり、信号処
理の高周波化・高速化ができる。
【0029】結果として、信号期間が平坦になり、この
平坦部分をサンプルホールドすることにより、サンプル
ホールドされた信号には雑音がなく、この雑音のない信
号を利用することにより形成された信号処理結果、例え
ば、画像が高画質になる。サンプルホールドパルスも1
種類で良くなる。
平坦部分をサンプルホールドすることにより、サンプル
ホールドされた信号には雑音がなく、この雑音のない信
号を利用することにより形成された信号処理結果、例え
ば、画像が高画質になる。サンプルホールドパルスも1
種類で良くなる。
【0030】
【実施例】以下、本発明固体撮像装置の一実施例につい
て図面を参照して説明する。なお、以下に参照する図面
において、上記の図5〜図7に示したものに対応するも
のには同一の符号を付けている。
て図面を参照して説明する。なお、以下に参照する図面
において、上記の図5〜図7に示したものに対応するも
のには同一の符号を付けている。
【0031】図1は本実施例による固体撮像装置をCC
Dリニアセンサに適用した例のうち、要部の模式的な構
成を示している。
Dリニアセンサに適用した例のうち、要部の模式的な構
成を示している。
【0032】図1において、CCDリニアセンサ1は、
約5000個の光電変換画素P(PO,PE)が一列に配列
された光センサ2を有し、この光センサ2の奇数番目の
光電変換画素PO(P1,P3,…)が読出ゲート電極
4を通じて第1の電荷転送素子としてのCCDレジスタ
αに接続されている。CCDレジスタαは、レジスタα
1,α2,…を備えている。
約5000個の光電変換画素P(PO,PE)が一列に配列
された光センサ2を有し、この光センサ2の奇数番目の
光電変換画素PO(P1,P3,…)が読出ゲート電極
4を通じて第1の電荷転送素子としてのCCDレジスタ
αに接続されている。CCDレジスタαは、レジスタα
1,α2,…を備えている。
【0033】また、光センサ2の偶数番目の光電変換画
素PE(P2,P4,…)が読出ゲート電極4を通じて
第2の電荷転送素子としてのCCDレジスタβに接続さ
れている。CCDレジスタβは、レジスタβ1,β2,
…を備えている。
素PE(P2,P4,…)が読出ゲート電極4を通じて
第2の電荷転送素子としてのCCDレジスタβに接続さ
れている。CCDレジスタβは、レジスタβ1,β2,
…を備えている。
【0034】なお、読出ゲート電極4は、読出ゲートパ
ルスφTGの入力端子5に接続されている。また、光セ
ンサ2の光電変換画素Pのうち、光電変換画素P1〜P
30までの各画素は光学的黒基準となる画素であり、光
電変換画素P31,P32は、無効画素であり、それ以
降の光電変換画素P33〜P5032(図示していな
い)は有効光電変換画素である。
ルスφTGの入力端子5に接続されている。また、光セ
ンサ2の光電変換画素Pのうち、光電変換画素P1〜P
30までの各画素は光学的黒基準となる画素であり、光
電変換画素P31,P32は、無効画素であり、それ以
降の光電変換画素P33〜P5032(図示していな
い)は有効光電変換画素である。
【0035】CCDレジスタαの出力側に配置されてい
る8個のレジスタα1〜α8は、ダミーレジスタ(ダミ
ービットという場合もある)57である。また、CCD
レジスタ58の出力側に配置されている8個のレジスタ
β1〜β8もダミーレジスタ58である。ダミーレジス
タ57,58は、読出ゲート電極4を介して光センサ2
の光電変換画素Pに接続されていないレジスタであり黒
基準用素子となる。
る8個のレジスタα1〜α8は、ダミーレジスタ(ダミ
ービットという場合もある)57である。また、CCD
レジスタ58の出力側に配置されている8個のレジスタ
β1〜β8もダミーレジスタ58である。ダミーレジス
タ57,58は、読出ゲート電極4を介して光センサ2
の光電変換画素Pに接続されていないレジスタであり黒
基準用素子となる。
【0036】CCDレジスタαのうち、レジスタα2以
降の各レジスタは、1つ置きに、クロックφ1aの入力
端子10とクロックφ2aの入力端子12とに接続され
ている。クロックφ1aとクロックφ2aとは互いに逆
相の第1の2相転送クロックを構成する。出力側の最後
