JPH06222295A - 光源装置および光走査装置 - Google Patents
光源装置および光走査装置Info
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- JPH06222295A JPH06222295A JP5012768A JP1276893A JPH06222295A JP H06222295 A JPH06222295 A JP H06222295A JP 5012768 A JP5012768 A JP 5012768A JP 1276893 A JP1276893 A JP 1276893A JP H06222295 A JPH06222295 A JP H06222295A
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- laser
- light source
- source device
- light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】複数の半導体レーザーからのレーザー光束をそ
の偏光状態に左右されずに容易に合流させて放射させる
ことができる新規な光源装置およびこの光源装置を用い
た光走査装置を実現する。 【構成】実質的に同一波長のレーザー光束を放射する複
数の半導体レーザーからのレーザー光束を、同一の光路
上に合流させて放射可能な光源装置であって、2以上の
半導体レーザー10,12と、1以上の無偏光ビームス
プリッター30とを有し、1つの半導体レーザー10か
ら放射されて無偏光ビームスプリッター30を透過する
レーザー光束と、他の半導体レーザー12から放射され
て上記無偏光ビームスプリッター30により反射される
レーザー光束とが略同一の光路上を進行するように、各
半導体レーザー10,12および各無偏光ビームスプリ
ッター30の相対的な位置関係を定める。
の偏光状態に左右されずに容易に合流させて放射させる
ことができる新規な光源装置およびこの光源装置を用い
た光走査装置を実現する。 【構成】実質的に同一波長のレーザー光束を放射する複
数の半導体レーザーからのレーザー光束を、同一の光路
上に合流させて放射可能な光源装置であって、2以上の
半導体レーザー10,12と、1以上の無偏光ビームス
プリッター30とを有し、1つの半導体レーザー10か
ら放射されて無偏光ビームスプリッター30を透過する
レーザー光束と、他の半導体レーザー12から放射され
て上記無偏光ビームスプリッター30により反射される
レーザー光束とが略同一の光路上を進行するように、各
半導体レーザー10,12および各無偏光ビームスプリ
ッター30の相対的な位置関係を定める。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、光源装置および光走
査装置に関する。この発明は光走査装置や光ピックアッ
プ装置、あるいは表面検査装置やマルチ走査偏光顕微鏡
等に利用できる。
査装置に関する。この発明は光走査装置や光ピックアッ
プ装置、あるいは表面検査装置やマルチ走査偏光顕微鏡
等に利用できる。
【0002】
【従来の技術】光走査装置や光ピックアップ装置、ある
いは走査偏光顕微鏡等、半導体レーザーを光源として用
いる光学装置は多い。従来、これら装置では光源として
単一の半導体レーザーが用いられている。しかし例えば
光走査装置の場合、2つの半導体レーザーを光源として
用い、これら光源からのレーザー光束を合流させて光走
査を行えば独立した2つの画像情報を同時に書き込むこ
とができるし、光ピックアップでは2つの半導体レーザ
ーの一方を予備の光源として用いれば、1つの半導体レ
ーザーに異常が生じた場合に直ちに予備の光源を用いる
ことにより、光ピックアップ動作を支障なく継続するこ
とができ、また走査偏光顕微鏡に2以上の半導体レーザ
ーを光源として用いればマルチ走査が可能になる。
いは走査偏光顕微鏡等、半導体レーザーを光源として用
いる光学装置は多い。従来、これら装置では光源として
単一の半導体レーザーが用いられている。しかし例えば
光走査装置の場合、2つの半導体レーザーを光源として
用い、これら光源からのレーザー光束を合流させて光走
査を行えば独立した2つの画像情報を同時に書き込むこ
とができるし、光ピックアップでは2つの半導体レーザ
ーの一方を予備の光源として用いれば、1つの半導体レ
ーザーに異常が生じた場合に直ちに予備の光源を用いる
