JPS6249614B2 - - Google Patents
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はo−キノンジアジド化合物を感光性成
分とする感光層を有する感光材料に関するもの
で、特にポジ画像よりポジ画像を得るポジテイブ
ワーキング型複写およびネガ画像からポジ画像を
得るネガテイブワーキング型複写の双方が可能な
感光材料に関するものである。
分とする感光層を有する感光材料に関するもの
で、特にポジ画像よりポジ画像を得るポジテイブ
ワーキング型複写およびネガ画像からポジ画像を
得るネガテイブワーキング型複写の双方が可能な
感光材料に関するものである。
周知のようにo−キノンジアジド化合物は、感
光性物質であり、感光性印刷版、エツチング用フ
オトレジスト、投影原図等に用いる感光性複写層
の感光性成分として利用されている。
光性物質であり、感光性印刷版、エツチング用フ
オトレジスト、投影原図等に用いる感光性複写層
の感光性成分として利用されている。
o−キノンジアジド化合物は活性光線の照射に
よりジアゾ基が分解し、カルボキシル基含有の化
合物を生じることが示されている。従つてこのよ
うなo−キノンジアジド化合物を含有する感光層
を露光後アルカリ性現像液で現像すると、露光部
が支持体より除去され、未露光部が、画像化され
る。所謂ポジテイブワーキング型の画像形成が行
われる。
よりジアゾ基が分解し、カルボキシル基含有の化
合物を生じることが示されている。従つてこのよ
うなo−キノンジアジド化合物を含有する感光層
を露光後アルカリ性現像液で現像すると、露光部
が支持体より除去され、未露光部が、画像化され
る。所謂ポジテイブワーキング型の画像形成が行
われる。
一方、o−キノンジアジド化合物と供に遊離第
一アミノ基を含む固体の化合物を含有させること
により露光部が不溶化し、未露光部を除去して露
光部を画像化させるネガテイブワーキング型の感
光層も公知である。
一アミノ基を含む固体の化合物を含有させること
により露光部が不溶化し、未露光部を除去して露
光部を画像化させるネガテイブワーキング型の感
光層も公知である。
更には、o−キノンジアジド化合物を含有する
感光材料を用いて、ポジテイブワーキング型及
び、ネガテイブワーキング型の双方の画像を形成
させる方法が特開昭50−108002、特開昭49−
127615に開示されている。これらの発明において
は、o−キノンジアジド化合物と第二アミン又は
第三アミンあるいは、水酸基を含有する化合物の
少なくとも一種を含有する感光層を有する感光材
料を用いて、先ず活性光線で画像露光後、アルカ
リ性現像液で現像することによつて、露光部が除
去され、ポジテイブワーキング型の画像が形成さ
れる。
感光材料を用いて、ポジテイブワーキング型及
び、ネガテイブワーキング型の双方の画像を形成
させる方法が特開昭50−108002、特開昭49−
127615に開示されている。これらの発明において
は、o−キノンジアジド化合物と第二アミン又は
第三アミンあるいは、水酸基を含有する化合物の
少なくとも一種を含有する感光層を有する感光材
料を用いて、先ず活性光線で画像露光後、アルカ
リ性現像液で現像することによつて、露光部が除
去され、ポジテイブワーキング型の画像が形成さ
れる。
一方活性光線で画像し、画像露光と同時又は、
その後に感光層を加熱した後、未露光部又は全面
に活性光線を照射してから、アルカリ性現像液で
現像することによつて、はじめの画像露光におけ
る未露光部が除去され、ネガテイブワーキング型
の画像が形成される。
その後に感光層を加熱した後、未露光部又は全面
に活性光線を照射してから、アルカリ性現像液で
現像することによつて、はじめの画像露光におけ
る未露光部が除去され、ネガテイブワーキング型
の画像が形成される。
従来、このように同じ感光材料を用いて反転さ
せる方法としてはハロゲン化銀乳剤を用いて、露
