JPH06231676A - 偏極電子線発生素子 - Google Patents
偏極電子線発生素子Info
- Publication number
- JPH06231676A JPH06231676A JP4320493A JP4320493A JPH06231676A JP H06231676 A JPH06231676 A JP H06231676A JP 4320493 A JP4320493 A JP 4320493A JP 4320493 A JP4320493 A JP 4320493A JP H06231676 A JPH06231676 A JP H06231676A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- electron beam
- polarized electron
- semiconductor substrate
- grown
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 第１半導体を構成するｐ型のＧａＡｓ1-x Ｐ
x 半導体の結晶性を高めて第２半導体をコヒーレントに
成長し易くすることにより偏極電子線の偏極度を向上さ
せる。 【構成】 ｎ型のＧａＡｓ1-x Ｐx （０＜ｘ＜１）半導
体を半導体基板１２として採用し、その半導体基板１２
上に組成が同一のｐ型のＧａＡｓ1-x Ｐx 半導体から成
る第１半導体１４を結晶成長させるとともに、その第１
半導体１４の上に、第１半導体１４と格子定数が異なる
ｐ型のＧａＡｓ半導体を第２半導体１６として結晶成長
させた。第２半導体１６は、格子歪みを有する状態で略
コヒーレントに結晶成長させられるため、価電子帯にバ
ンドスプリッティングが発生し、所定の光エネルギーを
有する励起光が照射されることにより、スピン方向が一
方に偏在した偏極電子線が励起される。
x 半導体の結晶性を高めて第２半導体をコヒーレントに
成長し易くすることにより偏極電子線の偏極度を向上さ
せる。 【構成】 ｎ型のＧａＡｓ1-x Ｐx （０＜ｘ＜１）半導
体を半導体基板１２として採用し、その半導体基板１２
上に組成が同一のｐ型のＧａＡｓ1-x Ｐx 半導体から成
る第１半導体１４を結晶成長させるとともに、その第１
半導体１４の上に、第１半導体１４と格子定数が異なる
ｐ型のＧａＡｓ半導体を第２半導体１６として結晶成長
させた。第２半導体１６は、格子歪みを有する状態で略
コヒーレントに結晶成長させられるため、価電子帯にバ
ンドスプリッティングが発生し、所定の光エネルギーを
有する励起光が照射されることにより、スピン方向が一
方に偏在した偏極電子線が励起される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スピン方向が偏在して
いる偏極電子線を発生する偏極電子線発生素子の改良に
関するものである。
いる偏極電子線を発生する偏極電子線発生素子の改良に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓ1-x Ｐx （０＜ｘ＜１）半導体
から成る第１半導体と、その第１半導体の上に格子歪み
を有する状態で結晶成長させられたＧａＡｓ1-y Ｐ
y （ｙ≠ｘ）半導体から成る第２半導体とを備え、その
第２半導体に励起光が入射されることによりスピン方向
が偏在している偏極電子線を発生する偏極電子線発生素
子が知られている。すなわち、格子歪みを有する状態で
結晶成長させられた上記第２半導体は、価電子帯にバン
ドスプリッティングが発生してヘビーホールのサブバン
ドとライトホールのサブバンドにエネルギー準位差が生
じる一方、両サブバンドの励起によって取り出される電
子のスピン方向は互いに反対向きであるため、エネルギ
ー準位が高い方すなわち伝導帯とのエネルギーギャップ
が小さい方のサブバンドのみを励起するような光エネル
ギーを第２半導体に注入すれば、一方のスピン方向に偏
在した電子群が専ら励起されて表面から放出され、高い
偏極率を備えた偏極電子線が得られるのである。また、
発生した偏極電子が素子内部へ移動することを防止する
ため、上記第１半導体のバンドギャップを第２半導体よ
