JPH06209070A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents

Manufacture of semiconductor device

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JPH06209070A
JPH06209070A JP50A JP160893A JPH06209070A JP H06209070 A JPH06209070 A JP H06209070A JP 50 A JP50 A JP 50A JP 160893 A JP160893 A JP 160893A JP H06209070 A JPH06209070 A JP H06209070A
Authority
JP
Japan
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semiconductor device
lead frame
lead
leads
tie bar
Prior art date
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Pending
Application number
JP50A
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Japanese (ja)
Inventor
Hidefumi Inoue
秀文 井上
Masaharu Nojima
正晴 野島
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH06209070A publication Critical patent/JPH06209070A/en
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To manufacture a highly reliable semiconductor device by securing the mechanical jointing strength of a lead frame, to which inner and outer leads which are separately manufactured in order to reduce the arranging pitch of the leads are jointed, at the time of jointing the leads and, at the same time, to prevent the inner leads at the time of handling the leads. CONSTITUTION:After fixing inner leads 6 with a polyimide tape 3 and cutting off the tie bar sections of the inner leads 6 which are molded with a resin 10, the junctions of the inner leads 6 with outer leads 7 are molded with the resin 10 and the tie bar sections not molded with the resin 10 are cut off.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、狭ピッチ化をおこなう
ためのリードフレームを使用した半導体装置の製造方法
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device using a lead frame for narrowing the pitch.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、半導体装置のリードフレーム
の製造方法は、半導体素子を搭載するダイパッド部と、
半導体素子とボンディングワイヤーで接続するインナー
リードと配線基板に装着するアウターリードとを一括し
て、スタンピング,エッチング等の方法により銅や42
合金等の金属板を加工している。近年、リードフレーム
の多ピン化に伴い、リードピッチの狭いインナーリード
をTAB等で製造し、比較的リードピッチの広いアウタ
ーリードをスタンピング,エッチング等の別方式で製造
し、両者を熱圧着等により接合することで狭ピッチ化を
実現している。
2. Description of the Related Art Conventionally, a method of manufacturing a lead frame of a semiconductor device includes a die pad portion on which a semiconductor element is mounted,
Inner leads that are connected to the semiconductor element with bonding wires and outer leads that are mounted on the wiring board are collectively formed by copper or 42 by a method such as stamping or etching.
Processing metal plates such as alloys. In recent years, with the increasing number of lead frames, inner leads with a narrow lead pitch are manufactured by TAB, etc., and outer leads with a relatively wide lead pitch are manufactured by different methods such as stamping and etching. By joining, a narrow pitch has been achieved.

【0003】以下に従来の別方式で製造したインナーリ
ードとアウターリードの接合によるリードフレームを用
いた半導体装置の製造方法について説明する。
A method of manufacturing a semiconductor device using a lead frame formed by joining inner leads and outer leads manufactured by another conventional method will be described below.

【0004】図12は従来の半導体装置の製造方法によ
り製造されたインナーリードとアウターリードの接合に
よるリードフレームを用いてリードフォーミング工程を
行なった半導体装置の断面図、図13は従来の半導体装
置の製造方法により製造された図12に示す半導体装置
のインナーリードフレーム及びアウターリードフレーム
の斜視図、図14は従来の半導体装置の製造方法により
製造された図12に示す半導体装置のインナーリードと
アウターリードとの接合時の断面図、図15は従来の半
導体装置の製造方法により製造された図12に示す半導
体装置のリードフレームに半導体素子を実装して樹脂に
よりモールディングした断面図、図16は従来の半導体
装置の製造方法により製造された図12に示す半導体装
置のリードフレームのタイバー部カット後の断面図であ
る。以下、従来の半導体装置の製造方法について説明す
る。まず、エッチング,アディティブ法により作製した
図13に示すインナーリードフレーム1とスタンピン
グ,エッチング法により作製したアウターリードフレー
ム2の各リードの位置合わせを精度良く行なうため、タ
イバー部4とタイバー部5を図14に示すように熱圧着
等により接合後、図15に示すように半導体素子8をダ
イパッド21上に実装後、インナーリード6とボンディ
ングワイヤー9で接続する。この後、半導体素子8とイ
ンナーリード6を樹脂10でモールディングし、接合部
のタイバー部4,タイバー部5をカットして図16に示
すように各インナーリード6とアウターリード7を独立
させる。最後にこの半導体装置を配線基板へ実装するた
め、このアウターリード7を図12に示すようにJやL
字等の形状にフォーミングを行う。
FIG. 12 is a sectional view of a semiconductor device which has been subjected to a lead forming step using a lead frame formed by joining inner leads and outer leads manufactured by a conventional semiconductor device manufacturing method, and FIG. 13 is a sectional view of a conventional semiconductor device. 12 is a perspective view of an inner lead frame and an outer lead frame of the semiconductor device shown in FIG. 12 manufactured by a manufacturing method. FIG. 14 is an inner lead and an outer lead of the semiconductor device shown in FIG. 12 manufactured by a conventional semiconductor device manufacturing method. FIG. 15 is a cross-sectional view at the time of joining with a semiconductor device, FIG. 15 is a cross-sectional view in which a semiconductor element is mounted on a lead frame of the semiconductor device shown in FIG. A semiconductor device lead frame manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device shown in FIG. It is a cross-sectional view after the tie bar portion cut. Hereinafter, a conventional method of manufacturing a semiconductor device will be described. First, in order to accurately align the leads of the inner lead frame 1 shown in FIG. 13 produced by etching and the additive method and the outer lead frame 2 produced by stamping, the etching method, the tie bar portion 4 and the tie bar portion 5 are illustrated. After bonding by thermocompression bonding or the like as shown in FIG. 14, the semiconductor element 8 is mounted on the die pad 21 as shown in FIG. Thereafter, the semiconductor element 8 and the inner leads 6 are molded with the resin 10, and the tie bar portions 4 and 5 of the joint are cut to separate the inner leads 6 and the outer leads 7 as shown in FIG. Finally, in order to mount this semiconductor device on a wiring board, the outer lead 7 is connected to J or L as shown in FIG.
Forming into shapes such as letters.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の半導体装置の製造方法ではインナーリードフレーム1
はリードピッチが狭くインナーリード6が細くなるた
め、ライン搬送、接合工程、タイバー部4,タイバー部
5のカット工程での取扱いにおいてインナーリード6が
変形し易い。また、このインナーリードフレーム1とア
ウターリードフレーム2の接合方法では、リード接合部
が樹脂10の外部に出るため外観が悪く、タイバー部
4,タイバー部5のカットやアウターリード7のフォー
ミング工程の際にリード接合部の剥がれ,折れ等が発生
し、十分な機械的強度を保持できないという問題点を有
していた。
However, in the conventional method of manufacturing a semiconductor device, the inner lead frame 1 is used.
Since the lead pitch is narrow and the inner lead 6 is thin, the inner lead 6 is easily deformed in the line conveyance, the joining process, and the handling process in the cutting process of the tie bar portion 4 and the tie bar portion 5. In addition, in the method of joining the inner lead frame 1 and the outer lead frame 2, the lead joining portion is exposed to the outside of the resin 10, so that the appearance is poor, and the tie bar portion 4 and the tie bar portion 5 are cut or the outer lead 7 is formed. In addition, peeling and breakage of the lead joint part occur, and there is a problem that sufficient mechanical strength cannot be maintained.

