JPH06222082A

JPH06222082A - 電流検出装置

Info

Publication number: JPH06222082A
Application number: JP5011149A
Authority: JP
Inventors: Shoichi Kawamata; 昭一川又; Tadashi Takahashi; 正高橋; Fumio Tajima; 文男田島
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-01-26
Filing date: 1993-01-26
Publication date: 1994-08-12

Abstract

(57)【要約】【目的】磁気抵抗効果素子を用いた検出部と配線部とを
備えた電流検出装置であって、検出部の検出能力を十分
に発揮させることのできる実用的な配線部を備えた電流
検出装置を提供する。【構成】本実施例の電流検出装置は、基板４１と、被測
定電流を流して磁界を発生させるための電流導体部４４
と、バイアス磁界を発生するためのバイアス導体部４３
と、磁気抵抗効果部４２と、複数の配線９８、１０３、
１０２、１０１、１００、９９とを有する。ここで、電
流導体部４４に接続される配線９８、９９は、基板４１
上において、バイアス導体部４３に接続される配線１０
３、１００、および、磁気抵抗効果部４２に接続される
配線１０２、１０１よりも、外縁側に配置される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果を用いて
電流を検出する電流検出装置に関する、特に、高精度で
実用的な電流検出装置に係る。

【０００２】

【従来の技術】従来の磁気抵抗効果を用いて外部の磁界
の大きさを検出する磁気抵抗素子については、例えば特
開平１−２２７４８２号、特開平２−３１２２８７号公
報等に記載されている。

【０００３】特開平１−２２７４８２号公報の磁気抵抗
素子は、外部磁界の印加方向を識別し、かつ、磁気抵抗
体の初期磁化の安定化を図るために、磁気抵抗体にバイ
アス磁界を印加する手段を備えている。

【０００４】また、特開平２−３１２２８７号公報の磁
気抵抗素子は、外部電流の発生する磁界を強めるために
補助的なバイアス磁界を印加する手段を設けている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の技術
は、磁気抵抗素子の検出部についての技術であり、検出
部周辺の配線部分の構成については、特に記載されてい
ない。しかしながら、磁気抵抗素子の場合、検出部周辺
の配線部分の磁界が、検出部に及ぼす影響は大きい。そ
のため、検出部周辺の配線が最適に構成されていない場
合、検出部にノイズを混入させてしまったり、配線部の
信頼性が低下してしまう恐れがある。このような配線部
を備えた磁気抵抗素子では、検出部の検出能力が低下し
てしまうため、高性能な磁気抵抗素子を実用化すること
ができない。

【０００６】本発明の目的は、検出部と配線部を備えた
磁気抵抗効果素子であって、検出部の検出能力を十分に
発揮させることのできる実用的な配線部を備えた磁気抵
抗効果素子を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の態様によれば、基板と、被測定電流
を流して磁界を発生させるための電流導体部と、バイア
ス磁界を発生するためのバイアス導体部と、前記電流導
体部および前記バイアス導体部が発生した磁界を検出す
る磁気抵抗効果部と、前記電流導体部およびバイアス導
体部および磁気抵抗効果部にそれぞれ電流を供給するた
めの複数の配線とを有し、前記電流導体部の配線は、前
記基板上において、前記バイアス導体部に接続される配
線、および、磁気抵抗効果部に接続される配線よりも、
外縁側に配置されていることを特徴とする電流検出装置
が提供される。

【０００８】また、本発明の第２の態様によれば、基板
と、前記基板上にそれぞれ配置された、被測定電流を流
して磁界を発生させるための電流導体部と、バイアス磁
界を発生するためのバイアス導体部と、前記電流導体部
および前記バイアス導体部が発生した磁界を検出する磁
気抵抗効果部と、前記電流導体部およびバイアス導体部
および磁気抵抗効果部に電流を供給するための複数の配
線とを有し、前記基板は、前記基板上に、前記磁気抵抗
効果部を挟んで配置される２つの配線領域を有し、一方
の前記配線領域には、前記電流導体部に接続される配線
が配置され、他方の前記配線領域には、前記バイアス導
体部に接続される配線および磁気抵抗効果部に接続され
る配線が配置されることを特徴とする電流検出装置が提
供される。

【０００９】また、本発明の第３の態様によれば、基板
と、被測定電流を流して磁界を発生させるための電流導
体部と、バイアス磁界を発生するためのバイアス導体部
と、前記電流導体部および前記バイアス導体部が発生し
た磁界を検出する磁気抵抗効果部と、前記電流導体部お
よびバイアス導体部および磁気抵抗効果部に電流を供給
するための複数の配線とを有し、前記バイアス導体部、
磁気抵抗効果部、バイアス導体部の配線、磁気抵抗効果
部の配線は、前記基板の一方の面上に配置され、前記電
流導体部および電流導体部の配線は、前記基板の他方の
面上に配置されていることを特徴とする電流検出装置が
提供される。

【００１０】

【作用】本発明の第１の態様による電流検出装置では、
電流導体部の配線を基板上の最も外縁側に配置すること
により、他の配線や、前記電流導体部、バイアス導体
部、磁気抵抗効果部に外部からのノイズ磁界が侵入する
のを防止する。外部から、ノイズ磁界が、電流導体部の
配線の内側に侵入しようとすると、電流導体部の配線
に、電磁誘導により電流が流れて、ノイズ磁界を打ち消
す磁界を発生する。

【００１１】ノイズ磁界の遮蔽に電流導体部の配線を用
いているのは、つぎのような理由による。ノイズ磁界の
発生源は、電流導体部に被測定電流を供給している電流
回路である可能性が高い。この場合、ノイズ磁界による
誘導電流の大きさは被測定電流に比較すると十分に小さ
い。したがって、被測定電流の流れる電流導体部の配線
部を、最外縁側に配置して遮蔽に用いても、ノイズ磁界
の誘導電流による影響はほとんど受けない。しかし、バ
イアス導体部や磁気抵抗効果部やこれらの配線に流れて
いる電流は、検出感度を高くしようとする場合、通常、
被測定電流より小さく、ノイズ磁界の誘導電流による影
響を受け、かえって検出感度を低下させる可能性が高
い。従って、本発明の第１の態様のように、電流導体部
の配線を用いることにより、検出感度を低下させること
なく、また別途ノイズ遮蔽手段を設けることなく、効果
的にノイズ磁界の侵入を防ぐことができる。

【００１２】また、本発明の第２の態様の電流検出装置
では、電流導体部の配線を、他の配線とは異なる領域に
配置している。被測定電流が大きい場合、電流導体部の
配線がノイズ発生源になる可能性があるが、このように
配置することにより、電流導体部の配線を、他の配線と
分けることができ、他の配線にノイズ磁界が影響する恐
れが無くなる。

【００１３】さらに本発明の第３の態様の電流検出装置
では、電流導体部およびその配線を、基板の裏面側に配
置することにより、電流導体部の配線を基板の裏面全体
を用いて自由に配置することができる。従って、他の配
線との位置関係に左右されることなく、接続抵抗や電圧
降下の小さく安定な配線を容易に構成することができ
る。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明
する。

【００１５】（実施例１）本発明の第１の実施例の電流
検出装置について、図６、図７および図３を用いて、説
明する。本発明の第１の実施例の電流検出装置は、図
６、図３に示すように、基板４１上に、検出部４０と、
配線部と、配線部を介して検出部４０に接続される検出
回路を有している。

