JPH06224449A - 梁およびその製造方法 - Google Patents
梁およびその製造方法Info
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- JPH06224449A JPH06224449A JP5009467A JP946793A JPH06224449A JP H06224449 A JPH06224449 A JP H06224449A JP 5009467 A JP5009467 A JP 5009467A JP 946793 A JP946793 A JP 946793A JP H06224449 A JPH06224449 A JP H06224449A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06716—Elastic
- G01R1/06727—Cantilever beams
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 途中工程のフォトリソグラフィ工程に支障を
きたさず、機械的に反り量を与える必要がなく、かつ大
量生産可能な制御された反り量を有するカンチレバーを
得る。 【構成】 マイクロマシンに用いられ、かつ一方端部が
微小変位可能で他方端部が固定されたカンチレバーにお
いて、少なくとも一方端部がシリコン基板１と、そのシ
リコン基板１の上に形成されたニッケル−鉄メッキ膜３
とを有している。
きたさず、機械的に反り量を与える必要がなく、かつ大
量生産可能な制御された反り量を有するカンチレバーを
得る。 【構成】 マイクロマシンに用いられ、かつ一方端部が
微小変位可能で他方端部が固定されたカンチレバーにお
いて、少なくとも一方端部がシリコン基板１と、そのシ
リコン基板１の上に形成されたニッケル−鉄メッキ膜３
とを有している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、梁およびその製造方法
に関し、特に微小な機械的動作を行なう装置に用いら
れ、かつ一方端部が微小変位可能で他方端部が固定され
た梁およびその製造方法に関するものである。
に関し、特に微小な機械的動作を行なう装置に用いら
れ、かつ一方端部が微小変位可能で他方端部が固定され
た梁およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プレーナー技術を用いて作製される機械
的構造を有するもの（以下、マイクロマシンとする）に
は、たとえば静電マイクロリレー、加速度センサ、ター
ビンなどがある。このマイクロマシンの中でも、たとえ
ば静電マイクロリレーなどには、一方端部が微小変位可
能で他方端部が固定された梁（以下、カンチレバーとす
る）が用いられている。以下、マイクロマシンに用いら
れる従来のカンチレバーについて、特開平２−１００２
２４号公報に示されている静電マイクロリレーを例に挙
げて説明する。
的構造を有するもの（以下、マイクロマシンとする）に
は、たとえば静電マイクロリレー、加速度センサ、ター
ビンなどがある。このマイクロマシンの中でも、たとえ
ば静電マイクロリレーなどには、一方端部が微小変位可
能で他方端部が固定された梁（以下、カンチレバーとす
る）が用いられている。以下、マイクロマシンに用いら
れる従来のカンチレバーについて、特開平２−１００２
２４号公報に示されている静電マイクロリレーを例に挙
げて説明する。
【０００３】図１７は、従来のカンチレバーの構造を用
いた上記公報に示される静電マイクロリレーの構成を概
略的に示す分解斜視図である。また図１８（ａ）は、図
１７のＣ−Ｃ線に沿う概略断面図、（ｂ）は図１８
（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う概略断面図である。図１７およ
び図１８を参照して、静電マイクロリレー３００は、可
動部基体３２０、固定部基体３４０および棒状のスペー
サ３５１ａ、３５１ｂを備えている。
いた上記公報に示される静電マイクロリレーの構成を概
略的に示す分解斜視図である。また図１８（ａ）は、図
１７のＣ−Ｃ線に沿う概略断面図、（ｂ）は図１８
（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う概略断面図である。図１７およ
び図１８を参照して、静電マイクロリレー３００は、可
動部基体３２０、固定部基体３４０および棒状のスペー
サ３５１ａ、３５１ｂを備えている。
【０００４】可動部基体３２０は、可動片３１１と、枢
支部３１５と、枠部３１７とを有している。枠部３１７
には、枢支部３１５を介在して可動片３１１が取付けら
れている。また可動片３１１の中央側部に枢支部３１５
が取付けられているため、枢支部３１５のねじれ変形に
よって可動片３１１はシーソ状に変位可能である。
支部３１５と、枠部３１７とを有している。枠部３１７
には、枢支部３１５を介在して可動片３１１が取付けら
れている。また可動片３１１の中央側部に枢支部３１５
が取付けられているため、枢支部３１５のねじれ変形に
よって可動片３１１はシーソ状に変位可能である。
【０００５】可動片３１１は前片部３１１ａと後片部３
１１ｂとからなっている。前片部３１１ａおよび後片部
３１１ｂは、その一方端部が枢支部３１５に固定され、
かつ他方端部が自由なカンチレバーの構造を有してい
る。また可動片３１１の前片部３１１ａおよび後片部３
１１ｂの各端部には可動接点３１３ａ、３１３ｂが各々
取付けられている。また可動片３１１、枢支部３１５お
よび枠部３１７の表面上には酸化膜３０３ａ、３０３ｂ
が形成されている。それゆえ、酸化膜３０３ａは、可動
接点３１３ａ、３１３ｂと可動片３１１との間に介在し
ている。
１１ｂとからなっている。前片部３１１ａおよび後片部
３１１ｂは、その一方端部が枢支部３１５に固定され、
かつ他方端部が自由なカンチレバーの構造を有してい
る。また可動片３１１の前片部３１１ａおよび後片部３
１１ｂの各端部には可動接点３１３ａ、３１３ｂが各々
取付けられている。また可動片３１１、枢支部３１５お
よび枠部３１７の表面上には酸化膜３０３ａ、３０３ｂ
が形成されている。それゆえ、酸化膜３０３ａは、可動
接点３１３ａ、３１３ｂと可動片３１１との間に介在し
ている。
【０００６】固定部基体３４０は、基体３３１と、固定
