JPH06223709A - 偏極電子線発生素子 - Google Patents
偏極電子線発生素子Info
- Publication number
- JPH06223709A JPH06223709A JP2982493A JP2982493A JPH06223709A JP H06223709 A JPH06223709 A JP H06223709A JP 2982493 A JP2982493 A JP 2982493A JP 2982493 A JP2982493 A JP 2982493A JP H06223709 A JPH06223709 A JP H06223709A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- electron beam
- photoelectric layer
- polarized electron
- gaas
- Prior art date
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- Pending
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- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体光電層で発生した偏極電子が表面側へ
移動し易くなるようにして取出効率を向上させる。 【構成】 半導体光電層としての第２半導体１６に対す
るＺｎのドーピング量を、内部から表面１８に向かうに
従って連続的に少なくすることにより、最も内側の第１
半導体１４との界面付近のキャリア濃度を１×１０
19（ｃｍ-3) 程度、表面１８付近のキャリア濃度を５×
１０17（ｃｍ-3) 程度とし、伝導帯のエネルギーレベル
が表面１８側程低くなるようにした。
移動し易くなるようにして取出効率を向上させる。 【構成】 半導体光電層としての第２半導体１６に対す
るＺｎのドーピング量を、内部から表面１８に向かうに
従って連続的に少なくすることにより、最も内側の第１
半導体１４との界面付近のキャリア濃度を１×１０
19（ｃｍ-3) 程度、表面１８付近のキャリア濃度を５×
１０17（ｃｍ-3) 程度とし、伝導帯のエネルギーレベル
が表面１８側程低くなるようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スピン方向が偏在して
いる偏極電子線を発生する偏極電子線発生素子の改良に
関するものである。
いる偏極電子線を発生する偏極電子線発生素子の改良に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】スピン方向が２種類のうちの一方に偏在
している電子群から成る偏極電子線は、高エネルギー素
粒子実験分野においては原子核内部の磁気構造を、物性
物理実験分野においては物質表面の磁気構造を調査する
上で有効な手段として利用されている。かかる偏極電子
線は、価電子帯にバンドスプリッティングを有する半導
体光電層を備えた偏極電子線発生素子を用い、その半導
体光電層に励起光を入射することによって表面から取り
出すことが可能であり、偏極電子線発生素子としては、
例えばＧａＡｓ1-x Ｐx （混晶比ｘ＞０）半導体の上
に、それとは格子定数が僅かに異なるＧａＡｓ半導体を
結晶成長させたストレインドＧａＡｓ半導体がある。す
なわち、ＧａＡｓ1-x Ｐx 半導体に対して格子定数が異
なるＧａＡｓ半導体がヘテロ結合させられることによ
り、そのＧａＡｓ半導体には格子歪が付与されるため、
その価電子帯にバンドスプリッティングが発生してヘビ
ーホールのサブバンドとライトホールのサブバンドにエ
ネルギー準位差が生じる一方、両サブバンドの励起によ
って取り出される電子のスピン方向は互いに反対向きで
あるため、エネルギー準位が高い方すなわち伝導帯との
エネルギーギャップが小さい方のサブバンドのみを励起
するような光エネルギーをＧａＡｓ半導体に注入すれ
ば、一方のスピン方向に偏在した電子群が専ら励起され
て表面から放出され、高い偏極率を備えた偏極電子線が
得られるのである。ＧａＡｓ1-x Ｐx 半導体はＧａＡｓ
半導体よりもバンドギャップが大きいため、ＧａＡｓ半
導体で発生した電子を表面側へはねかえすポテンシャル
障壁としても機能している。半導体光電層としては、上
記ストレインドＧａＡｓ半導体の他、本出願人が先に出
願した特願平４−１９６２４５号において提案したスト
レインドＧａＡｓ1-y Ｐy （混晶比ｙ＞０）半導体や他