【００１６】まず、図３を用いて、本実施例の電流検出
装置の検出部４０の構成について説明する。本発明の電
流検出装置の検出部４０は、図３のように、絶縁性の基
板４１上に、磁気抵抗（以下、ＭＲと記す）部４２、絶
縁体層３１、バイアス導体部４３、絶縁体層３２、電流
導体部４４、絶縁体層３３を順に積層して構成される。
ＭＲ部４２、バイアス導体部４３、電流導体部４４は、
それぞれ、幅数十μｍの線状にパターニングされてい
る。また、ＭＲ部４２、バイアス導体部４３、電流導体
部４４は、絶縁体層３１、３２を介して重なりあうよう
に配置されている。ＭＲ部４２は、磁気抵抗効果を有す
るＮｉＦｅ膜で構成されている。バイアス導体部４３お
よび電流導体部４４は、Ａｌ膜で構成されている。基板
４１は、ガラス製である。また、絶縁体層３１、３２、
３３は、エポキシ系の樹脂で形成されている。

【００１７】ＭＲ部４２、バイアス導体部４３、電流導
体部４４の両端部は、それぞれＬ字形にパターニングさ
れ、後述する配線部と接続するための端子５６、４５、
４６、４７、４８、４９となっている。また、端子５
６、４５、４６、４７、４８、４９が重なるのを避ける
ために、ＭＲ部４２、バイアス導体部４３、電流導体部
の長さは、それぞれ異なる長さに形成されている。

【００１８】本実施例の電流検出装置は、一定電流ｉS
を与える定電流源５０と、基準電圧Ｖrを与える電源５
３と、オペアンプ５２とを備えている。ＭＲ部４２の両
端の端子５６、４５は、後述の配線部を介して、定電流
源５０に接続され、一定電流ｉSが供給される。バイア
ス導体部４３の一方の端子４６は、アンプ５２の出力に
接続され、他方の端子４７は接地され、バイアス導体部
４３に、バイアス電流ｉbを供給する。電流導体部４４
の両端の端子４８、４９には、各々外部端子４８１、４
９１が接続される。この外部端子４８１、４９１は、測
定すべき電流ｉを電流導体部４４に流す。また、アンプ
５２の２つの入力端子には、ＭＲ部４２の端子５１、基
準電圧Ｖrを与える電源５３が、それぞれ接続される。

【００１９】つぎに、本実施例の電流検出装置の配線部
の構成を説明する。図６に示すように、ＭＲ部４２の端
子５６、４５およびバイアス導体部４３の端子４６、４
７および電流導体部４４の端子４６は、検出部４０の長
手方向をｙ軸とした場合、−ｘの方向に引き出されてい
る。また、電流導体部４４の端子４９は、＋ｘの方向に
引き出されている。

【００２０】ＭＲ部４２の端子５６、４５は、配線１０
２、１０１の一端にそれぞれ接続されている。また、バ
イアス導体部４３の端子４６、４７は、配線１０３、１
００の一端にそれぞれ接続されている。電流導体部４４
の端子４８、４９は、それぞれ配線９８、９９の一端に
接続されている。配線１０２、１０１、１０３、１０
０、９８、９９の他端は、端子１０５、１０４、１０
７、１０６、１０９、１０８にそれぞれ接続されてい
る。端子１０５、１０４、１０７、１０６、１０９、１
０８は、基板４１の一辺に一列に配置され、この部分に
は、絶縁体層３１、３２、３３は形成されていない。端
子１０５、１０４、１０７、１０６、１０９、１０８
は、外部端子４８１、４９１、アンプ５２、電源５０、
５３に接続されて前述の図３の検出回路を構成する。

【００２１】ＭＲ部４２と接続される配線１０２、１０
１は、ＭＲ部４２と同材料のＮｉＦｅ膜で構成されてい
る。また、バイアス導体部４３と接続される配線１０
３、１００は、バイアス導体部４３と同材料のＡｌ膜で
構成されている。電流導体部４４と接続される配線９
８、９９も、電流導体部４４と同材料のＡｌ膜で構成さ
れている。配線１０２、１０１、１０３、１００、９
８、９９の線幅は、検出部４０の線幅の１０倍程度に広
い数百μｍにパターニングされ、配線部の抵抗による電
圧効果を減らして、温度などの影響を小さくしている。
ＭＲ部４２と端子５６、４５と配線１０２、１０１と端
子１０５、１０４は、同一の膜をパターニングすること
により一体に形成されている。また、バイアス導体部４
３と端子４６、４７と配線１０３、１００と端子１０
７、１０６は、同一膜で一体に形成されている。電流導
体部４４と端子４８、４９と配線９８、９９と端子１０
９、１０８は、同一膜で一体に形成されている。

【００２２】配線１０２、１０１、１０３、１００、９
８、９９は、絶縁体層３１、３２を介して互いに重なり
あうことのないように、配置されている。また、電流導
体部４４の配線９８、９９は、検出部４０および配線１
０３、１００、１０２、１０１を取り囲むように配置さ
れている。

【００２３】本実施例の電流検出装置の製造方法につい
て、説明する。まず、基板４１上に、ＮｉＦｅ膜を蒸着
により成膜する。次に、このＮｉＦｅ膜をフォトリソグ
ラフィによりパターニングして、ＭＲ部４２と配線１０
２、１０１と端子１０５、１０４を形成する。つぎに、
端子１０５、１０４の配置されている基板４１の一辺を
マスクして、エポキシ系樹脂膜を蒸着法によって成膜し
て、絶縁体層３１を形成する。さらに、この上に、Ａｌ
膜を蒸着により成膜した後、パターニングして、バイア
ス導体部４３と配線１０３、１００と端子１０５、１０
４を形成する。さらに、端子１０５等の配置されている
基板４１の一辺をマスクして、エポキシ系樹脂膜を蒸着
して、絶縁体層３２を形成する。

【００２４】この上に、Ａｌ膜を蒸着により成膜した
後、パターニングして、電流導体部４４と配線９８、９
９と端子１０９、１０８を形成する。最後に、端子１０
９等配置されている基板の一辺をマスクして、エポキシ
系樹脂膜を成膜し、絶縁層３３を形成する。これによ
り、本実施例の電流検出装置の検出部４０と配線部とが
完成する。

【００２５】最後に、配線部の端子１０８、１０６、１
０４、１０５、１０７、１０９に検出回路部のアンプ５
２、電源５０、５３、および外部端子４７１、４９１、
ワイヤボンディング等の接続方法で電気的に接続して、
本実施例の電流検出装置が完成する。

【００２６】つぎに、本実施例の電流検出装置の検出部
４０の動作について、図３を用いて説明する。いま、電
流導体部４４の電流ｉが零の時、基準電圧Ｖrにより、
アンプ５２の出力にはＶ0が発生する。このアンプ５２
により出力される出力電圧Ｖ0により、バイアス導体部
４３には、バイアス電流ｉb0が流れる。バイアス導体部
４３は、バイアス電流ｉb0により磁界Ｈb0を発生し、こ
の磁界Ｈb0がＭＲ部４２に印加される。