接点３３３ａ、３３３ｂ、３３５ａ、３３５ｂと、固定
電極層３３７ａ、３３７ｂとを有している。基体３３１
の一方端部には固定接点３３３ａ、３３３ｂが、また他
方端部には固定接点３３５ａ、３３５ｂが各々形成され
ている。また基体３３１の中央部周辺には固定電極層３
３７ａ、３３７ｂが形成されている。
接点３３３ａ、３３３ｂ、３３５ａ、３３５ｂと、固定
電極層３３７ａ、３３７ｂとを有している。基体３３１
の一方端部には固定接点３３３ａ、３３３ｂが、また他
方端部には固定接点３３５ａ、３３５ｂが各々形成され
ている。また基体３３１の中央部周辺には固定電極層３
３７ａ、３３７ｂが形成されている。
【０００７】可動部基体３２０と固定部基体３４０と
は、棒状のスペーサ３５１ａ、３５１ｂとを介在して対
向するように配置されている。また、この配置の際に、
可動接点３１３ａが固定接点３３３ａと３３３ｂとの対
向位置上方に位置するように、かつ可動接点３１３ｂが
固定接点３３５ａと３３５ｂとの対向位置上方に位置す
るように配置される。
は、棒状のスペーサ３５１ａ、３５１ｂとを介在して対
向するように配置されている。また、この配置の際に、
可動接点３１３ａが固定接点３３３ａと３３３ｂとの対
向位置上方に位置するように、かつ可動接点３１３ｂが
固定接点３３５ａと３３５ｂとの対向位置上方に位置す
るように配置される。
【０００８】次に、上記の静電マイクロリレーの動作に
ついて説明する。図１９および図２０は、静電マイクロ
リレーの動作を説明するための図１８（ａ）の断面に対
応する概略断面図である。まず図１９を参照して、まず
可動片３１１と固定電極層３３７ａとの間に電圧が印加
される。この電圧により可動片３１１と固定電極層３３
７ａとの間に静電吸引力が生じる。この静電吸引力によ
り可動片３１１は枢支部３１５を支点としたシーソ状に
変位する。これにより、前片部３１１ａの端部に取付け
られた可動接点３１３ａが固定接点３３３ａおよび３３
３ｂに接触して、固定接点３３３ａと３３３ｂとを導通
させる。電圧の印加を解除すると、枢支部３１５のねじ
れ復元力によって図１８（ａ）に示す元の状態に復帰す
る。これにより、固定接点３３３ａと３３３ｂとの間が
解放される。
ついて説明する。図１９および図２０は、静電マイクロ
リレーの動作を説明するための図１８（ａ）の断面に対
応する概略断面図である。まず図１９を参照して、まず
可動片３１１と固定電極層３３７ａとの間に電圧が印加
される。この電圧により可動片３１１と固定電極層３３
７ａとの間に静電吸引力が生じる。この静電吸引力によ
り可動片３１１は枢支部３１５を支点としたシーソ状に
変位する。これにより、前片部３１１ａの端部に取付け
られた可動接点３１３ａが固定接点３３３ａおよび３３
３ｂに接触して、固定接点３３３ａと３３３ｂとを導通
させる。電圧の印加を解除すると、枢支部３１５のねじ
れ復元力によって図１８（ａ）に示す元の状態に復帰す
る。これにより、固定接点３３３ａと３３３ｂとの間が
解放される。
【０００９】次に、図２０を参照して、可動片３１１と
固定電極層３３７ｂとの間に電圧を印加すると、上述し
たと同様、静電吸引力により可動接点３１３ｂが固定接
点３３５ａおよび３３５ｂに接触して、固定接点３３５
ａと３３５ｂとを導通させる。また電圧の印加を解除す
ると、固定接点３３５ａと３３５ｂとの間が解放され
る。
固定電極層３３７ｂとの間に電圧を印加すると、上述し
たと同様、静電吸引力により可動接点３１３ｂが固定接
点３３５ａおよび３３５ｂに接触して、固定接点３３５
ａと３３５ｂとを導通させる。また電圧の印加を解除す
ると、固定接点３３５ａと３３５ｂとの間が解放され
る。
【００１０】上記のように、前片部３１１ａや後片部３
１１ｂのカンチレバーの構造は、たとえば静電マイクロ
リレーに採用される。
１１ｂのカンチレバーの構造は、たとえば静電マイクロ
リレーに採用される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】近年における多種多様
なマイクロマシンの開発によって、カンチレバーも様々
な用途に用いられるようになった。これに伴って、制御
された反り量を有するカンチレバーの要望も大きくなっ
てきた。
なマイクロマシンの開発によって、カンチレバーも様々
な用途に用いられるようになった。これに伴って、制御
された反り量を有するカンチレバーの要望も大きくなっ
てきた。
【００１２】ところが、マイクロマシンに用いられ、か
つ所定の反り量を有するカンチレバーは、その製造工程
において大きな問題点を有している。
つ所定の反り量を有するカンチレバーは、その製造工程
において大きな問題点を有している。
【００１３】まず製造の途中工程において基板や堆積膜
に反りがある場合、この反りは、マイクロマシンの加工
上最も重要なプロセスであるフォトリソグラフィ工程に
支障をきたす。一般に、フォトリソグラフィ工程におい
ては、基板や堆積膜上のフォトレジストを露光させる
が、基板などに反りがあると、露光光の焦点を定め難
い。結果として、フォトリソグラフィ工程によって形成
されるパターンに形状不良が生じる。具体的には、図１
７に示す静電マイクロリレーにおいて、可動接点部３１
３ａ、３１３ｂがフォトリソグラフィ工程でのパターニ
ングによって形成される。しかし、可動接点３１３ａ、
３１３ｂにパターン形状の不良が生じた場合、固定接点
間が導通されない恐れがある。よって、カンチレバー形
成における途中工程では、基板などの反り量はできるだ
け小さくする必要がある。上記の理由により、途中工程
では基板などに反りを与えるのは困難であるという問題
点がある。
に反りがある場合、この反りは、マイクロマシンの加工
上最も重要なプロセスであるフォトリソグラフィ工程に
支障をきたす。一般に、フォトリソグラフィ工程におい
ては、基板や堆積膜上のフォトレジストを露光させる
が、基板などに反りがあると、露光光の焦点を定め難
い。結果として、フォトリソグラフィ工程によって形成
されるパターンに形状不良が生じる。具体的には、図１
７に示す静電マイクロリレーにおいて、可動接点部３１
３ａ、３１３ｂがフォトリソグラフィ工程でのパターニ
ングによって形成される。しかし、可動接点３１３ａ、
３１３ｂにパターン形状の不良が生じた場合、固定接点
間が導通されない恐れがある。よって、カンチレバー形
