JPH0621891B2 - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
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- JPH0621891B2 JPH0621891B2 JP61030773A JP3077386A JPH0621891B2 JP H0621891 B2 JPH0621891 B2 JP H0621891B2 JP 61030773 A JP61030773 A JP 61030773A JP 3077386 A JP3077386 A JP 3077386A JP H0621891 B2 JPH0621891 B2 JP H0621891B2
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- Japan
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- optical waveguide
- heat treatment
- optical
- thin film
- loss
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、ガラス薄膜を用いた低損失の光導波路の製造
方法に関する。
方法に関する。
薄膜光導波路を用いた素子は、光の集束，分波，合波，
分岐等の機能を基板上に実現する光集積回路にとって重
要である。この様な光導波路の構成材料としては、低損
失で安定なものが要求され、従来より各種ガラス薄膜を
用いた光導波路について検討がなされている。特に、コ
ーニング７０５９ガラスを熱酸化膜が形成されたシリコ
ン基板上のスパッタリング法により被着して形成される
光導波路は、製造が簡単でしかも単一モード光ファイバ
との結合効率も高いため、広く注目されている。この光
導波路は、スパッタリングしたままの状態で伝搬損失
０．４〜１ｄＢ／cm程度のものが得られているが、高性
能の光集積回路を構成するためには、より低損失の光導
波路が望まれる。
分岐等の機能を基板上に実現する光集積回路にとって重
要である。この様な光導波路の構成材料としては、低損
失で安定なものが要求され、従来より各種ガラス薄膜を
用いた光導波路について検討がなされている。特に、コ
ーニング７０５９ガラスを熱酸化膜が形成されたシリコ
ン基板上のスパッタリング法により被着して形成される
光導波路は、製造が簡単でしかも単一モード光ファイバ
との結合効率も高いため、広く注目されている。この光
導波路は、スパッタリングしたままの状態で伝搬損失
０．４〜１ｄＢ／cm程度のものが得られているが、高性
能の光集積回路を構成するためには、より低損失の光導
波路が望まれる。
ガラス薄膜を用いた光導波路を低損失化する一つの方法
として、ガラス薄膜をスパッタリングにより被着した後
熱処理を加えることが既に知られている。一方、この光
導波路の光ファイバなどとの結合効率を十分大きいもの
として更に低損失化するためには、光入射端面および光
出射端面の端面研磨を行うことが不可欠である。
として、ガラス薄膜をスパッタリングにより被着した後
熱処理を加えることが既に知られている。一方、この光
導波路の光ファイバなどとの結合効率を十分大きいもの
として更に低損失化するためには、光入射端面および光
出射端面の端面研磨を行うことが不可欠である。
ところが本発明者らの実験によると、この端面研磨の工
程でしばしば光導波路層のはがれが生じる。顕微鏡観察
によると、ガラス薄膜を被着した後熱処理を行うことに
より、熱酸化膜のガラス薄膜との界面近傍に熱応力によ
ると思われるボイド状の欠陥ができ、この部分でガラス
薄膜表面に僅かな凸が生じる。この状態は光伝搬には特
に支障はないが、この後端面研磨を行うと、凸部のガラ
ス薄膜が剥がれるのである。従ってシリコン基板とガラ
ス薄膜の組合わせによる光導波路の製造歩留りが低い、
という問題があった。
程でしばしば光導波路層のはがれが生じる。顕微鏡観察
によると、ガラス薄膜を被着した後熱処理を行うことに
より、熱酸化膜のガラス薄膜との界面近傍に熱応力によ
ると思われるボイド状の欠陥ができ、この部分でガラス
薄膜表面に僅かな凸が生じる。この状態は光伝搬には特
に支障はないが、この後端面研磨を行うと、凸部のガラ
