JPH06224413A - Ｍｏｓ型半導体集積回路とその製造方法 - Google Patents
Ｍｏｓ型半導体集積回路とその製造方法Info
- Publication number
- JPH06224413A JPH06224413A JP5027310A JP2731093A JPH06224413A JP H06224413 A JPH06224413 A JP H06224413A JP 5027310 A JP5027310 A JP 5027310A JP 2731093 A JP2731093 A JP 2731093A JP H06224413 A JPH06224413 A JP H06224413A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- insulating film
- supply voltage
- gate insulating
- mos transistor
- Prior art date
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- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 二種類以上の電源電圧（例えば５Ｖと３．３
Ｖ）で動作するＭＯＳ型半導体集積回路の高電源電圧動
作ＭＯＳトランジスタ２のゲート絶縁膜５の信頼度を、
低電源電圧動作ＭＯＳトランジスタ３の性能低下を伴う
ことなく高める。 【構成】 高電源電圧動作トランジスタ２のゲート絶縁
膜５を窒素原子含有酸化物で形成し、低電源電圧動作Ｍ
ＯＳトランジスタ３のゲート絶縁膜６を窒素原子を含有
しない酸化物で形成する。
Ｖ）で動作するＭＯＳ型半導体集積回路の高電源電圧動
作ＭＯＳトランジスタ２のゲート絶縁膜５の信頼度を、
低電源電圧動作ＭＯＳトランジスタ３の性能低下を伴う
ことなく高める。 【構成】 高電源電圧動作トランジスタ２のゲート絶縁
膜５を窒素原子含有酸化物で形成し、低電源電圧動作Ｍ
ＯＳトランジスタ３のゲート絶縁膜６を窒素原子を含有
しない酸化物で形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＭＯＳ型半導体集積回
路、特に二種類以上の電源電圧を受けて動作するＭＯＳ
型半導体集積回路と、その製造方法に関する。
路、特に二種類以上の電源電圧を受けて動作するＭＯＳ
型半導体集積回路と、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＭＯＳ型半導体集積回路として５Ｖの電
源電圧で動作するものが多いが、電源電圧の低電圧化の
要請に応え３．３Ｖの電源電圧で動作するＭＯＳ型半導
体集積回路の開発が進められている。そして、図３に示
すように、５Ｖという高電源電圧で動作する回路と、
３．３Ｖという低電源電圧で動作する回路の両方が存在
したＭＯＳ型半導体集積回路も現われている。
源電圧で動作するものが多いが、電源電圧の低電圧化の
要請に応え３．３Ｖの電源電圧で動作するＭＯＳ型半導
体集積回路の開発が進められている。そして、図３に示
すように、５Ｖという高電源電圧で動作する回路と、
３．３Ｖという低電源電圧で動作する回路の両方が存在
したＭＯＳ型半導体集積回路も現われている。
【０００３】ところで、高電源電圧で動作する回路と低
電源電圧で動作する回路の両方が存在するＭＯＳ型半導
体集積回路は、従来においては、高電源電圧で動作する
回路を構成するＭＯＳトランジスタも、低電源電圧で動
作するＭＯＳトランジスタも共にゲート絶縁膜はシリコ
ン酸化物ＳｉＯ2 により同時に形成されていた。
電源電圧で動作する回路の両方が存在するＭＯＳ型半導
体集積回路は、従来においては、高電源電圧で動作する
回路を構成するＭＯＳトランジスタも、低電源電圧で動
作するＭＯＳトランジスタも共にゲート絶縁膜はシリコ
ン酸化物ＳｉＯ2 により同時に形成されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、高電
源電圧で動作する回路と低電源電圧で動作する回路の両
方が存在するＭＯＳ型半導体集積回路は、従来において