成における途中工程では、基板などの反り量はできるだ
け小さくする必要がある。上記の理由により、途中工程
では基板などに反りを与えるのは困難であるという問題
点がある。
【００１４】また、マイクロマシンに用いられるカンチ
レバーの寸法は小さい。このため、カンチレバーを反ら
せる力を与える装置とカンチレバーとを位置決めするこ
とが非常に困難である。さらにカンチレバーに与える力
を一定に制御することも困難である。したがって、カン
チレバーが完成した状態で外部より機械的に反りを与え
ることも困難である。
レバーの寸法は小さい。このため、カンチレバーを反ら
せる力を与える装置とカンチレバーとを位置決めするこ
とが非常に困難である。さらにカンチレバーに与える力
を一定に制御することも困難である。したがって、カン
チレバーが完成した状態で外部より機械的に反りを与え
ることも困難である。
【００１５】さらに、カンチレバーは、一般にウエハ上
に多数形成される。しかし、形成の途中工程で、ウエハ
に形成された多数のカンチレバーの各々に反りを与える
のは困難である。よって、途中工程で反りを与えるため
にはウエハ上に形成されるカンチレバーの数を少なくす
るか、もしくは１つずつ形成せねばならず、プレーナー
技術による大量生産ができるという長所が生かせなくな
る。
に多数形成される。しかし、形成の途中工程で、ウエハ
に形成された多数のカンチレバーの各々に反りを与える
のは困難である。よって、途中工程で反りを与えるため
にはウエハ上に形成されるカンチレバーの数を少なくす
るか、もしくは１つずつ形成せねばならず、プレーナー
技術による大量生産ができるという長所が生かせなくな
る。
【００１６】上記の製造工程上の問題より、従来におい
ては、マイクロマシンに用いられ、かつ制御された反り
量を有するカンチレバーを作製すること自体がほとんど
不可能に近いことであった。
ては、マイクロマシンに用いられ、かつ制御された反り
量を有するカンチレバーを作製すること自体がほとんど
不可能に近いことであった。
【００１７】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、途中工程のフォトリソグラフィ
工程に支障をきたさず、機械的に反り量を与える必要が
なく、かつ大量生産可能な、制御された反り量を有する
カンチレバーを得ることを目的とする。
ためになされたもので、途中工程のフォトリソグラフィ
工程に支障をきたさず、機械的に反り量を与える必要が
なく、かつ大量生産可能な、制御された反り量を有する
カンチレバーを得ることを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の梁は、
微小な機械的動作を行なう装置に用いられ、かつ一方端
部が微小変位可能で他方端部が固定された梁において、
少なくとも一方端部が基板と、その基板の上に形成され
たニッケルと鉄とを主成分とするメッキ層とを含んでい
る。
微小な機械的動作を行なう装置に用いられ、かつ一方端
部が微小変位可能で他方端部が固定された梁において、
少なくとも一方端部が基板と、その基板の上に形成され
たニッケルと鉄とを主成分とするメッキ層とを含んでい
る。
【００１９】請求項２に記載の梁の製造方法は、微小な
機械的動作を行なう装置に用いられ、かつ一方端部が微
小変位可能で他方端部が固定された梁の製造方法におい
て、少なくとも一方端部を構成する基板の上にニッケル
と鉄とを主成分とするメッキ層が形成される。
機械的動作を行なう装置に用いられ、かつ一方端部が微
小変位可能で他方端部が固定された梁の製造方法におい
て、少なくとも一方端部を構成する基板の上にニッケル
と鉄とを主成分とするメッキ層が形成される。
【００２０】請求項３に記載の梁の製造方法は、微小な
機械的動作を行なう装置に用いられ、かつ一方端部が微
小変位可能で他方端部が固定された梁の製造方法におい
て、少なくとも一方端部を構成する基板の上にニッケル
と鉄とを主成分とするメッキ層が形成された後、熱処理
を施すことにより、一方端部に所定の反り量が与えられ
る。
機械的動作を行なう装置に用いられ、かつ一方端部が微
小変位可能で他方端部が固定された梁の製造方法におい
て、少なくとも一方端部を構成する基板の上にニッケル
と鉄とを主成分とするメッキ層が形成された後、熱処理
を施すことにより、一方端部に所定の反り量が与えられ
る。
【００２１】
【作用】本発明の梁において、ニッケルと鉄とを主成分
とするメッキ層が基板上に形成されている。このメッキ
層は、所定の熱処理により体積が変化し、熱を除去した
後もその形状を実質的に維持する。このため、メッキ層
に熱処理を施すとメッキ層と基板とに反りが与えられる
こととなる。よって、梁の完成後に容易に反りを与える
ことができるため、途中工程でのフォトリソグラフィ工
程に支障をきたすことはない。また機械的に反りを与え
る必要もない。さらに、形成の途中工程で反りを与えな
いためウエハ上に多数形成することも可能となる。
とするメッキ層が基板上に形成されている。このメッキ
層は、所定の熱処理により体積が変化し、熱を除去した
後もその形状を実質的に維持する。このため、メッキ層
に熱処理を施すとメッキ層と基板とに反りが与えられる
こととなる。よって、梁の完成後に容易に反りを与える
ことができるため、途中工程でのフォトリソグラフィ工
程に支障をきたすことはない。また機械的に反りを与え
る必要もない。さらに、形成の途中工程で反りを与えな
いためウエハ上に多数形成することも可能となる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の一実施例におけるカンチレバ
ーについて図を用いて説明する。
ーについて図を用いて説明する。
【００２３】図１（ａ）は、本発明の一実施例における
カンチレバーの構成を概略的に示す断面図である。図１
（ａ）を参照して、カンチレバー１０は、シリコン基板
１、ニッケル（Ｎｉ）−鉄（Ｆｅ）メッキ膜３、シリコ
ン酸化膜（ＳｉＯ2 ）５ａ、５ｂおよびニオブ（Ｎｂ）
膜７を備えている。シリコン基板１は、基体部１ａとカ
ンチレバー部１ｂとを有しており、基体部１ａでは厚み
が５２５μｍ、カンチレバー部では厚みが２５μｍであ
る。このシリコン基板１の表面全面にはパッシベーショ
ンや密着性向上用のシリコン酸化膜５ａが厚み１〜２μ
ｍで形成されている。シリコン基板１の裏面であって基