り大きくすることが望ましく、Ｐの混晶比ｘは一般に混
晶比ｙより大きくされる。このような偏極電子線は、高
エネルギー素粒子実験分野においては原子核内部の磁気
構造を、物性物理実験分野においては物質表面の磁気構
造を調査する上で有効な手段として利用されている。
から成る第１半導体と、その第１半導体の上に格子歪み
を有する状態で結晶成長させられたＧａＡｓ1-y Ｐ
y （ｙ≠ｘ）半導体から成る第２半導体とを備え、その
第２半導体に励起光が入射されることによりスピン方向
が偏在している偏極電子線を発生する偏極電子線発生素
子が知られている。すなわち、格子歪みを有する状態で
結晶成長させられた上記第２半導体は、価電子帯にバン
ドスプリッティングが発生してヘビーホールのサブバン
ドとライトホールのサブバンドにエネルギー準位差が生
じる一方、両サブバンドの励起によって取り出される電
子のスピン方向は互いに反対向きであるため、エネルギ
ー準位が高い方すなわち伝導帯とのエネルギーギャップ
が小さい方のサブバンドのみを励起するような光エネル
ギーを第２半導体に注入すれば、一方のスピン方向に偏
在した電子群が専ら励起されて表面から放出され、高い
偏極率を備えた偏極電子線が得られるのである。また、
発生した偏極電子が素子内部へ移動することを防止する
ため、上記第１半導体のバンドギャップを第２半導体よ
り大きくすることが望ましく、Ｐの混晶比ｘは一般に混
晶比ｙより大きくされる。このような偏極電子線は、高
エネルギー素粒子実験分野においては原子核内部の磁気
構造を、物性物理実験分野においては物質表面の磁気構
造を調査する上で有効な手段として利用されている。
【０００３】ところで、かかる偏極電子線発生素子は、
上記第２半導体から偏極電子線を取り出すために、その
第２半導体の表面をセシウムおよび酸素で負電子親和力
（ＮＥＡ；Negative Electron Affinity）状態としなけ
ればならず、Ｚｎなどにより表面がｐ型に高濃度ドープ
されている。このようなことから、一般に素子全体がｐ
型とされるが、ｐ型のＧａＡｓ1-x Ｐx 半導体の基板は
現在入手不可能であるため、入手可能なｐ型のＧａＡｓ
基板を用いて、その上にｐ型のＧａＡｓ1-x Ｐx 半導体
を第１半導体として結晶成長させるようにしているのが
普通である。
上記第２半導体から偏極電子線を取り出すために、その
第２半導体の表面をセシウムおよび酸素で負電子親和力
（ＮＥＡ；Negative Electron Affinity）状態としなけ
ればならず、Ｚｎなどにより表面がｐ型に高濃度ドープ
されている。このようなことから、一般に素子全体がｐ
型とされるが、ｐ型のＧａＡｓ1-x Ｐx 半導体の基板は
現在入手不可能であるため、入手可能なｐ型のＧａＡｓ
基板を用いて、その上にｐ型のＧａＡｓ1-x Ｐx 半導体
を第１半導体として結晶成長させるようにしているのが
普通である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＧａＡ
ｓ基板の上に第１半導体としてＧａＡｓ1-x Ｐx 半導体
を１〜２μｍ程度の厚さで結晶成長させると、両者の格
子定数差によりＧａＡｓ1-x Ｐx 半導体に格子欠陥が生
じ、方位の僅かに異なった結晶粒の集合体であるモザイ
ク状態となる。このため、その表面は平坦でなく多数の
凹凸が存在し、その上に積層される第２半導体、例えば
ＧａＡｓ半導体はコヒーレントに成長しにくく、格子定
数差に基づく格子歪みが緩和されて残留歪みが小さくな
り、バンドスプリッティングが小さくて高い偏極度が得
られないという問題があった。このことは、第１半導体
のバンドギャップを大きくするために混晶比ｘを大きく
する程顕著となる。
ｓ基板の上に第１半導体としてＧａＡｓ1-x Ｐx 半導体
を１〜２μｍ程度の厚さで結晶成長させると、両者の格
子定数差によりＧａＡｓ1-x Ｐx 半導体に格子欠陥が生
じ、方位の僅かに異なった結晶粒の集合体であるモザイ
ク状態となる。このため、その表面は平坦でなく多数の
凹凸が存在し、その上に積層される第２半導体、例えば
ＧａＡｓ半導体はコヒーレントに成長しにくく、格子定
数差に基づく格子歪みが緩和されて残留歪みが小さくな