ゲート絶縁膜がすべて同じ材料により同時に形成されて
いたが、しかしゲート絶縁膜に要求される信頼度は高電
源電圧ＭＯＳトランジスタと低電源電圧ＭＯＳトランジ
スタとでは異なり、高電源電圧ＭＯＳトランジスタの方
が低電源電圧ＭＯＳトランジスタよりもより高い信頼度
が要求され、高電源電圧ＭＯＳトランジスタのゲート絶
縁膜の信頼度が必ずしも充分とはいえなかった。
源電圧で動作する回路と低電源電圧で動作する回路の両
方が存在するＭＯＳ型半導体集積回路は、従来において
ゲート絶縁膜がすべて同じ材料により同時に形成されて
いたが、しかしゲート絶縁膜に要求される信頼度は高電
源電圧ＭＯＳトランジスタと低電源電圧ＭＯＳトランジ
スタとでは異なり、高電源電圧ＭＯＳトランジスタの方
が低電源電圧ＭＯＳトランジスタよりもより高い信頼度
が要求され、高電源電圧ＭＯＳトランジスタのゲート絶
縁膜の信頼度が必ずしも充分とはいえなかった。
【０００５】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、二種類以上の電源電圧で動作するＭ
ＯＳ型半導体集積回路の高電源電圧動作ＭＯＳトランジ
スタのゲート絶縁膜の信頼度を、低電源電圧動作ＭＯＳ
トランジスタの性能低下を伴うことなく高めることを目
的とする。
されたものであり、二種類以上の電源電圧で動作するＭ
ＯＳ型半導体集積回路の高電源電圧動作ＭＯＳトランジ
スタのゲート絶縁膜の信頼度を、低電源電圧動作ＭＯＳ
トランジスタの性能低下を伴うことなく高めることを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明ＭＯＳ型半導体集
積回路は、高電源電圧動作ＭＯＳトランジスタのゲート
絶縁膜を窒素原子含有酸化物で形成し、低電源電圧動作
ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜を窒素原子と含有し
ない酸化物で形成したことを特徴とする。
積回路は、高電源電圧動作ＭＯＳトランジスタのゲート
絶縁膜を窒素原子含有酸化物で形成し、低電源電圧動作
ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜を窒素原子と含有し
ない酸化物で形成したことを特徴とする。
【０００７】本発明ＭＯＳ型半導体集積回路の製造方法
は、高電源電圧動作ＭＯＳトランジスタを形成すべき領
域表面と、同じく低電源電圧動作ＭＯＳトランジスタを
形成すべき領域表面に同時に窒素原子含有酸化物からな
るゲート絶縁膜を形成し、高電源電圧動作ＭＯＳトラン
ジスタを形成すべき領域表面上のゲート絶縁膜をマスク
とした状態で低電源電圧動作ＭＯＳトランジスタを形成
すべき領域表面上のゲート絶縁膜をエッチングにより除
去し、低電源電圧ＭＯＳトランジスタを形成すべき領域
表面上に窒素原子を含有しない酸化膜からなるゲート絶
縁膜を形成することを特徴とする。
は、高電源電圧動作ＭＯＳトランジスタを形成すべき領
域表面と、同じく低電源電圧動作ＭＯＳトランジスタを
形成すべき領域表面に同時に窒素原子含有酸化物からな
るゲート絶縁膜を形成し、高電源電圧動作ＭＯＳトラン
ジスタを形成すべき領域表面上のゲート絶縁膜をマスク
とした状態で低電源電圧動作ＭＯＳトランジスタを形成
すべき領域表面上のゲート絶縁膜をエッチングにより除
去し、低電源電圧ＭＯＳトランジスタを形成すべき領域
表面上に窒素原子を含有しない酸化膜からなるゲート絶
縁膜を形成することを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明ＭＯＳ型半導体集積回路によれば、窒素
原子含有酸化物は窒素原子を含有しない酸化物に比較し
てゲート絶縁膜としての信頼度が高く、そして、高電源
電圧で動作するＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜はか
かる窒素原子含有酸化物により形成されているので、信
頼度が高い。従って、高電源電圧動作ＭＯＳトランジス
タのゲート絶縁膜の信頼度を充分に高くすることができ
る。
原子含有酸化物は窒素原子を含有しない酸化物に比較し
てゲート絶縁膜としての信頼度が高く、そして、高電源