ス薄膜が剥がれるのである。従ってシリコン基板とガラ
ス薄膜の組合わせによる光導波路の製造歩留りが低い、
という問題があった。
本発明は上記した点に鑑みなされたもので、低損失化と
製造歩留り向上を図った，ガラス薄膜を用いた光導波路
の製造方法を提供することを目的とする。
製造歩留り向上を図った，ガラス薄膜を用いた光導波路
の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、熱酸化膜が形成されたシリコン基板の表面に
ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＢａＯ及びＢ２Ｏ３を主成分と
するガラス薄膜を被着して光導波路層を形成し、前記光
導波路層の光入射端面及び出射端面の研磨を行った後、
７００℃近傍の乾燥酸素中或は６３０℃近傍の水蒸気添
加酸素中で熱処理することを特徴とする。
ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＢａＯ及びＢ２Ｏ３を主成分と
するガラス薄膜を被着して光導波路層を形成し、前記光
導波路層の光入射端面及び出射端面の研磨を行った後、
７００℃近傍の乾燥酸素中或は６３０℃近傍の水蒸気添
加酸素中で熱処理することを特徴とする。
本発明によれば、熱処理前に光導波路層の端面研磨を行
うことにより、光導波路層の剥がれを防止することがで
き、光導波路の製造歩留りを高いものとすることができ
る。また最終工程としての熱処理条件を最適化すること
により、光導波路の十分な低損失化を図ることができ
る。
うことにより、光導波路層の剥がれを防止することがで
き、光導波路の製造歩留りを高いものとすることができ
る。また最終工程としての熱処理条件を最適化すること
により、光導波路の十分な低損失化を図ることができ
る。
以下図面を参照して本発明の実施例を説明する。
第１図は一実施例による光導波路の構成を示す。１はシ
リコン基板であり、この上に熱酸化膜２が形成されてい
る。熱酸化膜２は１０５０℃，水蒸気添加酸素中で６０
時間の熱酸化を行って約４μｍの厚さに形成したもので
ある。この上に光導波路層となるガラス薄膜３をスパッ
タリング法により形成している。スパッタリング条件
は、真空度１×１０−３torr，ガスがＡｒ＋Ｏ２（３０
％），印加ＲＦ電力６００Ｗである。ガラス薄膜３とし
てこの実施例では、ＳｉＯ２（49％），Ａｌ２Ｏ３（11
％），ＢａＯ（25％），Ｂ２Ｏ３（15％）を主成分とす
るコーニング７０５９を用いて２μｍの厚さ被着形成し
た。このようにガラス薄膜３を被着形成した後、光導波
路の入射部，出射部となる端面４を研磨し、その後全体
を所定の雰囲気中で熱処理する。熱処理は、所定のガス
を流した石英管に試料を入れ、外側からヒータで加熱す
る方式を用いた。
リコン基板であり、この上に熱酸化膜２が形成されてい
る。熱酸化膜２は１０５０℃，水蒸気添加酸素中で６０
時間の熱酸化を行って約４μｍの厚さに形成したもので
ある。この上に光導波路層となるガラス薄膜３をスパッ
タリング法により形成している。スパッタリング条件
は、真空度１×１０−３torr，ガスがＡｒ＋Ｏ２（３０
％），印加ＲＦ電力６００Ｗである。ガラス薄膜３とし
てこの実施例では、ＳｉＯ２（49％），Ａｌ２Ｏ３（11
％），ＢａＯ（25％），Ｂ２Ｏ３（15％）を主成分とす
るコーニング７０５９を用いて２μｍの厚さ被着形成し
た。このようにガラス薄膜３を被着形成した後、光導波
路の入射部，出射部となる端面４を研磨し、その後全体
を所定の雰囲気中で熱処理する。熱処理は、所定のガス
を流した石英管に試料を入れ、外側からヒータで加熱す
る方式を用いた。
このように端面研磨を行った後に熱処理をすることによ
り、ガラス薄膜３の剥がれを生じることなく、低損失の
光導波路が得られる。
り、ガラス薄膜３の剥がれを生じることなく、低損失の
光導波路が得られる。
最適熱処理熱処理条件を求めるための種々の実験を行っ
た結果を次に説明する。
た結果を次に説明する。
第２図は、乾燥酸素中（○印）および水蒸気添加酸素中
（×印）での熱処理温度と光導波路の伝搬損失の関係を
測定した結果である。◎印はスパッタリングしたままの
状態での値である。スパッタリングは室温で開始し、水
冷や加熱を行わず放置し、４時間の連続スパッタリング
を行っているが、このとき試料温度は約３４０℃に達す