ことにより、光ピックアップ動作を支障なく継続するこ
とができ、また走査偏光顕微鏡に2以上の半導体レーザ
ーを光源として用いればマルチ走査が可能になる。
【0003】複数の半導体レーザーからのレーザー光束
を単一の光束として合流させる場合には以下の2点に留
意する必要がある。即ち、第1は、半導体レーザーから
放射されるレーザー光束が「実質的な直線偏光状態」に
あること、第2は、半導体レーザーから放射されるレー
ザー光束のファーフィールドパターンが「半導体レーザ
ーの接合面に直交する方向を長軸方向とする楕円形状」
であることである。
を単一の光束として合流させる場合には以下の2点に留
意する必要がある。即ち、第1は、半導体レーザーから
放射されるレーザー光束が「実質的な直線偏光状態」に
あること、第2は、半導体レーザーから放射されるレー
ザー光束のファーフィールドパターンが「半導体レーザ
ーの接合面に直交する方向を長軸方向とする楕円形状」
であることである。
【0004】例えば、2つの半導体レーザーからのレー
ザー光束を偏光ビームスプリッターで合流させる方法
は、合流されたレーザー光束が半導体レーザーごとにP
もしくはS偏光となって偏光状態が同じにならず、偏光
顕微鏡のように偏光状態を問題とする光学装置では利用
が困難である。
ザー光束を偏光ビームスプリッターで合流させる方法
は、合流されたレーザー光束が半導体レーザーごとにP
もしくはS偏光となって偏光状態が同じにならず、偏光
顕微鏡のように偏光状態を問題とする光学装置では利用
が困難である。
【0005】また、光走査装置で複数の半導体レーザー
からのレーザー光束を1光束に合流させて2種以上の画
像情報の書き込みを同時に行う場合、上記のように偏光
ビームスプリッターで合流を行うと、合流されたレーザ
ー光束のファーフィールドパターンの長軸方向が、半導
体レーザーによる成分レーザー光束ごとに平行となら
ず、これらの各成分レーザー光束で同じ形状の光スポッ
トを得ようとすると、光スポットの強度を同じに揃える
のが困難である。
からのレーザー光束を1光束に合流させて2種以上の画
像情報の書き込みを同時に行う場合、上記のように偏光
ビームスプリッターで合流を行うと、合流されたレーザ
ー光束のファーフィールドパターンの長軸方向が、半導
体レーザーによる成分レーザー光束ごとに平行となら
ず、これらの各成分レーザー光束で同じ形状の光スポッ
トを得ようとすると、光スポットの強度を同じに揃える
のが困難である。
【0006】また、半透鏡等による合流方法では、P偏
光とS偏光とで透過率・反射率が異なるので、合流され
たレーザー光束における各成分レーザー光束の光強度を
同じに揃えるのが難しい。
光とS偏光とで透過率・反射率が異なるので、合流され
たレーザー光束における各成分レーザー光束の光強度を
同じに揃えるのが難しい。
【0007】このような問題を解決する方法として、偏
光ビームスプリッターと1/2波長板を組み合わせて用
いる方法も知られているが(特開昭60−53875号
公報等)、合流光学系が複雑化し、コストも高くなる。
光ビームスプリッターと1/2波長板を組み合わせて用
いる方法も知られているが(特開昭60−53875号
公報等)、合流光学系が複雑化し、コストも高くなる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】この発明は上述した事
情に鑑みてなされたものであって、複数の半導体レーザ
ーからのレーザー光束をその偏光状態に左右されずに容
易に合流させて放射させることができる新規な光源装置
および、この光源装置を用いた光走査装置の提供を目的
とする。
情に鑑みてなされたものであって、複数の半導体レーザ
ーからのレーザー光束をその偏光状態に左右されずに容
易に合流させて放射させることができる新規な光源装置
および、この光源装置を用いた光走査装置の提供を目的
とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明の光源装置は
「実質的に同一波長のレーザー光束を放射する複数の半
導体レーザーからのレーザー光束を、同一の光路上に合
流させて放射可能」な光源装置であって、2以上の半導
体レーザーと、1以上の無偏光ビームスプリッターとを
有する。複数の半導体レーザーから放射されるレーザー
光束の波長が「実質的に同一」であるとは、半導体レー
ザー個体間誤差による波長のバラツキや、温度変化によ