電圧で動作するＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜はか
かる窒素原子含有酸化物により形成されているので、信
頼度が高い。従って、高電源電圧動作ＭＯＳトランジス
タのゲート絶縁膜の信頼度を充分に高くすることができ
る。
【０００９】また、低電源電圧動作ＭＯＳトランジスタ
のゲート絶縁膜は、窒素原子を含有しない酸化物からな
るので、ＭＯＳトランジスタに性能低下が生じない。即
ち、窒素原子含有酸化物でゲート絶縁膜を形成した場合
にはＭＯＳトランジスタの電気駆動能力は移動度の低下
により若干弱まるが、ゲート絶縁膜の信頼度に余裕のあ
る低電源電圧ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜は窒素
原子を含有しない酸化物からなるので、かかる性能低下
は生じないのである。
のゲート絶縁膜は、窒素原子を含有しない酸化物からな
るので、ＭＯＳトランジスタに性能低下が生じない。即
ち、窒素原子含有酸化物でゲート絶縁膜を形成した場合
にはＭＯＳトランジスタの電気駆動能力は移動度の低下
により若干弱まるが、ゲート絶縁膜の信頼度に余裕のあ
る低電源電圧ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜は窒素
原子を含有しない酸化物からなるので、かかる性能低下
は生じないのである。
【００１０】本発明ＭＯＳ型半導体集積回路の製造方法
によれば、ＭＯＳトランジスタを形成すべき領域に窒素
原子含有酸化物からなるゲート絶縁膜を形成した後、高
電源電圧動作ＭＯＳトランジスタを形成すべき領域のゲ
ート絶縁膜をマスクした状態で低電源電圧動作ＭＯＳト
ランジスタを形成すべき領域のゲート絶縁膜を除去し、
そこに窒素原子を含有しない酸化物からなるゲート絶縁
膜を形成するので、上述した本発明ＭＯＳ型半導体集積
回路を得ることができる。
によれば、ＭＯＳトランジスタを形成すべき領域に窒素
原子含有酸化物からなるゲート絶縁膜を形成した後、高
電源電圧動作ＭＯＳトランジスタを形成すべき領域のゲ
ート絶縁膜をマスクした状態で低電源電圧動作ＭＯＳト
ランジスタを形成すべき領域のゲート絶縁膜を除去し、
そこに窒素原子を含有しない酸化物からなるゲート絶縁
膜を形成するので、上述した本発明ＭＯＳ型半導体集積
回路を得ることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明ＭＯＳ型半導体集積回路とその
製造方法を図示実施例に従って詳細に説明する。図１は
本発明ＭＯＳ型半導体集積回路の一つの実施例を示す断
面図である。図面において、１は半導体基板、２は高電
源電圧（例えば５Ｖ）動作ＭＯＳトランジスタ、３は低
電源電圧（例えば３．３Ｖ）動作ＭＯＳトランジスタ、
４はフィールド絶縁膜、５は高電源電圧動作ＭＯＳトラ
ンジスタのゲート絶縁膜で、窒素原子含有酸化物からな
る。６は低電源電圧動作ＭＯＳトランジスタのゲート絶
縁膜で、窒素原子を含有しない普通のシリコン酸化物Ｓ
ｉＯ2 からなる。７は高電源電圧動作ＭＯＳトランジス
タ２のゲート電極、８は低電源電圧動作ＭＯＳトランジ
スタ３のゲート電極である。
製造方法を図示実施例に従って詳細に説明する。図１は
本発明ＭＯＳ型半導体集積回路の一つの実施例を示す断
面図である。図面において、１は半導体基板、２は高電
源電圧（例えば５Ｖ）動作ＭＯＳトランジスタ、３は低
電源電圧（例えば３．３Ｖ）動作ＭＯＳトランジスタ、
４はフィールド絶縁膜、５は高電源電圧動作ＭＯＳトラ
ンジスタのゲート絶縁膜で、窒素原子含有酸化物からな
る。６は低電源電圧動作ＭＯＳトランジスタのゲート絶
縁膜で、窒素原子を含有しない普通のシリコン酸化物Ｓ
ｉＯ2 からなる。７は高電源電圧動作ＭＯＳトランジス
タ２のゲート電極、８は低電源電圧動作ＭＯＳトランジ
スタ３のゲート電極である。
【００１２】図２（Ａ）乃至（Ｅ）は図１に示すＭＯＳ
型半導体集積回路の製造方法の要部を工程順に示す断面
図である。 （Ａ）選択酸化法により半導体基板１のフィールド領域
の表面部に選択酸化膜４を形成し、その際にマスクとし
て用いた耐酸化性マスク膜を除去し、各ＭＯＳトランジ
スタを形成すべき領域表面を露出した状態にする。図２