のストレインド化合物半導体、或いは価電子帯に元々バ
ンドスプリッティングを有するカルコパイライト型半導
体等が用いられ得る。
している電子群から成る偏極電子線は、高エネルギー素
粒子実験分野においては原子核内部の磁気構造を、物性
物理実験分野においては物質表面の磁気構造を調査する
上で有効な手段として利用されている。かかる偏極電子
線は、価電子帯にバンドスプリッティングを有する半導
体光電層を備えた偏極電子線発生素子を用い、その半導
体光電層に励起光を入射することによって表面から取り
出すことが可能であり、偏極電子線発生素子としては、
例えばＧａＡｓ1-x Ｐx （混晶比ｘ＞０）半導体の上
に、それとは格子定数が僅かに異なるＧａＡｓ半導体を
結晶成長させたストレインドＧａＡｓ半導体がある。す
なわち、ＧａＡｓ1-x Ｐx 半導体に対して格子定数が異
なるＧａＡｓ半導体がヘテロ結合させられることによ
り、そのＧａＡｓ半導体には格子歪が付与されるため、
その価電子帯にバンドスプリッティングが発生してヘビ
ーホールのサブバンドとライトホールのサブバンドにエ
ネルギー準位差が生じる一方、両サブバンドの励起によ
って取り出される電子のスピン方向は互いに反対向きで
あるため、エネルギー準位が高い方すなわち伝導帯との
エネルギーギャップが小さい方のサブバンドのみを励起
するような光エネルギーをＧａＡｓ半導体に注入すれ
ば、一方のスピン方向に偏在した電子群が専ら励起され
て表面から放出され、高い偏極率を備えた偏極電子線が
得られるのである。ＧａＡｓ1-x Ｐx 半導体はＧａＡｓ
半導体よりもバンドギャップが大きいため、ＧａＡｓ半
導体で発生した電子を表面側へはねかえすポテンシャル
障壁としても機能している。半導体光電層としては、上
記ストレインドＧａＡｓ半導体の他、本出願人が先に出
願した特願平４−１９６２４５号において提案したスト
レインドＧａＡｓ1-y Ｐy （混晶比ｙ＞０）半導体や他
のストレインド化合物半導体、或いは価電子帯に元々バ
ンドスプリッティングを有するカルコパイライト型半導
体等が用いられ得る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の偏極電子線発生素子は、半導体光電層で発生した
電子が速やかに表面側へ移動しないため、半導体内に長
時間留まっているうちに光に戻って消滅してしまうもの
があるなど、電子をはねかえすポテンシャル障壁を有す
る場合であっても、必ずしも十分に満足できる取出効率
が得られないという問題があった。
従来の偏極電子線発生素子は、半導体光電層で発生した
電子が速やかに表面側へ移動しないため、半導体内に長
時間留まっているうちに光に戻って消滅してしまうもの
があるなど、電子をはねかえすポテンシャル障壁を有す
る場合であっても、必ずしも十分に満足できる取出効率
が得られないという問題があった。
【０００４】本発明は以上の事情を背景として為された
もので、その目的とするところは、半導体光電層で発生
した偏極電子が表面側へ移動し易くなるようにして取出
効率を向上させることにある。
もので、その目的とするところは、半導体光電層で発生
した偏極電子が表面側へ移動し易くなるようにして取出
効率を向上させることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明は、価電子帯にバンドスプリッティングを
有する半導体光電層を備え、その半導体光電層に励起光
が入射されることによりその半導体光電層の表面からス
ピン方向が偏在している偏極電子線を発生する偏極電子
線発生素子において、前記半導体光電層の不純物のドー
ピング量を表面側より内部側の方を多くし、伝導帯のポ
テンシャルエネルギーが表面側程小さくなるようにした
ことを特徴とする。
めに、本発明は、価電子帯にバンドスプリッティングを
有する半導体光電層を備え、その半導体光電層に励起光
が入射されることによりその半導体光電層の表面からス
ピン方向が偏在している偏極電子線を発生する偏極電子
線発生素子において、前記半導体光電層の不純物のドー
ピング量を表面側より内部側の方を多くし、伝導帯のポ
テンシャルエネルギーが表面側程小さくなるようにした
ことを特徴とする。
【０００６】
【作用および発明の効果】すなわち、半導体に対する不
純物のドーピング量を多くすれば、価電子帯とフェルミ
レベルとのエネルギー差が小さくなり、それに伴ってフ
ェルミレベルに対する伝導帯のポテンシャルエネルギー
は大きくなるため、半導体光電層における不純物のドー
ピング量を、表面側より内部側の方を多くすれば、伝導