体部１ａ上にも、シリコン酸化膜５ｂが厚み１〜２μｍ
で形成されている。シリコン基板１のカンチレバー部１
ｂのシリコン酸化膜５ａ上には密着性向上用の厚み５０
０Åのニオブ膜７を介在して、ニッケル−鉄メッキ膜３
が４０μｍの厚みで形成されている。このニッケル−鉄
メッキ膜７の組成は、Ｆｅ／（Ｎｉ−Ｆｅ）ｗｔ％で１
５±５％である。
カンチレバーの構成を概略的に示す断面図である。図１
（ａ）を参照して、カンチレバー１０は、シリコン基板
１、ニッケル（Ｎｉ）−鉄（Ｆｅ）メッキ膜３、シリコ
ン酸化膜（ＳｉＯ2 ）５ａ、５ｂおよびニオブ（Ｎｂ）
膜７を備えている。シリコン基板１は、基体部１ａとカ
ンチレバー部１ｂとを有しており、基体部１ａでは厚み
が５２５μｍ、カンチレバー部では厚みが２５μｍであ
る。このシリコン基板１の表面全面にはパッシベーショ
ンや密着性向上用のシリコン酸化膜５ａが厚み１〜２μ
ｍで形成されている。シリコン基板１の裏面であって基
体部１ａ上にも、シリコン酸化膜５ｂが厚み１〜２μｍ
で形成されている。シリコン基板１のカンチレバー部１
ｂのシリコン酸化膜５ａ上には密着性向上用の厚み５０
０Åのニオブ膜７を介在して、ニッケル−鉄メッキ膜３
が４０μｍの厚みで形成されている。このニッケル−鉄
メッキ膜７の組成は、Ｆｅ／（Ｎｉ−Ｆｅ）ｗｔ％で１
５±５％である。
【００２４】本発明の一実施例におけるカンチレバーの
構成は以下の知見に基づいてなされている。
構成は以下の知見に基づいてなされている。
【００２５】すなわち、本願発明者らは図１に示すカン
チレバー１０に一定量の熱処理を施すことにより、図１
（ｂ）に示すようにカンチレバー１０に反り量Ｘが発生
することを見出した。
チレバー１０に一定量の熱処理を施すことにより、図１
（ｂ）に示すようにカンチレバー１０に反り量Ｘが発生
することを見出した。
【００２６】図２は、カンチレバーに２時間の熱処理を
施した場合の熱処理温度と反り量Ｘの関係を示す図であ
る。図２を参照して、図１（ａ）のカンチレバー１０の
長さＬを１ｍｍとし、室温から２５０℃の温度範囲で２
時間の熱処理をカンチレバーに施してその熱を除去した
後にカンチレバーの反り量Ｘを測定した。図２に示す結
果から明らかなように、熱処理温度が高くなるに従って
カンチレバーには大きな反り量Ｘが与えられることにな
る。またこの結果より明らかなとおり、反り量Ｘはカン
チレバーの構造および熱処理の条件に依存し、それらの
条件を変えることでカンチレバーの反り量Ｘを制御でき
ることが判明した。カンチレバー全体として反りが発生
するのは、一定量の熱処理によりＮｉ−Ｆｅメッキ膜７
が、メッキ直後の粗な組織から密な組織へと変わり、そ
の分体積が縮もうとするからであると考えられる。
施した場合の熱処理温度と反り量Ｘの関係を示す図であ
る。図２を参照して、図１（ａ）のカンチレバー１０の
長さＬを１ｍｍとし、室温から２５０℃の温度範囲で２
時間の熱処理をカンチレバーに施してその熱を除去した
後にカンチレバーの反り量Ｘを測定した。図２に示す結
果から明らかなように、熱処理温度が高くなるに従って
カンチレバーには大きな反り量Ｘが与えられることにな
る。またこの結果より明らかなとおり、反り量Ｘはカン
チレバーの構造および熱処理の条件に依存し、それらの
条件を変えることでカンチレバーの反り量Ｘを制御でき
ることが判明した。カンチレバー全体として反りが発生
するのは、一定量の熱処理によりＮｉ−Ｆｅメッキ膜７
が、メッキ直後の粗な組織から密な組織へと変わり、そ
の分体積が縮もうとするからであると考えられる。
【００２７】次に、図１に示すカンチレバー１０の製造
方法について詳細に説明する。図３〜図１２は、本発明
の一実施例におけるカンチレバーの製造方法を工程順に
示す概略断面図である。まず図３を参照して、面方位
（１００）、厚み５２５μｍ、直径４インチの単結晶シ
リコン基板１が準備される。
方法について詳細に説明する。図３〜図１２は、本発明
の一実施例におけるカンチレバーの製造方法を工程順に
示す概略断面図である。まず図３を参照して、面方位
（１００）、厚み５２５μｍ、直径４インチの単結晶シ
リコン基板１が準備される。
【００２８】図４を参照して、単結晶シリコン基板１の
表裏両面に各々２μｍの熱酸化膜５ａ、５ｂが形成され
る。ここで、便宜上、熱酸化膜５ａが形成される面を表
面とし、熱酸化膜５ｂが形成される面を裏面とする。
表裏両面に各々２μｍの熱酸化膜５ａ、５ｂが形成され
る。ここで、便宜上、熱酸化膜５ａが形成される面を表
面とし、熱酸化膜５ｂが形成される面を裏面とする。
【００２９】図５を参照して、シリコン基板１の裏面全
面にレジスト１１が塗布される。このレジスト１１に
は、フォトマスク３１の裏面側溝パターン３１ａが転写
される。このパターンが転写されたレジスト１１をマス
クとして熱酸化膜５ｂに裏面側溝パターンマスク孔４１
が形成される。
面にレジスト１１が塗布される。このレジスト１１に
は、フォトマスク３１の裏面側溝パターン３１ａが転写
される。このパターンが転写されたレジスト１１をマス
クとして熱酸化膜５ｂに裏面側溝パターンマスク孔４１
が形成される。
【００３０】図６を参照して、裏面側溝パターンマスク
孔４１を用いて、シリコン基板１に裏面側溝パターン５
１がエッチングにより形成される。このエッチングは、
水酸化カリウム（ＫＯＨ）を水（Ｈ2 Ｏ）に重量％で、
ＫＯＨ：Ｈ2 Ｏ＝４０：６０の割合で溶解させた溶液に
より行なわれる。
孔４１を用いて、シリコン基板１に裏面側溝パターン５
１がエッチングにより形成される。このエッチングは、
水酸化カリウム（ＫＯＨ）を水（Ｈ2 Ｏ）に重量％で、
ＫＯＨ：Ｈ2 Ｏ＝４０：６０の割合で溶解させた溶液に
より行なわれる。
【００３１】図７を参照して、シリコン基板１が反転さ
れる。またシリコン基板１の表面全面に密着性向上用の
ニオブ膜７とメッキ下地用ニッケル−鉄膜３ａとが積層
して形成される。
れる。またシリコン基板１の表面全面に密着性向上用の
ニオブ膜７とメッキ下地用ニッケル−鉄膜３ａとが積層
して形成される。
【００３２】図８を参照して、この後、表１に示す条件
でメッキが施され、ニオブ膜７の表面上にニッケル−鉄
メッキ膜３が形成される。
でメッキが施され、ニオブ膜７の表面上にニッケル−鉄
メッキ膜３が形成される。
【００３３】
【表１】 なお、ニッケル−鉄メッキ膜３のメッキ条件について