のレジスタα1は、クロックφ2Lの入力端子14に接
続されるとともに、第1の信号変換部としてのフローテ
ィングディフュージョン部(FD)16に接続されてい
る。このフローティングディフュージョン部16の出力
側はバッファ18を通じて出力端子20に接続される。
出力端子20には、信号V11が表れる。
降の各レジスタは、1つ置きに、クロックφ1aの入力
端子10とクロックφ2aの入力端子12とに接続され
ている。クロックφ1aとクロックφ2aとは互いに逆
相の第1の2相転送クロックを構成する。出力側の最後
のレジスタα1は、クロックφ2Lの入力端子14に接
続されるとともに、第1の信号変換部としてのフローテ
ィングディフュージョン部(FD)16に接続されてい
る。このフローティングディフュージョン部16の出力
側はバッファ18を通じて出力端子20に接続される。
出力端子20には、信号V11が表れる。
【0037】同様に、CCDレジスタβのうち、レジス
タβ2以降の各レジスタは、1つ置きに、クロックφ2
bの入力端子32とクロックφ2aの入力端子30とに
接続されている。クロックφ1bとクロックφ2bとは
互いに逆相の第2の2相転送クロックを構成する。出力
側の最後のレジスタβ1は、クロックφ1Lの入力端子
34に接続されるとともに、フローティングディフュー
ジョン部36に接続されている。このフローティングデ
ィフュージョン部36の出力側はバッファ38を通じて
出力端子40に接続される。出力端子40には、信号V
12が表れる。
タβ2以降の各レジスタは、1つ置きに、クロックφ2
bの入力端子32とクロックφ2aの入力端子30とに
接続されている。クロックφ1bとクロックφ2bとは
互いに逆相の第2の2相転送クロックを構成する。出力
側の最後のレジスタβ1は、クロックφ1Lの入力端子
34に接続されるとともに、フローティングディフュー
ジョン部36に接続されている。このフローティングデ
ィフュージョン部36の出力側はバッファ38を通じて
出力端子40に接続される。出力端子40には、信号V
12が表れる。
【0038】また、フローティングディフュージョン部
16,36の出力側には、FET17,37のソース側
が接続されている。FET17,37のゲート、いわゆ
るリセットゲートは、それぞれ、リセットゲートパルス
(必要に応じてリセットゲートクロックという)φR
1,φR2の入力端子19,39に接続されている。な
お、入力端子19,39に供給されるリセットゲートパ
ルスφR1,φR2は共通であるので、図1例におい
て、入力端子19,39を共通接続しておいてもよい。
FET17,37のドレイン、いわゆるリセットドレイ
ンは共通に接続され電源電圧VDDの入力端子21に接続
されている。
16,36の出力側には、FET17,37のソース側
が接続されている。FET17,37のゲート、いわゆ
るリセットゲートは、それぞれ、リセットゲートパルス
(必要に応じてリセットゲートクロックという)φR
1,φR2の入力端子19,39に接続されている。な
お、入力端子19,39に供給されるリセットゲートパ
ルスφR1,φR2は共通であるので、図1例におい
て、入力端子19,39を共通接続しておいてもよい。
FET17,37のドレイン、いわゆるリセットドレイ
ンは共通に接続され電源電圧VDDの入力端子21に接続
されている。
【0039】次に図1例の動作について図2の動作説明
図及び図3のタイミングチャートをも参照して説明す
る。
図及び図3のタイミングチャートをも参照して説明す
る。
【0040】図3の時点t0〜t1の読出期間Rにおい
て、図3Aに示すラインクロックに対応する読出ゲート
パルスφTGが入力端子5を通じて読出ゲート電極4に
供給されると、光センサ2の各光電変換画素P(PO=
P1,P3…,PE=P2,P4…)に蓄積されていた
電荷Q1,Q2,…(図2参照)が、矢印で示すよう
に、CCDレジスタα,βの対応するレジスタに一度に
転送される。
て、図3Aに示すラインクロックに対応する読出ゲート
パルスφTGが入力端子5を通じて読出ゲート電極4に
供給されると、光センサ2の各光電変換画素P(PO=
P1,P3…,PE=P2,P4…)に蓄積されていた
電荷Q1,Q2,…(図2参照)が、矢印で示すよう
