JPH06209140A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH06209140A JPH06209140A JP247793A JP247793A JPH06209140A JP H06209140 A JPH06209140 A JP H06209140A JP 247793 A JP247793 A JP 247793A JP 247793 A JP247793 A JP 247793A JP H06209140 A JPH06209140 A JP H06209140A
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- chip
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザチップの一対の劈開端面に同時に端面
保護膜を形成する。 【構成】 半導体レーザの製造方法における端面保護膜
の形成工程において、所定長になるようにバー状に劈開
されたＧａＡｌＡｓ系のレーザチップ１０をシリコン基
板２０の上面にレーザチップ１０の活性層１１が上側に
くるように固定し、レーザチップ１０の活性層１１を含
む上側部分の一対の上部劈開端面１３ａ，１３ｂでとぎ
れ且つレーザチップ１０の電極面１４ａ及びシリコン基
板２０の上面を覆うようにポジ型レジスト膜２２を形成
し、スパッタ法によりレーザチップ１０の一対の上部劈
開端面１３ａ，１３ｂに端面保護膜としてのＡｌ2 Ｏ3
膜１５ａ，１５ｂをそれぞれ形成する。
保護膜を形成する。 【構成】 半導体レーザの製造方法における端面保護膜
の形成工程において、所定長になるようにバー状に劈開
されたＧａＡｌＡｓ系のレーザチップ１０をシリコン基
板２０の上面にレーザチップ１０の活性層１１が上側に
くるように固定し、レーザチップ１０の活性層１１を含
む上側部分の一対の上部劈開端面１３ａ，１３ｂでとぎ
れ且つレーザチップ１０の電極面１４ａ及びシリコン基
板２０の上面を覆うようにポジ型レジスト膜２２を形成
し、スパッタ法によりレーザチップ１０の一対の上部劈
開端面１３ａ，１３ｂに端面保護膜としてのＡｌ2 Ｏ3
膜１５ａ，１５ｂをそれぞれ形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザの製造方法
における端面保護膜の形成工程に関するものである。
における端面保護膜の形成工程に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体レーザは、小型、低消費電
力で信頼性も高いため、コンパクトディスク等の民生機
器の光源や光ファイバ通信の信号源として幅広く使用さ
れている。このような半導体レーザにおいては一般的に
共振器端面の保護のため端面保護膜が形成される。半導
体レーザの共振器端面が酸化されて劣化すると半導体レ
ーザの発振しきい値電流の増加や特性の悪化等の悪影響
が生じるため、共振器端面の酸化を防止するために保護
膜を形成するものである。
力で信頼性も高いため、コンパクトディスク等の民生機
器の光源や光ファイバ通信の信号源として幅広く使用さ
れている。このような半導体レーザにおいては一般的に
共振器端面の保護のため端面保護膜が形成される。半導
体レーザの共振器端面が酸化されて劣化すると半導体レ
ーザの発振しきい値電流の増加や特性の悪化等の悪影響
が生じるため、共振器端面の酸化を防止するために保護
膜を形成するものである。
【０００３】以下、従来の半導体レーザの製造方法にお
ける端面保護膜の形成工程を図面を参照しながら説明す
る。
ける端面保護膜の形成工程を図面を参照しながら説明す
る。
【０００４】図２は従来の半導体レーザの製造方法によ
りレーザチップ５０の劈開端面５２ａに端面保護膜５５
が形成された直後の状態を示す図であり、図２におい
て、レーザチップ５０は活性層５１と該活性層５１に対
し垂直で且つ互いに平行な一対の劈開端面５２ａ，５２
ｂと後工程で電極が形成される電極面５４ａ，５４ｂと
を有しており、６０は基体を示し、６３ａ，６３ｂはス
ペーサを示している。
りレーザチップ５０の劈開端面５２ａに端面保護膜５５
が形成された直後の状態を示す図であり、図２におい
て、レーザチップ５０は活性層５１と該活性層５１に対
し垂直で且つ互いに平行な一対の劈開端面５２ａ，５２
ｂと後工程で電極が形成される電極面５４ａ，５４ｂと
を有しており、６０は基体を示し、６３ａ，６３ｂはス
ペーサを示している。
【０００５】まず、基体６０の平坦な上面にレーザチッ
プ５０を、劈開端面５２ａが上方を向き且つ電極面５４