【００２７】次に、電流導体部４４に電流ｉ1が流れた
時を考える。電流導体部４４は、電流ｉ１により、磁界
を発生し、この磁界がＭＲ部４２に印加されるため、磁
気抵抗効果によりＭＲ部４２の抵抗値が変化する。ＭＲ
部４２の抵抗が変化すると、アンプ５２の出力は、Ｖ1
になり、この出力電圧Ｖ1によりバイアス導体部４３の
バイアス電流は、電流導体部４４の電流ｉ1による磁界
ＨS1を打ち消すように、Ｉb0からＩb1に変化する。その
結果、ＭＲ部４２に加わる磁界は、Ｈb0に維持される。

【００２８】すなわち、ＭＲ部４２には、電流導体部４
４からの磁界とバイアス導体部４３からの磁界が印加さ
れるが、バイアス導体部４３の磁界は、電流導体部４の
磁界の変化を打ち消すように、増減し、ＭＲ部４２に印
加される磁界は、磁界Ｈb0のままに維持される。そし
て、バイアス導体４３に印加される電圧Ｖの変化（Ｖ0
からＶ1に変化）を、アンプ５２の出力側の端子５４か
ら検出することにより、電流導体部４４の電流の変化を
検出することができる。

【００２９】この動作を図４及び図５を用いて、さらに
説明する。図４は、バイアス導体部４３に電流を流さな
い場合のＭＲ部４２の磁界に対する抵抗の特性を示して
いる。図４のように、ＭＲ部４２を構成する磁気抵抗効
果膜は、通常、ヒステリシスとバルクハウゼンノイズ６
１を有している。従って、磁界０を中心とする正弦波の
入力磁界Ｈｓを印加すると、ＭＲ部４２の抵抗変化Ｒｃ
は、ヒステリシスやバルクハウゼンノイズ６１の影響を
受けて、高調波成分を生じ、なめらかな正弦波が得られ
ない。

【００３０】一方、本実施例の場合には、図５のよう
に、電流導体部４４の電流が零の時に、バイアス導体４
３にバイアス電流ｉS0を流し、ＭＲ部４２に磁界Ｈb0を
印加する。これにより、ＭＲ部４２の抵抗値はＲVとな
る。次に、電流導体部４４に正弦波状の電流ｉが流れた
とすると、この電流ｉにより実線で示した磁界ＨSが生
じるが、先に説明した本実施例の回路により、バイアス
導体部４３の電流Ｉbを変化させて、磁界ＨSを打ち消す
ようにバイアス磁界Ｈbを生じさせる。これにより、Ｍ
Ｒ部４２の磁界は、常にバイアス磁界Ｈb0に保たれる。
従って、ＭＲ部４２の抵抗値は、図中のＲVの様に常に
一定に保たれ、ＭＲ部４２を構成する磁気抵抗効果膜
が、バルクハウゼンノイズ６１や、ヒステリシスを有し
ていても、バルクハウゼンノイズ６１や、ヒステリシス
の影響を受けることがない。また、アンプ５２からバイ
アス導体部４３に印加される電圧を検出することによ
り、電流導体部４４の電流ｉSに比例した信号が得られ
る。

【００３１】以上説明したように、本実施例の電流検出
装置の検出部４０では、ＭＲ部４２のヒステリシス及び
バルクハウゼンノイズの影響を受けない小型、高精度な
電流検出が可能となる。

【００３２】つぎに、本実施例の電流検出装置の配線部
の作用について説明する。本実施例の配線部では、電流
導体部４４に接続されている配線９８、９９が、検出部
４０および配線１０３、１００、１０２、１０１を囲む
ように配置されている。本実施例の電流検出装置を実用
化した場合、本実施例の電流検出装置は、検出すべき電
流が信号として流れている回路に接続されるので、この
回路からの発生されるノイズ磁界が電流検出装置に侵入
する恐れがある。本実施例の配線部では、配線９８、９
９で、検出部４０および配線１０３、１００、１０２、
１０１を囲んでいるで、このノイズ磁界が検出部４０お
よび配線１０３、１００、１０２、１０１に侵入するの
を防止することができる。すなわち、配線９８、９９で
形成するループの内側にノイズ磁界が流入した場合、電
磁誘導により配線９８、９９に電流が流れ、ノイズ磁界
を打ち消す磁界を発生する。ノイズ磁界の発生源は、検
出すべき電流の流れている電気回路であるので、電磁誘
導により配線９８、９９に流れる電流の大きさは、検出
すべき電流に比較して十分に小さく、検出精度を劣化さ
せる恐れはない。このノイズを打ち消す作用は、配線９
８、９９で形成するループの内側に流入するすべての磁
界について生じるので、基板４１面に垂直方向から流入
する磁界についても、効果的に打ち消すことができる。

【００３３】このように、本実施例の電流検出装置の配
線部は、外部から検出部４０に侵入しようとするノイズ
磁界を打ち消すので、検出部４０がノイズ磁界の影響を
受けることはなく、検出部４０は精度よく検出を行うこ
とができる。また、本実施例の電流検出装置の構成で
は、ノイズ磁界の遮断に配線９８、９９を利用している
ので、別途ノイズ磁界遮断のための手段を設ける必要が
なく、コンパクトな電流検出装置を実現することができ
る。

【００３４】さらに、本実施例の電流検出装置の配線部
では、配線９８、９９、１０３、１００、１０２、１０
１が、絶縁体層３１、３２を介して交差することのない
ように配置している。このように配置することで、絶縁
体層３１、３２にピンホール等の欠陥が生じた場合に
も、配線間で短絡する恐れがなく、信頼性を高めること
ができる。これにより、配線部での絶縁体層３１、３２
のピンホール等の欠陥をある程度許容することができる
ので、製造時の歩留まりを向上させることができる。ま
た、薄い絶縁体層３１、３２で高い信頼性を得ることが
できるので、素子の厚さを薄くすることができる。さら
に絶縁体層の成膜時間を短縮できるので、製造効率を向
上させることができる。なお、薄い絶縁体層３１、３２
を配置した場合、配線９８、９９、１０３、１００と端
子１０７、１０６、１０５、１０４との接続部での段差
を小さくすることができので、段差部での段切れを防止
することができる。

【００３５】さらに、本実施例の配線部では、端子１０
９、１０８、１０７、１０６、１０５、１０４を基板４
１の一辺に一列に配置しているので、端子１０９、１０
８、１０７、１０６、１０５、１０４の占めるスペース
を節約することができ、小型の電流検出装置を提供でき
る。さらに、一列に配置しているので、ボンディングや
はんだ付けやコネクタによって、アンプ５２や電源５
０、５３と容易に接続することが可能である。

【００３６】尚、絶縁体層３１、３２、３３は、エポキ
シ系樹脂に限らず、ＳiＯ2や他の樹脂などを使用でき、
一層だけでなくＳiＯ2と樹脂のように二層構造にして、
さらに絶縁性を上げることもできる。

【００３７】（実施例２）次に本発明の第２の実施例を
図１を用いて説明する。

【００３８】本実施例の電流検出装置は、検出部４０と
配線部と検出回路部を有している。検出部４０と配線部
とは、基板１１上に一体に形成されている。検出回路部
の構成は、第１の実施例と同様であるので図示および説
明を省略する。検出部４０の構成は、第１の実施例と同
様の構成であるので説明を省略する。本実施例では、検
出部４０と配線部とを接続する端子のうち、ＭＲ部４２
の端子３８、３９およびバイアス導体部４３の端子３
６、３７を、検出部４０の長手方向をｙ軸とした場合の
−ｘ方向に配置し、電流導体部４４の端子３４、３５を
＋ｘ方向に配置している。