り、バンドスプリッティングが小さくて高い偏極度が得
られないという問題があった。このことは、第１半導体
のバンドギャップを大きくするために混晶比ｘを大きく
する程顕著となる。
【０００５】本発明は以上の事情を背景として為された
もので、その目的とするところは、第１半導体を構成す
るｐ型のＧａＡｓ1-x Ｐx 半導体の結晶性を高めて第２
半導体をコヒーレントに成長し易くすることにより高い
偏極度が得られるようにすることにある。
もので、その目的とするところは、第１半導体を構成す
るｐ型のＧａＡｓ1-x Ｐx 半導体の結晶性を高めて第２
半導体をコヒーレントに成長し易くすることにより高い
偏極度が得られるようにすることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明は、（ａ）半導体基板と、（ｂ）その半導
体基板の上に結晶成長させられたｐ型のＧａＡｓ1-x Ｐ
x （０＜ｘ＜１）半導体から成る第１半導体と、（ｃ）
その第１半導体の上に格子歪みを有する状態で結晶成長
させられたｐ型のＧａＡｓ1-y Ｐy （ｙ≠ｘ）半導体か
ら成る第２半導体とを備え、その第２半導体に励起光が
入射されることによりスピン方向が偏在している偏極電
子線を発生する偏極電子線発生素子において、（ｄ）前
記半導体基板をｎ型のＧａＡｓ1-x Ｐx 半導体基板にて
構成したことを特徴とする。
めに、本発明は、（ａ）半導体基板と、（ｂ）その半導
体基板の上に結晶成長させられたｐ型のＧａＡｓ1-x Ｐ
x （０＜ｘ＜１）半導体から成る第１半導体と、（ｃ）
その第１半導体の上に格子歪みを有する状態で結晶成長
させられたｐ型のＧａＡｓ1-y Ｐy （ｙ≠ｘ）半導体か
ら成る第２半導体とを備え、その第２半導体に励起光が
入射されることによりスピン方向が偏在している偏極電
子線を発生する偏極電子線発生素子において、（ｄ）前
記半導体基板をｎ型のＧａＡｓ1-x Ｐx 半導体基板にて
構成したことを特徴とする。
【０００７】
【作用および発明の効果】このような偏極電子線発生素
子においては、半導体基板および第１半導体の組成が同
じで格子定数が等しいため、第１半導体としてのｐ型の
ＧａＡｓ1-x Ｐx半導体の結晶性は極めて良好となり、
第２半導体がコヒーレントに結晶成長し易くなって十分
な格子歪みが付与され、高い偏極度の電子線が得られ
る。
子においては、半導体基板および第１半導体の組成が同
じで格子定数が等しいため、第１半導体としてのｐ型の
ＧａＡｓ1-x Ｐx半導体の結晶性は極めて良好となり、
第２半導体がコヒーレントに結晶成長し易くなって十分
な格子歪みが付与され、高い偏極度の電子線が得られ
る。
【０００８】なお、半導体基板がｎ型となることで、発
生した偏極電子が基板側へ流入する可能性があるが、第
１半導体の厚さを大きくしたり、第１半導体と第２半導
体との間に極薄いポテンシャル障壁層を挿入したりする
ことにより、基板側への電子の移動を効果的に防止でき
る。
生した偏極電子が基板側へ流入する可能性があるが、第
１半導体の厚さを大きくしたり、第１半導体と第２半導
体との間に極薄いポテンシャル障壁層を挿入したりする
ことにより、基板側への電子の移動を効果的に防止でき
る。
【０００９】また、上記第１半導体の厚さは、少なくと
もｐｎ接合による空乏層の拡がりよりも十分に厚くする
必要がある。例えばｎ，ｐ共にドーピング濃度が５×１
０18（ｃｍ-3）の場合、各層の空乏層の拡がりは１２０
Å程度以下であるため、第１半導体の厚さを１〜２μｍ
程度とすれば何の問題もない。
もｐｎ接合による空乏層の拡がりよりも十分に厚くする
必要がある。例えばｎ，ｐ共にドーピング濃度が５×１
０18（ｃｍ-3）の場合、各層の空乏層の拡がりは１２０
Å程度以下であるため、第１半導体の厚さを１〜２μｍ
程度とすれば何の問題もない。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１において、偏極電子線発生素子１０
は、半導体基板１２の上によく知られたＭＯＣＶＤ（有
機金属化学気相成長）装置により第１半導体１４および
第２半導体１６を順次結晶成長させたものである。半導
体基板１２は、キャリア濃度が５×１０18（ｃｍ-3）程