光後、通常の現像によりポジテイブワーキング型
に画像を得る方法と露光後通常の現像により画像
を形成した後エツチ・ブリーチをおこない、画像
部をエツチングした後、全面露光を与え更に現像
をおこないポジテイブワーキング型に画像を得る
方法がある。この方法は工程が複雑であり又エツ
チ・ブリーチをおこなう際に解像力が非常におち
ることがしられている。
せる方法としてはハロゲン化銀乳剤を用いて、露
光後、通常の現像によりポジテイブワーキング型
に画像を得る方法と露光後通常の現像により画像
を形成した後エツチ・ブリーチをおこない、画像
部をエツチングした後、全面露光を与え更に現像
をおこないポジテイブワーキング型に画像を得る
方法がある。この方法は工程が複雑であり又エツ
チ・ブリーチをおこなう際に解像力が非常におち
ることがしられている。
又、通常のフオトレジストを見渡した場合、ポ
ジテイブワーキング型の画像形成をおこなう場
合、特殊の場合を除きほとんどがo−キノンジア
ジド化合物を使用しており、一方ネガテイブワー
キング型の画像形成をおこなう場合には種々のフ
オトポリマーが使用されている。しかしながらこ
れらネガテイブワーキング型の画像形成に使用さ
れるフオトポリマーと前記ポジテイブワーキング
型の画像形成に使用されるo−キノンジアジド化
合物を使用する感光性材料を比べた場合、その解
像力において後者に優るフオトポリマーは得られ
ていないのが現状である。
ジテイブワーキング型の画像形成をおこなう場
合、特殊の場合を除きほとんどがo−キノンジア
ジド化合物を使用しており、一方ネガテイブワー
キング型の画像形成をおこなう場合には種々のフ
オトポリマーが使用されている。しかしながらこ
れらネガテイブワーキング型の画像形成に使用さ
れるフオトポリマーと前記ポジテイブワーキング
型の画像形成に使用されるo−キノンジアジド化
合物を使用する感光性材料を比べた場合、その解
像力において後者に優るフオトポリマーは得られ
ていないのが現状である。
一方、電子材料産業における半導体分野におい
ては高密度な記録が要望されており、解像力の高
いネガテイブワーキング型のフオトポリマーが渇
望されている。
ては高密度な記録が要望されており、解像力の高
いネガテイブワーキング型のフオトポリマーが渇
望されている。
一方、先に述べた特開昭50−108002及び49−
127615の方法を用いれば同じ感光材料を用いて、
ポジテイブワーキング型及ネガテイブワーキング
型の画像形成ともに、非常にエツヂのシヤープな
高解像力のパターンが得られ、特にネガテイブワ
ーキング型の画像形成に際しては従来のフオトポ
リマーに比べ、一段と優れた解像力が得られる。
127615の方法を用いれば同じ感光材料を用いて、
ポジテイブワーキング型及ネガテイブワーキング
型の画像形成ともに、非常にエツヂのシヤープな
高解像力のパターンが得られ、特にネガテイブワ
ーキング型の画像形成に際しては従来のフオトポ
リマーに比べ、一段と優れた解像力が得られる。
本発明の目的は、同じ感光材料を用いて、ポジ
テイブワーキング型及びネガテイブワーキング型
の双方の画像形成処理が可能な新規の感光材料お
よびそれを用いる画像形成方法を提供するもので
ある。
テイブワーキング型及びネガテイブワーキング型
の双方の画像形成処理が可能な新規の感光材料お
よびそれを用いる画像形成方法を提供するもので
ある。
本発明の他の目的は同じ感光材料を用いて、ポ
ジテイブワーキング型及びネガテイブワーキング
型の双方を同一の処理条件で現像可能な感光材料
を提供することである。
ジテイブワーキング型及びネガテイブワーキング
型の双方を同一の処理条件で現像可能な感光材料
を提供することである。
本発明の更に他の目的は、IC用フオトレジス
ト、プリント回路用フオトレジスト、印刷版、マ
スク材料等に有用な感光材料を提供することであ
る。
ト、プリント回路用フオトレジスト、印刷版、マ
スク材料等に有用な感光材料を提供することであ
る。
本発明は、
