JPH06215995A - フォトレジストおよびレジストの検査方法 - Google Patents
フォトレジストおよびレジストの検査方法Info
- Publication number
- JPH06215995A JPH06215995A JP5006918A JP691893A JPH06215995A JP H06215995 A JPH06215995 A JP H06215995A JP 5006918 A JP5006918 A JP 5006918A JP 691893 A JP691893 A JP 691893A JP H06215995 A JPH06215995 A JP H06215995A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- light
- photosensitive resin
- coating
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- Pending
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトレジスト塗布後の付着異物および塗布
不良箇所を検出する。 【構成】 透明導電膜などの被加工体２を介して、ガラ
ス基板などの基板３上に感光性樹脂を含むフォトレジス
ト１を形成する。フォトレジスト１には、可視光または
紫外光によって発光する有機のケイリン光体が混入され
ている。可視光または紫外光５をフォトレジスト１上に
照射すると、フォトレジスト１中に含有されるケイリン
光体からケイ光またはリン光の反射光６が発光し、反射
光６はカメラ７に入射する。フォトレジスト１上に異物
４が付着している場合、フォトレジスト１の検査領域Ａ
のうち領域ａ１からの反射光６が消失する。このような
反射光６の光量の差は、濃淡画像処理によって数値化さ
れ、異物４の付着が検知される。
不良箇所を検出する。 【構成】 透明導電膜などの被加工体２を介して、ガラ
ス基板などの基板３上に感光性樹脂を含むフォトレジス
ト１を形成する。フォトレジスト１には、可視光または
紫外光によって発光する有機のケイリン光体が混入され
ている。可視光または紫外光５をフォトレジスト１上に
照射すると、フォトレジスト１中に含有されるケイリン
光体からケイ光またはリン光の反射光６が発光し、反射
光６はカメラ７に入射する。フォトレジスト１上に異物
４が付着している場合、フォトレジスト１の検査領域Ａ
のうち領域ａ１からの反射光６が消失する。このような
反射光６の光量の差は、濃淡画像処理によって数値化さ
れ、異物４の付着が検知される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトリソグラフィ技
術におけるフォトレジストに関し、さらにフォトレジス
ト塗布後の付着異物および塗布不良箇所を検出するため
のレジストの検査方法に関する。
術におけるフォトレジストに関し、さらにフォトレジス
ト塗布後の付着異物および塗布不良箇所を検出するため
のレジストの検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば薄膜トランジスタを備えたいわ
ゆるアクティブマトリクス形液晶表示素子の製造工程に
おいては、透明導電膜、各種の金属膜および絶縁膜など
の微細パターン加工を行う必要があり、この微細パター
ンの加工にフォトエッチング法が採用されている。
ゆるアクティブマトリクス形液晶表示素子の製造工程に
おいては、透明導電膜、各種の金属膜および絶縁膜など
の微細パターン加工を行う必要があり、この微細パター
ンの加工にフォトエッチング法が採用されている。
【０００３】フォトエッチング法においては、たとえば
透明導電膜などの被加工体を所望のパターンにエッチン
グする場合、被加工体上に感光性樹脂からなるたとえば
ネガ形のフォトレジストを薄く塗布し、パターンマスク
で被覆して露光する。フォトレジストのうち露光された
部分だけが重合して硬化し、その他の部分は現像液によ
って溶解するため、フォトレジストの溶解によって露出
した被加工体の部分のみをエッチングすることができ、
微細パターンを形成することができる。
透明導電膜などの被加工体を所望のパターンにエッチン
グする場合、被加工体上に感光性樹脂からなるたとえば
ネガ形のフォトレジストを薄く塗布し、パターンマスク
で被覆して露光する。フォトレジストのうち露光された
部分だけが重合して硬化し、その他の部分は現像液によ
って溶解するため、フォトレジストの溶解によって露出
した被加工体の部分のみをエッチングすることができ、
微細パターンを形成することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
フォトエッチング法においては、現像処理後にレジスト
パターンの不良箇所の検査が目視にて行われるだけであ
り、フォトレジストの塗布後に異物が付着し、あるいは
フォトレジストの塗布が不良であった場合でも、現像処
理後に不良箇所が発見されるだけであるから、硬化した
