JPH0153767B2 - - Google Patents
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- JPH0153767B2 JPH0153767B2 JP57109368A JP10936882A JPH0153767B2 JP H0153767 B2 JPH0153767 B2 JP H0153767B2 JP 57109368 A JP57109368 A JP 57109368A JP 10936882 A JP10936882 A JP 10936882A JP H0153767 B2 JPH0153767 B2 JP H0153767B2
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- semiconductor lasers
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- scanning
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 42
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/10—Scanning systems
- G02B26/12—Scanning systems using multifaceted mirrors
- G02B26/123—Multibeam scanners, e.g. using multiple light sources or beam splitters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/10—Scanning systems
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体レーザーを光源部として複数
個用いた走査装置に関するものである。
個用いた走査装置に関するものである。
従来、特開昭54―158251号に見られる様に、半
導体レーザーの光出力部を複数個並べた所謂る半
導体レーザーアレイを使用して走査線ピツチを密
にしようとすると、半導体レーザーアレイの方向
を走査線に対して直交する方向でなく斜めに傾け
る必要がある。この様な半導体レーザーアレイか
らの各光束は、アレイの端面の法線に平行な方向
の光線を中心光線として発散する。
導体レーザーの光出力部を複数個並べた所謂る半
導体レーザーアレイを使用して走査線ピツチを密
にしようとすると、半導体レーザーアレイの方向
を走査線に対して直交する方向でなく斜めに傾け
る必要がある。この様な半導体レーザーアレイか
らの各光束は、アレイの端面の法線に平行な方向
の光線を中心光線として発散する。
第１図は従来の複数ビーム走査装置の一例を示
す図で、半導体レーザー装置１内に設けられた複
数の光出力部１ａ，１ｂから、集光レンズ２の光
軸ｇに平行に各中心光線ha，hbが出射する。こ
れらの中心光線は集光レンズ２の焦点Ｆを通り、
シリンドリカルレンズ３を通過した後偏向器４の
偏向ミラー面４ａ上に到達する。このとき、各光
出力部１ａ，１ｂからの中心光線ha，hbは偏向
ミラー面４ａ上にて、偏向ミラーによる光束の偏
向方向に互いに離れた位置で反射される。
す図で、半導体レーザー装置１内に設けられた複
数の光出力部１ａ，１ｂから、集光レンズ２の光
軸ｇに平行に各中心光線ha，hbが出射する。こ
れらの中心光線は集光レンズ２の焦点Ｆを通り、
シリンドリカルレンズ３を通過した後偏向器４の
偏向ミラー面４ａ上に到達する。このとき、各光
出力部１ａ，１ｂからの中心光線ha，hbは偏向
ミラー面４ａ上にて、偏向ミラーによる光束の偏
向方向に互いに離れた位置で反射される。
シリンドリカルレンズ３は各光出力部１ａ，１
ｂから出射して、集光レンズ２を通過した各光束
は、シリンドリカルレンズ３によつて偏向ミラー
面４ａの近傍に線像が形成される。
ｂから出射して、集光レンズ２を通過した各光束
は、シリンドリカルレンズ３によつて偏向ミラー
面４ａの近傍に線像が形成される。
偏向ミラー面４ａで反射した光束はアナモフイ
ツク走査レンズ系５によつて例えば感光体の如き
被走査媒体６の表面上に結像される。
ツク走査レンズ系５によつて例えば感光体の如き
被走査媒体６の表面上に結像される。