帯のポテンシャルエネルギーは表面側程小さくなり、発
生した偏極電子が表面側へ移動し易くなるのである。こ
れにより、半導体光電層で発生した電子は比較的速やか
に表面から放出されるようになり、半導体光電層内に長
時間留まって光に戻ってしまう電子線量が低減されて、
偏極電子線が有効に取り出されるようになる。
純物のドーピング量を多くすれば、価電子帯とフェルミ
レベルとのエネルギー差が小さくなり、それに伴ってフ
ェルミレベルに対する伝導帯のポテンシャルエネルギー
は大きくなるため、半導体光電層における不純物のドー
ピング量を、表面側より内部側の方を多くすれば、伝導
帯のポテンシャルエネルギーは表面側程小さくなり、発
生した偏極電子が表面側へ移動し易くなるのである。こ
れにより、半導体光電層で発生した電子は比較的速やか
に表面から放出されるようになり、半導体光電層内に長
時間留まって光に戻ってしまう電子線量が低減されて、
偏極電子線が有効に取り出されるようになる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて詳
細に説明する。図１において、偏極電子線発生素子１０
は、基板１２の上によく知られたＭＯＣＶＤ（有機金属
化学気相成長）装置により順次結晶成長させられた第１
半導体１４および第２半導体１６を備えている。基板１
２は３５０μｍ程度の厚みであって、Ｚｎが不純物とし
てドープされることによりキャリア濃度が５×１０
18（ｃｍ-3）程度とされたｐ−ＧａＡｓであり、表面は
（１００）面である。第１半導体１４は２．０μｍ程度
の厚みであって、Ｚｎが不純物としてドープされること
によりキャリア濃度が５×１０18（ｃｍ-3）程度とされ
たｐ−ＧａＡｓ0.83Ｐ0.17である。また、第２半導体１
６は８５０Å程度の厚みであって、Ｚｎが不純物として
ドープされたｐ−ＧａＡｓである。この第２半導体１６
に対するＺｎのドーピング量は内部から表面１８に向か
うに従って連続的に少なくされており、最も内側の第１
半導体１４との界面付近のキャリア濃度は１×１０
19（ｃｍ-3)程度であるが、表面１８付近のキャリア濃
度は５×１０17（ｃｍ-3) 程度である。なお、図１にお
ける各半導体の厚さは必ずしも正確な割合で示したもの
ではない。
細に説明する。図１において、偏極電子線発生素子１０
は、基板１２の上によく知られたＭＯＣＶＤ（有機金属
化学気相成長）装置により順次結晶成長させられた第１
半導体１４および第２半導体１６を備えている。基板１
２は３５０μｍ程度の厚みであって、Ｚｎが不純物とし
てドープされることによりキャリア濃度が５×１０
18（ｃｍ-3）程度とされたｐ−ＧａＡｓであり、表面は
（１００）面である。第１半導体１４は２．０μｍ程度
の厚みであって、Ｚｎが不純物としてドープされること
によりキャリア濃度が５×１０18（ｃｍ-3）程度とされ
たｐ−ＧａＡｓ0.83Ｐ0.17である。また、第２半導体１
６は８５０Å程度の厚みであって、Ｚｎが不純物として
ドープされたｐ−ＧａＡｓである。この第２半導体１６
に対するＺｎのドーピング量は内部から表面１８に向か
うに従って連続的に少なくされており、最も内側の第１
半導体１４との界面付近のキャリア濃度は１×１０
19（ｃｍ-3)程度であるが、表面１８付近のキャリア濃
度は５×１０17（ｃｍ-3) 程度である。なお、図１にお
ける各半導体の厚さは必ずしも正確な割合で示したもの
ではない。
【０００８】上記第２半導体１６を構成しているｐ−Ｇ
ａＡｓの格子定数は、第１半導体１４を構成しているｐ
−ＧａＡｓ0.83Ｐ0.17より僅かに大きいため、第２半導
体１６は膜厚方向において引張応力が作用させられ、そ
の引張応力による格子歪を有する状態で第１半導体１４
上にヘテロ結合させられる。この格子歪により、第２半
導体１６の価電子帯にバンドスプリッティングが発生
し、ヘビーホールのサブバンドとライトホールのサブバ
ンドにエネルギー準位差が生じる一方、両サブバンドの
励起によって取り出される電子のスピン方向は互いに反
対向きであるため、エネルギー準位が高い方、この場合
にはヘビーホールのサブバンドのみを励起するような光
エネルギーを有する円偏光レーザ光が表面１８に照射さ
れると、一方のスピン方向に偏在した電子群が専ら励起
されて表面１８から放出される。この実施例では上記第
２半導体１６が半導体光電層に相当し、照射すべき円偏
光レーザ光の波長は約８６０ｎｍである。
ａＡｓの格子定数は、第１半導体１４を構成しているｐ
−ＧａＡｓ0.83Ｐ0.17より僅かに大きいため、第２半導
体１６は膜厚方向において引張応力が作用させられ、そ