(1) o−キノンジアジド化合物を感光性成分と
し、該化合物の光反応生成物と直接または触媒
的に反応する添加剤を含む感光層を有する感光
材料において、該添加剤がキノン化合物あるい
は芳香族ケトン化合物であることを特徴とする
感光材料。
し、該化合物の光反応生成物と直接または触媒
的に反応する添加剤を含む感光層を有する感光
材料において、該添加剤がキノン化合物あるい
は芳香族ケトン化合物であることを特徴とする
感光材料。
(2) 該キノン化合物が、アントラキノン、1−メ
チルアントラキノン、2−メチルアントラキノ
ン、2−t−ブチルアントラキノン、1−アセ
チルアミノ−4−ニトロアントラキノン、1・
2−ベンズアントラキノン、2・3−トリアゾ
リルアントラキノン、フエナントラキノン、1
−メチルフエナントラキノンまたはベンズフエ
ナントラキノンである(1)に記載の感光材料。
チルアントラキノン、2−メチルアントラキノ
ン、2−t−ブチルアントラキノン、1−アセ
チルアミノ−4−ニトロアントラキノン、1・
2−ベンズアントラキノン、2・3−トリアゾ
リルアントラキノン、フエナントラキノン、1
−メチルフエナントラキノンまたはベンズフエ
ナントラキノンである(1)に記載の感光材料。
(3) 該芳香族ケトンが、ペリナフテノン、キサン
トン、チオキサントン、ベンズアントロン、3
−クロルベンズアントロン、ナフトフラノン、
4−フエニルナフトフラノン、インデノン、
2・3−ジフエニルインデノン、ベンゾフエノ
ンまたはベンザルアセトフエノンである(1)に記
載の感光材料。
トン、チオキサントン、ベンズアントロン、3
−クロルベンズアントロン、ナフトフラノン、
4−フエニルナフトフラノン、インデノン、
2・3−ジフエニルインデノン、ベンゾフエノ
ンまたはベンザルアセトフエノンである(1)に記
載の感光材料。
(4) o−キノンジアジド化合物と該o−キノンジ
アジド化合物の光反応生成物と直接または触媒
的に反応するキノン化合物または芳香族ケトン
化合物を含む感光層を有する感光材料に活性光
を用いてパターン露光し、しかる後ポジテイブ
ワーキングに画像形成させる該感光材料および
ネガテイブワーキングに画像形成させる該感光
材料を同じアルカリ性現像液で現像するパター
ン形成法。
アジド化合物の光反応生成物と直接または触媒
的に反応するキノン化合物または芳香族ケトン
化合物を含む感光層を有する感光材料に活性光
を用いてパターン露光し、しかる後ポジテイブ
ワーキングに画像形成させる該感光材料および
ネガテイブワーキングに画像形成させる該感光
材料を同じアルカリ性現像液で現像するパター
ン形成法。
(5) 該パターン露光後、ついで現像してポジテイ
ブワーキングに画像形成させる(4)に記載のパタ
ーン形成方法。
ブワーキングに画像形成させる(4)に記載のパタ
ーン形成方法。
(6) 該パターン露光と同時にまたは該パターン露
光の後に該感光材料を加熱し、ついで該感光材
料に活性光を用いて後露光し、しかる後現像し
てネガテイブワーキングに画像形成させる(4)に
記載のパターン形成法。
光の後に該感光材料を加熱し、ついで該感光材
料に活性光を用いて後露光し、しかる後現像し
てネガテイブワーキングに画像形成させる(4)に
記載のパターン形成法。
本発明に用いられるo−キノンジアジド化合物
とは少なくとも1つのo−キノンジアジド基を有
する化合物で活性光照射によりアルカリ溶液に対
する溶解性を増すものであり種々の構造の化合物
が知られており、例えばJ.KOSAR著「Light−
Sensitive Systems」(John Wiley&Sons、
Inc.1965年発行)に詳細に記されている。特に
種々のヒドロキシル化合物とo−ベンゾあるいは
o−ナフトキノンジアジドのスルホン酸エステル
が好適である。代表的なものを例示すれば、2・
2′−ジヒドロキシ−ジフエニル−ビス−〔ナフト
キノン−1・2−ジアジド−5−スルホン酸エス