第２図は、第１図と直交する面内の結像の様子
を図示したもので、偏向ミラー面４ａの近傍の点
と感光体表面上の点とを共役関係にするアナモフ
イツク走査レンズを使用している。
を図示したもので、偏向ミラー面４ａの近傍の点
と感光体表面上の点とを共役関係にするアナモフ
イツク走査レンズを使用している。
アナモフイツク走査レンズ５は例えば球面レン
ズ５ａと、トーリツクレンズ５ｂによつて構成さ
れる。
ズ５ａと、トーリツクレンズ５ｂによつて構成さ
れる。
半導体レーザー装置の各光出力部１ａと１ｂか
ら出射した中心光線ha，hbは前述の様に偏向ミ
ラー面４ａ上にて互いに離れた位置に入射する。
すなわち、シリンドリカルレンズ３によつて形成
される線像の中心位置は、複数の光出力部のうち
どれか一つに対応した線像だけはその中心位置を
所望の位置に設置可能であるがそれ以外の線像中
心位置は所望の位置から離れることになる。第２
図の破線で示した光路がこの場合の結像の様子を
示すもので、ずれた線像の中心位置Ｐは、所望の
位置からずれ、レンズ系５によつて、被走査媒体
表面上に結像されなくなり、被走査媒体表面から
離れた点P′に結像され、所謂るデフオーカスが発
生する。偏向ミラー４が回転すると、そのデフオ
ーカス量はさらに著しく大きくなり、被走査媒体
表面上での結像スポツトは大きくなつてしまう。
ら出射した中心光線ha，hbは前述の様に偏向ミ
ラー面４ａ上にて互いに離れた位置に入射する。
すなわち、シリンドリカルレンズ３によつて形成
される線像の中心位置は、複数の光出力部のうち
どれか一つに対応した線像だけはその中心位置を
所望の位置に設置可能であるがそれ以外の線像中
心位置は所望の位置から離れることになる。第２
図の破線で示した光路がこの場合の結像の様子を
示すもので、ずれた線像の中心位置Ｐは、所望の
位置からずれ、レンズ系５によつて、被走査媒体
表面上に結像されなくなり、被走査媒体表面から
離れた点P′に結像され、所謂るデフオーカスが発
生する。偏向ミラー４が回転すると、そのデフオ
ーカス量はさらに著しく大きくなり、被走査媒体
表面上での結像スポツトは大きくなつてしまう。
本発明の目的は、上述した欠点を改良し、半導
体レーザーアレーの様な光源を用いても、被走査
媒体面上で各々のビームスポツトが良好に結像さ
れる様な走査装置を提供することにある。
体レーザーアレーの様な光源を用いても、被走査
媒体面上で各々のビームスポツトが良好に結像さ
れる様な走査装置を提供することにある。
本発明に係る複数ビーム走査装置に於いては複
数の半導体レーザーを光源部として用い、該各々
の半導体レーザーからの光束の中心光線が偏向走
査面と垂直な方向から見て実質的に同一の点を通
過、又は通過するかの如く前記各々の半導体レー
ザーの発光方向を定め、偏向走査面と平行な方向
から見て前記各々の半導体レーザーからの光束の
中心光線の前記同一の点を通過する位置が変位す
るように前記各々の半導体レーザーの発光方向を
定めるとともに、前記同一の点と偏向手段の偏向
反射面の近傍の点とが、偏向走査面、即ち偏向器
の偏向反射面の法線が反射面の回転に伴つて経時
的に形成する面内に於いて、光学的に共役な関係
となる様に光学系を設定することにより、上記目
的を達成せんとするものである。
数の半導体レーザーを光源部として用い、該各々
の半導体レーザーからの光束の中心光線が偏向走
査面と垂直な方向から見て実質的に同一の点を通
過、又は通過するかの如く前記各々の半導体レー
ザーの発光方向を定め、偏向走査面と平行な方向
から見て前記各々の半導体レーザーからの光束の
中心光線の前記同一の点を通過する位置が変位す
るように前記各々の半導体レーザーの発光方向を
定めるとともに、前記同一の点と偏向手段の偏向
反射面の近傍の点とが、偏向走査面、即ち偏向器
の偏向反射面の法線が反射面の回転に伴つて経時
的に形成する面内に於いて、光学的に共役な関係
となる様に光学系を設定することにより、上記目
的を達成せんとするものである。
ここで、各々の半導体レーザーから発散される
光束の中心光線が実質的に同一の点を通過すると
言うことは、偏向走査面に対して垂直な方向から
見ればそれ等の光束の中心光線は、あたかも一点
で交わつている様に見えるが、偏向走査面から見
れば、前記各々の半導体レーザーからの光束の中
心光線は前記交わる点で僅かずつ偏向走査面と直
交する方向に偏位している。
光束の中心光線が実質的に同一の点を通過すると