（Ａ）はその状態を示す。
型半導体集積回路の製造方法の要部を工程順に示す断面
図である。 （Ａ）選択酸化法により半導体基板１のフィールド領域
の表面部に選択酸化膜４を形成し、その際にマスクとし
て用いた耐酸化性マスク膜を除去し、各ＭＯＳトランジ
スタを形成すべき領域表面を露出した状態にする。図２
（Ａ）はその状態を示す。
【００１３】（Ｂ）次に、通常のウェット雰囲気あるい
はドライ酸素Ｏ2 雰囲気で加熱処理することにより図２
（Ｂ）に示すように、１０〜２０ｎｍ程度の膜厚を有す
るＳｉＯ2 からなるゲート絶縁膜６、６を形成する。 （Ｃ）次に、ＮＨ3 雰囲気中あるいはＮ2 Ｏ雰囲気中で
高温処理を行うことによりゲート絶縁膜６、６中に微量
の窒素原子を導入する。すると、図２（Ｃ）に示すよう
に各ゲート絶縁膜は窒素原子含有酸化物からなるゲート
絶縁膜５、５となる。 尚、ゲート絶縁膜６、６中への窒素原子の導入をＮＨ3
雰囲気中での高温処理により行う場合は、処理温度は９
００〜１０００℃、処理時間は１〜３０分間が好適であ
る。また、Ｎ2 Ｏ雰囲気中での高温処理により行う場合
は、処理温度は１０００〜１２００℃、処理時間は１〜
３０分間が好適である。
はドライ酸素Ｏ2 雰囲気で加熱処理することにより図２
（Ｂ）に示すように、１０〜２０ｎｍ程度の膜厚を有す
るＳｉＯ2 からなるゲート絶縁膜６、６を形成する。 （Ｃ）次に、ＮＨ3 雰囲気中あるいはＮ2 Ｏ雰囲気中で
高温処理を行うことによりゲート絶縁膜６、６中に微量
の窒素原子を導入する。すると、図２（Ｃ）に示すよう
に各ゲート絶縁膜は窒素原子含有酸化物からなるゲート
絶縁膜５、５となる。 尚、ゲート絶縁膜６、６中への窒素原子の導入をＮＨ3
雰囲気中での高温処理により行う場合は、処理温度は９
００〜１０００℃、処理時間は１〜３０分間が好適であ
る。また、Ｎ2 Ｏ雰囲気中での高温処理により行う場合
は、処理温度は１０００〜１２００℃、処理時間は１〜
３０分間が好適である。
【００１４】（Ｄ）次に、図２（Ｄ）に示すように、高
電源電圧動作トランジスタ２を形成すべき領域をレジス
ト膜１０でマスクして低電源電圧動作トランジスタ３の
窒素原子含有酸化物からなるゲート絶縁膜５を選択的に
エッチングする。 （Ｅ）次に、通常のウェット雰囲気あるいはドライ酸素
Ｏ2 雰囲気で加熱処理することにより図２（Ｅ）に示す
ように１０ｎｍ程度あるいはそれ以下の窒素原子非含有
のシリコン酸化物ＳｉＯ2 からなるゲート絶縁膜６を低
電源電圧ＭＯＳトランジスタを形成すべき領域上に形成
する。
電源電圧動作トランジスタ２を形成すべき領域をレジス
ト膜１０でマスクして低電源電圧動作トランジスタ３の
窒素原子含有酸化物からなるゲート絶縁膜５を選択的に
エッチングする。 （Ｅ）次に、通常のウェット雰囲気あるいはドライ酸素
Ｏ2 雰囲気で加熱処理することにより図２（Ｅ）に示す
ように１０ｎｍ程度あるいはそれ以下の窒素原子非含有
のシリコン酸化物ＳｉＯ2 からなるゲート絶縁膜６を低
電源電圧ＭＯＳトランジスタを形成すべき領域上に形成
する。
【００１５】その後は、通常のＭＯＳ型半導体集積回路
の製造方法に従ってＭＯＳトランジスタ２、３を形成す
る。すると、図１に示すようなＭＯＳ型半導体集積回
路、即ち、高電源電圧動作ＭＯＳトランジスタのゲート
絶縁膜を窒素原子含有酸化物で形成し、低電源電圧動作
ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜を窒素原子を含有し
ない酸化物で形成した図１に示すようなＭＯＳ型半導体
集積回路を得ることができる。
の製造方法に従ってＭＯＳトランジスタ２、３を形成す
る。すると、図１に示すようなＭＯＳ型半導体集積回
路、即ち、高電源電圧動作ＭＯＳトランジスタのゲート
絶縁膜を窒素原子含有酸化物で形成し、低電源電圧動作
ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜を窒素原子を含有し
ない酸化物で形成した図１に示すようなＭＯＳ型半導体
集積回路を得ることができる。
【００１６】このように、高電源電圧動作ＭＯＳトラン
ジスタ２のゲート絶縁膜を窒素原子含有酸化物で形成す