は、メッキ膜が反らないように、すなわちメッキ膜の内
部に応力が発生しないような条件を選ぶ必要がある。
は、メッキ膜が反らないように、すなわちメッキ膜の内
部に応力が発生しないような条件を選ぶ必要がある。
【００３４】このメッキ条件により、メッキ膜３の組成
は、Ｆｅ／（Ｎｉ−Ｆｅ）ｗｔ％で１５±５％となる。
は、Ｆｅ／（Ｎｉ−Ｆｅ）ｗｔ％で１５±５％となる。
【００３５】図９を参照して、ニッケル−鉄メッキ膜３
の表面全面にレジスト１３が塗布される。このレジスト
１３にフォトマスク３３のメッキパターン３３ａが転写
される。このパターンが転写されたレジスト１３をマス
クとしてニッケル−鉄メッキ膜３がパターニングされ
る。
の表面全面にレジスト１３が塗布される。このレジスト
１３にフォトマスク３３のメッキパターン３３ａが転写
される。このパターンが転写されたレジスト１３をマス
クとしてニッケル−鉄メッキ膜３がパターニングされ
る。
【００３６】図１０を参照して、レジスト１３を残した
状態で、パターニングされたニッケル−鉄メッキ膜３を
マスクとして、このニッケル−鉄メッキ膜３の下側以外
のニオブ膜３がイオンミリングにより除去される。
状態で、パターニングされたニッケル−鉄メッキ膜３を
マスクとして、このニッケル−鉄メッキ膜３の下側以外
のニオブ膜３がイオンミリングにより除去される。
【００３７】図１１を参照して、レジスト１３の剥離が
行なわれる。この後、厚膜レジスト１５が塗布される。
この厚膜レジスト１５にフォトマスク３５のカンチレバ
ーパターン３５ａが転写される。このパターンが転写さ
れたレジスト１５をマスクとして熱酸化膜５ａにカンチ
レバーパターン孔５３が形成される。このカンチレバー
パターン孔５３を有する熱酸化膜３０ａをマスクとして
ＫＯＨによるエッチングが施される。これにより、図１
２に示すカンチレバー１０が形成される。
行なわれる。この後、厚膜レジスト１５が塗布される。
この厚膜レジスト１５にフォトマスク３５のカンチレバ
ーパターン３５ａが転写される。このパターンが転写さ
れたレジスト１５をマスクとして熱酸化膜５ａにカンチ
レバーパターン孔５３が形成される。このカンチレバー
パターン孔５３を有する熱酸化膜３０ａをマスクとして
ＫＯＨによるエッチングが施される。これにより、図１
２に示すカンチレバー１０が形成される。
【００３８】このように形成されたカンチレバー１０
に、上述した熱処理を施すことにより、図１（ｂ）に示
す反り量Ｘを与えることができる。
に、上述した熱処理を施すことにより、図１（ｂ）に示
す反り量Ｘを与えることができる。
【００３９】次に、図１に示すカンチレバー１０の構造
を用いた製品の一例として静電マイクロリレーについて
説明する。
を用いた製品の一例として静電マイクロリレーについて
説明する。
【００４０】図１３は、本発明のカンチレバーの構造を
用いた静電マイクロリレーの構成を概略的に示す分解斜
視図である。また図１４（ａ）は、図１３のＡ−Ａ線に
沿う概略断面図、（ｂ）は、図１４（ａ）のＢ−Ｂ線に
沿う概略断面図である。図１３および図１４を参照し
て、本発明のカンチレバーの構造を用いた静電マイクロ
リレー１００は、可動部基体１２０、固定部基体１４０
および棒状のスペーサ１５１ａ、１５１ｂを備えてい
る。
用いた静電マイクロリレーの構成を概略的に示す分解斜
視図である。また図１４（ａ）は、図１３のＡ−Ａ線に
沿う概略断面図、（ｂ）は、図１４（ａ）のＢ−Ｂ線に
沿う概略断面図である。図１３および図１４を参照し
て、本発明のカンチレバーの構造を用いた静電マイクロ
リレー１００は、可動部基体１２０、固定部基体１４０
および棒状のスペーサ１５１ａ、１５１ｂを備えてい
る。
【００４１】可動部基体１２０は、可動片１１１と、枢
支部１１５と、枠部１１７とを有している。枠部１１７
には、枢支部１１５を介在して可動片１１１が取付けら
れている。この可動部１１１の中央側部に枢支部１１５
が取付けられている。このため、枢支部１１５のねじれ
運動によって、可動部枢支部１１５を支点としてシーソ
状に変位可能である。
支部１１５と、枠部１１７とを有している。枠部１１７
には、枢支部１１５を介在して可動片１１１が取付けら
れている。この可動部１１１の中央側部に枢支部１１５
が取付けられている。このため、枢支部１１５のねじれ
運動によって、可動部枢支部１１５を支点としてシーソ
状に変位可能である。
【００４２】この可動片１１１は前片部１１１ａと後片
部１１１ｂとからなっている。前片部１１１ａおよび後
片部１１１ｂは、その一方端部が枢支部１１５に固定さ
れ、かつ他方端部が自由なカンチレバーの構造を有して
いる。特に、前片部１１１ａは、本発明のカンチレバー
の構造を有している。すなわち、前片部１１１ａには、
シリコン酸化膜１０５とニオブ膜１０７とを介在してニ
ッケル−鉄メッキ膜１０３が形成されている。また前片
部１１１ａおよび後片部１１１ｂの端部には、たとえば
シリコン酸化膜のような絶縁膜を介在して可動接点１１
３ａ、１１３ｂが形成されている。
部１１１ｂとからなっている。前片部１１１ａおよび後
片部１１１ｂは、その一方端部が枢支部１１５に固定さ
れ、かつ他方端部が自由なカンチレバーの構造を有して
いる。特に、前片部１１１ａは、本発明のカンチレバー
の構造を有している。すなわち、前片部１１１ａには、
シリコン酸化膜１０５とニオブ膜１０７とを介在してニ
ッケル−鉄メッキ膜１０３が形成されている。また前片
部１１１ａおよび後片部１１１ｂの端部には、たとえば
シリコン酸化膜のような絶縁膜を介在して可動接点１１
３ａ、１１３ｂが形成されている。
【００４３】この可動部基体１２０が、固定部基体１４
０と棒状のスペーサ１５１ａ、１５１ｂを介在して対向
するように配置されている。
０と棒状のスペーサ１５１ａ、１５１ｂを介在して対向
するように配置されている。
【００４４】なお、固定部基体１４０の構成について
は、図１７に示す固定部基体３４０の構成とほぼ同様で
あるためその説明は省略する。
は、図１７に示す固定部基体３４０の構成とほぼ同様で
あるためその説明は省略する。
【００４５】次に、本発明のカンチレバー構造を有する
静電マイクロリレー１００の動作について説明する。
静電マイクロリレー１００の動作について説明する。
【００４６】図１５および図１６は、本発明のカンチレ
バー構造を有する静電マイクロリレーの動作を示す図１