フォトレジストを剥離して再びフォトレジストを塗布し
なければならず、製造コストの上昇を招く結果となって
いる。また、目視による検査では不良箇所を見落とすこ
とがあり、不良箇所が残存する状態でエッチングを行う
と、パターン形成不良が発生することとなる。
フォトエッチング法においては、現像処理後にレジスト
パターンの不良箇所の検査が目視にて行われるだけであ
り、フォトレジストの塗布後に異物が付着し、あるいは
フォトレジストの塗布が不良であった場合でも、現像処
理後に不良箇所が発見されるだけであるから、硬化した
フォトレジストを剥離して再びフォトレジストを塗布し
なければならず、製造コストの上昇を招く結果となって
いる。また、目視による検査では不良箇所を見落とすこ
とがあり、不良箇所が残存する状態でエッチングを行う
と、パターン形成不良が発生することとなる。
【０００５】したがって、本発明の目的は、フォトレジ
スト塗布後の付着異物および塗布不良箇所の検出が可能
となるフォトレジストを提供すること、ならびにこのフ
ォトレジストを用いたレジストの検査方法を提供するこ
とである。
スト塗布後の付着異物および塗布不良箇所の検出が可能
となるフォトレジストを提供すること、ならびにこのフ
ォトレジストを用いたレジストの検査方法を提供するこ
とである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、可視光または
紫外光によって発光する有機のケイリン光体が、ポジ型
またはネガ型の感光性樹脂中に混入され、または前記感
光性樹脂の層上に塗布されてなることを特徴とするフォ
トレジストである。
紫外光によって発光する有機のケイリン光体が、ポジ型
またはネガ型の感光性樹脂中に混入され、または前記感
光性樹脂の層上に塗布されてなることを特徴とするフォ
トレジストである。
【０００７】また本発明は、基板上に形成された被加工
体上に上記フォトレジストを塗布した後、露光に先だっ
て前記フォトレジストに可視光または紫外光を照射し
て、その反射光の画像処理を行うことを特徴とするレジ
ストの検査方法である。
体上に上記フォトレジストを塗布した後、露光に先だっ
て前記フォトレジストに可視光または紫外光を照射し
て、その反射光の画像処理を行うことを特徴とするレジ
ストの検査方法である。
【０００８】
【作用】本発明に係るフォトレジストに従えば、可視光
または紫外光によって発光する有機のケイリン光体が、
ポジ型またはネガ型の感光性樹脂中に混入され、または
前記感光性樹脂の層上に塗布されているため、前記フォ
トレジストの塗布後に、前記フォトレジストに可視光ま
たは紫外光を照射することによって、前記フォトレジス
トからケイ光またはリン光の反射光が発光し、その反射
光をたとえば画像処理することによって、レジストの検
査を行うことができる。
または紫外光によって発光する有機のケイリン光体が、
ポジ型またはネガ型の感光性樹脂中に混入され、または
前記感光性樹脂の層上に塗布されているため、前記フォ
トレジストの塗布後に、前記フォトレジストに可視光ま
たは紫外光を照射することによって、前記フォトレジス
トからケイ光またはリン光の反射光が発光し、その反射
光をたとえば画像処理することによって、レジストの検
査を行うことができる。
【０００９】また、本発明に係るレジストの検査方法に
従えば、基板上に形成された被加工体上に上記のフォト
レジストを塗布した後、露光に先だって前記フォトレジ
ストに可視光または紫外光を照射して、前記フォトレジ
ストから発光するケイ光またはリン光を画像処理する。
このとき、たとえばフォトレジストの塗布後に異物が付
着し、あるいはフォトレジストの塗布が不良であった場
合に、異物または不良箇所の領域からの光量が減少また
は消失するため、レジストの不良箇所を検出することが
できる。
従えば、基板上に形成された被加工体上に上記のフォト
レジストを塗布した後、露光に先だって前記フォトレジ
ストに可視光または紫外光を照射して、前記フォトレジ
ストから発光するケイ光またはリン光を画像処理する。
このとき、たとえばフォトレジストの塗布後に異物が付
着し、あるいはフォトレジストの塗布が不良であった場
合に、異物または不良箇所の領域からの光量が減少また
は消失するため、レジストの不良箇所を検出することが
できる。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明の一実施例であるレジストの
検査方法を説明するための断面図である。図１におい
て、フォトレジスト１は、透明導電膜、各種の金属膜お
よび絶縁膜などの被加工体２を介して、ガラス基板など
の基板３上に形成され、フォトレジスト１上には異物４
が付着している。
検査方法を説明するための断面図である。図１におい
て、フォトレジスト１は、透明導電膜、各種の金属膜お
よび絶縁膜などの被加工体２を介して、ガラス基板など
の基板３上に形成され、フォトレジスト１上には異物４
が付着している。
【００１１】フォトレジスト１は、可視光または紫外光
によって発光する有機のケイリン光体が、ポジ型または