るのは、ＴＤＤＢ特性、ホットキャリア耐性等が向上
し、ゲート絶縁膜の信頼性が大幅に向上するためであ
り、このこと、即ち、ゲート絶縁膜を窒素原子含有酸化
物で形成すると、ＴＤＤＢ特性、ホットキャリア耐性等
が向上し、ゲート絶縁膜の信頼性が大幅に向上すること
は、１９９１ ＩＥＥＥＩＥＤＭ９１−３５９〜３６２
によって紹介されている。
ジスタ２のゲート絶縁膜を窒素原子含有酸化物で形成す
るのは、ＴＤＤＢ特性、ホットキャリア耐性等が向上
し、ゲート絶縁膜の信頼性が大幅に向上するためであ
り、このこと、即ち、ゲート絶縁膜を窒素原子含有酸化
物で形成すると、ＴＤＤＢ特性、ホットキャリア耐性等
が向上し、ゲート絶縁膜の信頼性が大幅に向上すること
は、１９９１ ＩＥＥＥＩＥＤＭ９１−３５９〜３６２
によって紹介されている。
【００１７】一方、低電源電圧動作ＭＯＳトランジスタ
３のゲート絶縁膜６を窒素原子を含有しない酸化物Ｓｉ
Ｏ2 で形成するのは、第１にゲート絶縁膜に窒素原子を
含有させるとゲート絶縁膜の信頼性が高まる反面におい
てＭＯＳトランジスタの電気駆動能力が移動度の低下に
よって減少すること、第２に低電源電圧で動作するＭＯ
Ｓトランジスタは高電源電圧で動作するＭＯＳトランジ
スタに比較してゲート絶縁膜に要求される信頼度が低く
て済み、信頼度に大きな余裕があることによる。
３のゲート絶縁膜６を窒素原子を含有しない酸化物Ｓｉ
Ｏ2 で形成するのは、第１にゲート絶縁膜に窒素原子を
含有させるとゲート絶縁膜の信頼性が高まる反面におい
てＭＯＳトランジスタの電気駆動能力が移動度の低下に
よって減少すること、第２に低電源電圧で動作するＭＯ
Ｓトランジスタは高電源電圧で動作するＭＯＳトランジ
スタに比較してゲート絶縁膜に要求される信頼度が低く
て済み、信頼度に大きな余裕があることによる。
【００１８】しかして、本実施例によれば、低電源電圧
動作ＭＯＳトランジスタ３の能力低下を伴うことなく高
電源電圧動作ＭＯＳトランジスタ２のゲート絶縁膜５の
信頼度を大幅に向上させることができる。尚、本発明は
ＭＯＳ型半導体集積回路は、外部から受ける電源電圧が
複数種ある場合は勿論のこと、外部から受ける電源電圧
が一種類だが内部にて別の電源電圧をつくって複数種の
電源電圧で動作するようにした場合にも適用できる。
動作ＭＯＳトランジスタ３の能力低下を伴うことなく高
電源電圧動作ＭＯＳトランジスタ２のゲート絶縁膜５の
信頼度を大幅に向上させることができる。尚、本発明は
ＭＯＳ型半導体集積回路は、外部から受ける電源電圧が
複数種ある場合は勿論のこと、外部から受ける電源電圧
が一種類だが内部にて別の電源電圧をつくって複数種の
電源電圧で動作するようにした場合にも適用できる。
【００１９】
【発明の効果】本発明ＭＯＳ型半導体集積回路は、高電
源電圧動作ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜を窒素原
子含有酸化物で形成し、低電源電圧動作ＭＯＳトランジ
スタのゲート絶縁膜を窒素原子と含有しない酸化物で形
成したことを特徴とするものである。従って、本発明Ｍ
ＯＳ型半導体集積回路によれば、窒素原子含有酸化物が
窒素原子を含有しない酸化物に比較してゲート絶縁膜と
しての信頼度が高く、そして、高電源電圧動作ＭＯＳト
ランジスタのゲート絶縁膜はかかる窒素原子含有酸化物
により形成されているので、信頼度を高くできる。依っ
て、高電源電圧動作ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜
の信頼度を充分に高くすることができる。また、低電源
電圧動作ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜は窒素原子
を含有しない酸化物からなるので、ＭＯＳトランジスタ
に性能低下が生じない。
源電圧動作ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜を窒素原
子含有酸化物で形成し、低電源電圧動作ＭＯＳトランジ
スタのゲート絶縁膜を窒素原子と含有しない酸化物で形
成したことを特徴とするものである。従って、本発明Ｍ
ＯＳ型半導体集積回路によれば、窒素原子含有酸化物が
窒素原子を含有しない酸化物に比較してゲート絶縁膜と