テル〕、2・2′4・4′−テトラヒドロキシジフエニ
ル−テトラ〔ナフトキノン−1・2−ジアジド−
5−スルホン酸エステル〕、2・3・4−トリオ
キシベンゾフエノン−ビス−〔ナフトキノン−
1・2−ジアジド−5−スルホン酸エステル〕な
どがあり、特に特公昭43−28403号公報に記載さ
れているアセトンとピロガロールの縮重合により
得られるポリヒドロキシベンゼンのナフトキノン
−1・2−ジアジド−5−スルホン酸エステルが
有利に使用できる。
とは少なくとも1つのo−キノンジアジド基を有
する化合物で活性光照射によりアルカリ溶液に対
する溶解性を増すものであり種々の構造の化合物
が知られており、例えばJ.KOSAR著「Light−
Sensitive Systems」(John Wiley&Sons、
Inc.1965年発行)に詳細に記されている。特に
種々のヒドロキシル化合物とo−ベンゾあるいは
o−ナフトキノンジアジドのスルホン酸エステル
が好適である。代表的なものを例示すれば、2・
2′−ジヒドロキシ−ジフエニル−ビス−〔ナフト
キノン−1・2−ジアジド−5−スルホン酸エス
テル〕、2・2′4・4′−テトラヒドロキシジフエニ
ル−テトラ〔ナフトキノン−1・2−ジアジド−
5−スルホン酸エステル〕、2・3・4−トリオ
キシベンゾフエノン−ビス−〔ナフトキノン−
1・2−ジアジド−5−スルホン酸エステル〕な
どがあり、特に特公昭43−28403号公報に記載さ
れているアセトンとピロガロールの縮重合により
得られるポリヒドロキシベンゼンのナフトキノン
−1・2−ジアジド−5−スルホン酸エステルが
有利に使用できる。
本発明の最も重要な成分の一つであるキノン化
合物の具体例としては、アントラキノン、1−メ
チルアントラキノン、2−メチルアントラキノ
ン、2−t−ブチル−アントラキノン、1−アセ
チルアミノ−4−ニトロアントラキノン、1・2
−ベンズアントラキノン、2・3−トリアゾリル
アントラキノン、フエナントラキノン、1−メチ
ルフエナントラキノン、ベンズフエナントラキノ
ンをあげることができる。又、本発明に用いるこ
とのできる芳香族ケトンの具体例としては、ペリ
ナフテノン、キサントン、チオキサントン、ベン
ズアントロン、3−クロロベンズアントロン、ナ
フトフラノン、4−フエニルナフトフラノン、イ
ンデノン、2・3−ジフエニルインデノン、ベン
ゾフエノン、ベンザルアセトフエノンをあげるこ
とができる。
合物の具体例としては、アントラキノン、1−メ
チルアントラキノン、2−メチルアントラキノ
ン、2−t−ブチル−アントラキノン、1−アセ
チルアミノ−4−ニトロアントラキノン、1・2
−ベンズアントラキノン、2・3−トリアゾリル
アントラキノン、フエナントラキノン、1−メチ
ルフエナントラキノン、ベンズフエナントラキノ
ンをあげることができる。又、本発明に用いるこ
とのできる芳香族ケトンの具体例としては、ペリ
ナフテノン、キサントン、チオキサントン、ベン
ズアントロン、3−クロロベンズアントロン、ナ
フトフラノン、4−フエニルナフトフラノン、イ
ンデノン、2・3−ジフエニルインデノン、ベン
ゾフエノン、ベンザルアセトフエノンをあげるこ
とができる。
前記化合物の使用量は、o−キノンジアジド化
合物1重量部に対して、約0.005重量部から約1
重量部であり、好ましくは、約0.01重量部から約
0.5重量部の範囲である。
合物1重量部に対して、約0.005重量部から約1
重量部であり、好ましくは、約0.01重量部から約
0.5重量部の範囲である。
本発明の材料および方法に用いられる感光性樹
脂組成物には上記成分のほかに各種添加物を加え
ることができる。たとえば画像を明瞭化させるた
めフタロシアンブルーのような顔料やマラカイト
グリーン、サフラニン等の各種染料を加えること
ができる。また画像強度を高めるためあるいはバ
インダーとして前記成分と均一に混和しうる樹
脂、たとえばスチレン−無水マレイン酸共重合
体、スチレン−アクリル酸共重合体、メタクリル