る波長の変動の範囲内において波長が同じであることを
意味し、例えば、基準波長に対し±20nm程度の範囲
内であれば良い。
「実質的に同一波長のレーザー光束を放射する複数の半
導体レーザーからのレーザー光束を、同一の光路上に合
流させて放射可能」な光源装置であって、2以上の半導
体レーザーと、1以上の無偏光ビームスプリッターとを
有する。複数の半導体レーザーから放射されるレーザー
光束の波長が「実質的に同一」であるとは、半導体レー
ザー個体間誤差による波長のバラツキや、温度変化によ
る波長の変動の範囲内において波長が同じであることを
意味し、例えば、基準波長に対し±20nm程度の範囲
内であれば良い。
【0010】請求項1記載の光源装置は「1つの半導体
レーザーから放射されて無偏光ビームスプリッターを透
過するレーザー光束と、他の半導体レーザーから放射さ
れて上記無偏光ビームスプリッターにより反射されるレ
ーザー光束とが略同一の光路上を進行するように、各半
導体レーザーおよび各無偏光ビームスプリッターの相対
的な位置関係を定めた」ことを特徴とする。
レーザーから放射されて無偏光ビームスプリッターを透
過するレーザー光束と、他の半導体レーザーから放射さ
れて上記無偏光ビームスプリッターにより反射されるレ
ーザー光束とが略同一の光路上を進行するように、各半
導体レーザーおよび各無偏光ビームスプリッターの相対
的な位置関係を定めた」ことを特徴とする。
【0011】上記のように、合流されたレーザー光束は
「略」同一の光路上を進行する。従って、合流されたレ
ーザー光束における各半導体レーザーからのレーザー光
束(成分レーザー光束)は互いに全く同一の光路上を進
行しても良いし、各成分レーザー光束の光路が若干異な
っていても良い。
「略」同一の光路上を進行する。従って、合流されたレ
ーザー光束における各半導体レーザーからのレーザー光
束(成分レーザー光束)は互いに全く同一の光路上を進
行しても良いし、各成分レーザー光束の光路が若干異な
っていても良い。
【0012】請求項2記載の光源装置は、上記請求項1
記載の光源装置において、「2個の半導体レーザーと1
個の無偏光ビームスプリッターを有し、合流された各レ
ーザー光束(成分レーザー光束)の偏光方向が互いに同
一方向となるように、各半導体レーザーの配設態位が定
められた」ことを特徴とする。
記載の光源装置において、「2個の半導体レーザーと1
個の無偏光ビームスプリッターを有し、合流された各レ
ーザー光束(成分レーザー光束)の偏光方向が互いに同
一方向となるように、各半導体レーザーの配設態位が定
められた」ことを特徴とする。
【0013】請求項3記載の光源装置は、上記請求項1
記載の光源装置において、「2個の半導体レーザーと1
個の無偏光ビームスプリッターを有し、合流された各レ
ーザー光束(成分レーザー光束)の偏光方向が互いに直
交方向となるように、各半導体レーザーの配設態位が定
められた」ことを特徴とする。
記載の光源装置において、「2個の半導体レーザーと1
個の無偏光ビームスプリッターを有し、合流された各レ
ーザー光束(成分レーザー光束)の偏光方向が互いに直
交方向となるように、各半導体レーザーの配設態位が定
められた」ことを特徴とする。
【0014】上記請求項2および3記載の光源装置にお
いて、合流されたレーザー光束における各成分レーザー
光束の偏向方向が互いに「平行」であり、「直交」する
とは上記偏向方向が実質的に平行もしくは直交するとい
うことであり、必ずしも、厳密に平行でありまたは直交
する必要はない。
いて、合流されたレーザー光束における各成分レーザー
光束の偏向方向が互いに「平行」であり、「直交」する
とは上記偏向方向が実質的に平行もしくは直交するとい
うことであり、必ずしも、厳密に平行でありまたは直交
する必要はない。
【0015】これら請求項1または2または3記載の光
源装置において、各半導体レーザーと対応する無偏光ビ
ームスプリッターとの間に、「各半導体レーザーからの
発散性の光束を平行光束化するコリメートレンズ」を配
備しても良く(請求項4)、各半導体レーザーからのレ
ーザー光束が発散しつつ対応する無偏光ビームスプリッ
ターに入射するようにし、「合流されたレーザー光束が
共通のコリメートレンズにより平行光束化される」よう
にしても良い(請求項5)。
源装置において、各半導体レーザーと対応する無偏光ビ
ームスプリッターとの間に、「各半導体レーザーからの