度のｎ型のＧａＡｓ1-x Ｐx （０＜ｘ＜１）半導体基板
で、厚さは３５０μｍ程度、表面は（１００）面であ
る。第１半導体１４は、Ｚｎが不純物としてドープされ
ることによりキャリア濃度が５×１０18（ｃｍ-3）程度
とされたｐ型のＧａＡｓ1-x Ｐx 半導体で、厚さは１．
０μｍ程度である。また、第２半導体１６は、Ｚｎが不
純物としてドープされることによりキャリア濃度が５×
１０18（ｃｍ-3）程度とされたｐ型のＧａＡｓ半導体
で、厚さは２００ｎｍ程度である。なお、かかる図１お
よび以下に説明する図２，図３の各半導体の厚さは必ず
しも正確な割合で示したものではない。
に説明する。図１において、偏極電子線発生素子１０
は、半導体基板１２の上によく知られたＭＯＣＶＤ（有
機金属化学気相成長）装置により第１半導体１４および
第２半導体１６を順次結晶成長させたものである。半導
体基板１２は、キャリア濃度が５×１０18（ｃｍ-3）程
度のｎ型のＧａＡｓ1-x Ｐx （０＜ｘ＜１）半導体基板
で、厚さは３５０μｍ程度、表面は（１００）面であ
る。第１半導体１４は、Ｚｎが不純物としてドープされ
ることによりキャリア濃度が５×１０18（ｃｍ-3）程度
とされたｐ型のＧａＡｓ1-x Ｐx 半導体で、厚さは１．
０μｍ程度である。また、第２半導体１６は、Ｚｎが不
純物としてドープされることによりキャリア濃度が５×
１０18（ｃｍ-3）程度とされたｐ型のＧａＡｓ半導体
で、厚さは２００ｎｍ程度である。なお、かかる図１お
よび以下に説明する図２，図３の各半導体の厚さは必ず
しも正確な割合で示したものではない。
【００１１】このような偏極電子線発生素子１０におい
ては、第１半導体１４を構成しているＧａＡｓ1-x Ｐx
半導体より第２半導体１６を構成しているＧａＡｓ半導
体の方が格子定数が大きいため、第２半導体１６は膜厚
方向において引張応力が作用させられ、その引張応力に
よる格子歪を有する状態で第１半導体１４上にヘテロ結
合させられる。この格子歪により、第２半導体１６の価
電子帯にバンドスプリッティングが発生し、ヘビーホー
ルのサブバンドとライトホールのサブバンドにエネルギ
ー準位差が生じる一方、両サブバンドの励起によって取
り出される電子のスピン方向は互いに反対向きであるた
め、エネルギー準位が高い方、この場合にはヘビーホー
ルのサブバンドのみを励起するような光エネルギーを有
する円偏光レーザ光が照射されると、一方のスピン方向
に偏在した電子群が専ら励起されて表面から放出され
る。
ては、第１半導体１４を構成しているＧａＡｓ1-x Ｐx
半導体より第２半導体１６を構成しているＧａＡｓ半導
体の方が格子定数が大きいため、第２半導体１６は膜厚
方向において引張応力が作用させられ、その引張応力に
よる格子歪を有する状態で第１半導体１４上にヘテロ結
合させられる。この格子歪により、第２半導体１６の価
電子帯にバンドスプリッティングが発生し、ヘビーホー
ルのサブバンドとライトホールのサブバンドにエネルギ
ー準位差が生じる一方、両サブバンドの励起によって取
り出される電子のスピン方向は互いに反対向きであるた
め、エネルギー準位が高い方、この場合にはヘビーホー
ルのサブバンドのみを励起するような光エネルギーを有
する円偏光レーザ光が照射されると、一方のスピン方向
に偏在した電子群が専ら励起されて表面から放出され
る。
【００１２】ここで、前記半導体基板１２および第１半
導体１４は組成が同じで格子定数が等しいため、第１半
導体１４の結晶性は極めて良好となり、第２半導体１６
がコヒーレントに結晶成長し易くなって十分な格子歪み
が付与され、高い偏極度の電子線が得られる。また、第
１半導体１４のバンドギャップは第２半導体１６より大
きいため、第１半導体１４はポテンシャル障壁として機
能し、第２半導体１６で発生した偏極電子がｎ型の半導
体基板１２側へ流れることを効果的に防止する。
導体１４は組成が同じで格子定数が等しいため、第１半
導体１４の結晶性は極めて良好となり、第２半導体１６
がコヒーレントに結晶成長し易くなって十分な格子歪み
が付与され、高い偏極度の電子線が得られる。また、第
１半導体１４のバンドギャップは第２半導体１６より大
きいため、第１半導体１４はポテンシャル障壁として機