酸−メタクリル酸メチル共重合体などを加えるこ
ともできる。これらの技術に関しては、従来当業
者によく知れていることなので、更なる詳細な説
明は省略する。
脂組成物には上記成分のほかに各種添加物を加え
ることができる。たとえば画像を明瞭化させるた
めフタロシアンブルーのような顔料やマラカイト
グリーン、サフラニン等の各種染料を加えること
ができる。また画像強度を高めるためあるいはバ
インダーとして前記成分と均一に混和しうる樹
脂、たとえばスチレン−無水マレイン酸共重合
体、スチレン−アクリル酸共重合体、メタクリル
酸−メタクリル酸メチル共重合体などを加えるこ
ともできる。これらの技術に関しては、従来当業
者によく知れていることなので、更なる詳細な説
明は省略する。
以上の如き組成からなる感光性組成物は、適当
な支持体、例えば金属板(例えばアルミニウム
板、亜鉛板等)、紙、例えばポリエチレン、ポリ
スチレン等のプラスチツクがラミネートされた
紙、例えばポリエチレンテレフタレート、二酢酸
セルロース、三酢酸セルロース、ニトロセルロー
ス、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニルの如きプ
ラスチツクフイルムあるいは、これらプラスチツ
クフイルムやガラスなどの支持体上に蒸着された
金属あるいは無機化合物薄層(例えばクロム、ア
ルミニウム、亜鉛、カルコゲナイト化合物など)
などに塗布されて感光材料とされる。
な支持体、例えば金属板(例えばアルミニウム
板、亜鉛板等)、紙、例えばポリエチレン、ポリ
スチレン等のプラスチツクがラミネートされた
紙、例えばポリエチレンテレフタレート、二酢酸
セルロース、三酢酸セルロース、ニトロセルロー
ス、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニルの如きプ
ラスチツクフイルムあるいは、これらプラスチツ
クフイルムやガラスなどの支持体上に蒸着された
金属あるいは無機化合物薄層(例えばクロム、ア
ルミニウム、亜鉛、カルコゲナイト化合物など)
などに塗布されて感光材料とされる。
かかる感光材料は活性光線(通常は波長約290
乃至500nmの近紫外および可視光)で通常の方
法により画像露光される。活性光線の光源として
キセノン灯、カーボンアーク灯、タングステン
灯、螢光灯、太陽光等を使用することができる。
乃至500nmの近紫外および可視光)で通常の方
法により画像露光される。活性光線の光源として
キセノン灯、カーボンアーク灯、タングステン
灯、螢光灯、太陽光等を使用することができる。
ポジテイブワーキング処理により画像を得る場
合には、画像露光の後現像処理を行なえばよい。
合には、画像露光の後現像処理を行なえばよい。
ネガテイブワーキング処理により画像を得るた
めには、加熱処理を行う。この処理によつて露光
部の不溶化が促進される。加熱は画像露光と同時
に施すこともできるし、また画像露光後に施すこ
ともできる。加熱温度は約70℃から約300℃ま
で、好ましくは、約90℃から約270℃までの温度
範囲である。30℃から70℃の間では、比較的長い
時間を要し、又、300℃を起える温度では、未露
光部の感光性が低下し、加熱後露光に長時間を要
する。従つて上記の温度範囲で加熱することが好
ましい。
めには、加熱処理を行う。この処理によつて露光
部の不溶化が促進される。加熱は画像露光と同時
に施すこともできるし、また画像露光後に施すこ
ともできる。加熱温度は約70℃から約300℃ま
で、好ましくは、約90℃から約270℃までの温度
範囲である。30℃から70℃の間では、比較的長い
時間を要し、又、300℃を起える温度では、未露
光部の感光性が低下し、加熱後露光に長時間を要
する。従つて上記の温度範囲で加熱することが好
ましい。
加熱方法としては該感光性複写物を加熱気体中
に配置させる方法、加熱液体中に浸漬する方法、
加熱固体と接触させる方法など種々の方法が実施