言うことは、偏向走査面に対して垂直な方向から
見ればそれ等の光束の中心光線は、あたかも一点
で交わつている様に見えるが、偏向走査面から見
れば、前記各々の半導体レーザーからの光束の中
心光線は前記交わる点で僅かずつ偏向走査面と直
交する方向に偏位している。
又、本発明に係る走査装置では、各々の半導体
レーザーからの光束の中心光線は、偏向走査面と
垂直な方向から見て、厳密に一つの点で交わる様
にしなくても、それ等の中心光線が或る領域内に
集束していれば、本発明の目的とする効果を得る
ことが出来るものである。
レーザーからの光束の中心光線は、偏向走査面と
垂直な方向から見て、厳密に一つの点で交わる様
にしなくても、それ等の中心光線が或る領域内に
集束していれば、本発明の目的とする効果を得る
ことが出来るものである。
以下、図面を用いて本発明を詳述する。
第３図は本発明に係る走査装置の原理を示す為
の図で、光源と偏向器の間の光学系を偏向走査面
と垂直な方向から見た図である。１１ａ，１１ｂ
は半導体レーザーであり、各レーザーは共通の基
板であるマウント１０の上にその光束発生面がマ
ウント１０の端面と平行になる様に配されてい
る。半導体レーザーが設けられているマウント１
０の端面１０ａ，１０ｂは、各レーザー１１ａ，
１１ｂからの発散光束の中心光線が同一の点Po
を通過して来たかの如く設定される。換言すれ
ば、半導体レーザー１１ａ，１１ｂが設けられる
位置で、端面１０ａと１０ｂに各々法線をたてる
と、各々の法線がPoを通過する様に、端面１０
ａと１０ｂは設定されている。更に、偏向走査面
と平行な方向から見れば、各々の半導体レーザー
の中心光線のPo点を通過する位置が、偏向走査
面と直交する方向に僅かに変位する様に、マウン
ト上に設けられる半導体レーザーの位置は設定さ
れる。上記Po点と偏向器の偏向反射面１３ａの
所定の近傍の点Ｐとは、結像レンズ１２により光
学的に共役な関係に保たれている。又、各々の半
導体レーザーチツプ１１ａ，１１ｂは、結像レン
ズ１２から等しい距離に配されている。
の図で、光源と偏向器の間の光学系を偏向走査面
と垂直な方向から見た図である。１１ａ，１１ｂ
は半導体レーザーであり、各レーザーは共通の基
板であるマウント１０の上にその光束発生面がマ
ウント１０の端面と平行になる様に配されてい
る。半導体レーザーが設けられているマウント１
０の端面１０ａ，１０ｂは、各レーザー１１ａ，
１１ｂからの発散光束の中心光線が同一の点Po
を通過して来たかの如く設定される。換言すれ
ば、半導体レーザー１１ａ，１１ｂが設けられる
位置で、端面１０ａと１０ｂに各々法線をたてる
と、各々の法線がPoを通過する様に、端面１０
ａと１０ｂは設定されている。更に、偏向走査面
と平行な方向から見れば、各々の半導体レーザー
の中心光線のPo点を通過する位置が、偏向走査
面と直交する方向に僅かに変位する様に、マウン
ト上に設けられる半導体レーザーの位置は設定さ
れる。上記Po点と偏向器の偏向反射面１３ａの
所定の近傍の点Ｐとは、結像レンズ１２により光
学的に共役な関係に保たれている。又、各々の半
導体レーザーチツプ１１ａ，１１ｂは、結像レン
ズ１２から等しい距離に配されている。
第４図は本発明に係る走査装置の他の実施例に
於ける光源と偏向器との間の光学系を偏向走査面
と垂直な方向から見た図、第３図に示す番号と同
一の付番を施こしたものは、同一の部材を示して
いる。第４図に示す装置では、円筒あるいは円板
状のマウント１４の側面（円筒面）の法線方向
に、各発光部からの光束の中心光線が出射する様
に、半導体レーザーチツプ１１ａ，１１ｂを配置
したものである。そして、マウント１４の中心の
位置を前述したPo点に合致させてあるものであ
る。更に、Po点に於ける各半導体レーザーチツ
プの中心光線に関係は第３図で述べた状態と同一
である。その為に、円板状マウント１４は、紙面
に立てた垂直に対して直角に交わることなく、或
る程度角度を有して設けられている。
於ける光源と偏向器との間の光学系を偏向走査面
と垂直な方向から見た図、第３図に示す番号と同
一の付番を施こしたものは、同一の部材を示して
いる。第４図に示す装置では、円筒あるいは円板
状のマウント１４の側面（円筒面）の法線方向
に、各発光部からの光束の中心光線が出射する様
に、半導体レーザーチツプ１１ａ，１１ｂを配置
したものである。そして、マウント１４の中心の