能し、第２半導体１６で発生した偏極電子がｎ型の半導
体基板１２側へ流れることを効果的に防止する。
【００１３】図２の偏極電子線発生素子２０は前記第２
半導体１６を変更したもので、本実施例の第２半導体２
２は、Ｚｎが不純物としてドープされることによりキャ
リア濃度が５×１０18（ｃｍ-3）程度とされたｐ型のＧ
ａＡｓ1-y Ｐy （ｙ≠０，ｙ≠ｘ）半導体で、厚さは２
００ｎｍ程度である。この場合でも、Ｐの混晶比ｙがｘ
より小さい場合には、第２半導体２２の方が第１半導体
１４より格子定数が大きくバンドギャップが小さいた
め、上記第１実施例と同様の作用効果が得られる。
半導体１６を変更したもので、本実施例の第２半導体２
２は、Ｚｎが不純物としてドープされることによりキャ
リア濃度が５×１０18（ｃｍ-3）程度とされたｐ型のＧ
ａＡｓ1-y Ｐy （ｙ≠０，ｙ≠ｘ）半導体で、厚さは２
００ｎｍ程度である。この場合でも、Ｐの混晶比ｙがｘ
より小さい場合には、第２半導体２２の方が第１半導体
１４より格子定数が大きくバンドギャップが小さいた
め、上記第１実施例と同様の作用効果が得られる。
【００１４】上記Ｐの混晶比ｙがｘより大きい場合に
は、第１半導体１４を構成しているＧａＡｓ1-x Ｐx 半
導体より第２半導体２２を構成しているＧａＡｓ1-y Ｐ
y 半導体の方が格子定数が小さいため、第２半導体２２
は膜厚方向において圧縮応力が作用させられ、その圧縮
応力による格子歪を有する状態で第１半導体１４上にヘ
テロ結合させられる。このため、ライトホールのサブバ
ンドのエネルギー準位がヘビーホールのサブバンドのエ
ネルギー準位より高くなり、ライトホールのサブバンド
のみを励起するような光エネルギーを有する円偏光レー
ザ光を照射することにより、一方のスピン方向に偏在し
た偏極電子線を取り出すことができる。
は、第１半導体１４を構成しているＧａＡｓ1-x Ｐx 半
導体より第２半導体２２を構成しているＧａＡｓ1-y Ｐ
y 半導体の方が格子定数が小さいため、第２半導体２２
は膜厚方向において圧縮応力が作用させられ、その圧縮
応力による格子歪を有する状態で第１半導体１４上にヘ
テロ結合させられる。このため、ライトホールのサブバ
ンドのエネルギー準位がヘビーホールのサブバンドのエ
ネルギー準位より高くなり、ライトホールのサブバンド
のみを励起するような光エネルギーを有する円偏光レー
ザ光を照射することにより、一方のスピン方向に偏在し
た偏極電子線を取り出すことができる。
【００１５】一方、このようにＰの混晶比ｙがｘより大
きいと、第２半導体２２の方が第１半導体１４よりバン
ドギャップが大きくなるため、偏極電子が第１半導体１
４を通ってｎ型の半導体基板１２側へ流れ易くなる。こ
のため、図３に示す偏極電子線発生素子３０のように、
第２半導体２２よりバンドギャップが大きい第３半導体
３２、すなわちｐ型のＧａＡｓ1-z Ｐz （ｚ＞ｙ）半導
体を、ポテンシャル障壁として第１半導体１４と第２半
導体２２との間に挿入することが望ましい。この第３半
導体３２の膜厚は５０ｎｍ程度で、第１半導体１４上に
コヒーレントに結晶成長させられ、第２半導体２２は前
記各実施例と同様に、第１半導体１４との格子定数差に
基づいて格子歪みが生じさせられる。
きいと、第２半導体２２の方が第１半導体１４よりバン
ドギャップが大きくなるため、偏極電子が第１半導体１
４を通ってｎ型の半導体基板１２側へ流れ易くなる。こ
のため、図３に示す偏極電子線発生素子３０のように、
第２半導体２２よりバンドギャップが大きい第３半導体
３２、すなわちｐ型のＧａＡｓ1-z Ｐz （ｚ＞ｙ）半導
体を、ポテンシャル障壁として第１半導体１４と第２半
導体２２との間に挿入することが望ましい。この第３半
導体３２の膜厚は５０ｎｍ程度で、第１半導体１４上に
コヒーレントに結晶成長させられ、第２半導体２２は前
記各実施例と同様に、第１半導体１４との格子定数差に
基づいて格子歪みが生じさせられる。
【００１６】なお、上述したのはあくまでも本発明の一
具体例であり、例えばドーピングする不純物の種類や
量、各半導体の膜厚は適宜変更され得るし、ＭＯＣＶＤ
法の代わりにＭＢＥ（分子線エピタキシー）法等の他の