できる。
に配置させる方法、加熱液体中に浸漬する方法、
加熱固体と接触させる方法など種々の方法が実施
できる。
加熱処理された感光材料は次いで活性光線に照
射される。この照射処理は先に施された画像露光
における未露光部の感光層が、後に施される現像
処理により除去されるようにするために施される
ものであり、従つて、少なくとも上記画像露光に
おける未露光部が活性光線に照射される必要があ
る。しかし、先に画像露光された露光部の感光層
は、もはや感光性を失つているので、この段階に
おける活性光線の照射処理により、何ら変化を受
けないので、感光層全面を活性光線に照射するの
が、作業能率上、有利である。この一様露光の光
源は前述の画像露光と同様のものを用いることが
できる。またこの一様露光の時期としては少なく
とも加熱後であればいかなる時期でもよく、加熱
後材料が冷却する前もしくは冷却後のいずれでも
良い。
射される。この照射処理は先に施された画像露光
における未露光部の感光層が、後に施される現像
処理により除去されるようにするために施される
ものであり、従つて、少なくとも上記画像露光に
おける未露光部が活性光線に照射される必要があ
る。しかし、先に画像露光された露光部の感光層
は、もはや感光性を失つているので、この段階に
おける活性光線の照射処理により、何ら変化を受
けないので、感光層全面を活性光線に照射するの
が、作業能率上、有利である。この一様露光の光
源は前述の画像露光と同様のものを用いることが
できる。またこの一様露光の時期としては少なく
とも加熱後であればいかなる時期でもよく、加熱
後材料が冷却する前もしくは冷却後のいずれでも
良い。
以上の処理の後に、現像処理すると画像露光に
おける未露光部が溶解除去される。画像液は、従
来o−キノンジアジド化合物を用いてポジテイブ
ワーキング型画像形成を行う際に用いられる多く
の公知の方法から選択することができる。
おける未露光部が溶解除去される。画像液は、従
来o−キノンジアジド化合物を用いてポジテイブ
ワーキング型画像形成を行う際に用いられる多く
の公知の方法から選択することができる。
すなわちアルカリ性溶液で浸漬あるいは洗滌す
ることによつて容易に現像される。好ましいアル
カリ性溶液としては水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、珪酸ナトリウム、珪酸カリウム、燐酸三
ナトリウム、燐酸三カリウム、炭酸ナトリウム、
炭酸カリウム、あるいはモノエタノールアミン、
ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシドに代表され
る塩基性溶剤を含む水溶液が掲げられ、場合によ
つては、有機溶剤、界面活性剤等を含ませること
ができる。
ることによつて容易に現像される。好ましいアル
カリ性溶液としては水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、珪酸ナトリウム、珪酸カリウム、燐酸三
ナトリウム、燐酸三カリウム、炭酸ナトリウム、
炭酸カリウム、あるいはモノエタノールアミン、
ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシドに代表され
る塩基性溶剤を含む水溶液が掲げられ、場合によ
つては、有機溶剤、界面活性剤等を含ませること
ができる。
本発明により同じ現像液及び装置を用いて同じ
感光材料を用いてポジテイブワーキング型画像形
成、ネガテイブワーキング型画像形成の両方が可
能となるので、従来のように原画がネガかポジか
の相違により感光材料を使い分ける必要もなく、
また現像液、装置なども使い分ける必要がない。
感光材料を用いてポジテイブワーキング型画像形
成、ネガテイブワーキング型画像形成の両方が可
能となるので、従来のように原画がネガかポジか
の相違により感光材料を使い分ける必要もなく、
また現像液、装置なども使い分ける必要がない。