ネガ型の感光性樹脂中に混入されてなる。ここで、可視
光または紫外光とは、前記感光性樹脂が硬化する波長領
域以外の波長光をいい、たとえば前記感光性樹脂が４３
６ｎｍの波長光によって硬化するのであれば、約３００
ｎｍ〜４００ｎｍの波長光をいう。
によって発光する有機のケイリン光体が、ポジ型または
ネガ型の感光性樹脂中に混入されてなる。ここで、可視
光または紫外光とは、前記感光性樹脂が硬化する波長領
域以外の波長光をいい、たとえば前記感光性樹脂が４３
６ｎｍの波長光によって硬化するのであれば、約３００
ｎｍ〜４００ｎｍの波長光をいう。
【００１２】また、有機のケイリン光体とは、ベンゼ
ン、ピリジン、オキサジンを基本骨格として含む有機化
合物をいい、これらケイリン光体のフォトレジスト１中
における含有率は、使用するケイリン光体の種類に依存
するが、フォトレジスト１の硬化に支障を来さず、かつ
画像処理をするに十分な光量を発光する範囲内で適宜選
択される。
ン、ピリジン、オキサジンを基本骨格として含む有機化
合物をいい、これらケイリン光体のフォトレジスト１中
における含有率は、使用するケイリン光体の種類に依存
するが、フォトレジスト１の硬化に支障を来さず、かつ
画像処理をするに十分な光量を発光する範囲内で適宜選
択される。
【００１３】さらに、ポジ型またはネガ型の感光性樹脂
としては、通常使用されるものが選択され、たとえばポ
リ桂皮酸ビニル（溶剤トリクレン）が例示される。
としては、通常使用されるものが選択され、たとえばポ
リ桂皮酸ビニル（溶剤トリクレン）が例示される。
【００１４】図１においては、図示しない光源から可視
光または紫外光５がフォトレジスト１上に照射され、フ
ォトレジスト１中に含有されるケイリン光体からケイ光
またはリン光の反射光６が発光し、たとえばＣＣＤ（電
荷結合素子）を備えたカメラ７に入射する。ところで、
フォトレジスト１上の異物４によって、フォトレジスト
１の検査領域Ａのうち領域ａ１からの反射光６が消失す
る。このような反射光６の光量の差は、濃淡画像処理に
よって数値化され、異物４の付着が検知される。
光または紫外光５がフォトレジスト１上に照射され、フ
ォトレジスト１中に含有されるケイリン光体からケイ光
またはリン光の反射光６が発光し、たとえばＣＣＤ（電
荷結合素子）を備えたカメラ７に入射する。ところで、
フォトレジスト１上の異物４によって、フォトレジスト
１の検査領域Ａのうち領域ａ１からの反射光６が消失す
る。このような反射光６の光量の差は、濃淡画像処理に
よって数値化され、異物４の付着が検知される。
【００１５】図２は、本発明の一実施例であるレジスト
の検査方法を説明するための断面図である。図２におい
て、図１と同一符号は同一または該当する部材を示すた
め説明は省略するが、特に注目すべきは、フォトレジス
ト１にピンホール８が形成されている点である。
の検査方法を説明するための断面図である。図２におい
て、図１と同一符号は同一または該当する部材を示すた
め説明は省略するが、特に注目すべきは、フォトレジス
ト１にピンホール８が形成されている点である。
【００１６】ピンホール８の形成によって、フォトレジ
スト１の検査領域Ｂのうち領域ｂ１からの反射光６の光
量が減少し、上記と同様にして濃淡画像処理によって光
量の差が数値化され、塗布不良箇所であるピンホール８
が検知される。
スト１の検査領域Ｂのうち領域ｂ１からの反射光６の光
量が減少し、上記と同様にして濃淡画像処理によって光
量の差が数値化され、塗布不良箇所であるピンホール８
が検知される。
【００１７】図３は、本発明の一実施例であるレジスト
の検査方法を示すフローチャートである。まずステップ
ｓ１では、図１に示されように、基板３上に形成された
被加工体２上に、フォトレジスト１を塗布する。
の検査方法を示すフローチャートである。まずステップ
ｓ１では、図１に示されように、基板３上に形成された
被加工体２上に、フォトレジスト１を塗布する。
【００１８】次に、ステップｓ２では、検査領域に可視
光または紫外光５を照射し、その反射光６をカメラ７に
て受光して、画像処理することによって、図１に示され
ように、フォトレジスト１上に異物４が付着している
か、あるいは図２に示されように、フォトレジスト１に
ピンホール８が形成されているかなどの塗布不良箇所の
有無が判断される。ステップｓ２にて、塗布不良箇所が
検知されれば、ステップｓ３へ移行して、フォトレジス
ト１の剥離が行われ、再びステップｓ１へ戻り、フォト
レジスト１が塗布される。
光または紫外光５を照射し、その反射光６をカメラ７に
て受光して、画像処理することによって、図１に示され
ように、フォトレジスト１上に異物４が付着している
か、あるいは図２に示されように、フォトレジスト１に
ピンホール８が形成されているかなどの塗布不良箇所の
有無が判断される。ステップｓ２にて、塗布不良箇所が
検知されれば、ステップｓ３へ移行して、フォトレジス
ト１の剥離が行われ、再びステップｓ１へ戻り、フォト
レジスト１が塗布される。
【００１９】一方、ステップｓ２にて、塗布不良箇所が
ないと判断されれば、ステップｓ４へ移行する。ステッ