に、CCDレジスタα,βの対応するレジスタに一度に
転送される。
【0041】すなわち、奇数番目の光電変換画素P1,
P3,…に蓄積されている電荷Q1,Q3,…,Q2
9,Q31,…は、クロックφ1aがハイレベルになっ
ているレジスタα9,α11,…,α37,α39…に
それぞれ転送される。偶数番目の光電変換画素P2,P
4,…,P30,P32,…に蓄積されている電荷Q
2,Q4,…,Q30,Q32,…は、クロックφ1b
がハイレベルになっているレジスタβ10,β12,
…,β38,β40…にそれぞれ転送される。
P3,…に蓄積されている電荷Q1,Q3,…,Q2
9,Q31,…は、クロックφ1aがハイレベルになっ
ているレジスタα9,α11,…,α37,α39…に
それぞれ転送される。偶数番目の光電変換画素P2,P
4,…,P30,P32,…に蓄積されている電荷Q
2,Q4,…,Q30,Q32,…は、クロックφ1b
がハイレベルになっているレジスタβ10,β12,
…,β38,β40…にそれぞれ転送される。
【0042】次に、時点t1〜t2に示すように、クロ
ックφ1bがローレベルになり、クロックφ2bがハイ
レベルになると、CCDレジスタβ側の各レジスタに蓄
積された電荷Qがそれぞれ1つ下流側のレジスタに転送
される。すなわち、レジスタβ10,…,β38,β4
0,…に蓄積されていた各電荷Q2,…,Q30,Q3
2,…がそれぞれレジスタβ9,…,β37,β39,
…に転送される。この時点t1〜t2の間で、CCDレ
ジスタαに供給されているクロックφ1a,φ1bの値
は変化しないので、CCDレジスタα側での電荷の転送
動作が行われない。
ックφ1bがローレベルになり、クロックφ2bがハイ
レベルになると、CCDレジスタβ側の各レジスタに蓄
積された電荷Qがそれぞれ1つ下流側のレジスタに転送
される。すなわち、レジスタβ10,…,β38,β4
0,…に蓄積されていた各電荷Q2,…,Q30,Q3
2,…がそれぞれレジスタβ9,…,β37,β39,
…に転送される。この時点t1〜t2の間で、CCDレ
ジスタαに供給されているクロックφ1a,φ1bの値
は変化しないので、CCDレジスタα側での電荷の転送
動作が行われない。
【0043】次に、時点t2以降で、CCDレジスタα
側に供給される互いに逆相の2相の転送クロックφ1
a,φ1bの繰り返し反転動作を開始させることで、所
定時点毎に、レジスタα1,β1から、電荷が組{電荷
(Q1,Q2)、電荷(Q3,Q4)、…、電荷(Q3
1,Q32)、電荷(Q33,Q34)、…}の状態、
いわゆる同相でフローティングディフュージョン部1
6,36に順次転送される。
側に供給される互いに逆相の2相の転送クロックφ1
a,φ1bの繰り返し反転動作を開始させることで、所
定時点毎に、レジスタα1,β1から、電荷が組{電荷
(Q1,Q2)、電荷(Q3,Q4)、…、電荷(Q3
1,Q32)、電荷(Q33,Q34)、…}の状態、
いわゆる同相でフローティングディフュージョン部1
6,36に順次転送される。
【0044】そして、フローティングディフュージョン
部16,36において、電荷が電圧信号に変換された
後、バッファ18,38を通じて出力端子20,40に
同相の2相出力信号V11,V12(図3I,J参照)
として表れる。図3I,Jにおいて、電荷Q29〜Q3
4に対応する信号を信号S29〜S34で表している。
部16,36において、電荷が電圧信号に変換された
後、バッファ18,38を通じて出力端子20,40に
同相の2相出力信号V11,V12(図3I,J参照)
として表れる。図3I,Jにおいて、電荷Q29〜Q3
4に対応する信号を信号S29〜S34で表している。
【0045】なお、フローティングディフュージョン部
16,36において、電圧信号に変換された電荷は、F
ET17,37のゲートに端子19,39から図3Hに
示すリセットゲートパルスφR1(φR2も全く同じ信
号)が供給されることで、ドレイン側から端子21を通
じて電源電圧VDD側に掃き出される。
16,36において、電圧信号に変換された電荷は、F
ET17,37のゲートに端子19,39から図3Hに
示すリセットゲートパルスφR1(φR2も全く同じ信
