JPS60156014A - 埋込形光導波路装置の製造方法 - Google Patents
埋込形光導波路装置の製造方法Info
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- JPS60156014A JPS60156014A JP25163483A JP25163483A JPS60156014A JP S60156014 A JPS60156014 A JP S60156014A JP 25163483 A JP25163483 A JP 25163483A JP 25163483 A JP25163483 A JP 25163483A JP S60156014 A JPS60156014 A JP S60156014A
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- optical waveguide
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/136—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by etching
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
この発明は埋込形光導波路装置の製造方法に小型化、モ
ノリシック化が促進されており、従来のようなレンズ、
ハーフミラ−、プリズム等を組合せたものではなく一基
板上にすべての光学的機能を実現できる光導波路装置（
デバイス）が要求されつつある。したかって光導波路材
料としては、光の分岐、合波、スイッチング、変調など
の能動的機能を達成しうる材料が要求されている。
ノリシック化が促進されており、従来のようなレンズ、
ハーフミラ−、プリズム等を組合せたものではなく一基
板上にすべての光学的機能を実現できる光導波路装置（
デバイス）が要求されつつある。したかって光導波路材
料としては、光の分岐、合波、スイッチング、変調など
の能動的機能を達成しうる材料が要求されている。
光導波路装置には、光導波路の断面の大きさく厚さ、巾
）が２〜５μｍ程度の非常に細いシングル・モード光用
のものと、５０〜２００μｍと大口径のマルチ・モード
光用のものとがある。
）が２〜５μｍ程度の非常に細いシングル・モード光用
のものと、５０〜２００μｍと大口径のマルチ・モード
光用のものとがある。
シングル−モード用の光導波路装置にはＬ ｉ Ｎ ｂ
Ｏ３、ＬｉＴａＯ３、ＰＬＺＴ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等
の材料を基板として用いたものがあり、これらの基板へ
の不純物の熱拡散技術等により光導波路を比較的容易に
作製することができる。そして、これらの光学材料は電
気光学効果や音響光学効果をもっているために電界の印
加、弾性表面波の伝搬を利用して光に対する上記のよう
な能動的機能を達成することができる。しかしながら、
作製される光導波路は深さが１〜２μｍ１大きくてもせ
いぜい２〜５μｍ程度であるので、シングル・モード光
を入射するのが非常に困難である。とくにコア径が５〜
１０μｍのシングル・モード光ファイバと接続する場合
には光軸合わせが困難であるとともに温度等の環境の変
化によって光軸のずれをおこすなど実用化には幾多の難
点がある。
Ｏ３、ＬｉＴａＯ３、ＰＬＺＴ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等
の材料を基板として用いたものがあり、これらの基板へ
の不純物の熱拡散技術等により光導波路を比較的容易に
作製することができる。そして、これらの光学材料は電
気光学効果や音響光学効果をもっているために電界の印
加、弾性表面波の伝搬を利用して光に対する上記のよう
な能動的機能を達成することができる。しかしながら、
作製される光導波路は深さが１〜２μｍ１大きくてもせ
いぜい２〜５μｍ程度であるので、シングル・モード光
を入射するのが非常に困難である。とくにコア径が５〜
１０μｍのシングル・モード光ファイバと接続する場合