ａ，５４ｂがスペーサ６３ａ，６３ｂによりそれぞれ保
護されるように固定し、その後に、所定の成膜法により
劈開端面５２ａに端面保護膜５５を形成する。
プ５０を、劈開端面５２ａが上方を向き且つ電極面５４
ａ，５４ｂがスペーサ６３ａ，６３ｂによりそれぞれ保
護されるように固定し、その後に、所定の成膜法により
劈開端面５２ａに端面保護膜５５を形成する。
【０００６】このようにして、レーザチップの劈開端面
に端面保護膜を形成することにより、劈開端面の劣化を
起因とする半導体レーザの素子特性の劣化を排除でき信
頼性の高い半導体レーザを実現できる。また、レーザチ
ップの劈開端面の反射率は半導体レーザの素子特性と関
連しており、端面保護膜の膜厚を所定の厚さにしてレー
ザチップの劈開端面の反射率を所定の値にすることによ
り半導体レーザの所望の素子特性を得ることができる。
例えば、端面保護膜の膜厚を変化させてレーザチップの
劈開端面の反射率を低下させると、半導体レーザにおい
て発振しきい値電流は増加するが発振後の電気光変換効
率を大きくすることができ高出力の半導体レーザを実現
することができる。
に端面保護膜を形成することにより、劈開端面の劣化を
起因とする半導体レーザの素子特性の劣化を排除でき信
頼性の高い半導体レーザを実現できる。また、レーザチ
ップの劈開端面の反射率は半導体レーザの素子特性と関
連しており、端面保護膜の膜厚を所定の厚さにしてレー
ザチップの劈開端面の反射率を所定の値にすることによ
り半導体レーザの所望の素子特性を得ることができる。
例えば、端面保護膜の膜厚を変化させてレーザチップの
劈開端面の反射率を低下させると、半導体レーザにおい
て発振しきい値電流は増加するが発振後の電気光変換効
率を大きくすることができ高出力の半導体レーザを実現
することができる。
【０００７】以上のように、端面保護膜の形成は、半導
体レーザの信頼性を向上させるだけでなく、半導体レー
ザの素子特性を制御する役割も果たし、端面保護膜の形
成技術は半導体レーザの製造上極めて重要な技術であ
る。
体レーザの信頼性を向上させるだけでなく、半導体レー
ザの素子特性を制御する役割も果たし、端面保護膜の形
成技術は半導体レーザの製造上極めて重要な技術であ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体レーザの製造方法における端面保護膜の形成
工程においては、レーザチップの一対の劈開端面のうち
片側の劈開端面にしか端面保護膜を形成することができ
ないので、レーザチップの両側の劈開端面に端面保護膜
を形成するためには端面保護膜の形成工程を２回繰り返
さなければならないという問題がある。また、半導体レ
ーザで導通不良が発生するのを防止するためにレーザチ
ップの電極面に絶縁膜が形成されないようにレーザチッ
プの電極面をスペーサ等で保護しなければならないが作
業上熟練を要し半導体レーザの製造上量産性の点で問題
がある。
来の半導体レーザの製造方法における端面保護膜の形成
工程においては、レーザチップの一対の劈開端面のうち
片側の劈開端面にしか端面保護膜を形成することができ
ないので、レーザチップの両側の劈開端面に端面保護膜
を形成するためには端面保護膜の形成工程を２回繰り返
さなければならないという問題がある。また、半導体レ
ーザで導通不良が発生するのを防止するためにレーザチ
ップの電極面に絶縁膜が形成されないようにレーザチッ
プの電極面をスペーサ等で保護しなければならないが作
業上熟練を要し半導体レーザの製造上量産性の点で問題
がある。
【０００９】本発明は上記に鑑みなされたものであっ
て、レーザチップの一対の劈開端面に端面保護膜を迅速
に且つ容易に形成することを目的とする。
て、レーザチップの一対の劈開端面に端面保護膜を迅速
に且つ容易に形成することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、半導体レーザの製造方法における端面保
護膜の形成工程において、レーザチップを基体の上面に
該レーザチップの一対の共振器端面が上側にくるように
固定し、上記一対の共振器端面を除いてレーザチップ及
び基体の上面を覆うように後に除去可能な膜を形成し、
レーザチップの一対の共振器端面に端面保護膜をそれぞ
れに形成するものである。
め、本発明は、半導体レーザの製造方法における端面保
護膜の形成工程において、レーザチップを基体の上面に
該レーザチップの一対の共振器端面が上側にくるように
固定し、上記一対の共振器端面を除いてレーザチップ及
び基体の上面を覆うように後に除去可能な膜を形成し、