るので、図ではこの初期値を３４０℃の点にプロットし
てある。この初期値は０．８〜１．２ｄＢ／cmである。
熱処理時間は３０分であるが、この実験は４００℃で３
０分の熱処理をして伝搬損失を測定し、同じ試料を次に
５００℃，３０分の熱処理をするというように、熱処理
を累積的に重ねた場合のデータである。伝搬損失測定波
長は０．６３μｍである。
（×印）での熱処理温度と光導波路の伝搬損失の関係を
測定した結果である。◎印はスパッタリングしたままの
状態での値である。スパッタリングは室温で開始し、水
冷や加熱を行わず放置し、４時間の連続スパッタリング
を行っているが、このとき試料温度は約３４０℃に達す
るので、図ではこの初期値を３４０℃の点にプロットし
てある。この初期値は０．８〜１．２ｄＢ／cmである。
熱処理時間は３０分であるが、この実験は４００℃で３
０分の熱処理をして伝搬損失を測定し、同じ試料を次に
５００℃，３０分の熱処理をするというように、熱処理
を累積的に重ねた場合のデータである。伝搬損失測定波
長は０．６３μｍである。
第２図から明らかなように、乾燥酸素中の熱処理では、
７００℃近傍（７００℃±５０℃）で伝搬損失の極少値
を示し、その値は初期値の約１／４になっている。また
水蒸気添加酸素中では６３０℃近傍（６３０℃±５０
℃）で極少値が得られる。このように熱処理雰囲気によ
り最適熱処理温度が異なる。なお以上では熱処理時間を
３０分としたが、１０分以上であれば効果が得られるこ
とが確認されている。
７００℃近傍（７００℃±５０℃）で伝搬損失の極少値
を示し、その値は初期値の約１／４になっている。また
水蒸気添加酸素中では６３０℃近傍（６３０℃±５０
℃）で極少値が得られる。このように熱処理雰囲気によ
り最適熱処理温度が異なる。なお以上では熱処理時間を
３０分としたが、１０分以上であれば効果が得られるこ
とが確認されている。
以上のデータは累積的熱処理を行った場合であるが、第
３図は同様の試料につき、乾燥酸素中，７００℃，３０
分の熱処理のみを行った場合の伝搬距離と相対光強度の
関係を示す。図から明らかなように、伝搬損失０．１５
ｄＢ／cmという小さい値が得られている。
３図は同様の試料につき、乾燥酸素中，７００℃，３０
分の熱処理のみを行った場合の伝搬距離と相対光強度の
関係を示す。図から明らかなように、伝搬損失０．１５
ｄＢ／cmという小さい値が得られている。
第４図はやはり同様の試料につき、異なる雰囲気で熱処
理した場合の伝搬損失を比較して示したものである。雰
囲気は窒素，乾燥酸素，水蒸気添加酸素の３種類であ
り、いずれも７５０℃，３０分の熱処理を行った場合で
ある。この温度条件では、窒素雰囲気および乾燥酸素雰
囲気の場合は小さい伝搬損失が得られるが、水蒸気添加
酸素中では効果が小さい。
理した場合の伝搬損失を比較して示したものである。雰
囲気は窒素，乾燥酸素，水蒸気添加酸素の３種類であ
り、いずれも７５０℃，３０分の熱処理を行った場合で
ある。この温度条件では、窒素雰囲気および乾燥酸素雰
囲気の場合は小さい伝搬損失が得られるが、水蒸気添加
酸素中では効果が小さい。
次に光導波路層表面に光回路素子として回析格子を形成
した実施例につき説明する。
した実施例につき説明する。
第５図はその試料の断面形状であり、第１図と対応する
部分には第１図と同一符号を付してある。即ち熱酸化膜
２が形成されたシリコン基板１上に先の実施例と同様に
してガラス薄膜３を被着形成し、その表面にエッチング
により周期１μｍの凹凸を形成して回析格子５を形成し
たものである。先の実施例と同様に端面研磨を行った後
に所定の熱処理をすることにより、良好な結果が得られ
た。
部分には第１図と同一符号を付してある。即ち熱酸化膜
２が形成されたシリコン基板１上に先の実施例と同様に
してガラス薄膜３を被着形成し、その表面にエッチング
により周期１μｍの凹凸を形成して回析格子５を形成し
たものである。先の実施例と同様に端面研磨を行った後
に所定の熱処理をすることにより、良好な結果が得られ
た。
このような回析格子を含む光導波路の熱処理の最適条件
を求める実験データを以下に具体的に説明する。
を求める実験データを以下に具体的に説明する。
第６図（ａ）（ｂ）は、それぞれ熱処理前と熱処理後の
回析格子の凹凸部をターリステップにより測定した結果
である。熱処理前の格子深さは、（ａ）に示すように、