４（ａ）の断面に対応した概略断面図である。まず図１
５を参照して、本発明のカンチレバー構造を有する静電
マイクロリレー１００の前片部１１１ａには熱処理によ
り所望の反り量が与えられている。これにより、可動接
点１１３ａは予め固定接点１３３ａと１３３ｂとを導通
している。すなわち、固定電極層１３７ａと１３７ｂと
に制御電圧が無印加の状態で、固定接点１３３ａと１３
３ｂとが導通状態（ＯＮ状態）となる。また、固定接点
１３５ａと１３５ｂとは、制御電圧が無印加の状態では
解放状態（ＯＦＦ状態）となる。
バー構造を有する静電マイクロリレーの動作を示す図１
４（ａ）の断面に対応した概略断面図である。まず図１
５を参照して、本発明のカンチレバー構造を有する静電
マイクロリレー１００の前片部１１１ａには熱処理によ
り所望の反り量が与えられている。これにより、可動接
点１１３ａは予め固定接点１３３ａと１３３ｂとを導通
している。すなわち、固定電極層１３７ａと１３７ｂと
に制御電圧が無印加の状態で、固定接点１３３ａと１３
３ｂとが導通状態（ＯＮ状態）となる。また、固定接点
１３５ａと１３５ｂとは、制御電圧が無印加の状態では
解放状態（ＯＦＦ状態）となる。
【００４７】次に、図１６を参照して、固定電極層１３
７ｂに制御電圧を印加すると、可動片１１１と固定電極
層１３７ｂとの間に静電吸引力が生じる。これにより、
枢支部１１５がねじれ変形して、可動接点１１３ｂが固
定接点１３５ａ、１３５ｂに接触し、固定接点１３５ａ
と１３５ｂとは導通状態となる。また、可動片１１１が
シーソ状に変位するため、可動接点１１３ａと固定接点
１３３ａ、１３３ｂとの接触状態は解除され、固定接点
１３３ａと１３３ｂとは解放状態となる。
７ｂに制御電圧を印加すると、可動片１１１と固定電極
層１３７ｂとの間に静電吸引力が生じる。これにより、
枢支部１１５がねじれ変形して、可動接点１１３ｂが固
定接点１３５ａ、１３５ｂに接触し、固定接点１３５ａ
と１３５ｂとは導通状態となる。また、可動片１１１が
シーソ状に変位するため、可動接点１１３ａと固定接点
１３３ａ、１３３ｂとの接触状態は解除され、固定接点
１３３ａと１３３ｂとは解放状態となる。
【００４８】このように、固定接点１３３ａと１３３ｂ
とは、制御電圧無印加時のみＯＮ状態となる、いわゆる
ＮＣ（Ｎｏｒｍａｌ Ｃｌｏｓｅ）接点となる。また、
固定接点１３５ａと１３５ｂとは、制御電圧印加時のみ
ＯＮ状態となる、いわゆるＮＯ（Ｎｏｒｍａｌ Ｏｐｅ
ｎ）接点となる。
とは、制御電圧無印加時のみＯＮ状態となる、いわゆる
ＮＣ（Ｎｏｒｍａｌ Ｃｌｏｓｅ）接点となる。また、
固定接点１３５ａと１３５ｂとは、制御電圧印加時のみ
ＯＮ状態となる、いわゆるＮＯ（Ｎｏｒｍａｌ Ｏｐｅ
ｎ）接点となる。
【００４９】なお、固定電極層１３７ｂの制御電圧を除
去すると、可動片１１１は元の状態に復帰し図１５に示
す状態となる。
去すると、可動片１１１は元の状態に復帰し図１５に示
す状態となる。
【００５０】この静電マイクロリレー１００は、図１７
に示す静電マイクロリレー３００と比較して以下の利点
を有する。
に示す静電マイクロリレー３００と比較して以下の利点
を有する。
【００５１】従来の静電マイクロリレー３００では、い
ずれかの固定接点間（たとえば固定接点３３３ａと３３
３ｂ）を導通状態にするためには、必ず可動片３１１と
いずれかの固定電極層（たとえば固定電極層３３７ａ）
との間に電圧を印加しなければならない。このため、従
来の静電マイクロリレー３００では多量の電力が消費さ
れることとなる。これに対して、本発明における静電マ
イクロリレー１００では、前片部１１１ａが反っている
ため、予め可動接点１１３ａが固定接点１３３ａ、１３
３ｂと接触している。すなわち、制御電圧無印加時に固
定接点１３３ａと１３３ｂとは導通状態となる。このた
め、固定接点１３３ａと１３３ｂとを導通状態にするの
に制御電圧を印加する必要がなく、従来に比較して消費
電力の節減を図ることが可能となる。
ずれかの固定接点間（たとえば固定接点３３３ａと３３
３ｂ）を導通状態にするためには、必ず可動片３１１と
いずれかの固定電極層（たとえば固定電極層３３７ａ）
との間に電圧を印加しなければならない。このため、従
来の静電マイクロリレー３００では多量の電力が消費さ
れることとなる。これに対して、本発明における静電マ
イクロリレー１００では、前片部１１１ａが反っている
ため、予め可動接点１１３ａが固定接点１３３ａ、１３
３ｂと接触している。すなわち、制御電圧無印加時に固
定接点１３３ａと１３３ｂとは導通状態となる。このた
め、固定接点１３３ａと１３３ｂとを導通状態にするの
に制御電圧を印加する必要がなく、従来に比較して消費
電力の節減を図ることが可能となる。
【００５２】また、従来の静電マイクロリレー３００で
は、一方の固定接点間（たとえば固定接点間３３３ａと
３３３ｂ）から他方の固定接点間（たとえば固定接点間
３３５ａと３３５ｂ）へ導通状態を切換えるためには、
一方の固定電極層（たとえば固定電極層１３７ａ）から
他方の固定電極層（たとえば固定電極層１３７ｂ）へ印
加する電圧を切換えなければならない。これに対して、
本発明における静電マイクロリレー１００では、固定電
極層１３７ｂに制御電圧を印加するか否かによりいずれ
かの固定接点間の導通状態を選択することができる。こ
のため、制御の困難な固定電極層間相互の切換えを行な
う必要はない。
は、一方の固定接点間（たとえば固定接点間３３３ａと
３３３ｂ）から他方の固定接点間（たとえば固定接点間
３３５ａと３３５ｂ）へ導通状態を切換えるためには、
一方の固定電極層（たとえば固定電極層１３７ａ）から
他方の固定電極層（たとえば固定電極層１３７ｂ）へ印
加する電圧を切換えなければならない。これに対して、
本発明における静電マイクロリレー１００では、固定電
極層１３７ｂに制御電圧を印加するか否かによりいずれ
かの固定接点間の導通状態を選択することができる。こ
のため、制御の困難な固定電極層間相互の切換えを行な
う必要はない。
【００５３】さらに、可動接点と固定接点間で安定した
接触状態を実現すべく従来の静電マイクロリレー３００
では、一方の固定電極層１３７ａには吸引電圧を印加
し、他方の固定電極層１３７ｂには反発電圧を印加する
ことがある。この場合、他方の固定電極層１３７ｂでは