レーザチップの一対の共振器端面に端面保護膜をそれぞ
れに形成するものである。
【００１１】具体的に本発明が講じた解決手段は、上側
部分に活性層を有する層状のレーザチップと、該レーザ
チップにおける上記活性層に対して垂直で且つ互いに平
行な一対の劈開端面にそれぞれ形成される端面保護膜と
を備える半導体レーザの製造方法を対象とし、基体の平
坦な上面にレーザチップを、該レーザチップの一対の劈
開端面が基体の上面に対し垂直になり且つレーザチップ
の活性層が上側に位置するように固定する第１の工程
と、基体及び該基体の上面に固定されたレーザチップ
に、基体の上面におけるレーザチップが固定された部位
以外の全ての部位及びレーザチップの上面を被覆し且つ
レーザチップの活性層を含む上側部分の一対の上部劈開
端面を露出するように有機系保護膜を形成する第２の工
程と、所定の成膜法により、レーザチップにおける露出
された一対の上部劈開端面に端面保護膜をそれぞれ形成
する第３の工程とを備えている構成とするものである。
部分に活性層を有する層状のレーザチップと、該レーザ
チップにおける上記活性層に対して垂直で且つ互いに平
行な一対の劈開端面にそれぞれ形成される端面保護膜と
を備える半導体レーザの製造方法を対象とし、基体の平
坦な上面にレーザチップを、該レーザチップの一対の劈
開端面が基体の上面に対し垂直になり且つレーザチップ
の活性層が上側に位置するように固定する第１の工程
と、基体及び該基体の上面に固定されたレーザチップ
に、基体の上面におけるレーザチップが固定された部位
以外の全ての部位及びレーザチップの上面を被覆し且つ
レーザチップの活性層を含む上側部分の一対の上部劈開
端面を露出するように有機系保護膜を形成する第２の工
程と、所定の成膜法により、レーザチップにおける露出
された一対の上部劈開端面に端面保護膜をそれぞれ形成
する第３の工程とを備えている構成とするものである。
【００１２】
【作用】上記の構成により、半導体レーザの製造方法に
おける端面保護膜の形成工程において、まず、第１の工
程によって、基体の上面に固定されたレーザチップの活
性層は上側に位置すると共に、レーザチップの一対の劈
開端面は基体の上面に対して垂直になる。ここで、レー
ザチップの活性層を含む上側部分は半導体レーザで共振
器として機能する部位であるため、上記レーザチップの
活性層を含む上側部分の一対の上部劈開端面は共振器の
端面としての一対の共振器端面である。
おける端面保護膜の形成工程において、まず、第１の工
程によって、基体の上面に固定されたレーザチップの活
性層は上側に位置すると共に、レーザチップの一対の劈
開端面は基体の上面に対して垂直になる。ここで、レー
ザチップの活性層を含む上側部分は半導体レーザで共振
器として機能する部位であるため、上記レーザチップの
活性層を含む上側部分の一対の上部劈開端面は共振器の
端面としての一対の共振器端面である。
【００１３】次に、第２の工程において、レジスト等の
有機系保護膜用の材料は段差部でとぎれて塗布される性
質があるため、上記一対の上部劈開端面を除いてレーザ
チップ及び基体の上面を覆う膜を容易に形成することが
できる。
有機系保護膜用の材料は段差部でとぎれて塗布される性
質があるため、上記一対の上部劈開端面を除いてレーザ
チップ及び基体の上面を覆う膜を容易に形成することが
できる。
【００１４】そして、第３の工程によって、露出された
上記一対の上部劈開端面に端面保護膜をそれぞれ形成す
ることができる。
上記一対の上部劈開端面に端面保護膜をそれぞれ形成す
ることができる。
【００１５】従って、１回の端面保護膜の形成工程でレ
ーザチップの一対の共振器端面としての一対の上部劈開
端面に同時に端面保護膜を形成することができる。
ーザチップの一対の共振器端面としての一対の上部劈開
端面に同時に端面保護膜を形成することができる。
【００１６】また、第３の工程において、レーザチップ
の下面は基体の上面に固定されている一方、レーザチッ
プの上面は後工程で除去される有機系保護膜で被覆され
ているため、レーザチップの上下面には端面保護膜用の
材料による絶縁膜は形成されない。従って、上記レーザ
チップの上下面を電極面として用いることによって半導
体レーザの導通不良を防止することができる。
の下面は基体の上面に固定されている一方、レーザチッ
プの上面は後工程で除去される有機系保護膜で被覆され
ているため、レーザチップの上下面には端面保護膜用の
材料による絶縁膜は形成されない。従って、上記レーザ
チップの上下面を電極面として用いることによって半導