には光軸合わせが困難であるとともに温度等の環境の変
化によって光軸のずれをおこすなど実用化には幾多の難
点がある。
これに対してマルチ・モード光用光導波路装置はコア径
が５０〜２００μｍの大口径の光ファイバと接続して使
用できるために、接続が容易であるという利点がある。
が５０〜２００μｍの大口径の光ファイバと接続して使
用できるために、接続が容易であるという利点がある。
しかしながら、上記したような能動的機能を達成するこ
とかできないという欠陥がある。たとえばマルチ・モー
ド光用の横断面の大きな光導波路を製造する技術として
高分子材料を利用するものか案出されている。これは、
ポリカーボネートにモノマを混合し、キャスティングに
よってフィルム状に成形する。モノマには光の照射によ
って光重合を起こし、ポリマになることによって屈折率
か変化するものが用いられる。このようなフィルム状物
質にマスキングの技術を用いて光を選択的に照射し、部
分的に屈折率の変化を生じさせて立体的な光導波路を作
製する。この技術によると５０〜２００μｍ程度の光導
波路の製造が可能であり、マルチ・モード光ファイバと
容易に接続可能である。しかしながら、ポリカーボネー
トなどの高分子材料は電気光学効果や音響光学効果を持
たないために、外部信号を用いた上記のような光に対す
る能動的機能を達成することができない。マルチΦモー
ド光用光導波路装置の他の例としては、ガラス基板にＡ
ｇ十等の金属イオンを注入して高屈折率の光導波路を形
成したものもある。しかしながら、この装置においても
上記のような能動的機能を達成することはできない。
とかできないという欠陥がある。たとえばマルチ・モー
ド光用の横断面の大きな光導波路を製造する技術として
高分子材料を利用するものか案出されている。これは、
ポリカーボネートにモノマを混合し、キャスティングに
よってフィルム状に成形する。モノマには光の照射によ
って光重合を起こし、ポリマになることによって屈折率
か変化するものが用いられる。このようなフィルム状物
質にマスキングの技術を用いて光を選択的に照射し、部
分的に屈折率の変化を生じさせて立体的な光導波路を作
製する。この技術によると５０〜２００μｍ程度の光導
波路の製造が可能であり、マルチ・モード光ファイバと
容易に接続可能である。しかしながら、ポリカーボネー
トなどの高分子材料は電気光学効果や音響光学効果を持
たないために、外部信号を用いた上記のような光に対す
る能動的機能を達成することができない。マルチΦモー
ド光用光導波路装置の他の例としては、ガラス基板にＡ
ｇ十等の金属イオンを注入して高屈折率の光導波路を形
成したものもある。しかしながら、この装置においても
上記のような能動的機能を達成することはできない。
発明の概要
この発明は、シングル・モード光ファイバのみならずマ
ルチ・モード光ファイバとも接続が可能なほどに横断面
積か大きな光導波路も作製できるとともに、光の分岐、
合波、スイッチング、変調などの能動的機能を付加する
ことも可能で低損失の埋込形光導波路装置の製造方法を
提供するものである。
ルチ・モード光ファイバとも接続が可能なほどに横断面
積か大きな光導波路も作製できるとともに、光の分岐、
合波、スイッチング、変調などの能動的機能を付加する
ことも可能で低損失の埋込形光導波路装置の製造方法を
提供するものである。
この発明による埋込形光導波路装置の製造方法は、所定
基板表面上に光導波路用溝を形成し、少なくとも光導波
路用溝内面に３ ｉ０２薄膜を形成し、さらに光導波路
用溝内にＺｎＯｃ軸配向結晶体を成長させ、 ５ｉ０２
薄膜とＺｎＯｃ軸配向結晶体との界面をアニールするこ
とを特徴とする。
基板表面上に光導波路用溝を形成し、少なくとも光導波
路用溝内面に３ ｉ０２薄膜を形成し、さらに光導波路
用溝内にＺｎＯｃ軸配向結晶体を成長させ、 ５ｉ０２
薄膜とＺｎＯｃ軸配向結晶体との界面をアニールするこ
とを特徴とする。
基板としてはＳｉ基板とくにＳｉ単結晶を用いることが
好ましい。ＺｎＯとＳｉの熱膨張係数はそれぞれ４．Ｏ
Ｘ １０ ／ ｄｅｇ 、 ３．６Ｘ１０−６／ｄｅｇ
であってほぼ同程度であり、両材料は周囲温度の変化に
対して整合性がよい。基板表面上への光導波路用溝の形