しての信頼度が高く、そして、高電源電圧動作ＭＯＳト
ランジスタのゲート絶縁膜はかかる窒素原子含有酸化物
により形成されているので、信頼度を高くできる。依っ
て、高電源電圧動作ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜
の信頼度を充分に高くすることができる。また、低電源
電圧動作ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜は窒素原子
を含有しない酸化物からなるので、ＭＯＳトランジスタ
に性能低下が生じない。
【００２０】本発明ＭＯＳ型半導体集積回路の製造方法
は、高電源電圧動作ＭＯＳトランジスタを形成すべき領
域表面と、同じく低電源電圧動作ＭＯＳトランジスタを
形成すべき領域表面に同時に窒素原子含有酸化物からな
るゲート絶縁膜を形成し、高電源電圧動作ＭＯＳトラン
ジスタを形成すべき領域表面上のゲート絶縁膜をマスク
した状態で低電源電圧動作ＭＯＳトランジスタを形成す
べき領域表面上のゲート絶縁膜をエッチングにより除去
し、低電源電圧ＭＯＳトランジスタを形成すべき領域表
面上に窒素原子を含有しない酸化膜からなるゲート絶縁
膜を形成することを特徴とするものである。従って、本
発明ＭＯＳ型半導体集積回路の製造方法によれば、ＭＯ
Ｓトランジスタを形成すべき領域に窒素原子含有酸化物
からなるゲート絶縁膜を形成した後、高電源電圧動作Ｍ
ＯＳトランジスタを形成すべき領域のゲート絶縁膜をマ
スクした状態で低電源電圧動作ＭＯＳトランジスタを形
成すべき領域のゲート絶縁膜を除去し、そこに窒素原子
を含有しない酸化物からなるゲート絶縁膜を形成するの
で、上述した本発明ＭＯＳ型半導体集積回路を得ること
ができる。
は、高電源電圧動作ＭＯＳトランジスタを形成すべき領
域表面と、同じく低電源電圧動作ＭＯＳトランジスタを
形成すべき領域表面に同時に窒素原子含有酸化物からな
るゲート絶縁膜を形成し、高電源電圧動作ＭＯＳトラン
ジスタを形成すべき領域表面上のゲート絶縁膜をマスク
した状態で低電源電圧動作ＭＯＳトランジスタを形成す
べき領域表面上のゲート絶縁膜をエッチングにより除去
し、低電源電圧ＭＯＳトランジスタを形成すべき領域表
面上に窒素原子を含有しない酸化膜からなるゲート絶縁
膜を形成することを特徴とするものである。従って、本
発明ＭＯＳ型半導体集積回路の製造方法によれば、ＭＯ
Ｓトランジスタを形成すべき領域に窒素原子含有酸化物
からなるゲート絶縁膜を形成した後、高電源電圧動作Ｍ
ＯＳトランジスタを形成すべき領域のゲート絶縁膜をマ
スクした状態で低電源電圧動作ＭＯＳトランジスタを形
成すべき領域のゲート絶縁膜を除去し、そこに窒素原子
を含有しない酸化物からなるゲート絶縁膜を形成するの
で、上述した本発明ＭＯＳ型半導体集積回路を得ること
ができる。
【図１】本発明ＭＯＳ型半導体集積回路の一つの実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】（Ａ）乃至（Ｅ）は図１に示すＭＯＳ型半導体
集積回路の製造方法の一例の要部を工程順に示す断面図
である。
集積回路の製造方法の一例の要部を工程順に示す断面図
である。
【図３】複数種の電源電圧で動作するＭＯＳ型半導体集
積回路の平面図である。
積回路の平面図である。
１ 半導体基板 ２ 高電源電圧動作ＭＯＳトランジスタ ３ 低電源電圧動作ＭＯＳトランジスタ ４ フィールド絶縁膜 ５ 窒素原子含有酸化物からなるゲート絶縁膜 ６ 窒素原子を含有しない酸化物からなるゲート絶縁膜
Claims (2)
- 【請求項１】 異なる電源電圧により駆動されるＭＯＳ
トランジスタが存在するＭＯＳ型半導体集積回路におい
て、 高電源電圧で駆動されるＭＯＳトランジスタのゲート絶
縁膜を窒素原子含有酸化物で形成し、 低電源電圧で駆動されるＭＯＳトランジスタのゲート絶
縁膜を窒素原子を含有しない酸化物で形成したことを特
徴とするＭＯＳ型半導体集積回路 - 【請求項２】 半導体基板のフィールド絶縁膜で囲まれ
た高電源電圧で駆動されるＭＯＳトランジスタを形成す
べき領域表面と、同じく低電源電圧で駆動されるＭＯＳ
トランジスタを形成すべき領域表面に、同時に窒素原子