体レーザの導通不良を防止することができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
【００１８】図１は上記実施例に係る半導体レーザの製
造方法における端面保護膜の形成工程完了後のレーザチ
ップ１０を示しており、図１において、レーザチップ１
０は、活性層１１と該活性層１１に対して垂直で且つ互
いに平行な一対の劈開端面１２ａ，１２ｂと後工程で電
極が形成される電極面１４ａ，１４ｂとを有している。
ここで、レーザチップ１０の活性層１１を含む上側部分
は半導体レーザで共振器として機能する部分であり、上
記レーザチップ１０の活性層１１を含む上側部分の一対
の上部劈開端面１３ａ，１３ｂは共振器の端面としての
一対の共振器端面であり、上部劈開端面１３ａ，１３ｂ
に端面保護膜としてのＡｌ2 Ｏ3 膜１５ａ，１５ｂがそ
れぞれ形成されている。なお、２０は基体としてのシリ
コン基板を示し、２１は接着剤としてのポジ型レジスト
を示し、２２は有機系保護膜としてのポジ型レジスト膜
を示している。
造方法における端面保護膜の形成工程完了後のレーザチ
ップ１０を示しており、図１において、レーザチップ１
０は、活性層１１と該活性層１１に対して垂直で且つ互
いに平行な一対の劈開端面１２ａ，１２ｂと後工程で電
極が形成される電極面１４ａ，１４ｂとを有している。
ここで、レーザチップ１０の活性層１１を含む上側部分
は半導体レーザで共振器として機能する部分であり、上
記レーザチップ１０の活性層１１を含む上側部分の一対
の上部劈開端面１３ａ，１３ｂは共振器の端面としての
一対の共振器端面であり、上部劈開端面１３ａ，１３ｂ
に端面保護膜としてのＡｌ2 Ｏ3 膜１５ａ，１５ｂがそ
れぞれ形成されている。なお、２０は基体としてのシリ
コン基板を示し、２１は接着剤としてのポジ型レジスト
を示し、２２は有機系保護膜としてのポジ型レジスト膜
を示している。
【００１９】上記実施例に係る半導体レーザの製造方法
における端面保護膜の形成工程においては、まず、長さ
が所定値例えば２５０μｍの値になるようにバー状に劈
開されたＧａＡｌＡｓ系のレーザチップ１０をシリコン
基板２０の平坦な上面にポジ型レジスト２１で接着して
固定する。ここでは、レーザチップ１０の一対の劈開端
面１２ａ，１２ｂがシリコン基板２０の上面に対して垂
直になり且つレーザチップ１０の活性層１１が上側にく
るように、レーザチップ１０の電極面１４ｂをシリコン
基板２０の上面にポジ型レジスト２１により接着する。
における端面保護膜の形成工程においては、まず、長さ
が所定値例えば２５０μｍの値になるようにバー状に劈
開されたＧａＡｌＡｓ系のレーザチップ１０をシリコン
基板２０の平坦な上面にポジ型レジスト２１で接着して
固定する。ここでは、レーザチップ１０の一対の劈開端
面１２ａ，１２ｂがシリコン基板２０の上面に対して垂
直になり且つレーザチップ１０の活性層１１が上側にく
るように、レーザチップ１０の電極面１４ｂをシリコン
基板２０の上面にポジ型レジスト２１により接着する。
【００２０】次に、シリコン基板２０及び該シリコン基
板２０に固定されたレーザチップ１０にポジ型レジスト
を塗布し、レーザチップ１０が固定されたシリコン基板
２０を回転して膜厚が適当な厚さになるよう制御しなが
らポジ型レジスト膜２２を形成する。このとき、ポジ型
レジスト膜２２は、ポジ型レジストの粘度の関係でレー
ザチップ１０の活性層１１を含む上側部分の上部劈開端
面１３ａ，１３ｂでそれぞれとぎれた状態に形成するこ
とができる。
板２０に固定されたレーザチップ１０にポジ型レジスト
を塗布し、レーザチップ１０が固定されたシリコン基板
２０を回転して膜厚が適当な厚さになるよう制御しなが
らポジ型レジスト膜２２を形成する。このとき、ポジ型
レジスト膜２２は、ポジ型レジストの粘度の関係でレー
ザチップ１０の活性層１１を含む上側部分の上部劈開端
面１３ａ，１３ｂでそれぞれとぎれた状態に形成するこ
とができる。
【００２１】次に、スパッタ法によりＡｌ2 Ｏ3 の膜を
形成する。スパッタ法によるとポジ型レジスト膜２２が
形成されていないレーザチップ１０の上部劈開端面１３
ａ，１３ｂにのみＡｌ2 Ｏ3 膜１５ａ，１５ｂをそれぞ
れ形成することができる。
形成する。スパッタ法によるとポジ型レジスト膜２２が
形成されていないレーザチップ１０の上部劈開端面１３
ａ，１３ｂにのみＡｌ2 Ｏ3 膜１５ａ，１５ｂをそれぞ
れ形成することができる。
【００２２】その後、シリコン基板２０及びレーザチッ
プ１０をアセトン液に浸しポジ型レジストを溶解して取
り除き、レーザチップ１０の電極面１４ａ，１４ｂに電