発散性の光束を平行光束化するコリメートレンズ」を配
備しても良く(請求項4)、各半導体レーザーからのレ
ーザー光束が発散しつつ対応する無偏光ビームスプリッ
ターに入射するようにし、「合流されたレーザー光束が
共通のコリメートレンズにより平行光束化される」よう
にしても良い(請求項5)。
【0016】請求項6記載の光走査装置は、光源装置か
らの平行光束を主走査対応方向に長い線像として結像さ
せ、上記線像の結像位置の近傍に偏光反射面を持つ光偏
向器により偏向させ、偏向光束を走査結像レンズにより
被走査面上に光スポットとして集光して光走査を行う装
置であって、光源装置として請求項1または2または3
または4または5記載の光源装置を用いることを特徴と
する。
らの平行光束を主走査対応方向に長い線像として結像さ
せ、上記線像の結像位置の近傍に偏光反射面を持つ光偏
向器により偏向させ、偏向光束を走査結像レンズにより
被走査面上に光スポットとして集光して光走査を行う装
置であって、光源装置として請求項1または2または3
または4または5記載の光源装置を用いることを特徴と
する。
【0017】「無偏光ビームスプリッター」は、市販さ
れているものを用いることもできるが、透明基板上に多
層膜を形成してなり、半導体レーザーの発振波長に対
し、透過率と反射率がP,S偏光とも略等しくなるよう
に多層膜が設計されたものであり、後述する実施例にお
ける例のようにプリズム状のものとすることも、あるい
は板状のものとすることも可能である。
れているものを用いることもできるが、透明基板上に多
層膜を形成してなり、半導体レーザーの発振波長に対
し、透過率と反射率がP,S偏光とも略等しくなるよう
に多層膜が設計されたものであり、後述する実施例にお
ける例のようにプリズム状のものとすることも、あるい
は板状のものとすることも可能である。
【0018】
【作用】上記のように、この発明の光源装置では、2以
上の半導体レーザーからのレーザー光束が無偏光ビーム
スプリッターにより合流されるが、合流されるレーザー
光束の一方は無偏光ビームスプリッターを透過し、他方
は無偏光ビームスプリッターに反射される。
上の半導体レーザーからのレーザー光束が無偏光ビーム
スプリッターにより合流されるが、合流されるレーザー
光束の一方は無偏光ビームスプリッターを透過し、他方
は無偏光ビームスプリッターに反射される。
【0019】しかるに、無偏光ビームスプリッターによ
る反射光と透過光とは、偏光状態に拘らず略同一の光強
度を有する。従って、2以上のレーザー光束を所望の偏
光状態で、且つ互いに略等しい光強度で合流させること
ができる。
る反射光と透過光とは、偏光状態に拘らず略同一の光強
度を有する。従って、2以上のレーザー光束を所望の偏
光状態で、且つ互いに略等しい光強度で合流させること
ができる。
【0020】
【実施例】以下、具体的な実施例を説明する。図1
(a)は請求項1,2,4記載の光源装置の1実施例を
示している。符号10,12で示す半導体レーザーは、
共に波長780nmのレーザー光束を放射するが、これ
らレーザー光束は図面に直交する方向に偏光している。
(a)は請求項1,2,4記載の光源装置の1実施例を
示している。符号10,12で示す半導体レーザーは、
共に波長780nmのレーザー光束を放射するが、これ
らレーザー光束は図面に直交する方向に偏光している。
【0021】各半導体レーザー10,12から放射され
た発散性のレーザー光束は、それぞれカップリングレン
ズ20,22により平行光束化され、無偏光ビームスプ
リッター30に互いに直交する方向から入射する。
た発散性のレーザー光束は、それぞれカップリングレン
ズ20,22により平行光束化され、無偏光ビームスプ
リッター30に互いに直交する方向から入射する。
【0022】無偏光ビームスプリッター30は、2つの
直角プリズムの斜面部分を合わせたプリズム状であり、
上記斜面部分に多層膜による無偏光透過・反射膜が形成
されている。この多層膜の透過率は図1(c)に示すよ
うであり、設計波長:780nm近傍の光に対しS偏光
もP偏光も透過率従って反射率が略50%である。
直角プリズムの斜面部分を合わせたプリズム状であり、
上記斜面部分に多層膜による無偏光透過・反射膜が形成
されている。この多層膜の透過率は図1(c)に示すよ
うであり、設計波長:780nm近傍の光に対しS偏光
もP偏光も透過率従って反射率が略50%である。
【0023】従って、無偏光ビームスプリッター30か