プｓ４では、フォトレジスト１をパターンマスクにて被
覆した後、図示しない露光手段にてフォトレジスト１に
露光する。このとき、たとえばフォトレジスト１がネガ
型である場合、紫外線が露光された部分は重合硬化し、
その他の部分は未硬化であり、ステップｓ５にて、未硬
化のフォトレジスト１を現像液によって溶解し、被加工
体２のエッチング処理が行われる。
ないと判断されれば、ステップｓ４へ移行する。ステッ
プｓ４では、フォトレジスト１をパターンマスクにて被
覆した後、図示しない露光手段にてフォトレジスト１に
露光する。このとき、たとえばフォトレジスト１がネガ
型である場合、紫外線が露光された部分は重合硬化し、
その他の部分は未硬化であり、ステップｓ５にて、未硬
化のフォトレジスト１を現像液によって溶解し、被加工
体２のエッチング処理が行われる。
【００２０】したがって本実施例によれば、フォトレジ
スト１の塗布後に異物４が付着し、あるいはフォトレジ
スト１にピンホール８が形成されるなどの塗布不良箇所
の発生を露光処理の前に検知することができる。したが
って、次の露光、現像処理に付す前に、フォトレジスト
１を基板３から剥離して、新たにフォトレジストを塗布
して再生することが可能となるため、現像処理後の不良
品の数が減少し、作業効率が向上する。
スト１の塗布後に異物４が付着し、あるいはフォトレジ
スト１にピンホール８が形成されるなどの塗布不良箇所
の発生を露光処理の前に検知することができる。したが
って、次の露光、現像処理に付す前に、フォトレジスト
１を基板３から剥離して、新たにフォトレジストを塗布
して再生することが可能となるため、現像処理後の不良
品の数が減少し、作業効率が向上する。
【００２１】なおフォトレジスト１には、有機のケイリ
ン光体が感光性樹脂中に混入されているが、基板３上の
被加工体２上に有機のケイリン光体を含まない感光性樹
脂からなるフォトレジストを形成し、このフォトレジス
トの層上に有機のケイリン光体を塗布するようにしても
よい。
ン光体が感光性樹脂中に混入されているが、基板３上の
被加工体２上に有機のケイリン光体を含まない感光性樹
脂からなるフォトレジストを形成し、このフォトレジス
トの層上に有機のケイリン光体を塗布するようにしても
よい。
【００２２】さらに、可視光または紫外光を発光する光
源、ケイ光またはリン光を受光するカメラなどを含む欠
陥検査装置を露光装置または現像装置に組み込み、一連
の工程中にてレジストの検査を行えるようにしてもよ
い。
源、ケイ光またはリン光を受光するカメラなどを含む欠
陥検査装置を露光装置または現像装置に組み込み、一連
の工程中にてレジストの検査を行えるようにしてもよ
い。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明に係るフォトレジス
トによれば、前記フォトレジストの塗布後に、前記フォ
トレジストに可視光または紫外光を照射することによっ
て、前記フォトレジストからケイ光またはリン光の反射
光が発光し、その反射光をたとえば画像処理することに
よって、レジストの検査を行うことができる。したがっ
て、フォトレジストの塗布後にフォトレジストの不良を
検知し、不良のフォトレジストを剥離して、再びフォト
レジストを塗布して再生することが可能となる。
トによれば、前記フォトレジストの塗布後に、前記フォ
トレジストに可視光または紫外光を照射することによっ
て、前記フォトレジストからケイ光またはリン光の反射
光が発光し、その反射光をたとえば画像処理することに
よって、レジストの検査を行うことができる。したがっ
て、フォトレジストの塗布後にフォトレジストの不良を
検知し、不良のフォトレジストを剥離して、再びフォト
レジストを塗布して再生することが可能となる。
【００２４】また、本発明に係るレジストの検査方法に
よれば、上記フォトレジストを塗布した後、露光に先だ
って、前記フォトレジストに可視光または紫外光を照射
して、その反射光の画像処理を行うことによって、たと
えばフォトレジストの塗布後に異物が付着し、あるいは
フォトレジストの塗布が不良であった場合に、露光処理
の前にフォトレジストの不良を検知することができる。
したがって、次の露光、現像処理に付す前に、不良箇所
が検知された未硬化のフォトレジストを基板から剥離し
て、再びフォトレジストを塗布して再生することが可能
となるため、作業効率が向上する。
よれば、上記フォトレジストを塗布した後、露光に先だ
って、前記フォトレジストに可視光または紫外光を照射
して、その反射光の画像処理を行うことによって、たと
えばフォトレジストの塗布後に異物が付着し、あるいは
フォトレジストの塗布が不良であった場合に、露光処理
の前にフォトレジストの不良を検知することができる。
したがって、次の露光、現像処理に付す前に、不良箇所
が検知された未硬化のフォトレジストを基板から剥離し
て、再びフォトレジストを塗布して再生することが可能
となるため、作業効率が向上する。
【００２５】また、露光、現像処理後にエッチングを行
った際に、基板上に形成された透明導電膜、各種の金属