エピタキシャル成長技術を用いることも可能である。ま
た、半導体基板１２をエッチング等により切り欠いて、
その基板１２側から励起光を入射させることもできるな
ど、本発明は当業者の知識に基づいて種々の変更，改良
を加えた態様で実施することができる。
具体例であり、例えばドーピングする不純物の種類や
量、各半導体の膜厚は適宜変更され得るし、ＭＯＣＶＤ
法の代わりにＭＢＥ（分子線エピタキシー）法等の他の
エピタキシャル成長技術を用いることも可能である。ま
た、半導体基板１２をエッチング等により切り欠いて、
その基板１２側から励起光を入射させることもできるな
ど、本発明は当業者の知識に基づいて種々の変更，改良
を加えた態様で実施することができる。
【図１】本発明の一実施例である偏極電子線発生素子の
構成を説明する図である。
構成を説明する図である。
【図２】本発明の他の実施例の構成を説明する図であ
る。
る。
【図３】本発明の更に別の実施例の構成を説明する図で
ある。
ある。
１０，２０，３０：偏極電子線発生素子 １２：半導体基板 １４：第１半導体 １６，２２：第２半導体
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板と、該半導体基板の上に結晶
成長させられたｐ型のＧａＡｓ1-x Ｐx （０＜ｘ＜１）
半導体から成る第１半導体と、該第１半導体の上に格子
歪みを有する状態で結晶成長させられたｐ型のＧａＡｓ
1-y Ｐy （ｙ≠ｘ）半導体から成る第２半導体とを備
え、該第２半導体に励起光が入射されることによりスピ
ン方向が偏在している偏極電子線を発生する偏極電子線
発生素子において、 前記半導体基板をｎ型のＧａＡｓ1-x Ｐx 半導体基板に
て構成したことを特徴とする偏極電子線発生素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4320493A JPH06231676A (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 偏極電子線発生素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4320493A JPH06231676A (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 偏極電子線発生素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06231676A true JPH06231676A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=12657405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4320493A Pending JPH06231676A (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 偏極電子線発生素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06231676A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8344354B2 (en) | 2008-03-25 | 2013-01-01 | National University Corporation Nagoya University | Spin-polarized electron source |
-
1993
- 1993-02-08 JP JP4320493A patent/JPH06231676A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8344354B2 (en) | 2008-03-25 | 2013-01-01 | National University Corporation Nagoya University | Spin-polarized electron source |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8344354B2 (en) | Spin-polarized electron source | |