号)が供給されることで、ドレイン側から端子21を通
じて電源電圧VDD側に掃き出される。
【0046】図3から分かるように、このリセットゲー
トパルスφR1の発生タイミングは、電荷転送間、言い
換えれば、信号期間Tと次の信号期間T(例えば、図3
I,J参照)の間に発生すればよいので、リセットゲー
トパルスφR1の立ち下がりエッジである遷移部が信号
期間T外に存在することになる。したがって、その信号
期間Tには、その遷移部を原因とする雑音がのることが
ない。このため、クロックの周期を短く、すなわち、ク
ロックの高周波・高速化を図っても、出力信号V11,
V12の信号期間T内に雑音の発生がない。
トパルスφR1の発生タイミングは、電荷転送間、言い
換えれば、信号期間Tと次の信号期間T(例えば、図3
I,J参照)の間に発生すればよいので、リセットゲー
トパルスφR1の立ち下がりエッジである遷移部が信号
期間T外に存在することになる。したがって、その信号
期間Tには、その遷移部を原因とする雑音がのることが
ない。このため、クロックの周期を短く、すなわち、ク
ロックの高周波・高速化を図っても、出力信号V11,
V12の信号期間T内に雑音の発生がない。
【0047】図4は、図1例のCCDリニアセンサ1と
これに接続される信号処理回路72の構成例を示してい
る。
これに接続される信号処理回路72の構成例を示してい
る。
【0048】すなわち、上記信号期間Tの信号Sを有す
る信号V11,V12は、このCCDリニアセンサ1の
出力端子20,40にそれぞれ接続されるサンプルホー
ルド回路74,76によって端子77から供給される共
通のサンプルホールドパルスSHによりサンプルホール
ドされた後、これらサンプルホールド回路74,76の
出力側に接続されるA/D変換器78,80によりデジ
タル信号DS11,DS12に変換され、出力端子8
2,84を通じて使用に供されることになる。図5例に
よれば、高周波・高速並列信号処理が可能になる。
る信号V11,V12は、このCCDリニアセンサ1の
出力端子20,40にそれぞれ接続されるサンプルホー
ルド回路74,76によって端子77から供給される共
通のサンプルホールドパルスSHによりサンプルホール
ドされた後、これらサンプルホールド回路74,76の
出力側に接続されるA/D変換器78,80によりデジ
タル信号DS11,DS12に変換され、出力端子8
2,84を通じて使用に供されることになる。図5例に
よれば、高周波・高速並列信号処理が可能になる。
【0049】このように上記した実施例によれば、CC
Dレジスタαに供給される第1の2相転送クロックφ1
a,φ2aに対してCCDレジスタβに供給される第2
の2相転送クロックφ1b,φ2bを1/2クロック分
ずらすようにしている(従来の技術では、CCDレジス
タα,βに供給される2相の転送クロックは同一のクロ
ックφ1,φ2である。:図6参照)。このため、フロ
ーティングディフュージョン部16,36から同相の信
号V11,V12を出力することができる。
Dレジスタαに供給される第1の2相転送クロックφ1
a,φ2aに対してCCDレジスタβに供給される第2
の2相転送クロックφ1b,φ2bを1/2クロック分
ずらすようにしている(従来の技術では、CCDレジス
タα,βに供給される2相の転送クロックは同一のクロ
ックφ1,φ2である。:図6参照)。このため、フロ
ーティングディフュージョン部16,36から同相の信
号V11,V12を出力することができる。
【0050】出力される信号V11,V12が同相であ
るので、必然的に、信号期間とクロック(リセットゲー
トパルスφR1)の立ち下がり部分、すなわち遷移部分
とが時間的に分離され、信号期間にカップリングを原因
とする雑音がのることがなくなる。したがって、クロッ
クの高周波化・高速化を図ることが可能になり、信号処
理の高周波化・高速化ができる。
るので、必然的に、信号期間とクロック(リセットゲー
トパルスφR1)の立ち下がり部分、すなわち遷移部分
とが時間的に分離され、信号期間にカップリングを原因
とする雑音がのることがなくなる。したがって、クロッ
クの高周波化・高速化を図ることが可能になり、信号処
理の高周波化・高速化ができる。
【0051】結果として、信号期間が平坦になり、この