膜および絶縁膜などの被加工体のパターンが不良となる
のを防止することができる。さらに、画像処理によって
レジストを検査するため、人の目視に頼らずに自動化が
可能となり、目視による不良箇所の見落としを防ぐこと
ができる。
った際に、基板上に形成された透明導電膜、各種の金属
膜および絶縁膜などの被加工体のパターンが不良となる
のを防止することができる。さらに、画像処理によって
レジストを検査するため、人の目視に頼らずに自動化が
可能となり、目視による不良箇所の見落としを防ぐこと
ができる。
【図１】異物付着時のレジストの検査方法を説明するた
めの断面図である。
めの断面図である。
【図２】塗布不良時のレジストの検査方法を説明するた
めの断面図である。
めの断面図である。
【図３】レジストの検査方法を示すフローチャートであ
る。
る。
【符号の説明】 １ フォトレジスト ２ 被加工体 ３ 基板 ５ 可視光または紫外光 ６ 反射光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関 敦夫 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 可視光または紫外光によって発光する有
機のケイリン光体が、ポジ型またはネガ型の感光性樹脂
中に混入され、または前記感光性樹脂の層上に塗布され
てなることを特徴とするフォトレジスト。 - 【請求項２】 基板上に形成された被加工体上に請求項
１記載のフォトレジストを塗布した後、露光に先だって
前記フォトレジストに可視光または紫外光を照射して、
その反射光の画像処理を行うことを特徴とするレジスト
の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5006918A JPH06215995A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | フォトレジストおよびレジストの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5006918A JPH06215995A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | フォトレジストおよびレジストの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06215995A true JPH06215995A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=11651620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5006918A Pending JPH06215995A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | フォトレジストおよびレジストの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06215995A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001118781A (ja) * | 1999-10-20 | 2001-04-27 | United Microelectronics Corp | ビデオセンサ利用のレジストコーティング状況検査方法及び装置 |
| KR20040039790A (ko) * | 2002-11-04 | 2004-05-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| WO2006078435A1 (en) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Innovative Productivity, Inc. | Fluorescent coating void detection system and method |
| KR100607801B1 (ko) * | 2004-07-15 | 2006-08-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 결함 검출 방법 |
| JP2011091104A (ja) * | 2009-10-20 | 2011-05-06 | Canon Inc | インプリント装置、及びそれを用いた物品の製造方法 |
| US9481114B2 (en) | 2011-04-14 | 2016-11-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint method |
-
1993
- 1993-01-19 JP JP5006918A patent/JPH06215995A/ja active Pending
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