ら射出する2つの光束L1,L2はともに半導体レーザ
ー10,12からのコリメートされた平行レーザー光束
を合流したものとなる。無偏光ビームスプリッター30
に入射するレーザー光束は、何れも図面に直交する方向
へ偏光しているから無偏光ビームスプリッター30の上
記多層膜に対してはS偏光であるが、無偏光ビームスプ
リッター30はS偏光の光を略50%透過させ、略50
%反射するので、合流レーザー光束L1,L2におけ
る、半導体レーザー10,12からの成分レーザー光束
の光強度は互いに実質的に等しくなる。
ら射出する2つの光束L1,L2はともに半導体レーザ
ー10,12からのコリメートされた平行レーザー光束
を合流したものとなる。無偏光ビームスプリッター30
に入射するレーザー光束は、何れも図面に直交する方向
へ偏光しているから無偏光ビームスプリッター30の上
記多層膜に対してはS偏光であるが、無偏光ビームスプ
リッター30はS偏光の光を略50%透過させ、略50
%反射するので、合流レーザー光束L1,L2におけ
る、半導体レーザー10,12からの成分レーザー光束
の光強度は互いに実質的に等しくなる。
【0024】図1(a)の状態で、半導体レーザー1
0,12をカップリングレンズ20,22の光軸の回り
に90度回転させれば、合流されたレーザー光束の偏光
方向は図面に平行な方向となる。
0,12をカップリングレンズ20,22の光軸の回り
に90度回転させれば、合流されたレーザー光束の偏光
方向は図面に平行な方向となる。
【0025】図1(b)は請求項1記載の光源装置の別
実施例を示している。半導体レーザー10,12、カッ
プリングレンズ20,22および無偏光ビームスプリッ
ター30の組み合わせは図1(a)における実施例と同
一であり、無偏光ビームスプリッター30からは「半導
体レーザー10,12からのコリメートされたレーザー
光束を合流させたレーザー光束」が得られる。
実施例を示している。半導体レーザー10,12、カッ
プリングレンズ20,22および無偏光ビームスプリッ
ター30の組み合わせは図1(a)における実施例と同
一であり、無偏光ビームスプリッター30からは「半導
体レーザー10,12からのコリメートされたレーザー
光束を合流させたレーザー光束」が得られる。
【0026】一方、半導体レーザー14(発振波長:7
80nm)からのレーザー光束をカップリングレンズ2
4により平行光束化し、無偏光ビームスプリッター34
を介して無偏光ビームスプリッター32に図の如く入射
させ、この無偏光ビームスプリッター32に無偏光ビー
ムスプリッター30からの射出レーザー光束を図の如く
に入射させれば、無偏光ビームスプリッター32からの
射出レーザー光束L3は、半導体レーザー10,12,
14からのレーザー光束を合流させたものである。
80nm)からのレーザー光束をカップリングレンズ2
4により平行光束化し、無偏光ビームスプリッター34
を介して無偏光ビームスプリッター32に図の如く入射
させ、この無偏光ビームスプリッター32に無偏光ビー
ムスプリッター30からの射出レーザー光束を図の如く
に入射させれば、無偏光ビームスプリッター32からの
射出レーザー光束L3は、半導体レーザー10,12,
14からのレーザー光束を合流させたものである。
【0027】図1(b)の、破線で示す位置に第4の半
導体レーザー16(発振波長:780nm)とカップリ
ングレンズ26を配備すれば、4つの半導体レーザー1
0,12,14,16からのレーザー光束を合流させる
ことができる。同様にして、5個以上の半導体レーザー
からのレーザー光束を合流することも可能であることは
容易に理解されるであろう。
導体レーザー16(発振波長:780nm)とカップリ
ングレンズ26を配備すれば、4つの半導体レーザー1
0,12,14,16からのレーザー光束を合流させる
ことができる。同様にして、5個以上の半導体レーザー
からのレーザー光束を合流することも可能であることは
容易に理解されるであろう。
【0028】合流されたレーザー光束における成分レー
ザー光束即ち、各半導体レーザーからのレーザー光成分
は、各光源における偏光特性をそのまま保有しており、
従って、合流レーザー光束における偏光状態は直線偏光
状態とすることも、各成分レーザー光束の偏光方向が直
交したり互いに所定の角をなすようにすることも、ある
いは各成分レーザー光束の偏光状態が互いにランダムで
あるようにすることもできる。何れの場合も各成分レー