平坦部分をサンプルホールドすることにより、サンプル
ホールドされた信号には雑音がなく、この雑音のない信
号を利用することにより形成された信号処理結果、例え
ば、画像が高画質になる。図4に示したようにサンプル
ホールドパルスSHも1種類で良く、かつサンプルホー
ルドタイミングの時間の調整が容易である。
平坦部分をサンプルホールドすることにより、サンプル
ホールドされた信号には雑音がなく、この雑音のない信
号を利用することにより形成された信号処理結果、例え
ば、画像が高画質になる。図4に示したようにサンプル
ホールドパルスSHも1種類で良く、かつサンプルホー
ルドタイミングの時間の調整が容易である。
【0052】なお、上記した実施例はCCDリニアセン
サに本発明を適用した例であるが、CCDエリアセンサ
にも同様に適用できる。
サに本発明を適用した例であるが、CCDエリアセンサ
にも同様に適用できる。
【0053】また、本発明は上記の実施例に限らず本発
明の要旨を逸脱することなく種々の構成を採り得ること
はもちろんである。
明の要旨を逸脱することなく種々の構成を採り得ること
はもちろんである。
【0054】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第1及び第2の電荷転送素子にそれぞれ供給される第1
及び第2の2相転送クロックのうちいずれか一方の2相
転送クロックを1/2クロック分ずらすようにしてい
る。このため、第1及び第2の信号変換部から同相の信
号を出力することができるという効果が得られる。
第1及び第2の電荷転送素子にそれぞれ供給される第1
及び第2の2相転送クロックのうちいずれか一方の2相
転送クロックを1/2クロック分ずらすようにしてい
る。このため、第1及び第2の信号変換部から同相の信
号を出力することができるという効果が得られる。
【0055】出力される信号が同相であるので、必然的
に、信号期間とクロック(リセットゲートパルス)の立
ち下がり部分、すなわち遷移部分とが時間的に分離さ
れ、信号期間にカップリングを原因とする雑音がのるこ
とがなくなる。したがって、クロックの高周波化・高速
化を図ることが可能になり、信号処理の高周波化・高速
化ができるという効果も得られる。
に、信号期間とクロック(リセットゲートパルス)の立
ち下がり部分、すなわち遷移部分とが時間的に分離さ
れ、信号期間にカップリングを原因とする雑音がのるこ
とがなくなる。したがって、クロックの高周波化・高速
化を図ることが可能になり、信号処理の高周波化・高速
化ができるという効果も得られる。
【0056】結果として、信号期間が平坦になり、この
平坦部分をサンプルホールドすることにより、サンプル
ホールドされた信号には雑音がなく、この雑音のない信
号を利用することにより形成された信号処理結果、例え
ば、画像が高画質になるという派生的な効果も得られ
る。サンプルホールドパルスも1種類で良くなるという
派生的な効果が得られる。
平坦部分をサンプルホールドすることにより、サンプル
ホールドされた信号には雑音がなく、この雑音のない信
号を利用することにより形成された信号処理結果、例え
ば、画像が高画質になるという派生的な効果も得られ
る。サンプルホールドパルスも1種類で良くなるという
派生的な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の要部構成を示す線図であ
る。
る。
【図2】図1例の動作説明に供される線図である。
【図3】図1例の動作説明に供されるタイミングチャー
トである。
トである。
【図4】本発明にかかるCCDリニアセンサとその信号
処理回路の接続構成を示すブロック図である。
処理回路の接続構成を示すブロック図である。
【図5】一般的なCCDリニアセンサの構成を示す回路
図である。
図である。
【図6】図5例の動作説明に供されるタイミングチャー
トである。
トである。
【図7】図5例のCCDリニアセンサとその信号処理回
路の接続構成を示すブロック図である。
路の接続構成を示すブロック図である。
1 CCDリニアセンサ 2 光センサ 16,36 フローティングディフュージョン部 P 光電変換画素 V11,V12 同相出力信号 α,β CCDレジスタ
Claims (1)