位置を前述したPo点に合致させてあるものであ
る。更に、Po点に於ける各半導体レーザーチツ
プの中心光線に関係は第３図で述べた状態と同一
である。その為に、円板状マウント１４は、紙面
に立てた垂直に対して直角に交わることなく、或
る程度角度を有して設けられている。
第５図は前記第３図及び第４図に示す実施例の
変形実施例を示す図で、マウント１５が矩形状で
あり、平面或いは平板状のマウントの一端面の近
傍に上述した関係を満足する半導体レーザーチツ
プ１１ａ，１１ｂが配されている以外は全く同じ
状態で配されている。
変形実施例を示す図で、マウント１５が矩形状で
あり、平面或いは平板状のマウントの一端面の近
傍に上述した関係を満足する半導体レーザーチツ
プ１１ａ，１１ｂが配されている以外は全く同じ
状態で配されている。
第９図は同じく半導体レーザーチツプが３個配
されている場合の実施例を示すものである。上記
第３図、第４図及び第５図で示す実施例では、半
導体レーザーチツプは２個であるので、各々のレ
ーザーチツプが結像レンズ１２から等しい距離に
配することは容易であつた。尚各半導体レーザー
を結像レンズ１２から等しい距離の位置に配する
のは言うまでもなく、被走査面でそれぞれのビー
ムスポツトをほぼ等しい条件で良好に結像させる
為である。第６図に示す実施例では、３個の半導
体レーザー１１ａ，１１ｂ，１１ｃの光出力部が
１直線上に配列、即ち結像レンズ系１２の光軸に
対して垂直な一平面内に配列する様にしている。
そして各々の発光部からの光束の中心光線が実質
的に一点Poを通過する様に、各々のレーザーチ
ツプは円板状のマウント１６の側面である円筒面
の法線方向に各々の中心光線が射出される様に配
されている。尚、円板状マウント１６のレーザー
チツプを設置した面は、紙面に立てた垂直に対し
ては直角ではなく多少傾むいており、従つて各々
の発光部からの中心光線がPo点で完全に合致す
ることなく、Po点で空間的にねじれの関係にな
る様にしている。光出力部を２ケ使用する場合、
その配列間隔あるいは各中心光線の出射方向のア
ライメント精度を緩和することが可能である。光
出力部の数が２ケの場合に上記の精度が不充分の
場合には各光出力部から出射した光束の中心光線
は偏向面１３ａの近傍の所望の点を通らないが、
偏向面によつて光束が偏向される面に対して垂直
な方向から見た場合、前記２本の中心光線は交わ
るところがある。第７図はその様な場合を示す図
である。この様な場合上記２本の中心光線の交点
Ｐを次の様な方法で偏向ミラー面１３ａの近傍の
所望の位置に合致させる。すなわち、マウント１
４と結像レンズ１２を一体化した光束集光系１７
全体の直交する二方向の平行移動調整あるいは、
第７図の紙面に垂直な軸の回りの回転調整と光線
方向の平行移動の調整によつて、上記２本の中心
光線の交点Ｐを所望の位置に合致させることが可
能となる。
されている場合の実施例を示すものである。上記
第３図、第４図及び第５図で示す実施例では、半
導体レーザーチツプは２個であるので、各々のレ
ーザーチツプが結像レンズ１２から等しい距離に
配することは容易であつた。尚各半導体レーザー
を結像レンズ１２から等しい距離の位置に配する
のは言うまでもなく、被走査面でそれぞれのビー
ムスポツトをほぼ等しい条件で良好に結像させる
為である。第６図に示す実施例では、３個の半導
体レーザー１１ａ，１１ｂ，１１ｃの光出力部が
１直線上に配列、即ち結像レンズ系１２の光軸に
対して垂直な一平面内に配列する様にしている。
そして各々の発光部からの光束の中心光線が実質
的に一点Poを通過する様に、各々のレーザーチ
ツプは円板状のマウント１６の側面である円筒面
の法線方向に各々の中心光線が射出される様に配
されている。尚、円板状マウント１６のレーザー
チツプを設置した面は、紙面に立てた垂直に対し
ては直角ではなく多少傾むいており、従つて各々
の発光部からの中心光線がPo点で完全に合致す
ることなく、Po点で空間的にねじれの関係にな
る様にしている。光出力部を２ケ使用する場合、
その配列間隔あるいは各中心光線の出射方向のア
ライメント精度を緩和することが可能である。光
出力部の数が２ケの場合に上記の精度が不充分の
場合には各光出力部から出射した光束の中心光線
は偏向面１３ａの近傍の所望の点を通らないが、
偏向面によつて光束が偏向される面に対して垂直
な方向から見た場合、前記２本の中心光線は交わ