成は、基板の性質に応芹 じて異方性エツチング、レーザ加Ｉ”−Ｏ技術を用いて
行なわれる。この溝は作製すべき光導波路に応じて決定
すればよく、−直線状、７字形、適当な曲りをもつもの
、三分岐形状、その他、任意のパターンとすることがで
きる。ＳｉＯ２薄膜は、基板がＳｉ単結晶の場合には熱
酸化処理により形成することができるが、他の方法たと
えばスパッタリング法により作製してもよい。
好ましい。ＺｎＯとＳｉの熱膨張係数はそれぞれ４．Ｏ
Ｘ １０ ／ ｄｅｇ 、 ３．６Ｘ１０−６／ｄｅｇ
であってほぼ同程度であり、両材料は周囲温度の変化に
対して整合性がよい。基板表面上への光導波路用溝の形
成は、基板の性質に応芹 じて異方性エツチング、レーザ加Ｉ”−Ｏ技術を用いて
行なわれる。この溝は作製すべき光導波路に応じて決定
すればよく、−直線状、７字形、適当な曲りをもつもの
、三分岐形状、その他、任意のパターンとすることがで
きる。ＳｉＯ２薄膜は、基板がＳｉ単結晶の場合には熱
酸化処理により形成することができるが、他の方法たと
えばスパッタリング法により作製してもよい。
Ｚｎ０（酸化亜鉛）Ｃ軸配向結晶体とはＺｎＯのＣ軸が
一方向を向いたＣ軸配向膜およびＺｎＯ単結晶を含む。
一方向を向いたＣ軸配向膜およびＺｎＯ単結晶を含む。
ＺｎＯＣ軸配向膜は、たとえばガラスなどのアモルファ
ス基板上にマグネトロン・スパッタリング法によってつ
くられる。ＺｎＯ単結晶は、たとえばＣＶＤ（化学的気
相成長）法によって作製される。もちろん、基板として
上述の材料の他にサファイヤなどの単結晶やポリイミド
などの高分子材料を用いることも可能であり、結晶体の
作製方法も、他のスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法
、イオンブレーティング法、反応性クラスタイオンビー
ム法など種々の方法を採用することができる。ＺｎＯＣ
軸配向結晶体とＳ ｉ０２薄膜との界面のアニールは、
ＣＯ２レーザやＹＡＧレーザを使用したレーザ・アニー
ルが好ましいか、他の加熱源を使用したアニ失か小さい
ことが分った。したがって、光導波路として使用できる
。この結晶体は、基板上の光導波路用溝内に１〜５μｍ
（シングル・モード光ファイバのコア径に相当）程度の
厚さに成長させることも、それ以上の任意の厚さ、たと
えば２０〜２００μｍ程度（マルチ・モードの光ファイ
バのコア径に相当）の厚さに成長させることも可能であ
る。したがって、種々のコア径の光ファイバと容易に接
続できる可能性をもっている。ＺｎＯり軸配向結晶体は
電気光学効果および音響光学効果を有しているので、電
極を設けて電圧を印加したり、弾性表面波を伝搬させた
りすることにより、光の分岐、合波、スイッチング、変
調などの光に対する各種の能動的機能の達成も可能とな
る。このようにして、マルチ争モード光ファイバを含め
た各種光ファイバと容易に接続可能であり、しかも各種
能動的機能をもたせることが可能な光導波路が製造でき
ることとなる。
ス基板上にマグネトロン・スパッタリング法によってつ
くられる。ＺｎＯ単結晶は、たとえばＣＶＤ（化学的気
相成長）法によって作製される。もちろん、基板として
上述の材料の他にサファイヤなどの単結晶やポリイミド
などの高分子材料を用いることも可能であり、結晶体の
作製方法も、他のスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法
、イオンブレーティング法、反応性クラスタイオンビー
ム法など種々の方法を採用することができる。ＺｎＯＣ
軸配向結晶体とＳ ｉ０２薄膜との界面のアニールは、
ＣＯ２レーザやＹＡＧレーザを使用したレーザ・アニー
ルが好ましいか、他の加熱源を使用したアニ失か小さい
ことが分った。したがって、光導波路として使用できる
。この結晶体は、基板上の光導波路用溝内に１〜５μｍ
（シングル・モード光ファイバのコア径に相当）程度の
厚さに成長させることも、それ以上の任意の厚さ、たと
えば２０〜２００μｍ程度（マルチ・モードの光ファイ
バのコア径に相当）の厚さに成長させることも可能であ
る。したがって、種々のコア径の光ファイバと容易に接
続できる可能性をもっている。ＺｎＯり軸配向結晶体は