ザー光束の光強度は実質的に等しい。
ザー光束即ち、各半導体レーザーからのレーザー光成分
は、各光源における偏光特性をそのまま保有しており、
従って、合流レーザー光束における偏光状態は直線偏光
状態とすることも、各成分レーザー光束の偏光方向が直
交したり互いに所定の角をなすようにすることも、ある
いは各成分レーザー光束の偏光状態が互いにランダムで
あるようにすることもできる。何れの場合も各成分レー
ザー光束の光強度は実質的に等しい。
【0029】また、例えば図1(a)の実施例におい
て、カップリングレンズ20,22を取り除き、半導体
レーザー10,12からのレーザー光束を発散性の光束
のまま合流させ、しかる後に、合流されたレーザー光束
を共通のコリメートレンズで平行光束化するようにする
こともできる(請求項5)。
て、カップリングレンズ20,22を取り除き、半導体
レーザー10,12からのレーザー光束を発散性の光束
のまま合流させ、しかる後に、合流されたレーザー光束
を共通のコリメートレンズで平行光束化するようにする
こともできる(請求項5)。
【0030】図2は請求項6記載の光走査装置の1実施
例を略示している。図中、符号1,2は半導体レーザー
とカップリングレンズとを組み合わせた2つの光源部で
あって、無偏光ビームスプリッター3とともに光源装置
を構成する。光源部1,2からの平行レーザー光束は無
偏光ビームスプリッター3により合流されるとシリンダ
ーレンズ4により主走査対応方向に長い線像に結像さ
れ、線像結像位置近傍に偏向反射面6を有する回転多面
鏡5により等角速度的に偏向され、走査結像レンズであ
るfθレンズ7により被走査面8上に光スポットとして
集光されて被走査面8を光走査する。
例を略示している。図中、符号1,2は半導体レーザー
とカップリングレンズとを組み合わせた2つの光源部で
あって、無偏光ビームスプリッター3とともに光源装置
を構成する。光源部1,2からの平行レーザー光束は無
偏光ビームスプリッター3により合流されるとシリンダ
ーレンズ4により主走査対応方向に長い線像に結像さ
れ、線像結像位置近傍に偏向反射面6を有する回転多面
鏡5により等角速度的に偏向され、走査結像レンズであ
るfθレンズ7により被走査面8上に光スポットとして
集光されて被走査面8を光走査する。
【0031】このとき、光源装置から放射された各成分
レーザー光束の光路を互いに完全に同一とし、各成分レ
ーザー光束による光スポットの結像位置が被走査面上で
互いに同一位置となるようにしてもよいし、各成分レー
ザー光束の光路を若干ずらして、各成分レーザー光束に
よる光スポットの結像位置が主走査方向および/または
副走査方向において数ドット分、互いにずれるようにし
ても良い。
レーザー光束の光路を互いに完全に同一とし、各成分レ
ーザー光束による光スポットの結像位置が被走査面上で
互いに同一位置となるようにしてもよいし、各成分レー
ザー光束の光路を若干ずらして、各成分レーザー光束に
よる光スポットの結像位置が主走査方向および/または
副走査方向において数ドット分、互いにずれるようにし
ても良い。
【0032】光源部1,2の各半導体レーザーを別々の
画像信号で変調すれば、互いに異なる画像を同時に重ね
あわせて書き込むことが可能である。
画像信号で変調すれば、互いに異なる画像を同時に重ね
あわせて書き込むことが可能である。
【0033】なお、光源部1,2における各半導体レー
ザーは、その接合面の方向を副走査方向に平行に対応さ
せており、偏向方向は合流されたレーザー光束において
同一方向であり、従って合流されたレーザー光束の各成
分レーザー光束の光スポットは同じものになり、被走査
面上における光強度も実質的に等しい。
ザーは、その接合面の方向を副走査方向に平行に対応さ
せており、偏向方向は合流されたレーザー光束において
同一方向であり、従って合流されたレーザー光束の各成
分レーザー光束の光スポットは同じものになり、被走査
面上における光強度も実質的に等しい。
【0034】変形例として、光源部1,2における半導
体レーザーの態位を調整し、合流されたレーザー光束に
おける、各成分レーザー光束の偏向の方向が互いに直交
するようにすることもできる(請求項3)。この場合、
各成分レーザー光束の光束断面形状は、いずれも楕円形
であるが、その長軸方向が互いに直交しており、被走査
面上における光スポットの形状は各成分レーザー光束ご
とに異なったものになる。このようにして、光源部1,