【００３９】次に、本実施例の配線部の構成について説
明する。

【００４０】ＭＲ部４２の端子３８、３９は、それぞれ
配線２２、２１の一端に接続されている。バイアス導体
部４３の端子３６、３７は、それぞれ配線２３、２０の
一端に接続されている。電流導体部４４の端子３４、３
５は、それぞれ配線１８、１９の一端に接続されてい
る。配線２２、２１の他端は、端子２５、２４に接続さ
れている。配線２３、２０の他端は、端子２７、２６に
接続されている。配線１８、１９の他端は、端子２９、
２８に接続されている。配線２２、２１、２３、２０、
１９、１８は、互いに絶縁体層１５、１６を介して、交
差することのない様に配置されている。

【００４１】端子２５、２４、２７、２６、２９、２８
は、外部端子やアンプや電源に接続するために、基板１
１の一辺に一列に配置されている。基板１１の上に配置
されるＭＲ部４２は、配線２１、２２と一体に形成さ
れ、それぞれ端子２４、２５に接続されている。端子２
４、２５は隣り合っている。配線２１、２２は、ＭＲ部
２の素線幅よりも広い幅で構成し、配線による抵抗の影
響を小さくしている。

【００４２】また、バイアス導体部４３は、図２に示す
ように絶縁体層１５を介してＭＲ部４２の上に平行して
配線２０、２３と一体に形成されている。このバイアス
導体部４３の配線２０、２３は、バイアス導体部４３と
同じ材料で構成し、前記配線２１、２２と交差しないよ
うな配置で、それぞれ端子２６、２７に接続している。
すなわち、バイアス導体部４３の一端は、バイアス導体
部４３の素線材料と同じ材料の配線２０により、端子２
４に隣接した端子２６に接続される。また、バイアス導
体部４３の他端は、同様に配線２３により、端子２５に
隣接する端子２７に接続し、配線２０、２３がＭＲ部４
２の配線２１、２２を囲むような構成としている。この
配線２０、２３はバイアス導体部４３の素線幅よりも広
い幅で構成し、配線抵抗による電圧降下を減らして温度
などの影響を小さくしている。

【００４３】一方、電流導体部４４は、図２に示すよう
に絶縁体層１６を介してバイアス導体部４３の上に平行
して配線１８、１９と共に配置されている。この電流導
体部４４の配線１８、１９は、電流導体部４４と同じ材
料で構成され、配線の一方（この例では、配線１８)が
ＭＲ部４２及びバイアス導体部４３の配線２０、Ｌ4、
２２および２３に隣接しない構成としている。すなわ
ち、電流導体部４４の一端は、端子２６に隣接した端子
２８に配線１９により接続している。また、電流導体部
４４の他端は、端子２８に隣接した端子２９に配線１８
により接続されている。この配線１８、１９は、電流導
体部４４の素線幅よりも広い幅で構成し、配線抵抗によ
る電圧降下を減らして温度などの影響を小さくしてい
る。

【００４４】従って、端子２４、２５、２６、２７、２
８及び２９の機能を、図３に対応させて説明すると、端
子２４は、一方を接地した定電流源ＩSを介してアンプ
５２の負入力に接続される。端子２６は、アンプ５２の
出力端子５４に接続される。端子２５、２７は、グラン
ドラインに接続される。端子２８、２９は、被検出用の
電流の外部端子４８１、４９１と接続される。

【００４５】このように、本発明の電流検出装置によれ
ば、電流導体部４４の配線１８、１９を基板１１の端子
のうち、最外側の隣接する２９、２８の２個を使用し、
残りの端子を素線長さの長い方(本例では、バイアス導
体部４３)の配線２０、２３が素線長さの短い方(本例で
は、ＭＲ部４２)の配線２１、２２を囲むように、それ
ぞれの端子２６、２７及び２４、２５に接続することに
より、それぞれの配線が交差することなく構成でき、製
作プロセス上の配線段切れや絶縁膜間での短絡を防止す
ることが可能となり、信頼性の向上が図れる。さらに
は、被測定電流の端子２８、２９を隣接する構成として
いるので、ＭＲ部及びバイアス導体部の端子との誤配線
も防止できる効果がある。

【００４６】（実施例３）図８及び図９を用いて、本発
明の第３の実施例の電流検出装置について説明する。

【００４７】本実施例の電流検出装置は、検出部４０と
配線部と検出回路部とを有する。検出部４０および配線
部は、図８に示すように、基板１２１上に一体に形成さ
れている。検出回路部は、第１の実施例と同様の構成で
あるので、図示および説明をを省略する。また、検出部
４０も、第１の実施例と同様の構成であるので説明を省
略する。

【００４８】本実施例の電流検出装置の配線部について
説明する。本実施例では、バイアス導体部４３の一方の
配線と電流導体部４４の一方の配線を共通の配線１３２
としている。ＭＲ部４２及びバイアス導体部４３の一端
を、絶縁体層１２５、１２６のスルーホール１３９、１
４０により共通配線１３２に接続している。すなわち、
絶縁体層１２５には、ＭＲ部４２との接続のためのスル
ーホール１４０が、また、絶縁体層１２６には、バイア
ス導体部４３との接続のためのスルーホール１３９が設
けられている。絶縁体層１２６の上に配置される電流導
体部４４及び配線１２８と共に、共通配線１３２が配置
され、それぞれ、スルーホール１４０、１３９を介して
ＭＲ部４２及びバイアス導体部４３の一端と電気的に接
続される。

【００４９】このように共通配線１３２を配置した場
合、ＭＲ部４２及びバイアス導体部４３のグランドライ
ンを一点で構成できるので、グランドラインが安定し、
誤動作の無い電流検出装置を提供できるという効果が得
られる。さらには、本実施例では共通配線１３２を２つ
の端子部１３４、１３６に接続する構成としているが、
このように、共通配線１３２の幅を広くして、２つの端
子で外部のグランドと接続することにより、共通配線１
３２の配線抵抗、端子部１３６、１３４の接触抵抗を低
減することができる。また、端子部１３６、１３４の接
触強度を強くすることができる。

【００５０】目的、用途に応じては、端子部１３６、１
３４を１つの端子部で構成してもよい。この場合には、
端子部を１つ削除することができるので、電流検出装置
の小型化が図れ、歩留まりを向上できる効果が得られ
る。また、共通配線１３２を構成する材料は、電流導体
部４４及びその配線１２８、１３２とは異なる材料、例
えば銅あるいは銅合金で構成してもよい。このように材
料を変えることで、電気抵抗の小さな配線材料で構成で
きる（実施例４）図１０及び図１１を用いて本発明の第４の
実施例の電流検出装置について説明する。

【００５１】本実施例の電流検出装置は、検出部４０と
配線部と検出回路部とを有する。検出部４０および配線
部は、図１０に示すように、基板１４１上に一体に形成
されている。検出回路部は、第１の実施例と同様の構成
であるので、図示および説明を省略する。また、検出部
４０も、第１の実施例と同様の構成であるので説明を省
略する。

【００５２】本実施例の電流検出装置の配線部について
説明する。本実施例の配線部は、ＭＲ部４２、バイアス
導体部４３及び電流導体部４４の素線材料とは異なる素
線材料で構成されている。それぞれの配線は、絶縁体層
１４５、１４６に設けたスルーホール１６２、１６３、
１６４、１６５および接続部１６０、１６１により、検
出部に接続されている。