極を形成する。このようにして、一対の端面保護膜とし
ての一対のＡｌ2 Ｏ3 膜を備えた半導体レーザが製造さ
れる。
プ１０をアセトン液に浸しポジ型レジストを溶解して取
り除き、レーザチップ１０の電極面１４ａ，１４ｂに電
極を形成する。このようにして、一対の端面保護膜とし
ての一対のＡｌ2 Ｏ3 膜を備えた半導体レーザが製造さ
れる。
【００２３】以上のように、本実施例に係る半導体レー
ザの製造方法における端面保護膜の形成工程において
は、レーザチップ１０をシリコン基板２０の上面にレー
ザチップ１０の活性層１１が上側にくるように固定し、
レーザチップ１０の活性層１１を含む上側部分の一対の
上部劈開端面１３ａ，１３ｂを除いてレーザチップ１０
の電極面１４ａ及びシリコン基板２０の上面を覆うよう
にポジ型レジスト膜２２を形成し、レーザチップ１０の
一対の上部劈開端面１３ａ，１３ｂに端面保護膜として
のＡｌ2 Ｏ3 膜１５ａ，１５ｂをそれぞれ形成すること
ができる。
ザの製造方法における端面保護膜の形成工程において
は、レーザチップ１０をシリコン基板２０の上面にレー
ザチップ１０の活性層１１が上側にくるように固定し、
レーザチップ１０の活性層１１を含む上側部分の一対の
上部劈開端面１３ａ，１３ｂを除いてレーザチップ１０
の電極面１４ａ及びシリコン基板２０の上面を覆うよう
にポジ型レジスト膜２２を形成し、レーザチップ１０の
一対の上部劈開端面１３ａ，１３ｂに端面保護膜として
のＡｌ2 Ｏ3 膜１５ａ，１５ｂをそれぞれ形成すること
ができる。
【００２４】従って、１回の端面保護膜の形成工程でレ
ーザチップの一対の共振器端面としての一対の上部劈開
端面に同時に端面保護膜を形成することができる。
ーザチップの一対の共振器端面としての一対の上部劈開
端面に同時に端面保護膜を形成することができる。
【００２５】さらに、レーザチップ１０の電極面１４
ａ，１４ｂはポジ型レジストにより保護され、従来の半
導体レーザの製造方法における端面保護膜の形成工程で
のスペーサによる電極面の保護と比較すると格段に作業
性を改善することができ、並びに、電極面へのＡｌ2 Ｏ
3 の回り込みによる半導体レーザの電極の導通不良の発
生も防止することができる。
ａ，１４ｂはポジ型レジストにより保護され、従来の半
導体レーザの製造方法における端面保護膜の形成工程で
のスペーサによる電極面の保護と比較すると格段に作業
性を改善することができ、並びに、電極面へのＡｌ2 Ｏ
3 の回り込みによる半導体レーザの電極の導通不良の発
生も防止することができる。
【００２６】なお、本実施例においては、レーザチップ
としてＧａＡｌＡｓ系レーザチップを用い平坦な表面を
有する基体としてシリコン基板を用いたがこれに限られ
るわけではなく他の材料を用いても同様の効果が得られ
ることは勿論である。
としてＧａＡｌＡｓ系レーザチップを用い平坦な表面を
有する基体としてシリコン基板を用いたがこれに限られ
るわけではなく他の材料を用いても同様の効果が得られ
ることは勿論である。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体レーザの製造方法によると、レーザチップを基体の上
面に該レーザチップの一対の共振器端面が上側にくるよ
うに固定し、上記一対の共振器端面を除いてレーザチッ
プ及び基体の上面を覆うように後に除去可能な膜を形成
し、レーザチップの一対の共振器端面に端面保護膜をそ
れぞれ形成することができる。このため、１回の端面保
護膜の形成工程でレーザチップの一対の共振器端面に同
時に端面保護膜を形成することができ、さらに、容易な
作業により半導体レーザの導通不良を防止することがで
きる。
体レーザの製造方法によると、レーザチップを基体の上
面に該レーザチップの一対の共振器端面が上側にくるよ
うに固定し、上記一対の共振器端面を除いてレーザチッ
プ及び基体の上面を覆うように後に除去可能な膜を形成
し、レーザチップの一対の共振器端面に端面保護膜をそ
れぞれ形成することができる。このため、１回の端面保
護膜の形成工程でレーザチップの一対の共振器端面に同
時に端面保護膜を形成することができ、さらに、容易な
作業により半導体レーザの導通不良を防止することがで
きる。
【００２８】従って、本発明によると、レーザチップの
一対の劈開端面のうち保護が必要な一対の共振器端面に
端面保護膜を迅速に且つ容易に形成することができる。
一対の劈開端面のうち保護が必要な一対の共振器端面に
端面保護膜を迅速に且つ容易に形成することができる。
【００２９】また、劈開されたレーザチップの長さを所
定の長さの２倍としておき、本発明によりレーザチップ