2を選択的に切り換えて用いるようにすれば、形状の異
なる2種の光スポットによる光走査を選択的に行うこと
が可能である。
体レーザーの態位を調整し、合流されたレーザー光束に
おける、各成分レーザー光束の偏向の方向が互いに直交
するようにすることもできる(請求項3)。この場合、
各成分レーザー光束の光束断面形状は、いずれも楕円形
であるが、その長軸方向が互いに直交しており、被走査
面上における光スポットの形状は各成分レーザー光束ご
とに異なったものになる。このようにして、光源部1,
2を選択的に切り換えて用いるようにすれば、形状の異
なる2種の光スポットによる光走査を選択的に行うこと
が可能である。
【0035】また、図1(b)で説明したような3以上
の半導体レーザーからのレーザー光束を合流させる光源
装置を用い、3以上の画像情報を同時に書き込むように
することも勿論可能である。
の半導体レーザーからのレーザー光束を合流させる光源
装置を用い、3以上の画像情報を同時に書き込むように
することも勿論可能である。
【0036】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば新規な
光源装置および光走査装置を提供できる。この発明の光
源装置は上記の如き構成となっているから、複数の半導
体レーザーからのレーザー光束をその偏光状態に左右さ
れずに容易に合流させて放射させることができる。ま
た、この光源装置を用いた光走査装置では同一の光スポ
ット形状の2以上の成分レーザー光束で互いに異なる画
像情報を同時に書き込んだり、あるいは互いに光スポッ
ト形状の異なる2以上の成分レーザー光束で異なる画像
情報を同時に書き込んだり、あるいは上記2つの成分レ
ーザー光束を選択的に用いることにより書き込み用の光
スポットの形状を換えることが可能である。
光源装置および光走査装置を提供できる。この発明の光
源装置は上記の如き構成となっているから、複数の半導
体レーザーからのレーザー光束をその偏光状態に左右さ
れずに容易に合流させて放射させることができる。ま
た、この光源装置を用いた光走査装置では同一の光スポ
ット形状の2以上の成分レーザー光束で互いに異なる画
像情報を同時に書き込んだり、あるいは互いに光スポッ
ト形状の異なる2以上の成分レーザー光束で異なる画像
情報を同時に書き込んだり、あるいは上記2つの成分レ
ーザー光束を選択的に用いることにより書き込み用の光
スポットの形状を換えることが可能である。
【図1】この発明の光源装置を実施例により説明するた
めの図である。
めの図である。
【図2】この発明の光走査装置の1実施例を略示する斜
視図である。
視図である。
10,12 半導体レーザー 20,22 カップリングレンズ 30 無偏光ビームスプリッター L1,L2 合流されたレーザー光束
Claims (6)
- 【請求項1】実質的に同一波長のレーザー光束を放射す
る複数の半導体レーザーからのレーザー光束を、同一の
光路上に合流させて放射可能な光源装置であって、 2以上の半導体レーザーと、1以上の無偏光ビームスプ
リッターとを有し、 1つの半導体レーザーから放射されて無偏光ビームスプ
リッターを透過するレーザー光束と、他の半導体レーザ
ーから放射されて上記無偏光ビームスプリッターにより
反射されるレーザー光束とが略同一の光路上を進行する
ように、各半導体レーザーおよび各無偏光ビームスプリ
ッターの相対的な位置関係を定めたことを特徴とする光
源装置。 - 【請求項2】請求項1記載の光源装置において、 2個の半導体レーザーと1個の無偏光ビームスプリッタ
ーを有し、合流された各レーザー光束の偏光方向が互い
に同一方向となるように、各半導体レーザーの配設態位
が定められたことを特徴とする光源装置。 - 【請求項3】請求項1記載の光源装置において、 2個の半導体レーザーと1個の無偏光ビームスプリッタ
ーを有し、合流された各レーザー光束の偏光方向が互い
に直交方向となるように、各半導体レーザーの配設態位
が定められたことを特徴とする光源装置。 - 【請求項4】請求項1または2または3記載の光源装置
において、 各半導体レーザーと対応する無偏光ビームスプリッター
との間に、各半導体レーザーからの発散性の光束を平行
光束化するコリメートレンズを有することを特徴とする
光源装置。 - 【請求項5】請求項1または2または3記載の光源装置
において、 各半導体レーザーからのレーザー光束は発散しつつ対応
する無偏光ビームスプリッターに入射し、合流されたレ