【００５３】すなわち、絶縁体層１４５には、ＭＲ部４
２との接続のためのスルーホール１６３、１６４が、ま
た、絶縁体層１４６には、バイアス導体部４３との接続
のためのスルーホール１６２、１６５が設けられてい
る。絶縁体層１４６の上には、電流導体部４４及び配線
と共に、配線１５１、１５２及び１５０、１５３が配置
されている。配線１５１、１５２は、それぞれ、スルー
ホール１６３、１６４を介してＭＲ部４２に接続されて
いる。また、配線１５０、１５３は、スルーホール１６
２、１６５によりバイアス導体部４３に電気的に接続さ
れる。更に、電流導体部４４の配線１４８、１４９は、
素線材料と異なる配線材料(例えば、銅など)で構成さ
れ、接続部１６０、１６１を介して電気的に接続され
る。

【００５４】このような構成とした場合、それぞれの配
線材料を電流容量に応じて選択できるため、最適な電流
密度で動作させることができ、また、配線部における発
熱などによる影響がなくなり、更なる信頼性の向上が図
れる効果が得られる。また、配線部１４８、１４９、１
５０、１５１、１５２及び１５３の配線構造をクロムと
アルミなどの２層構造としてもよい。この場合には、ク
ロムと絶縁基板１４１に接着性のよいアルミをこれらの
間に挟むことで接着性がよくなり、配線部の信頼性が飛
躍的に向上する。

【００５５】（実施例５）図１２及び図１３を用いて、
本発明の第５の実施例の電流検出装置について説明す
る。本実施例は、電流検出装置の検出部４０の素線方向
に垂直な方向について小型化を図った一実施例を示した
ものである。

【００５６】本実施例の電流検出装置は、検出部４０と
配線部と検出回路部とを有する。検出部４０および配線
部は、図１２に示すように、基板１８１上に一体に形成
されている。検出回路部は、第１の実施例と同様の構成
であるので、図示および説明を省略する。また、検出部
４０も、第１の実施例と同様の構成であるので説明を省
略する。

【００５７】本実施例の電流検出装置の配線部について
説明する。本実施例の配線部は、ＭＲ部４２、バイアス
導体部４３及び電流導体部４４の配線１９１、１９０、
１８９及び１９２、１９３、１８８を、それぞれ端子１
９４、１９６、１９８及び１９５、１９７、１９９に接
続したデュアルインラインタイプの配線である。すなわ
ち、ＭＲ部４２、バイアス導体部４３及び電流導体部４
４の一端は、配線１９１、１９０及び１８９により、絶
縁基板１８１上の縁部の一辺に設けられた端子１９４、
１９６及び１９８に接続されている。また、ＭＲ部４
２、バイアス導体部４３及び電流導体部４４の他端は、
同様に配線１９２、１９３及び１８８により、基板１８
１上の縁部の別の一辺に設けた端子１９５、１９７、１
９９に接続されている。基板１８１の縁部のうち、端子
１９４、１９６および１９８が設けられている一辺と、
端子１９５、１９７および１９９が設けられている一辺
とは、それぞれ、検出部４０の素線方向に垂直な辺であ
り、互いに対向している。

【００５８】このような構成の電流検出装置において
は、端子部の幅は、検出部の素線幅に対して、おおよそ
十数倍〜数十倍の値となり、端子部の数は、電流検出装
置の大きさを決める重要なキーポイントである。このた
め、図１２のようなデュアルインラインの構成とするこ
とにより、一列に並ぶ端子部の数(横方向)を半分にでき
るため、電流検出装置の検出部４０の素線方向に垂直な
方向についての大きさを、ほぼ半分にできるので、飛躍
的な歩留まりの向上が図れる効果が得られる。

【００５９】（実施例６）図１４及び図１５を用いて本
発明の第６の実施例について説明する。本実施例は、Ｍ
Ｒ部４２、バイアス導体４３と電流導体４４の配線を左
右に分離した構成の他の実施例を示したものである。

【００６０】本実施例の電流検出装置は、検出部４０と
配線部と検出回路部とを有する。検出部４０および配線
部は、図１４に示すように、基板２１１上に一体に形成
されている。検出回路部は、第１の実施例と同様の構成
であるので、図示および説明を省略する。また、検出部
４０も、第１の実施例と同様の構成であるので説明を省
略する。

【００６１】本実施例では、ＭＲ部４２、バイアス導体
部４３及び電流導体部４４の配線２２３、２２２、２２
１、２２０及び２１９、２１８は、基板２１１の縁部の
対向する２辺に設けられた端子部２２６、２２４、２２
５、２２７および端子部２２８、２２９に接続してい
る。すなわち、電流導体部４４の配線２１８及び２１９
を検出部の長手方向をｙ軸とした場合の＋ｘ側に配置
し、ＭＲ部２１５の配線２２５、２２２およびバイアス
導体部４３の配線２２０、２２３を−ｘ側に配置してい
る。各配線は、検出部の長手方向に直交する様に配置さ
れている。

【００６２】このような構成とした場合、電流導体部４
４に被測定電流を流すための端子部２２８、２２９と、
ＭＲ部４２、バイアス導体部４３の端子部２２７、２２
５、２２４、２２６とを空間的に完全に分離できるた
め、配線相互間の短絡を防止できる。また、端子２２
７、２２５、２２４、２２６、２２９、２２８を検出回
路部と接続する時の誤配線を防止できる効果が得られ
る。また、電流導体部４４の配線２１８、２１９を、Ｍ
Ｒ部４２およびバイアス導体部４３の配線２２０、２２
１、２２２、２２３から遠ざけているので、大電流を検
出するような場合に、配線２１８、２１９に大電流が流
れることによる誘導ノイズが配線２２０、２２１、２２
２、２２３に流入する事が防止され、大電流を精度よく
検出することができる。また、配線２１８、２１９を検
出部と直交するように配置しているので、誘導ノイズの
影響がＭＲ部４２およびバイアス導体部４３に及びにく
い。

【００６３】（実施例７）図１６、図１７及び図１８を
用いて、本発明の第７の実施例の電流検出装置について
説明する。本実施例は、バイアス導体３あるいはＭＲ部
２との絶縁耐圧を高くしたい場合に適した実施例を示し
たものである。

【００６４】本実施例の電流検出装置は、検出部４０と
配線部と検出回路部とを有する。検出部４０および配線
部は、図１６、図１８に示すように、基板２４１の両面
に形成されている。検出回路部は、第１の実施例と同様
の構成であるので、図示および説明を省略する。検出部
４０のうち、ＭＲ部４２およびバイアス導体部４３は、
基板２４１の上面に配置されている。また、電流導体部
４４は、基板２４１の下面に配置されている。

【００６５】本実施例の電流検出装置の配線部について
説明する。本実施例では、絶縁基板２４１の一方の面
に、ＭＲ部４２及びバイアス導体部４３の配線２４９、
２５０、２４８及び２５１を絶縁体層２４５、２４６を
介して配置している。本実施例では、絶縁体層２４５の
スルーホール２５９により配線２５０とＭＲ部４２の一
方を接続している。また、バイアス導体部４３の一方
は、接続部２５８により配線２５１と接続している。配
線２５０、２５１の他端は、絶縁基板２４１の同一方向
に設けた端子部に接続する構造としている。