るところがある。第７図はその様な場合を示す図
である。この様な場合上記２本の中心光線の交点
Ｐを次の様な方法で偏向ミラー面１３ａの近傍の
所望の位置に合致させる。すなわち、マウント１
４と結像レンズ１２を一体化した光束集光系１７
全体の直交する二方向の平行移動調整あるいは、
第７図の紙面に垂直な軸の回りの回転調整と光線
方向の平行移動の調整によつて、上記２本の中心
光線の交点Ｐを所望の位置に合致させることが可
能となる。
第８図Ａ，Ｂは本発明に係る走査装置を適用し
た倒れ補正走査装置の一実施例を示す概略展開図
で、Ａは平面図、即ち、走査面内の光ビームの様
子を示す図、Ｂは正面図、即ち倒れ補正面内の光
ビームの様子を示す図である。各半導体レーザー
２１ａ，２１ｂ，２１ｃより射出された光束は、
第６図で説明した如く各々の中心光線がPoなる
位置から発せられたかの如く各レーザーチツプが
配されており、各々の光束は結像レンズ２３に入
射する。結像レンズ２３は前記Poなる位置と、
偏向器２５の偏向反射面２５ａの近傍の位転Ｐ点
とを光学的に共役な位置とさせる。従つて、走査
面内では、各々の光束の中心光線ha，hb，hcは、
Ｐ点に集束する。
た倒れ補正走査装置の一実施例を示す概略展開図
で、Ａは平面図、即ち、走査面内の光ビームの様
子を示す図、Ｂは正面図、即ち倒れ補正面内の光
ビームの様子を示す図である。各半導体レーザー
２１ａ，２１ｂ，２１ｃより射出された光束は、
第６図で説明した如く各々の中心光線がPoなる
位置から発せられたかの如く各レーザーチツプが
配されており、各々の光束は結像レンズ２３に入
射する。結像レンズ２３は前記Poなる位置と、
偏向器２５の偏向反射面２５ａの近傍の位転Ｐ点
とを光学的に共役な位置とさせる。従つて、走査
面内では、各々の光束の中心光線ha，hb，hcは、
Ｐ点に集束する。
一方、倒れ補正断面内では、半導体レーザー２
１ａ，２１ｂ，２１ｃの各々の発光部の位置と前
記結像レンズ２３の焦平面とほぼ合致する様に設
けられているので各々の光束は結像レンズ２３で
コリメートされる。これ等コリメートされた各々
の光束は、倒れ補正断面内のみにてパワーを有す
る正のシリンドリカルレンズ２４により集光さ
れ、偏向反射面２５ａ近傍に結像する。従つて、
偏向器２５の偏向反射面２５ａの近傍には、第８
図Ｃで示す様に３本の結線L1，L2，L3が偏向器
の回転軸２５ｂの方向に並んで形成されている。
これ等の線像は、特開昭56―36622号公報で示さ
れる様な、球面レンズ２６とトーリツクレンズ２
７より成る走査用レンズ系により、回転ドラム２
８上に良好なスポツトとして結像される。尚、第
８図ＢではL2のみの結像光束を代表として示し
ている。
１ａ，２１ｂ，２１ｃの各々の発光部の位置と前
記結像レンズ２３の焦平面とほぼ合致する様に設
けられているので各々の光束は結像レンズ２３で
コリメートされる。これ等コリメートされた各々
の光束は、倒れ補正断面内のみにてパワーを有す
る正のシリンドリカルレンズ２４により集光さ
れ、偏向反射面２５ａ近傍に結像する。従つて、
偏向器２５の偏向反射面２５ａの近傍には、第８
図Ｃで示す様に３本の結線L1，L2，L3が偏向器
の回転軸２５ｂの方向に並んで形成されている。
これ等の線像は、特開昭56―36622号公報で示さ
れる様な、球面レンズ２６とトーリツクレンズ２
７より成る走査用レンズ系により、回転ドラム２
８上に良好なスポツトとして結像される。尚、第
８図ＢではL2のみの結像光束を代表として示し
ている。
以下に数値例を示す。
第１の数値例として、結像レンズ２３の焦点距
離を11mm、シリンドリカルレンズ２４と偏向ミラ
ー面２５ａとの間隔を100mmとすると結像レンズ
２３とPoの距離は12.36mmとなり、第４図におけ
る実施例において円筒マウント１４の半径は1.36
mmとなる。したがつて半導体レーザーチツプの間
隔を0.4mmとすると、結像レンズ２３の光軸から
各光出力部の光束の中心光線の傾いは各々4.86゜
になる。
離を11mm、シリンドリカルレンズ２４と偏向ミラ
ー面２５ａとの間隔を100mmとすると結像レンズ
２３とPoの距離は12.36mmとなり、第４図におけ
る実施例において円筒マウント１４の半径は1.36
mmとなる。したがつて半導体レーザーチツプの間
隔を0.4mmとすると、結像レンズ２３の光軸から
各光出力部の光束の中心光線の傾いは各々4.86゜
になる。