| JPH06224121A (ja) | 化合物半導体素子の製造方法及び化合物半導体素子 | |
| Zvonkov et al. | Surfactant effect of bismuth in the MOVPE growth of the InAs quantum dots on GaAs | |
| KR20010090165A (ko) | 이종접합구조의 양자점 버퍼층을 가지는 반도체 소자 | |
| Wu et al. | Growth and characterization of II–VI blue light‐emitting diodes using short period superlattices | |
| JPH09139543A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| US8178375B2 (en) | Method of determining compound ratio of compound semiconductor for light generating device | |
| US20100270592A1 (en) | Semiconductor device | |
| JPH06231676A (ja) | 偏極電子線発生素子 | |
| JP3364970B2 (ja) | 偏極電子線発生素子 | |
| JP2000068497A (ja) | ＧａＮ系化合物半導体装置 | |
| US5302847A (en) | Semiconductor heterostructure having a capping layer preventing deleterious effects of As-P exchange | |
| JP2000090817A (ja) | 偏極電子線発生素子 | |
| JP3192263B2 (ja) | 偏極電子線発生素子 | |
| Wang et al. | Carrier effects on Raman spectra from ZnSe/GaAs heterostructures | |
| JP3313225B2 (ja) | 偏極電子線発生素子 | |
| Jin et al. | Elimination of local thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattices for high spin-polarization photocathodes | |
| RU2249877C2 (ru) | Устройство для получения фотоэлектронной эмиссии в вакуум | |
| Yan et al. | High-quality InGaP and InGaP/InAlP multiple quantum well grown by gas-source molecular beam epitaxy | |
| JPH06223709A (ja) | 偏極電子線発生素子 | |
| Vyvenko et al. | Crystal Lattice Defects as Natural Light Emitting Nanostructures in Semiconductors | |
| JPH0786183A (ja) | 半導体結晶の成長方法 | |
| Sritirawisarn et al. | InAs/InP quantum dots, dashes, and ordered arrays | |
| Gershoni et al. | Optical Properties of Strain-Induced Nanometer Scale Quantum Wires | |
| Guha et al. | Defects and degradation in wide gap II-VI based structures and light-emitting devices |