【００６６】また、電流導体部４４は、絶縁基板２４１
の他方の面に、図１７に示すように、ＭＲ部４２の素線
とほぼ同じ位置に配置している。この配線は、図１８に
示すようにＭＲ部４２及びバイアス導体部４３と同じ数
である４個の端子部２７１、２７０、２６９、２６８を
使用する。４個の端子は、電流導体部４４の被測定端子
の端子部として、それぞれ２個づつ使用する構成として
いる。すなわち、電流導体部４４の一端(端子部側)は、
配線２６５の幅を広くして、端子部２６９、２６８に接
続している。また、電流導体部４４の他端(反端子部側)
は、配線２５２、２５３により、それぞれ絶縁基板２４
１の両側の端子部２７０、２７１に接続している。電流
導体部４４の配線２５２、基板２４１を挟んで、ＭＲ部
４２の配線２５０と平行に配置されている。電流導体部
４４の配線２５３は、基板２４１を挟んで、バイアス導
体部４３の配線２５１と配向に配置されている。

【００６７】本実施例の配線部は、電流導体部４４の配
線を基板の下面側に配置したことにより、電流導体部４
４の配線を広く面積を用いて配置できる。これにより、
配線抵抗を小さくでき、余裕のある電流密度で動作させ
ることができ、温度による影響及び信頼性を高めること
ができる。尚、電流導体部４４などの構成については、
銅板或いは銅箔などを張り付けて構成してもよい。この
場合、電流導体部４４などの電圧降下を小さくでき、さ
らには、比較的大きな電流検出が可能となる効果が得ら
れる。

【００６８】（実施例８）図１９、図２０および図２１
を用いて、本発明の第７の実施例の電流検出装置につい
て説明する。本実施例は、被測定電流が大きい場合に適
した他の一実施例を示したものである。

【００６９】本実施例の電流検出装置は、検出部４０と
配線部と検出回路部とを有する。検出部４０および配線
部は、図１９、図２０、図２１に示すように、基板２４
１の両面に形成されている。検出回路部は、第１の実施
例と同様の構成であるので、図示および説明を省略す
る。検出部４０のうち、ＭＲ部４２およびバイアス導体
部４３は、基板２４１の上面に配置されている。

【００７０】また、電流導体部４４は、基板２４１の下
面に配置されている。本実施例において、電流導体部４
４は、エナメル銅線などのようなに絶縁被覆２９６のあ
る導線２９５によって、構成されている。電流導体部４
４は、基板２８１を挟んで、ＭＲ部４２と重なる位置に
配置されている。この絶縁被覆２９６のある導体２９５
は、図２１のように任意の長さで絶縁基板２８１に接着
剤で固定している。

【００７１】このように、電流導体部４４を導線２９５
で構成することにより、膜で構成した場合に比べて抵抗
を小さくすることができる。したがって、被測定電流と
して大電流が流れた場合にも、発熱や電圧降下が小さ
く、信頼性が高い。

【００７２】尚、電流導体部４４として絶縁被覆の無い
裸導線を用いても被測定電流を高めることができるが、
この場合は、必要に応じて、導線を覆うように絶縁体層
を配置してもよい。

【００７３】また、導線２９５および絶縁被覆２９６か
ら構成した電流導体部４４の配置構成については、図２
２及び図２３に示すように、Ｕ字型及びコの字型として
もよい。図２２のように、Ｕ字型に配置した場合、被測
定電流を供給する外部端子４８１、４９１を基板２８１
の一辺において接続することができるので、外部配線の
引き回しが無くなり耐ノイズ性が向上する効果がある。

【００７４】また、図２３のように、コの字型に配置す
ることにより、絶縁基板２８１上に配置され絶縁被覆部
２９６を備えた導体２９５の長さが短くできる。これに
より、特に大電流の場合などに、図２２に示したＵ字型
の戻り側の被測定電流によるＭＲ部４２などへの影響を
なくすことができる効果がある。

【００７５】また、図２４〜図３０は、絶縁被覆２９６
と導線２９５からなる電流導体部４４の配置に係る他の
一実施例を示すものであり、絶縁導線の端部を所定の長
さだけ絶縁被覆２９６を削除し、導線２９５を露出させ
た構成を示したものである。特に、図２８及び図２９に
示すように、直接、プリント板４０５などに半田４０７
により半田付けができる効果がある。

【００７６】また、図２７のように、基板２８１に垂直
な方向に導線２９５を折り曲げてもよい。この場合、プ
リント板４０５などに装着したときに、電流検出装置の
高さの影響を最小限にできる効果がある。尚、絶縁導線
２９５は、図３０のように絶縁基板１の端子部４２４及
び４２３に接続してもよいことは言うまでもない。

【００７７】（実施例９）図３１、図３２、図３３は、
上述の第１から第８の実施例に示した電流検出装置を搭
載した装置の実施例である。電流検出装置の応用例でモ
ータの電流制御に応用した例である。電流指令入力端子
４４１とモータ回路５０１に接続した本実施例の電流検
出装置５０２の出力ＶOを加算点４４２で偏差をとり、
その出力を増幅器５０３でＧ１倍に増幅してモータ５０
１を駆動する。従って、この構成では、加算点４４２の
偏差が零に成るように動作するので、モータ５０１の電
流と指令電流が同じになるように制御される。

【００７８】このような装置において、電流検出装置５
０２に、図１〜図３０に示した本実施例の電流流検出装
置を使用するので、電流検出精度が向上し、モータ５０
１を高精度に制御することができる。また、本実施例の
電流検出装置は小型であるので、装置全体が小型にな
る。また、電流検出装置５０２を他のモータ制御回路と
共にプリント基盤の上に配置できる。

【００７９】図３２は他の実施例であり、速度制御装置
に応用した例である。速度指令入力端子４５１とモータ
５０４の速度を検出するエンコーダ５０５からの速度信
号ＳＭを加算点４５４で比較して偏差をとり、その値を
増幅器５０７で係数Ｇ２倍して電流指令ＳＩとする。次
に電流指令ＳＩとモータ５０４に接続した電流検出装置
５０６の出力ＶOを加算点４５４で偏差をとり、その出
力を増幅器５０８でＧ１倍に増幅してモータ５０４を駆
動する。

【００８０】従って、この構成では加算点４５２の偏差
が零に成るように動作するのでモータ５０４の速度と指
令速度端子４５１に入力する信号ＳＳが同じになるよう
に制御される。この電流検出装置５０６に図１〜図３０
のような本実施例の電流検出装置を使用するので、電流
検出精度が向上し、高精度の速度制御ができる。また、
装置が小型になり、更に電流検出装置５０６を他のモー
タ制御回路と共にプリント基盤の上に配置できる。

【００８１】図３３は他の実施例であり、位置制御装置
に応用した例である。位置指令信号ＳＰを入力する端子
４７１とモータ５０９の位置を検出するエンコーダ５１
０からの位置信号ＰＭを加算点４７２で比較して偏差を
とり、その値を増幅器５１１で係数Ｇ３倍して速度指令
ＳＳとする。この速度指令ＳＳとモータ５０９の速度を
検出するエンコーダ５１０からの速度信号４７９を加算
点４７４で比較して偏差をとり、その値を増幅器５１２
で係数Ｇ２倍して電流指令ＳＩとする。次に電流指令Ｓ
Ｉとモータ回路５０９に接続した電流検出装置５１３の
出力ＶOを加算点４７６で偏差をとり、その出力を増幅
器５１４でＧ１倍に増幅してモータ５０９を駆動する。