第２の数値例として、結像レンズ２３の焦点距
離を21mm、シリンドリカルレンズ２４と偏向ミラ
ー面２５ａとの間隔を100mmとすると結像レンズ
２３とPoの距離は26.58mmとなり、第４図におけ
る実施例において円筒マウント１４の半径は5.58
mmとなる。したがつて半導体レーザーチツプの間
隔を0.4mmとすると、結像レンズ２３の光軸から
各光出力部の光束の中心光線の傾きは各々2.05゜
となる。
離を21mm、シリンドリカルレンズ２４と偏向ミラ
ー面２５ａとの間隔を100mmとすると結像レンズ
２３とPoの距離は26.58mmとなり、第４図におけ
る実施例において円筒マウント１４の半径は5.58
mmとなる。したがつて半導体レーザーチツプの間
隔を0.4mmとすると、結像レンズ２３の光軸から
各光出力部の光束の中心光線の傾きは各々2.05゜
となる。
以上、本発明に係る走査装置では簡単な構成で
あるにも拘わらず、複数の走査スポツトが良好な
結像状態で被走査面を走査することを可能にした
ものである。
あるにも拘わらず、複数の走査スポツトが良好な
結像状態で被走査面を走査することを可能にした
ものである。
第１図及び第２図は、従来の複数ビーム走査装
置を示す為の図、第３図、第４図、第５図、第６
図及び第７図は各々、本発明に係る複数ビーム走
査装置を説明する為の図、第８図Ａ，Ｂ，Ｃは本
発明に係る装置を適用した倒れ補正光学系の一実
施例を示す図。 １０，１４，１５，１６…マウント、１１ａ，
１１ｂ，１１ｃ…半導体レーザー、１２…結像レ
ンズ、１３ａ…偏向反射面、１７…光束集光系。
置を示す為の図、第３図、第４図、第５図、第６
図及び第７図は各々、本発明に係る複数ビーム走
査装置を説明する為の図、第８図Ａ，Ｂ，Ｃは本
発明に係る装置を適用した倒れ補正光学系の一実
施例を示す図。 １０，１４，１５，１６…マウント、１１ａ，
１１ｂ，１１ｃ…半導体レーザー、１２…結像レ
ンズ、１３ａ…偏向反射面、１７…光束集光系。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数の半導体レーザーを光源部として用い、
該各々の半導体レーザーからの光束を偏向手段を
用いて被走査面を走査する装置に於いて、 偏向走査面と垂直な方向から見て前記各々の半
導体レーザーからの光束の中心光線が実質的に同
一の点を通過もしくは通過するかの如く前記各々
の半導体レーザーの発光方向を定め、偏向走査面
と平行な方向から見て前記各々の半導体レーザー
からの光束の中心光線の前記同一の点を通過する
位置が変位するように前記各々の半導体レーザー
の発光方向を定め、偏向走査面内において前記同
一の点と偏向手段の偏向反射面の近傍の点とを光
学的に共役とする光学手段を前記光源部と前記偏
向手段との間に設けた事を特徴とする複数ビーム
走査装置。 ２ 前記複数の半導体レーザーが共通の基板上に
設けられている特許請求の範囲第１項記載の複数
ビーム走査装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57109368A JPS59126A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 複数ビ−ム走査装置 |
| DE19833320255 DE3320255A1 (de) | 1982-06-04 | 1983-06-03 | Abtastvorrichtung mit mehreren strahlen |
| US06/504,420 US4571021A (en) | 1982-06-25 | 1983-06-15 | Plural-beam scanning apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57109368A JPS59126A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 複数ビ−ム走査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59126A JPS59126A (ja) | 1984-01-05 |
| JPH0153767B2 true JPH0153767B2 (ja) | 1989-11-15 |
Family