吸引電圧（たとえば＋１００Ｖ）から反発電圧（たとえ
ば−１００Ｖ）への切換えを行なう必要が生じる。
接触状態を実現すべく従来の静電マイクロリレー３００
では、一方の固定電極層１３７ａには吸引電圧を印加
し、他方の固定電極層１３７ｂには反発電圧を印加する
ことがある。この場合、他方の固定電極層１３７ｂでは
吸引電圧（たとえば＋１００Ｖ）から反発電圧（たとえ
ば−１００Ｖ）への切換えを行なう必要が生じる。
【００５４】これに対して、本発明における静電マイク
ロリレー１００でも、固定電極層１３７ｂに吸引電圧を
印加し、固定電極層１３７ａに反発電圧を印加すること
で可動接点１１３ｂと固定接点１３５ａ、１３５ｂとの
間で安定した接触状態が得られる。しかし、通常の動作
時では、可動片１１１のシーソ状の変位は固定電極層１
３７ｂへの印加電圧の制御のみで行なわれる。このた
め、固定電極層１３７ａは安定した接触状態を実現する
際にのみ制御電圧が印加されればよい。よって、固定電
極層１３７ａには反発電圧のみ印加できるように設定す
れば足り、吸引電圧から反発電圧への切換えを行なう必
要はない。
ロリレー１００でも、固定電極層１３７ｂに吸引電圧を
印加し、固定電極層１３７ａに反発電圧を印加すること
で可動接点１１３ｂと固定接点１３５ａ、１３５ｂとの
間で安定した接触状態が得られる。しかし、通常の動作
時では、可動片１１１のシーソ状の変位は固定電極層１
３７ｂへの印加電圧の制御のみで行なわれる。このた
め、固定電極層１３７ａは安定した接触状態を実現する
際にのみ制御電圧が印加されればよい。よって、固定電
極層１３７ａには反発電圧のみ印加できるように設定す
れば足り、吸引電圧から反発電圧への切換えを行なう必
要はない。
【００５５】このように、本発明における静電マイクロ
リレー１００は、従来の静電マイクロリレー３００に比
較して、消費電力の節減を図ることができ、制御の困難
な固定電極層間の相互の切換えが不要で、さらに固定電
極層に吸引電圧から反発電圧への切換えも不要という利
点を有する。
リレー１００は、従来の静電マイクロリレー３００に比
較して、消費電力の節減を図ることができ、制御の困難
な固定電極層間の相互の切換えが不要で、さらに固定電
極層に吸引電圧から反発電圧への切換えも不要という利
点を有する。
【００５６】上記のように、本発明のカンチレバーは、
静電マイクロリレーに用いることができるが、これに限
定されるものではなく、多種多様なマイクロマシンに適
用することも可能である。
静電マイクロリレーに用いることができるが、これに限
定されるものではなく、多種多様なマイクロマシンに適
用することも可能である。
【００５７】
【発明の効果】本発明の梁においては、ニッケルと鉄と
を主成分とするメッキ層が基板上に形成されている。こ
のメッキ層は、所定の熱処理により体積が減少し、熱を
除去した後にもその形状を実質的に維持する。このた
め、メッキ層に熱処理を施すとメッキ層と基板とを備え
る梁に反りが与えられることとなる。このように梁の完
成後に反りを与えることができるため、フォトリソグラ
フィ工程に支障をきたすことはない。また、梁に機械的
に反りを与える必要もない。さらに、梁をウエハ上に多
数形成することも可能となる。
を主成分とするメッキ層が基板上に形成されている。こ
のメッキ層は、所定の熱処理により体積が減少し、熱を
除去した後にもその形状を実質的に維持する。このた
め、メッキ層に熱処理を施すとメッキ層と基板とを備え
る梁に反りが与えられることとなる。このように梁の完
成後に反りを与えることができるため、フォトリソグラ
フィ工程に支障をきたすことはない。また、梁に機械的
に反りを与える必要もない。さらに、梁をウエハ上に多
数形成することも可能となる。
【図１】本発明の一実施例におけるカンチレバーの構成
を概略的に示す断面図（ａ）、本発明の一実施例におけ
るカンチレバーに反り量が与えられた状態を概略的に示
す断面図（ｂ）である。
を概略的に示す断面図（ａ）、本発明の一実施例におけ
るカンチレバーに反り量が与えられた状態を概略的に示
す断面図（ｂ）である。
【図２】本発明の一実施例におけるカンチレバーに熱処
理を施した場合の熱処理温度と反り量Ｘの関係を示す図
である。
理を施した場合の熱処理温度と反り量Ｘの関係を示す図
である。
【図３】本発明の一実施例におけるカンチレバーの製造
方法の第１工程を示す概略断面図である。
方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図４】本発明の一実施例におけるカンチレバーの製造
方法の第２工程を示す概略断面図である。
方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図５】本発明の一実施例におけるカンチレバーの製造
方法の第３工程を示す概略断面図である。
方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図６】本発明の一実施例におけるカンチレバーの製造
方法の第４工程を示す概略断面図である。
方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図７】本発明の一実施例におけるカンチレバーの製造
方法の第５工程を示す概略断面図である。
方法の第５工程を示す概略断面図である。
【図８】本発明の一実施例におけるカンチレバーの製造
方法の第６工程を示す概略断面図である。
方法の第６工程を示す概略断面図である。
【図９】本発明の一実施例におけるカンチレバーの製造
方法の第７工程を示す概略断面図である。
方法の第７工程を示す概略断面図である。
【図１０】本発明の一実施例におけるカンチレバーの製
造方法の第８工程を示す概略断面図である。
造方法の第８工程を示す概略断面図である。
【図１１】本発明の一実施例におけるカンチレバーの製
造方法の第９工程を示す概略断面図である。
造方法の第９工程を示す概略断面図である。
【図１２】本発明の一実施例におけるカンチレバーの製
造方法の第１０工程を示す概略断面図である。
造方法の第１０工程を示す概略断面図である。
【図１３】本発明のカンチレバーの構造が適用される静
電マイクロリレーの構成を概略的に示す分解斜視図であ
る。
電マイクロリレーの構成を概略的に示す分解斜視図であ
る。
【図１４】図１３のＡ−Ａ線に沿う概略断面図（ａ）、