【００８２】従って、この構成では加算点４７２の偏差
が零に成るように動作するので、モータ位置と指令位置
ＳＰが同じになるように制御され位置制御が行われる。
この電流検出装置５０９に、図１〜図３０のような本実
施例の電流検出装置を使用するので、電流検出精度が向
上し、高精度の位置制御ができる。また、電流検出装置
が小型であるので、位置制御装置が小型になり、更に電
流検出装置５１３を他のモータ制御回路と共にプリント
基盤の上に配置できる。

【００８３】尚、上述の各実施例において、ＭＲ部４２
は、強磁性体磁気抵抗効果素子あるいは半導体磁気抵抗
効果素子のいずれでも同様の動作をするので、どちらで
も用いることができる。また、前記磁気抵抗効果素子と
同様な動作をする磁電変換素子を使用しても、同じ効果
が得られることは言うまでもない。

【００８４】上述の図１から図３０に示した第１の実施
例から第９の実施例は、以上述べたように構成されてい
るので以下に記載されるような効果が得られる図１に示
した電流検出装置では、電流導体部４４の配線を接続す
る端子として、絶縁基板１１に設けられた端子部のう
ち、最外側の隣接する２個を使用している。また、ま
た、素線長さの長いバイアス導体部４３の配線が、素線
長さの短いＭＲ部４２の配線を囲むように、配線し、こ
れらを残りの端子部に接続している。これにより、それ
ぞれの配線が交差することなく構成でき、配線間の干渉
を防止できると共に、外部端子４８１、４９１と接続す
る被測定電流の端子部を隣接するように構成としている
ので、他の端子部との誤配線と防止できる効果がある。

【００８５】また、図６に示した電流検出装置では、通
電電流の大きな電流導体部４４の配線が、ＭＲ部４２及
びバイアス導体４３の配線を囲む構成とすることによ
り、外乱による耐ノイズ性が向上し、信頼性の高い電流
検出装置を提供できる。

【００８６】さらには、図８に示した電流検出装置で
は、ＭＲ部４２及びバイアス導体４３の配線の一方を共
通にして、広幅の配線することにより、安定したグラン
ドラインで動作し、誤動作の無い電流検出装置が得られ
る。また、この構成では、共通配線の端子を１つにする
ことができるので、電流検出装置の小型化が図れる。

【００８７】さらに、図１０に示した電流検出装置で
は、ＭＲ部４２、バイアス導体部４３及び電流導体部４
４と、それぞれの配線を、別の材料で構成とすることに
より、配線部を最適な電流密度にする材料で構成するこ
とができる。したがって、最適な電流密度で動作するこ
とになり、更なる信頼性の向上が図れる。

【００８８】さらに、図１２に示した電流検出装置で
は、絶縁基板１８１の縁部の二辺に、分けて配置したこ
とにより、絶縁基板の縁部の一辺に並ぶ端子の数が半分
となり、電流検出装置の更なる小型化が図れる。

【００８９】また、図１４に示した電流検出装置では、
端子部を、絶縁基板１８１の縁部のうち、検出部４０の
素線方向と平行な対向する二辺に設けた。そして、その
内の一辺の端子部を、電流導体部４４用の端子部とし、
他辺の端子部をＭＲ部４２、バイアス導体部４３用の端
子部とした。これにより、電流導体部４４の端子部と、
ＭＲ部４２及びバイアス導体部４３の端子部を完全に分
離できるので、これらの配線間でのノイズの混入の防
止、並びに、配線間の短絡を防止できると共に、外部接
続時の誤配線を完全に無くすことができる。

【００９０】また、図１６に示した電流検出装置では、
電流導体部４４を基板の下面側に、ＭＲ部４２およびバ
イアス導体部４３を基板の上面側に配置することによ
り、電流導体部４４の配線を基板の下面上に自由に配線
できる。また、電流導体部４４を銅板あるいは銅箔など
で構成するか、あるいは、電流導体を絶縁被膜のある導
線(絶縁導線)で構成することにより、大電流の検出が可
能となると共に、絶縁耐圧を高めることができる。

【００９１】また、図２１から図３０に示した電流検出
装置では、電流導体部４４を導線で構成することによ
り、抵抗および電圧降下を小さくすることができ、大き
な被検出電流を流すことができる。また、絶縁導線の両
端部を所定の長さだけ絶縁被膜を除去することにより、
直接プリント板などに半田付けができる効果がある。

【００９２】さらに、これらの電流検出装置を図３１か
ら図３３に示したモータ制御装置に応用することによ
り、高精度で小型な制御回路を得ることができる。

【００９３】

【発明の効果】上述のように、本発明によれば、磁気抵
抗効果素子を用いた検出部と配線部を備えた電流検出装
置であって、検出部の検出能力を十分に発揮させること
のできる実用的な配線部を備えた電流検出装置を提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第２の実施例の電流検出装置の検出部
および配線部の構成を示すための上面図。