約１６６０Åである。乾燥酸素中で７００℃，３０分の
熱処理を行うと（ｂ）に示すようになり、格子の凹凸形
状は殆ど変わっていない。
回析格子の凹凸部をターリステップにより測定した結果
である。熱処理前の格子深さは、（ａ）に示すように、
約１６６０Åである。乾燥酸素中で７００℃，３０分の
熱処理を行うと（ｂ）に示すようになり、格子の凹凸形
状は殆ど変わっていない。
第７図（ａ）〜（ｃ）は同様の試料についての他の熱処
理条件でのターリステップ測定結果を示す。（ａ）はエ
ッチングしたままの結果であり、格子深さは約１０５０
Åである。（ｂ）はこの試料を乾燥窒素中で７５０℃，
３０分の熱処理をした場合であり、格子深さは約１３３
０Åと深くなっている。また凸部の形状が丸みを帯びて
いるがこれは、凸部が粘性流動を起こしたためと思われ
る。（ｃ）は更に同じ試料に乾燥酸素中，７５０℃，３
０分の熱処理を加えた場合である。格子深さは約１２０
０Åとやや浅くなる。これは粘性流動が進み格子凹部が
浅くなった結果と思われる。
理条件でのターリステップ測定結果を示す。（ａ）はエ
ッチングしたままの結果であり、格子深さは約１０５０
Åである。（ｂ）はこの試料を乾燥窒素中で７５０℃，
３０分の熱処理をした場合であり、格子深さは約１３３
０Åと深くなっている。また凸部の形状が丸みを帯びて
いるがこれは、凸部が粘性流動を起こしたためと思われ
る。（ｃ）は更に同じ試料に乾燥酸素中，７５０℃，３
０分の熱処理を加えた場合である。格子深さは約１２０
０Åとやや浅くなる。これは粘性流動が進み格子凹部が
浅くなった結果と思われる。
なおこの後更に、水蒸気添加酸素中で７５０℃，３０分
の熱処理を行った結果、回析格子は消失した。このとき
光導波路層の伝搬損失は約０．６ｄＢであり、乾燥酸素
中熱処理後の値の約１．４〜２．２倍になっている。他
の同様に試料につき乾燥酸素中で８００℃，３０分の熱
処理を行った結果、回析格子は消失した。
の熱処理を行った結果、回析格子は消失した。このとき
光導波路層の伝搬損失は約０．６ｄＢであり、乾燥酸素
中熱処理後の値の約１．４〜２．２倍になっている。他
の同様に試料につき乾燥酸素中で８００℃，３０分の熱
処理を行った結果、回析格子は消失した。
以上の結果から、回析格子に関しては、乾燥酸素中では
７５０℃未満、水蒸気添加酸素中では７００℃未満の温
度で熱処理を行うことが好ましい。
７５０℃未満、水蒸気添加酸素中では７００℃未満の温
度で熱処理を行うことが好ましい。
第８図は、本発明を適用した集積化光分波器を示す。１
１は先に説明した実施例と同様に熱酸化膜が形成された
シリコン基板にガラス薄膜をスパッタリングにより被着
した光導波路である。その表面には、コリメーションレ
ンズ１２，集束レンズ１３および回析格子１４が形成さ
れている。コリメーションレンズ１２および集束レンズ
１３は、予め基板表面に浅い凹部を形成しておくことに
より形成されるジオデシックレンズである。光の入射端
面１５および出射端面１６の研磨は、前述の実施例と同
様に熱処理前に行う。
１は先に説明した実施例と同様に熱酸化膜が形成された
シリコン基板にガラス薄膜をスパッタリングにより被着
した光導波路である。その表面には、コリメーションレ
ンズ１２，集束レンズ１３および回析格子１４が形成さ
れている。コリメーションレンズ１２および集束レンズ
１３は、予め基板表面に浅い凹部を形成しておくことに
より形成されるジオデシックレンズである。光の入射端
面１５および出射端面１６の研磨は、前述の実施例と同
様に熱処理前に行う。
入射端面１５には光ファイバ１７が結合され、出射端面
１６には受光ダイオードアレイ１８が配置される。この
構成は、波長多重伝送システムに用いられる。即ち、光
ファイバ１７を介して伝送された波長多重化されたレー
ザ光は端面１５で光導波路１１に結合する。光導波路１
１に入った光はコリメーションレンズ１２で平行光にさ
れた後、回析格子１４により波長毎に分波される。この
分波された光は集束レンズ１３により集束され、端面１
６に設けられた受光ダイオードアレイ１８により各波長
成分が検出される。
１６には受光ダイオードアレイ１８が配置される。この
構成は、波長多重伝送システムに用いられる。即ち、光
ファイバ１７を介して伝送された波長多重化されたレー
ザ光は端面１５で光導波路１１に結合する。光導波路１
１に入った光はコリメーションレンズ１２で平行光にさ