ID=14508462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57109368A Granted JPS59126A (ja) | 1982-06-04 | 1982-06-25 | 複数ビ−ム走査装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4571021A (ja) |
| JP (1) | JPS59126A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0668577B2 (ja) * | 1984-07-20 | 1994-08-31 | 富士ゼロックス株式会社 | レ−ザビ−ム走査装置 |
| GB2169134B (en) * | 1984-11-16 | 1988-11-16 | Canon Kk | Multibeam emitting device |
| JPS61159785A (ja) * | 1985-01-08 | 1986-07-19 | Canon Inc | 半導体装置 |
| DE3716191A1 (de) * | 1986-05-15 | 1987-11-19 | Canon Kk | Halbleiterlaser-anordnung |
| US4799229A (en) * | 1986-05-15 | 1989-01-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array |
| JPH0727123B2 (ja) * | 1986-08-21 | 1995-03-29 | ミノルタ株式会社 | 面倒れ補正走査光学系 |
| DE3750174T2 (de) * | 1986-10-30 | 1994-11-17 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Belichtungseinrichtung. |
| US5196957A (en) * | 1990-03-20 | 1993-03-23 | Olive Tree Technology, Inc. | Laser scanner with post-facet lens system |
| US5247383A (en) * | 1990-03-20 | 1993-09-21 | Olive Tree Technology, Inc. | Scanner with a post facet lens system |
| JPH05142489A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Canon Inc | 光走査装置 |
| JP3222023B2 (ja) | 1994-11-09 | 2001-10-22 | 株式会社東芝 | 光走査装置 |
| US6359640B1 (en) | 2000-04-28 | 2002-03-19 | Lexmark International, Inc. | Method and apparatus for minimizing visual artifacts resulting from laser scan process direction position errors |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4474422A (en) * | 1979-11-13 | 1984-10-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical scanning apparatus having an array of light sources |
-
1982
- 1982-06-25 JP JP57109368A patent/JPS59126A/ja active Granted
-
1983
- 1983-06-15 US US06/504,420 patent/US4571021A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4571021A (en) | 1986-02-18 |
| JPS59126A (ja) | 1984-01-05 |
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