【図２】本発明の第２の実施例の検出部および配線部の
構成を示すための断面図。

【図３】本発明の第１の実施例の電流検出装置の検出部
および検出回路部の構成を示すための上面部および断面
図。

【図４】従来の電流検出装置の動作を示すための説明
図。

【図５】本発明の電流検出装置の動作を示すための説明
図。

【図６】本発明の第１の実施例の電流検出装置の検出部
および配線部の構成を示すための上面図。

【図７】本発明の第１の実施例の検出部および配線部の
構成を示すための断面図。

【図８】本発明の第３の実施例の電流検出装置の検出部
および配線部の構成を示すための上面図。

【図９】本発明の第３の実施例の検出部および配線部の
構成を示すための断面図。

【図１０】本発明の第４の実施例の電流検出装置の検出
部および配線部の構成を示すための上面図。

【図１１】本発明の第４の実施例の検出部および配線部
の構成を示すための断面図。

【図１２】本発明の第５の実施例の電流検出装置の検出
部および配線部の構成を示すための上面図。

【図１３】本発明の第５の実施例の検出部および配線部
の構成を示すための断面図。

【図１４】本発明の第６の実施例の電流検出装置の検出
部および配線部の構成を示すための上面図。

【図１３】本発明の第６の実施例の検出部および配線部
の構成を示すための断面図。

【図１６】本発明の第７の実施例の電流検出装置の検出
部および配線部の構成を示すための上面図。

【図１７】本発明の第７の実施例の検出部および配線部
の構成を示すための断面図。

【図１８】本発明の第７の実施例の電流検出装置の検出
部および配線部の構成を示すための下面図。

【図１９】本発明の第８の実施例の検出部および配線部
の構成を示すための上面図。

【図２０】本発明の第８実施例の電流検出装置の検出部
および配線部の構成を示すための断面図。

【図２１】本発明の第８の実施例の検出部および配線部
の構成を示すための下面図。

【図２２】本発明の第８の実施例の検出部および配線部
の構成を示すための別の下面図。

【図２３】本発明の第８の実施例の検出部および配線部
の構成を示すための別の下面図。

【図２４】本発明の第８の実施例の検出部および配線部
の構成を示すための別の下面図。

【図２５】本発明の第８の実施例の検出部および配線部
の構成を示すための別の下面図。

【図２６】本発明の第８の実施例の検出部および配線部
の構成を示すための別の下面図。

【図２７】本発明の第８の実施例の検出部および配線部
の構成を示すための別の下面図。

【図２８】本発明の第８の実施例の検出部および配線部
の構成を示すための別の下面図。

【図２９】本発明の第８の実施例の検出部および配線部
の構成を示すための別の下面図。

【図３０】本発明の第８の実施例の検出部および配線部
の構成を示すための別の下面図。

【図３１】本発明の第９の実施例の電流検出装置を用い
たモータ制御装置。

【図３２】本発明の第９の実施例の電流検出装置を用い
たモータ制御装置。

【図３３】本発明の第９の実施例の電流検出装置を用い
た位置制御装置。

【符号の説明】

１１、４１、１２１、１４１、１８１、２１１、２４
１、２８１・・・基板、１５、１６、１７、３１、３
２、３３、１２５、１２６、１２７、１８５、１８６、
１８７、２４５、２４６、２４７、２８５、２８６・・
・絶縁体層、１８、１９、９８、１０３・・・電流導体
部用の配線、２０、２３、１００、１０３・・・バイア
ス導体部用の配線、２１、２２、１０１、１０２・・・
磁気抵抗効果（ＭＲ）部用の配線、４２・・・ＭＲ部、
４３・・・バイアス導体、４４・・・電流導体、５０・
・・定電流源、５３・・・基準電圧、５２・・・演算増
幅器、５４・・・電流出力端子、１６０、１６１・・・
接続部、１６２、１６３、１６４、１６５・・・スルー
ホール、２９５、・・・導線、２９６・・・絶縁被膜、
３８５・・・プリント板、２４、２５、２６、２７、２
８、２９、１０４、１０５、１０６、１０７、１０８、
１０９、１３３、１３４、１３５、１３６、１３７、１
３８、１９４、１９５、１９６、１９７、１９８、１９
９、２２４、２２５、２２６、２２７、２２８、２２
９、２５４、２５５、２５６、２５７、２６９、２６
９、２７０、２７１、２９１、２９２、２９３、２９４
・・・端子。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成５年１２月１７日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図面の簡単な説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【図面の簡単な説明】

【図４】従来の電流検出装置の動作を示すための説明
図。

【図１５】本発明の第６の実施例の検出部および配線部
の構成を示すための断面図。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、被測定電流を流して磁界を発生さ
せるための電流導体部と、バイアス磁界を発生するため
のバイアス導体部と、前記電流導体部および前記バイア
ス導体部が発生した磁界を検出する磁気抵抗効果部と、
前記電流導体部およびバイアス導体部および磁気抵抗効
果部にそれぞれ電流を供給するための複数の配線とを有
し、前記電流導体部に接続される配線は、前記基板上におい
て、前記バイアス導体部に接続される配線、および、磁
気抵抗効果部に接続される配線よりも、外縁側に配置さ
れていることを特徴とする電流検出装置。
【請求項２】基板と、前記基板上にそれぞれ配置され
た、被測定電流を流して磁界を発生させるための電流導
体部と、バイアス磁界を発生するためのバイアス導体部
と、前記電流導体部および前記バイアス導体部が発生し
た磁界を検出する磁気抵抗効果部と、前記電流導体部お
よびバイアス導体部および磁気抵抗効果部に電流を供給
するための複数の配線とを有し、前記基板は、前記基板上に、前記磁気抵抗効果部を挟ん
で配置される２つの配線領域を有し、一方の前記配線領域には、前記電流導体部に接続される
配線が配置され、他方の前記配線領域には、前記バイアス導体部に接続さ
れる配線および磁気抵抗効果部に接続される配線が配置
されることを特徴とする電流検出装置。
【請求項３】基板と、被測定電流を流して磁界を発生さ
せるための電流導体部と、バイアス磁界を発生するため
のバイアス導体部と、前記電流導体部および前記バイア
ス導体部が発生した磁界を検出する磁気抵抗効果部と、
前記電流導体部およびバイアス導体部および磁気抵抗効
果部に電流を供給するための複数の配線とを有し、前記バイアス導体部、磁気抵抗効果部、バイアス導体部
の配線、磁気抵抗効果部の配線は、前記基板の一方の面
上に配置され、前記電流導体部および電流導体部の配線は、前記基板の
他方の面上に配置されていることを特徴とする電流検出
装置。
【請求項４】請求項３において、前記電流導体部は、導
線で構成されることを特徴とする電流検出装置。
【請求項５】基板と、被測定電流を流して磁界を発生さ
せるための電流導体部と、バイアス磁界を発生するため
のバイアス導体部と、前記電流導体部および前記バイア
ス導体部が発生した磁界を検出する磁気抵抗効果部と、
前記電流導体部およびバイアス導体部および磁気抵抗効
果部にそれぞれ電流を供給するための配線とを有し、前記配線は、前記基板上に、非交差で配線され、かつ、前記配線は、それぞれ絶縁部で覆われていること
を特徴とする電流検出装置。
【請求項６】基板と、被測定電流を流して磁界を発生さ
せるための電流導体部と、バイアス磁界を発生するため
のバイアス導体部と、前記電流導体部および前記バイア
ス導体部が発生した磁界を検出する磁気抵抗効果部と、
前記電流導体部およびバイアス導体部および磁気抵抗効
果部に電流を供給するための複数の配線と、前記配線に
接続された複数の端子部とを有し、前記複数の端子部は、前記基板の少なくとも一辺の縁部
に配置され、辺ごとに一列に配列されていることを特徴
とする電流検出装置。
【請求項７】基板と、前記基板上にそれぞれ配置され
た、被測定電流を流して磁界を発生させるための電流導
体部と、バイアス磁界を発生するためのバイアス導体部
と、前記電流導体部および前記バイアス導体部が発生し
た磁界を検出する磁気抵抗効果部と、前記電流導体部お
よびバイアス導体部および磁気抵抗効果部に電流を供給
するための複数の配線とを有し、前記バイアス導体部の配線の一部は、前記磁気抵抗部の
配線の一部と共通に設けられた共通配線であることを特
徴とする電流検出装置。
【請求項８】請求項１、２、３、５、６または７におい
て、前記配線を介して前記バイアス導体部および前記磁
気抵抗効果部に電流を供給し、前記電流導体部に供給さ
れている被測定電流の変化を検出する検出回路をさらに
有し、前記検出回路は、前記電流導体部およびバイアス導体部
から前記磁気抵抗効果部に印加される磁界の合計を検出
する手段と、前記検出手段の検出した前記磁界の合計を
一定値に保持するように、前記バイアス導体部に発生さ
せる磁界を変化させる手段とを有し、前記電流導体部に
供給されている被測定電流の変化を、前記磁界を変化さ
せる手段の出力の変化として検出することを特徴とする
電流検出装置。
【請求項９】請求項１、２、３、５、６または７記載の
電流検出装置と、モータと、外部からの前記モータに流
すべき電流値の指令を受け付ける受付手段と、前記モー
タに供給する電流の大きさを制御する制御手段とを有
し、前記電流検出装置は、前記モータの駆動電流を検出し、前記制御手段は、前記受付手段の受け付けた前記電流値
と前記電流検出装置の検出した電流値の差を求め、その
差を用いて前記モータに供給する電流の大きさを変化さ
せることを特徴とするモータ制御装置。