電気光学効果および音響光学効果を有しているので、電
極を設けて電圧を印加したり、弾性表面波を伝搬させた
りすることにより、光の分岐、合波、スイッチング、変
調などの光に対する各種の能動的機能の達成も可能とな
る。このようにして、マルチ争モード光ファイバを含め
た各種光ファイバと容易に接続可能であり、しかも各種
能動的機能をもたせることが可能な光導波路が製造でき
ることとなる。
ＺｎＯ光導波路は基板内に埋設された形態となっている
から光導波路は周囲の基板によって充分に保護される。
から光導波路は周囲の基板によって充分に保護される。
また基板表面と光導波路の一側面とを面一にすることも
可能であるから、基板表面上に突出して形成された光導
波路に比べて上述の光制御用の電極の形成等が容易とな
る。
可能であるから、基板表面上に突出して形成された光導
波路に比べて上述の光制御用の電極の形成等が容易とな
る。
ＺｎＯ光導波路の導波損失には、ＺｎＯのバルク損失、
ＺｎＯ表面での界面散乱損失ならびにＺｎＯ両側面およ
び底面での５ｉ０２薄膜との間の界面散乱損失の３要因
が考えられるか、とりわけＳ ｉ０２薄膜との間の界面
散乱損失か大きい。この発明では、ＺｎＯと５ｉ０２と
の界面を加熱し、この界面付近のＺｎＯと５ｉ０２とを
再結晶化しているので、これらの界面での散乱損失を１
桁以上低減させることができる。したがって、導波損失
の小さい埋込形光導波路装置を実現することかできる。
ＺｎＯ表面での界面散乱損失ならびにＺｎＯ両側面およ
び底面での５ｉ０２薄膜との間の界面散乱損失の３要因
が考えられるか、とりわけＳ ｉ０２薄膜との間の界面
散乱損失か大きい。この発明では、ＺｎＯと５ｉ０２と
の界面を加熱し、この界面付近のＺｎＯと５ｉ０２とを
再結晶化しているので、これらの界面での散乱損失を１
桁以上低減させることができる。したがって、導波損失
の小さい埋込形光導波路装置を実現することかできる。
実施例の説明
第１図は、Ｓｉ単結晶基板（単にＳｉ基板という）（１
）内に形成されたＺｎＯＣ軸配向膜（単にＺｎＯ膜とい
う）からなるＹ字形光導波路（２）をもつ埋込形光導波
路装置を示している。この実施例では光導波路（２）は
巾、深さく厚さ）ともに４５μｍに形成されている。こ
れはコア径５ＱＩＬｍの光ファイバと接続するのに好適
である。光導波路（２）の上表面と基板（１）の表面と
は面一となっている。光導波路（２）の他の三側面は５
ｉ０２膜（３）によって囲まれている。Ｓ ｉｏ２膜（
３）はＺｎＯ（２ｉをを光学的に保護し、かつ開口数を
大きくするた一例について詳述する。
）内に形成されたＺｎＯＣ軸配向膜（単にＺｎＯ膜とい
う）からなるＹ字形光導波路（２）をもつ埋込形光導波
路装置を示している。この実施例では光導波路（２）は
巾、深さく厚さ）ともに４５μｍに形成されている。こ
れはコア径５ＱＩＬｍの光ファイバと接続するのに好適
である。光導波路（２）の上表面と基板（１）の表面と
は面一となっている。光導波路（２）の他の三側面は５
ｉ０２膜（３）によって囲まれている。Ｓ ｉｏ２膜（
３）はＺｎＯ（２ｉをを光学的に保護し、かつ開口数を
大きくするた一例について詳述する。
まず、Ｓｉ基板（１）表面にレーザ加工によって所定パ
ターンの光導波路用溝（７）を形成する。（１，０，０
）面で切り出されたＳｉ基板（１）が使用されている。
ターンの光導波路用溝（７）を形成する。（１，０，０
）面で切り出されたＳｉ基板（１）が使用されている。
また、光出力ＩＷのＹＡＧレーザ（５）が用いられてい
る。レーザ波長は１．０６μｍであり、レンズ系（６）
を用いてレーザ・ビーム・スポットの径をｉｏｐｍ程度
に集光する。あらかじめ定めたＹ字形光導波路パターン
と同パターンのＹ字形光導波路用溝（７）が形成される
ように、レーザ・ビームをスキャニングしつつＳｉ基板
（１）をレーザーパワーにより加熱して蒸発させながら
溝（７）を掘っていく。たとえば、レーザｅビームのス
キャニング速度約３００＋＋ｌｌ＋Ｉ／秒、２〜３回の
同一箇所スキャニングで深さが４５μｍとなる。溝の巾
方向にも連続的にレーザ・ビームを移動させ、最終的に
溝（７）の巾、深さともに４５μｍとなるように調整す