の一対の劈開端面に同時に端面保護膜を形成し、その
後、レーザチップを半分に劈開することにより片側の劈
開端面にのみ端面保護膜を有する上記所定の長さの２つ
の半導体レーザを同時に製造することが可能である。
定の長さの２倍としておき、本発明によりレーザチップ
の一対の劈開端面に同時に端面保護膜を形成し、その
後、レーザチップを半分に劈開することにより片側の劈
開端面にのみ端面保護膜を有する上記所定の長さの２つ
の半導体レーザを同時に製造することが可能である。
【図１】本発明に係る半導体レーザの製造方法における
端面保護膜の形成工程完了後のレーザチップを示す断面
図である。
端面保護膜の形成工程完了後のレーザチップを示す断面
図である。
【図２】従来の半導体レーザの製造方法における端面保
護膜の形成工程完了後のレーザチップを示す断面図であ
る。
護膜の形成工程完了後のレーザチップを示す断面図であ
る。
１０ レーザチップ １１ 活性層 １２ａ，１２ｂ 劈開端面 １３ａ，１３ｂ 上部劈開端面 １４ａ，１４ｂ 電極面 １５ａ，１５ｂ Ａｌ2 Ｏ3 膜（端面保護膜） ２０ シリコン基板（基体） ２１ ポジ型レジスト ２２ ポジ型レジスト膜（有機系保護膜）
Claims (1)
- 【請求項１】 上側部分に活性層を有する層状のレーザ
チップと、該レーザチップにおける上記活性層に対して
垂直で且つ互いに平行な一対の劈開端面にそれぞれ形成
される端面保護膜とを備える半導体レーザの製造方法で
あって、 基体の平坦な上面にレーザチップを、該レーザチップの
一対の劈開端面が基体の上面に対し垂直になり且つレー
ザチップの活性層が上側に位置するように固定する第１
の工程と、 基体及び該基体の上面に固定されたレーザチップに、基
体の上面におけるレーザチップが固定された部位以外の
全ての部位及びレーザチップの上面を被覆し且つレーザ
チップの活性層を含む上側部分の一対の上部劈開端面を
露出するように有機系保護膜を形成する第２の工程と、 所定の成膜法により、レーザチップにおける露出された
一対の上部劈開端面に端面保護膜をそれぞれ形成する第
３の工程とを備えていることを特徴とする半導体レーザ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP247793A JPH06209140A (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP247793A JPH06209140A (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06209140A true JPH06209140A (ja) | 1994-07-26 |
Family
ID=11530426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP247793A Withdrawn JPH06209140A (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06209140A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0897496A (ja) * | 1994-09-21 | 1996-04-12 | Nippondenso Co Ltd | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| KR100882833B1 (ko) * | 2005-12-09 | 2009-02-10 | 샤프 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법 |
-
1993
- 1993-01-11 JP JP247793A patent/JPH06209140A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0897496A (ja) * | 1994-09-21 | 1996-04-12 | Nippondenso Co Ltd | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| KR100882833B1 (ko) * | 2005-12-09 | 2009-02-10 | 샤프 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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