含有酸化物からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、 高電源電圧で駆動されるＭＯＳトランジスタを形成すべ
き領域表面上のゲート絶縁膜をマスクした状態で低電源
電圧で駆動されるＭＯＳトランジスタを形成すべき領域
表面上のゲート絶縁膜をエッチングにより除去する工程
と、 低電源電圧で駆動されるＭＯＳトランジスタを形成すべ
き領域表面上に窒素原子を含有しない酸化膜からなるゲ
ート絶縁膜を形成する工程と、 を有することを特徴とするＭＯＳ型半導体集積回路の製
造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5027310A JPH06224413A (ja) | 1993-01-24 | 1993-01-24 | Ｍｏｓ型半導体集積回路とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5027310A JPH06224413A (ja) | 1993-01-24 | 1993-01-24 | Ｍｏｓ型半導体集積回路とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224413A true JPH06224413A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=12217519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5027310A Pending JPH06224413A (ja) | 1993-01-24 | 1993-01-24 | Ｍｏｓ型半導体集積回路とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06224413A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100320681B1 (ko) * | 1999-04-17 | 2002-01-24 | 윤종용 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
| US6699776B2 (en) | 1998-12-22 | 2004-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | MOSFET gate insulating film and method of manufacturing the same |
| DE102008024874A1 (de) * | 2008-05-23 | 2009-12-17 | Audi Ag | Brennkraftmaschine mit einem eine Entlüftung aufweisenden Kurbelgehäuse |
-
1993
- 1993-01-24 JP JP5027310A patent/JPH06224413A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6699776B2 (en) | 1998-12-22 | 2004-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | MOSFET gate insulating film and method of manufacturing the same |
| KR100320681B1 (ko) * | 1999-04-17 | 2002-01-24 | 윤종용 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
| DE102008024874A1 (de) * | 2008-05-23 | 2009-12-17 | Audi Ag | Brennkraftmaschine mit einem eine Entlüftung aufweisenden Kurbelgehäuse |
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