る（第２図参照）。
る。レーザ波長は１．０６μｍであり、レンズ系（６）
を用いてレーザ・ビーム・スポットの径をｉｏｐｍ程度
に集光する。あらかじめ定めたＹ字形光導波路パターン
と同パターンのＹ字形光導波路用溝（７）が形成される
ように、レーザ・ビームをスキャニングしつつＳｉ基板
（１）をレーザーパワーにより加熱して蒸発させながら
溝（７）を掘っていく。たとえば、レーザｅビームのス
キャニング速度約３００＋＋ｌｌ＋Ｉ／秒、２〜３回の
同一箇所スキャニングで深さが４５μｍとなる。溝の巾
方向にも連続的にレーザ・ビームを移動させ、最終的に
溝（７）の巾、深さともに４５μｍとなるように調整す
る（第２図参照）。
次に、溝（７）の形成されたＳｉ基板（１）を、周囲温
度１２００℃、９５℃水蒸気と１／／分程度 Ｉの０２
ガスの混合雰囲気中で３時間熱酸化処理し、Ｓｉ基板（
１）表面および光導波路用溝（７）内面に厚さ１μｍ程
度のアモルファスＳ ｉＯ２薄Ｈ（３）を形成する（第
３図参照）。
度１２００℃、９５℃水蒸気と１／／分程度 Ｉの０２
ガスの混合雰囲気中で３時間熱酸化処理し、Ｓｉ基板（
１）表面および光導波路用溝（７）内面に厚さ１μｍ程
度のアモルファスＳ ｉＯ２薄Ｈ（３）を形成する（第
３図参照）。
このようなＳｉ基板（１）をマグネトロン・スパッタ装
置にセットする。ターゲットとしてＺｎＱセラミックス
を用い、Ｓｉ基基板変度３５０ ”ｒ；、Ａｒ ： ｏ
ｚ＝＝ｌ： １でガス圧Ｉ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ一定、
高周波入力電力４００Ｗ、ターゲット／Ｓｉ基板間距離
４０ｍｍのスパッタリング条件で、約５時間連続スパッ
タリングすることにより、Ｓｉ基板（１）表面上および
溝（７）内に膜厚的５０μｍのｚｎＯスパッタ厚膜（２
）を成長させる（第４図参照）。
置にセットする。ターゲットとしてＺｎＱセラミックス
を用い、Ｓｉ基基板変度３５０ ”ｒ；、Ａｒ ： ｏ
ｚ＝＝ｌ： １でガス圧Ｉ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ一定、
高周波入力電力４００Ｗ、ターゲット／Ｓｉ基板間距離
４０ｍｍのスパッタリング条件で、約５時間連続スパッ
タリングすることにより、Ｓｉ基板（１）表面上および
溝（７）内に膜厚的５０μｍのｚｎＯスパッタ厚膜（２
）を成長させる（第４図参照）。
この後、ＺｎＯ膜（２）が形成されたＳｉ基板（１）を
研磨治具にセットし、表面の鏡面研磨によってＳｉ基板
＋１１の表面上のＺｎＯ膜（２）、５ｉ０２膜（３）ヲ
除去し、溝（９）内のＺｎＯ膜（２）のみを残す（第５
図参照）。このようにして、溝（９）内に形成されたＺ
ｎＯ膜（２）をコアとし、その周囲のＳ ｉ０２膜（３
）をクラッド層とする埋込形光導波路が形成される。
研磨治具にセットし、表面の鏡面研磨によってＳｉ基板
＋１１の表面上のＺｎＯ膜（２）、５ｉ０２膜（３）ヲ
除去し、溝（９）内のＺｎＯ膜（２）のみを残す（第５
図参照）。このようにして、溝（９）内に形成されたＺ
ｎＯ膜（２）をコアとし、その周囲のＳ ｉ０２膜（３
）をクラッド層とする埋込形光導波路が形成される。
必要ならば、Ｓｉ基板＋１１およびＺｎＯ膜（２）表面
上ニ５ｉ０２膜を新たに形成する。
上ニ５ｉ０２膜を新たに形成する。
ＺｎＯ（７）屈折率を２．０、Ｓ ｉ０２の屈折率を１
．４１とすると開口数は１．４と非常に大きな値となる
。
．４１とすると開口数は１．４と非常に大きな値となる
。
この光導波路の導波損失はＨｅ −Ｎｅ レーザ光で１
．０ ｄＢ ／ ｃｍであった。
．０ ｄＢ ／ ｃｍであった。
最後に、５ｉ０２薄膜（３）とＺｎＯ膜との界面のレー
ザ・アニール処理を行なう。波長１０．６μｍのＣＯ２
レーザ（８）を用い、レンズ系（９）を介してビーム・
スポットを５０μｍ程度に絞る。光パワーは２Ｘ１０
Ｗｅｄとし−１５ｍｍ／秒のスキャニング速度で光導波
路（２）の長さ方向に３〜４回走査し、光導波路（２）
（溝（７））の底面をア二一ルで光導波路（２）の側面
をアニールする（第６図参照）。
ザ・アニール処理を行なう。波長１０．６μｍのＣＯ２