の引張応力による格子歪を有する状態で第１半導体１４
上にヘテロ結合させられる。この格子歪により、第２半
導体１６の価電子帯にバンドスプリッティングが発生
し、ヘビーホールのサブバンドとライトホールのサブバ
ンドにエネルギー準位差が生じる一方、両サブバンドの
励起によって取り出される電子のスピン方向は互いに反
対向きであるため、エネルギー準位が高い方、この場合
にはヘビーホールのサブバンドのみを励起するような光
エネルギーを有する円偏光レーザ光が表面１８に照射さ
れると、一方のスピン方向に偏在した電子群が専ら励起
されて表面１８から放出される。この実施例では上記第
２半導体１６が半導体光電層に相当し、照射すべき円偏
光レーザ光の波長は約８６０ｎｍである。
【０００９】ここで、上記第２半導体１６に対するＺｎ
のドーピング量は、内部から表面１８に向かうに従って
連続的に少なくされているため、図２に示されているよ
うに、フェルミレベルＥF と価電子帯上端のエネルギー
レベルＥV とのエネルギー差（ＥF −ＥV ）は、内部か
ら表面１８に向かうに従って大きくなり、それに伴って
伝導帯下端のエネルギーレベルＥC は表面１８に向かう
に従って低くなる。図３は、ＧａＡｓ半導体における上
記エネルギー差（ＥF −ＥV ）とキャリア濃度との関係
を示すグラフで、キャリア濃度が１×１０19（ｃｍ-3)
の場合のエネルギー差（ＥF −ＥV ）は約３４ｍｅＶで
ある一方、キャリア濃度が５×１０17（ｃｍ-3) の場合
のエネルギー差（ＥF −ＥV ）は約８４ｍｅＶである。
したがって、伝導帯のエネルギーレベルＥC は、第１半
導体１４との界面付近から表面１８に向かうに従って約
５０ｍｅＶ低下する。本実施例では、上記エネルギー差
（ＥF −ＥV ）が略直線的に変化するように、第２半導
体１６に対するＺｎのドーピング量は指数関数的に変化
させられている。
のドーピング量は、内部から表面１８に向かうに従って
連続的に少なくされているため、図２に示されているよ
うに、フェルミレベルＥF と価電子帯上端のエネルギー
レベルＥV とのエネルギー差（ＥF −ＥV ）は、内部か
ら表面１８に向かうに従って大きくなり、それに伴って
伝導帯下端のエネルギーレベルＥC は表面１８に向かう
に従って低くなる。図３は、ＧａＡｓ半導体における上
記エネルギー差（ＥF −ＥV ）とキャリア濃度との関係
を示すグラフで、キャリア濃度が１×１０19（ｃｍ-3)
の場合のエネルギー差（ＥF −ＥV ）は約３４ｍｅＶで
ある一方、キャリア濃度が５×１０17（ｃｍ-3) の場合
のエネルギー差（ＥF −ＥV ）は約８４ｍｅＶである。
したがって、伝導帯のエネルギーレベルＥC は、第１半
導体１４との界面付近から表面１８に向かうに従って約
５０ｍｅＶ低下する。本実施例では、上記エネルギー差
（ＥF −ＥV ）が略直線的に変化するように、第２半導
体１６に対するＺｎのドーピング量は指数関数的に変化
させられている。
【００１０】そして、上記のような伝導帯のエネルギー
レベルＥC の傾斜により、第２半導体１６で発生した電
子は表面１８側へ向かって移動し易くなり、表面１８か
ら比較的速やかに放出されるようになる。これにより、
第２半導体１６内に長時間留まって光に戻ってしまう電
子線量が低減され、偏極電子線が有効に取り出されるよ
うになる。特に、本実施例では、ＧａＡｓにて構成され
た第２半導体１６よりもＧａＡｓ0.83Ｐ0.17にて構成さ
れた第１半導体１４の方がバンドギャップが大きく、そ
の第１半導体１４が電子をはねかえすポテンシャル障壁
として機能するため、偏極電子線の取出効率が一層高く
なるのである。
レベルＥC の傾斜により、第２半導体１６で発生した電
子は表面１８側へ向かって移動し易くなり、表面１８か
ら比較的速やかに放出されるようになる。これにより、
第２半導体１６内に長時間留まって光に戻ってしまう電
子線量が低減され、偏極電子線が有効に取り出されるよ
うになる。特に、本実施例では、ＧａＡｓにて構成され
た第２半導体１６よりもＧａＡｓ0.83Ｐ0.17にて構成さ
れた第１半導体１４の方がバンドギャップが大きく、そ
の第１半導体１４が電子をはねかえすポテンシャル障壁
として機能するため、偏極電子線の取出効率が一層高く
なるのである。
【００１１】以上、本発明の一実施例を図面に基づいて
詳細に説明したが、本発明は他の態様で実施することも
できる。
詳細に説明したが、本発明は他の態様で実施することも
できる。
【００１２】例えば、前記実施例ではエネルギー差（Ｅ
F −ＥV ）、言い換えれば伝導帯のエネルギーレベルＥ