以下に本発明を実施例にて説明するが、本発明
はこれに限定されるものではない。
はこれに限定されるものではない。
実施例 1
特公昭43−28403号公報の実施例1に記載され
たアセトンとピロガロールの重縮合により得られ
たポリヒドロキシベンゼンの1・2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステル1重量部、
フエノール樹脂(住友デユレズ(社)製、商品名
PR−50904、重合度3〜10)2重量部、1・2−
ベンズアントラキノン0.15重量部を、メチルエチ
ルケトン20重量部、メチルセルソルブアセテート
20重量部に溶解させ、感光液を作製した。また清
浄なポリエチレンテレフタレート(PET)フイ
ルム(厚さ100μm)にアルミニウムが98.5、鉄
が1.5の原子数比になるように真空蒸着し、厚み
約700Åとした。これに上記感光液を回転塗布機
により、乾燥膜厚約1μmになるように塗布し
た。これを2枚に切断し、試料a,bとした。試
料aについてポジテイブな原画を通して、試料b
については、ネガテイブな原画を通して2kW超
高圧水銀灯から55cmの距離でそれぞれ15秒間画像
露光した。試料bについては、露光後120℃の空
気恒温槽に20分間放置した後、2kW超高圧水銀
灯にて15秒間全面露光を行つた。その後水酸化ナ
トリウム4g、臭素酸カリウム10g、燐酸三ナト
リウム10gを1の水に溶解した現像液に試料
a,bを31℃で20秒間浸漬した。試料aについて
は露光部分の金属蒸着層が溶出し、未露光部は、
感光層および金属層が残存し、また試料bについ
ては、aとは反対に、最初の露光部で感光層およ
び金属蒸着層が残存し、最初の未露光部は、金属
蒸着層が溶出した。試料a,b供に、まつたくか
ぶりのない極めて良好なポジテイブな画像が得ら
れた。
たアセトンとピロガロールの重縮合により得られ
たポリヒドロキシベンゼンの1・2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステル1重量部、
フエノール樹脂(住友デユレズ(社)製、商品名
PR−50904、重合度3〜10)2重量部、1・2−
ベンズアントラキノン0.15重量部を、メチルエチ
ルケトン20重量部、メチルセルソルブアセテート
20重量部に溶解させ、感光液を作製した。また清
浄なポリエチレンテレフタレート(PET)フイ
ルム(厚さ100μm)にアルミニウムが98.5、鉄
が1.5の原子数比になるように真空蒸着し、厚み
約700Åとした。これに上記感光液を回転塗布機
により、乾燥膜厚約1μmになるように塗布し
た。これを2枚に切断し、試料a,bとした。試
料aについてポジテイブな原画を通して、試料b
については、ネガテイブな原画を通して2kW超
高圧水銀灯から55cmの距離でそれぞれ15秒間画像
露光した。試料bについては、露光後120℃の空
気恒温槽に20分間放置した後、2kW超高圧水銀
灯にて15秒間全面露光を行つた。その後水酸化ナ
トリウム4g、臭素酸カリウム10g、燐酸三ナト
リウム10gを1の水に溶解した現像液に試料
a,bを31℃で20秒間浸漬した。試料aについて
は露光部分の金属蒸着層が溶出し、未露光部は、
感光層および金属層が残存し、また試料bについ
ては、aとは反対に、最初の露光部で感光層およ
び金属蒸着層が残存し、最初の未露光部は、金属
蒸着層が溶出した。試料a,b供に、まつたくか
ぶりのない極めて良好なポジテイブな画像が得ら
れた。
実施例 2
実施例1の1・2−ベンズアントラキノンの代
りにペリナフテノンを用いる他は、まつたく同様
の操作を行うと、ポジテイブワーキング及びネガ
テイブワーキングの良好な画像の双方が同一の感
光材料及び同一の現像液にて得られた。
りにペリナフテノンを用いる他は、まつたく同様
の操作を行うと、ポジテイブワーキング及びネガ
テイブワーキングの良好な画像の双方が同一の感
光材料及び同一の現像液にて得られた。