- 【請求項1】 複数の光電変換画素を有する光センサ
と、 この光センサの奇数番目の光電変換画素から読み出され
た電荷が互いに逆相の第1の2相転送クロックにより第
1の信号変換部へ転送される第1の電荷転送素子と、 上記光センサの偶数番目の光電変換画素から読み出され
た電荷が互いに逆相の第2の2相転送クロックにより第
2の信号変換部へ転送される第2の電荷転送素子とを備
える固体撮像素子において、 上記第1及び第2の2相転送クロックのうちいずれか一
方の2相転送クロックを1/2クロック分ずらして、上
記第1及び第2の信号変換部から同相の信号が出力され
るようにしたことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5008562A JPH06225221A (ja) | 1993-01-21 | 1993-01-21 | 固体撮像素子 |
DE69409139T DE69409139T2 (de) | 1993-01-21 | 1994-01-20 | Halbleiterbildaufnehmer mit hoher Taktgeschwindigkeit für verbesserte Bildqualität |
EP94300424A EP0608130B1 (en) | 1993-01-21 | 1994-01-20 | Solid-state imaging device with fast clock speed for improved image quality |
KR1019940001102A KR100341372B1 (ko) | 1993-01-21 | 1994-01-21 | 고체촬상장치 |
US08/404,947 US5528642A (en) | 1993-01-21 | 1995-03-15 | Solid-state imaging device with fast clock speed for improved image quality |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5008562A JPH06225221A (ja) | 1993-01-21 | 1993-01-21 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06225221A true JPH06225221A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=11696526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5008562A Pending JPH06225221A (ja) | 1993-01-21 | 1993-01-21 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06225221A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11900360B2 (en) | 2012-04-04 | 2024-02-13 | Blackhawk Network, Inc. | System and method for using intelligent codes to add a stored-value card to an electronic wallet |
-
1993
- 1993-01-21 JP JP5008562A patent/JPH06225221A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11900360B2 (en) | 2012-04-04 | 2024-02-13 | Blackhawk Network, Inc. | System and method for using intelligent codes to add a stored-value card to an electronic wallet |
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