ーザー光束が共通のコリメートレンズにより平行光束化
されることを特徴とする光源装置。 - 【請求項6】光源装置からの平行光束を主走査対応方向
に長い線像として結像させ、上記線像の結像位置の近傍
に偏光反射面を持つ光偏向器により偏向させ、偏向光束
を走査結像レンズにより被走査面上に光スポットとして
集光して光走査を行う装置であって、 光源装置として請求項1または2または3または4また
は5記載の光源装置を用いることを特徴とする光走査装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5012768A JPH06222295A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 光源装置および光走査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5012768A JPH06222295A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 光源装置および光走査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06222295A true JPH06222295A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=11814583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5012768A Pending JPH06222295A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 光源装置および光走査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06222295A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6452709B1 (en) | 1996-01-11 | 2002-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multi-beam exposure unit |
US6683708B2 (en) | 1996-01-11 | 2004-01-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multi-beam exposure unit |
JP2005071562A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Daewoo Electronics Corp | ホログラフィックロムシステム |
CN112833781A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-25 | 佛山英智莱科技有限公司 | 一种双光源线结构光传感器 |
-
1993
- 1993-01-28 JP JP5012768A patent/JPH06222295A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6452709B1 (en) | 1996-01-11 | 2002-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multi-beam exposure unit |
US6683708B2 (en) | 1996-01-11 | 2004-01-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multi-beam exposure unit |
JP2005071562A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Daewoo Electronics Corp | ホログラフィックロムシステム |
CN112833781A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-25 | 佛山英智莱科技有限公司 | 一种双光源线结构光传感器 |
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