れた後、回析格子１４により波長毎に分波される。この
分波された光は集束レンズ１３により集束され、端面１
６に設けられた受光ダイオードアレイ１８により各波長
成分が検出される。
この様な集積化光分波器は低挿入損で良好な漏話特性を
持つことが必要である。光導波路の低損失化を図り、も
って挿入損の低減を実現すべく本発明方法を適用した。
即ち前述のように熱処理前に端面１５，１６の研磨を行
い、この後乾燥酸素雰囲気中で７００℃，３０分の熱処
理を行った。波長１．３μｍの光を用いて光ファイバと
の結合損および回析損を含む挿入損を測定したところ、
熱処理前が１２ｄＢであり、熱処理後は９．５ｄＢとな
った。集束像も熱処理によって損われず良好であり、本
発明の有効性が確認された。
持つことが必要である。光導波路の低損失化を図り、も
って挿入損の低減を実現すべく本発明方法を適用した。
即ち前述のように熱処理前に端面１５，１６の研磨を行
い、この後乾燥酸素雰囲気中で７００℃，３０分の熱処
理を行った。波長１．３μｍの光を用いて光ファイバと
の結合損および回析損を含む挿入損を測定したところ、
熱処理前が１２ｄＢであり、熱処理後は９．５ｄＢとな
った。集束像も熱処理によって損われず良好であり、本
発明の有効性が確認された。
以上では回析格子やレンズを含む二次元導波路の場合の
み説明したが、本発明は光分岐回路や他の合波器，分波
器等に利用される三次元導波路に対しても同様に適用で
きる。また以上では光導波路層材料として専らコーニン
グ７０５９ガラスを用いたが、、シリコン熱酸化膜より
屈折率の大きい他のガラス材料を用いて同様の光導波路
を形成する場合にも本発明を適用できることは勿論であ
る。熱処理装置としても、ヒータ加熱方式の炉に限らず
例えば赤外線ランプ加熱方式等を利用することが可能で
ある。
み説明したが、本発明は光分岐回路や他の合波器，分波
器等に利用される三次元導波路に対しても同様に適用で
きる。また以上では光導波路層材料として専らコーニン
グ７０５９ガラスを用いたが、、シリコン熱酸化膜より
屈折率の大きい他のガラス材料を用いて同様の光導波路
を形成する場合にも本発明を適用できることは勿論であ
る。熱処理装置としても、ヒータ加熱方式の炉に限らず
例えば赤外線ランプ加熱方式等を利用することが可能で
ある。
その他本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で種々変形し
て実施することができる。
て実施することができる。
第１図は本発明の一実施例による光導波路を示す図、第
２図はその熱処理温度と伝搬損失の関係を測定したデー
タを示す図、第３図は同じく光伝搬距離と相対光強度の
関係を測定したデータを示す図、第４図は各種熱処理雰
囲気と伝搬損失の関係を測定したデータを示す図、第５
図は他の実施例による回析格子付光導波路を示す図、第
６図（ａ）（ｂ）はその熱処理による格子深さの変化を
測定したデータを示す図、第７図（ａ）〜（ｃ）は同様
の光導波路に対する他の熱処理条件での格子深さの変化
を測定したデータを示す図、第８図は更に他の実施例に
よる集積化光分波器を示す図である。 １……シリコン基板、２……熱酸化膜、３……ガラス薄
膜（光導波路層）、４……端面、５……回析格子、１１
……光導波路、１２……コリメーションレンズ、１３…
…集束レンズ、１４……回折格子、１５，１６……端
面、１７……光ファイバ、１８……受光ダイオードアレ
イ。
２図はその熱処理温度と伝搬損失の関係を測定したデー
タを示す図、第３図は同じく光伝搬距離と相対光強度の
関係を測定したデータを示す図、第４図は各種熱処理雰
囲気と伝搬損失の関係を測定したデータを示す図、第５
図は他の実施例による回析格子付光導波路を示す図、第
６図（ａ）（ｂ）はその熱処理による格子深さの変化を
測定したデータを示す図、第７図（ａ）〜（ｃ）は同様
の光導波路に対する他の熱処理条件での格子深さの変化
を測定したデータを示す図、第８図は更に他の実施例に
よる集積化光分波器を示す図である。 １……シリコン基板、２……熱酸化膜、３……ガラス薄
膜（光導波路層）、４……端面、５……回析格子、１１
……光導波路、１２……コリメーションレンズ、１３…
…集束レンズ、１４……回折格子、１５，１６……端
面、１７……光ファイバ、１８……受光ダイオードアレ
イ。
Claims (2)