図１４（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う概略断面図（ｂ）であ
る。
図１４（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う概略断面図（ｂ）であ
る。
【図１５】本発明のカンチレバー構造が適用される静電
マイクロリレーの動作を説明するための概略断面図であ
る。
マイクロリレーの動作を説明するための概略断面図であ
る。
【図１６】本発明のカンチレバー構造が適用される静電
マイクロリレーの動作を説明するための概略断面図であ
る。
マイクロリレーの動作を説明するための概略断面図であ
る。
【図１７】従来のカンチレバー構造を有する静電マイク
ロリレーの構成を概略的に示す分解斜視図である。
ロリレーの構成を概略的に示す分解斜視図である。
【図１８】図１７のＣ−Ｃ線に沿う概略断面図（ａ）、
図１８（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う概略断面図（ｂ）であ
る。
図１８（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う概略断面図（ｂ）であ
る。
【図１９】従来のカンチレバー構造を有する静電マイク
ロリレーの動作を説明するための概略断面図である。
ロリレーの動作を説明するための概略断面図である。
【図２０】従来のカンチレバー構造を有する静電マイク
ロリレーの動作を示す概略断面図である。
ロリレーの動作を示す概略断面図である。
１ シリコン基板 ３ ニッケル−鉄メッキ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 微小な機械的動作を行なう装置に用いら
れ、かつ一方端部が微小変位可能で他方端部が固定され
た梁において、 少なくとも前記一方端部が基板と、その基板の上に形成
されたニッケルと鉄とを主成分とするメッキ層とを含む
ことを特徴とする、梁。 - 【請求項２】 微小な機械的動作を行なう装置に用いら
れ、かつ一方端部が微小変位可能で他方端部が固定され
た梁の製造方法において、 少なくとも前記一方端部を構成する基板の上にニッケル
と鉄とを主成分とするメッキ層を形成することを特徴と
する、梁の製造方法。 - 【請求項３】 微小な機械的動作を行なう装置に用いら
れ、かつ一方端部が微小変位可能で他方端部が固定され
た梁の製造方法において、 少なくとも前記一方端部を構成する基板の上にニッケル
と鉄とを主成分とするメッキ層を形成した後、熱処理を
施すことにより、前記一方端部に所定の反り量を与える
ことを特徴とする、梁の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5009467A JP2875128B2 (ja) | 1993-01-22 | 1993-01-22 | 梁およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5009467A JP2875128B2 (ja) | 1993-01-22 | 1993-01-22 | 梁およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224449A true JPH06224449A (ja) | 1994-08-12 |
| JP2875128B2 JP2875128B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=11721088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5009467A Expired - Lifetime JP2875128B2 (ja) | 1993-01-22 | 1993-01-22 | 梁およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2875128B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0834243A4 (en) * | 1995-06-07 | 1998-08-12 | Xerox Corp | PHOTOLITHOGRAPHICALLY PATTERNED SPRING CONTACT |
| EP1698905A3 (en) * | 1999-09-15 | 2007-07-18 | Capres A/S | Nano-drive for high resolution positioning and for positioning of a multi-point probe |
| JP2012063225A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Dainippon Printing Co Ltd | 力学量センサ及び力学量センサの製造方法 |
-
1993
- 1993-01-22 JP JP5009467A patent/JP2875128B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0834243A4 (en) * | 1995-06-07 | 1998-08-12 | Xerox Corp | PHOTOLITHOGRAPHICALLY PATTERNED SPRING CONTACT |
| EP1698905A3 (en) * | 1999-09-15 | 2007-07-18 | Capres A/S | Nano-drive for high resolution positioning and for positioning of a multi-point probe |
| JP2012063225A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Dainippon Printing Co Ltd | 力学量センサ及び力学量センサの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2875128B2 (ja) | 1999-03-24 |
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