C が直線的に変化するように、Ｚｎのドーピング量が指
数関数的に変化させられていたが、このドーピング量の
変化態様は適宜変更され得、２段階，３段階、或いは４
段階以上の多段階など段階的に変化させたり、ドーピン
グ量自体を直線的に変化させたりしても良い。
F −ＥV ）、言い換えれば伝導帯のエネルギーレベルＥ
C が直線的に変化するように、Ｚｎのドーピング量が指
数関数的に変化させられていたが、このドーピング量の
変化態様は適宜変更され得、２段階，３段階、或いは４
段階以上の多段階など段階的に変化させたり、ドーピン
グ量自体を直線的に変化させたりしても良い。
【００１３】また、前記実施例の偏極電子線発生素子１
０は半導体光電層としてストレインドＧａＡｓ半導体、
すなわち第２半導体１６を備えていたが、ＧａＡｓＰ，
ＩｎＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ等の他のストレインド化
合物半導体、或いは価電子帯に元々バンドスプリッティ
ングを有するカルコパイライト型半導体等が用いられて
も良い。ドーピングする不純物の種類や量は半導体光電
層の種類に応じて適宜定められる。
０は半導体光電層としてストレインドＧａＡｓ半導体、
すなわち第２半導体１６を備えていたが、ＧａＡｓＰ，
ＩｎＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ等の他のストレインド化
合物半導体、或いは価電子帯に元々バンドスプリッティ
ングを有するカルコパイライト型半導体等が用いられて
も良い。ドーピングする不純物の種類や量は半導体光電
層の種類に応じて適宜定められる。
【００１４】また、前記実施例ではｐ−ＧａＡｓ基板１
２が用いられていたが、ＡｌＧａＡｓ等の他の化合物半
導体基板やＳｉ基板等を用いることも可能である。
２が用いられていたが、ＡｌＧａＡｓ等の他の化合物半
導体基板やＳｉ基板等を用いることも可能である。
【００１５】また、前記実施例では第１半導体１４の厚
さが２．０μｍ程度、第２半導体１６の厚さが８５０Å
程度であったが、これらの厚さは適宜変更され得る。
さが２．０μｍ程度、第２半導体１６の厚さが８５０Å
程度であったが、これらの厚さは適宜変更され得る。
【００１６】また、前記実施例では第２半導体１６の格
子定数が第１半導体１４よりも大きく、膜厚方向におい
て引張応力が作用させられるようになっていたが、第１
半導体よりも格子定数が小さい第２半導体を採用し、圧
縮応力によって格子歪が生じさせられるようにすること
もできる。
子定数が第１半導体１４よりも大きく、膜厚方向におい
て引張応力が作用させられるようになっていたが、第１
半導体よりも格子定数が小さい第２半導体を採用し、圧
縮応力によって格子歪が生じさせられるようにすること
もできる。
【００１７】また、前記実施例では第２半導体１６より
もバンドギャップが大きい第１半導体１４を備えていた
が、第１半導体としては少なくとも第２半導体と格子定
数が僅かに異なっておれば良く、バンドギャップが小さ
い半導体を用いることも可能である。例えば、前記ｐ−
ＧａＡｓ基板１２を第１半導体として用い、その上に第
２半導体（半導体光電層）としてｐ−ＧａＡｓ1-x Ｐx
半導体を直接設けることもできる。
もバンドギャップが大きい第１半導体１４を備えていた
が、第１半導体としては少なくとも第２半導体と格子定
数が僅かに異なっておれば良く、バンドギャップが小さ
い半導体を用いることも可能である。例えば、前記ｐ−
ＧａＡｓ基板１２を第１半導体として用い、その上に第
２半導体（半導体光電層）としてｐ−ＧａＡｓ1-x Ｐx
半導体を直接設けることもできる。
【００１８】また、半導体光電層の裏側に、半導体多層
膜や誘電体多層膜等の反射鏡を設けて励起光を反射する
ようにしたり、多重量子井戸構造のポテンシャル障壁を
設けて電子をはねかえすようにしたりすることもできる
など、素子構造は必要に応じて適宜変更され得る。
膜や誘電体多層膜等の反射鏡を設けて励起光を反射する
ようにしたり、多重量子井戸構造のポテンシャル障壁を
設けて電子をはねかえすようにしたりすることもできる
など、素子構造は必要に応じて適宜変更され得る。
【００１９】また、前記実施例では表面１８に励起光を
照射するようになっていたが、ＧａＡｓ基板１２をエッ
チング等により切り欠いたり透明基板を用いたりして、
基板側から励起光を入射させるようにすることも可能で
ある。
照射するようになっていたが、ＧａＡｓ基板１２をエッ
チング等により切り欠いたり透明基板を用いたりして、