実施例 3
実施例1の1・2−ベンズアントラキノンの代
りにフルオレノンを用いる他は、まつたく同様の
操作を行うとポジテイブワーキング及びネガテイ
ブワーキングの良好な画像の双方が同一の感光材
料及び同一の現像液にて得られた。
りにフルオレノンを用いる他は、まつたく同様の
操作を行うとポジテイブワーキング及びネガテイ
ブワーキングの良好な画像の双方が同一の感光材
料及び同一の現像液にて得られた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 o−キノンジアジド化合物を感光性成分と
し、該化合物の光反応生成物と直接または触媒的
に反応する添加剤を含む感光層を有する感光材料
において、該添加剤がキノン化合物あるいは芳香
族ケトン化合物であることを特徴とする感光材
料。 2 該キノン化合物が、アントラキノン、1−メ
チルアントラキノン、2−メチルアントラキノ
ン、2−t−ブチルアントラキノン、1−アセチ
ルアミノ−4−ニトロアントラキノン、1・2−
ベンズアントラキノン、2・3−トリアゾリルア
ントラキノン、フエナントラキノン、1−メチル
フエナントラキノンまたはベンズフエナントラキ
ノンである特許求の範囲1に記載の感光材料。 3 該芳香族ケトンが、ペリナフテノン、キサン
トン、チオキサントン、ベンズアントロン、3−
クロルベンズアントロン、ナフトフラノン、4−
フエニルナフトフラノン、インデノン、2・3−
ジフエニルインデノン、ベンゾフエノンまたはベ
ンザルアセトフエノンである特許請求の範囲1に
記載の感光材料。 4 o−キノンジアジド化合物と該o−キノンジ
アジド化合物の光反応生成物と直接または触媒的
に反応するキノン化合物または芳香族ケトン化合
物を含む感光層を有する感光材料に活性光を用い
てパターン露光し、しかる後ポジテイブワーキン
グに画像形成させる該感光材料およびネガテイブ
ワーキングに画像形成させる該感光材料を同じア
ルカリ性現像液で現像するパターン形成法。 5 該パターン露光後、ついで現像してポジテイ
ブワーキングに画像形成させる特許請求の範囲4
に記載のパターン形成方法。 6 該パターン露光と同時にまたは該パターン露
光の後に該感光材料を加熱し、ついで該感光材料
に活性光を用いて後露光し、しかる後現像してネ
ガテイブワーキングに画像形成させる特許請求の
範囲4に記載のパターン形成法。
Priority Applications (2)
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---|---|---|---|
JP8165979A JPS566236A (en) | 1979-06-28 | 1979-06-28 | Photosensitive material and pattern forming method using it |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP8165979A JPS566236A (en) | 1979-06-28 | 1979-06-28 | Photosensitive material and pattern forming method using it |
Publications (2)
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---|---|
JPS566236A JPS566236A (en) | 1981-01-22 |
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Family
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Family Applications (1)
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