- 【請求項１】熱酸化膜が形成されたシリコン基板の表面
にＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＢａＯ及びＢ２Ｏ３を主成分
とするガラス薄膜を被着して光導波路層を形成し、前記
光導波路層の光入射端面及び出射端面の研磨を行った
後、７００℃近傍の乾燥酸素中或は６３０℃近傍の水蒸
気添加酸素中で熱処理することを特徴とする光導波路の
製造方法。 - 【請求項２】前記光導波路層は、導波路レンズ、回折格
子若しくは三次元導波路、またはこれらの二以上を含む
光回路素子が形成されたものである特許請求の範囲第１
項記載の光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61030773A JPH0621891B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61030773A JPH0621891B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 光導波路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62189407A JPS62189407A (ja) | 1987-08-19 |
| JPH0621891B2 true JPH0621891B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=12313000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61030773A Expired - Lifetime JPH0621891B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621891B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5235662A (en) * | 1992-01-02 | 1993-08-10 | Eastman Kodak Company | Method to reduce light propagation losses in optical glasses and optical waveguide fabricated by same |
| SG125045A1 (en) * | 1992-06-24 | 2006-09-29 | British Telecomm | Optical device including refractive index modulation |
| US6229945B1 (en) | 1992-06-24 | 2001-05-08 | British Telecommunications Public Limited Company | Photo induced grating in B2O3 containing glass |
| JP3929495B2 (ja) * | 1996-01-18 | 2007-06-13 | ブリティッシュ・テレコミュニケーションズ・パブリック・リミテッド・カンパニー | 光感応性屈折率クラッドを備えた光導波路 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57186711A (en) * | 1981-05-14 | 1982-11-17 | Toshiba Corp | Forming method for optical waveguide |
| JPS57202505A (en) * | 1981-06-06 | 1982-12-11 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Production of optical circuit |
-
1986
- 1986-02-17 JP JP61030773A patent/JPH0621891B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62189407A (ja) | 1987-08-19 |
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