基板側から励起光を入射させるようにすることも可能で
ある。
【００２０】また、前記実施例ではＭＯＣＶＤ法を用い
て半導体を積層する場合について説明したが、ＭＢＥ
（分子線エピタキシー）法等の他のエピタキシャル成長
技術を用いることも勿論可能である。
て半導体を積層する場合について説明したが、ＭＢＥ
（分子線エピタキシー）法等の他のエピタキシャル成長
技術を用いることも勿論可能である。
【００２１】その他一々例示はしないが、本発明は当業
者の知識に基づいて種々の変更，改良を加えた態様で実
施することができる。
者の知識に基づいて種々の変更，改良を加えた態様で実
施することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例である偏極電子線発生素子の
構成を説明する図である。
構成を説明する図である。
【図２】図１の偏極電子線発生素子における半導体光電
層のバンド構造を説明する図である。
層のバンド構造を説明する図である。
【図３】ＧａＡｓ半導体におけるエネルギー差（ＥF −
ＥV ）とキャリア濃度との関係を示す図である。
ＥV ）とキャリア濃度との関係を示す図である。
１０：偏極電子線発生素子 １６：第２半導体（半導体光電層） １８：表面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 俊宏 愛知県春日井市中央台８丁目７番地の４ (72)発明者 中西 彊 愛知県名古屋市昭和区川名山町128−４ (72)発明者 堀中 博道 大阪府吹田市内本町２−５−25
Claims (1)
- 【請求項１】 価電子帯にバンドスプリッティングを有
する半導体光電層を備え、該半導体光電層に励起光が入
射されることにより該半導体光電層の表面からスピン方
向が偏在している偏極電子線を発生する偏極電子線発生
素子において、 前記半導体光電層の不純物のドーピング量を表面側より
内部側の方を多くし、伝導帯のポテンシャルエネルギー
が表面側程小さくなるようにしたことを特徴とする偏極
電子線発生素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2982493A JPH06223709A (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | 偏極電子線発生素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2982493A JPH06223709A (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | 偏極電子線発生素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06223709A true JPH06223709A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=12286778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2982493A Pending JPH06223709A (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | 偏極電子線発生素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06223709A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999016098A1 (fr) * | 1997-09-24 | 1999-04-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Surface photoelectrique de semi-conducteur |
-
1993
- 1993-01-25 JP JP2982493A patent/JPH06223709A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999016098A1 (fr) * | 1997-09-24 | 1999-04-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Surface photoelectrique de semi-conducteur |
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