レーザ（８）を用い、レンズ系（９）を介してビーム・
スポットを５０μｍ程度に絞る。光パワーは２Ｘ１０
Ｗｅｄとし−１５ｍｍ／秒のスキャニング速度で光導波
路（２）の長さ方向に３〜４回走査し、光導波路（２）
（溝（７））の底面をア二一ルで光導波路（２）の側面
をアニールする（第６図参照）。
波長１０．６μｍの光に対してはＺｎＯ膜は透明である
から光の吸収はほとんど起こらない。これに反して５ｉ
０２膜はこの波長では不透明であるから、光を大量に吸
収して高温に加熱される。
から光の吸収はほとんど起こらない。これに反して５ｉ
０２膜はこの波長では不透明であるから、光を大量に吸
収して高温に加熱される。
ＺｎＯと５ｉ０２の界面近傍における膜状態は欠陥密度
が高く、界面散乱、反射による導波損失が大きいが、上
述のレーザ・アニールによって界面近傍の膜の結晶化が
促進されることにより、界面散乱損失が低下する。レー
ザ・アニールによってＺｎＯ膜のＣ軸配向状態に悪影響
を与えることはなく、ＺｎＯバルク損失は上述のように
小さいので、全体として導波損失を低下させることがで
きる。レーザ・アニール処理後の導波損失は０．１ｄＢ
／ｃｍであり、１桁減少していることが分る。
が高く、界面散乱、反射による導波損失が大きいが、上
述のレーザ・アニールによって界面近傍の膜の結晶化が
促進されることにより、界面散乱損失が低下する。レー
ザ・アニールによってＺｎＯ膜のＣ軸配向状態に悪影響
を与えることはなく、ＺｎＯバルク損失は上述のように
小さいので、全体として導波損失を低下させることがで
きる。レーザ・アニール処理後の導波損失は０．１ｄＢ
／ｃｍであり、１桁減少していることが分る。
上記実施例ではレーザ加工によって光導波路用溝を形成
しているが、’Ｓｉ基板の異方性エツチングによっても
光導波路用溝を形成することが可能である。Ｓｉ単結晶
の（１，１，１）面方向への異方性エツチング液は知ら
れているから、Ｓｉ基板を（１，１，１）面に直交する
方向たとえば（１，１，２）面に切り出せばよい。
しているが、’Ｓｉ基板の異方性エツチングによっても
光導波路用溝を形成することが可能である。Ｓｉ単結晶
の（１，１，１）面方向への異方性エツチング液は知ら
れているから、Ｓｉ基板を（１，１，１）面に直交する
方向たとえば（１，１，２）面に切り出せばよい。
豊壬鼻壬＝Ｓｉ単結晶の他の面たとえば（０゜０・”３
・（０・１・Ｏ） １ｌｆｆｉ＄０１＠−’Ｃ”６（７
） 。
・（０・１・Ｏ） １ｌｆｆｉ＄０１＠−’Ｃ”６（７
） 。
はいうまでもない。
光導波路用溝底面上にまずＺｎＯ薄膜を形成し、その後
、このＺｎＯ薄膜上に化学的気相成長法に２七 よってＺｎＯ光導波路を成長するようにすることも可能
である。光導波路用溝底面上へのＺｎＯ薄膜の形成は、
マスキングまたはフォトリゾグラフィを併用したスパッ
タリング法、蒸着法などにより行なうことができる。こ
のようなＺｎＯ薄膜が存在すると、化学的気相成長法で
ＺｎＯ単結晶を成長させたときにＺｎＯはＺｎＯ薄膜の
上にのみ選択的に成長する。これにより光導波路用溝内
に厚みのあるＺｎＯ光導波路が形成される。
、このＺｎＯ薄膜上に化学的気相成長法に２七 よってＺｎＯ光導波路を成長するようにすることも可能
である。光導波路用溝底面上へのＺｎＯ薄膜の形成は、
マスキングまたはフォトリゾグラフィを併用したスパッ
タリング法、蒸着法などにより行なうことができる。こ
のようなＺｎＯ薄膜が存在すると、化学的気相成長法で
ＺｎＯ単結晶を成長させたときにＺｎＯはＺｎＯ薄膜の
上にのみ選択的に成長する。これにより光導波路用溝内
に厚みのあるＺｎＯ光導波路が形成される。
第１図は、埋込形光導波路装置の一例を示す斜視図、第
２図から第６図はその製造工程を示す断面図である。 ｆｉｌ −−−Ｓ ｉ単結晶基板、（２）・・・ｚｎＯ
Ｃ軸配向膜（光導波路） ｓ ｔ３１ ａｓｓ ８１０
２薄膜。 以 上 第２図 第３図 第４図 第５図 第６因
２図から第６図はその製造工程を示す断面図である。 ｆｉｌ −−−Ｓ ｉ単結晶基板、（２）・・・ｚｎＯ
Ｃ軸配向膜（光導波路） ｓ ｔ３１ ａｓｓ ８１０
２薄膜。 以 上 第２図 第３図 第４図 第５図 第６因
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 所定基板表面上に光導波路用溝を形成し、少なくとも光
導波路用溝内面にＳ ｉ０２薄膜を形成基 の界面をアニールする、埋込形光導波路装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25163483A JPS60156014A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 埋込形光導波路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25163483A JPS60156014A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 埋込形光導波路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60156014A true JPS60156014A (ja) | 1985-08-16 |
Family
ID=17225737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25163483A Pending JPS60156014A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 埋込形光導波路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60156014A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63108306A (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-13 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光導波素子の製造方法 |
| JPS6480909A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-27 | Hikari Gijutsu Kenkyu Kaihatsu | Optical device manufacturing device |
| JPH02232607A (ja) * | 1989-03-06 | 1990-09-14 | Ibiden Co Ltd | チャンネル型光導波路の作成方法 |
| US6615614B1 (en) * | 1999-07-07 | 2003-09-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for preparing optical waveguide substrate |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5633684A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Seiko Instr & Electronics | Liquid crystal display unit |
| JPS5642203A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-20 | Fujitsu Ltd | Production of photocoupling line |
| JPS5855904A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-04-02 | Nec Corp | 光導波路の製作法 |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP25163483A patent/JPS60156014A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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