【0006】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、ライン搬送,接合工程,タイバー部4,タイバー部
5のカット工程での取扱いにおいてリード変形を起こさ
ず、インナーリードフレーム1とアウターリードフレー
ム2との接合部がフォーミング加工等に対し十分な機械
的接合強度を持つような半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的としている。
The present invention solves the above-mentioned conventional problems and does not cause lead deformation during handling in the line conveying, joining process, and cutting process of the tie bar portion 4 and the tie bar portion 5, and the inner lead frame 1 and the outer lead are prevented. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device in which a joint portion with the frame 2 has a sufficient mechanical joint strength against forming processing or the like.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この上記目的を達成する
ために本発明は、インナーリードとアウターリードとを
別々に製造し、インナーリードとアウターリードとの接
合および半導体素子のリードフレームへの実装後、イン
ナーリードとアウターリードとの接合部を樹脂でモール
ドする。
In order to achieve this object, the present invention separately manufactures the inner lead and the outer lead, joins the inner lead and the outer lead, and mounts the semiconductor element on a lead frame. Then, the joint between the inner lead and the outer lead is molded with resin.

【0008】[0008]

【作用】本発明は上記した製造方法によりインナーリー
ドフレームとアウターリードフレームの接合部を樹脂で
モールドするため、リード外観を損なわず、樹脂モール
ド後のタイバーのカットやリードフォーミング等の曲げ
加工に対する接合部の十分な機械的接合強度を保持する
ことができる。
According to the present invention, since the joint portion between the inner lead frame and the outer lead frame is molded by the resin by the above-described manufacturing method, the appearance of the leads is not impaired, and the tie bar after resin molding is joined to the bending process such as cutting or lead forming. It is possible to maintain sufficient mechanical bonding strength of the parts.

【0009】[0009]

【実施例】【Example】

(実施例1)以下本発明の第1の実施例について図面を
参照しながら説明する。図1は本発明の第1の実施例に
おける半導体装置の製造方法により製造された半導体装
置のリードフォーミング後の透視図である。図2は本発
明の第1の実施例における半導体装置の製造方法により
製造された図1に示す半導体装置のテーピング後のイン
ナーリードフレームとアウターリードフレームの斜視
図、図3は本発明の第1の実施例における半導体装置の
製造方法により製造された図1に示す半導体装置のイン
ナーリードとアウターリードとの接合時の断面図、図4
は本発明の第1の実施例における半導体装置の製造方法
により製造された図1に示す半導体装置のインナーリー
ドフレームのタイバー部カット後の断面図、図5は本発
明の第1の実施例における半導体装置の製造方法により
製造された図1に示す半導体装置のリードフレームに半
導体素子を実装した断面図、図6は本発明の第1の実施
例における半導体装置の製造方法により製造された図1
に示す半導体装置のリードフレームに樹脂によりモール
ディングした断面図、図7は本発明の第1の実施例にお
ける半導体装置の製造方法により製造された図1に示す
半導体装置のアウターリードフレームのタイバー部カッ
ト後の断面図である。各図に示すように、1はインナー
リードフレーム、4はインナーリードフレーム1に形成
されたタイバー部であり、6はインナーリードである。
12はアウターリードフレーム、15はアウターリード
フレーム12に形成されたタイバー部であり、7はアウ
ターリードである。また、3はポリイミドテープ、21
は半導体素子8を搭載するダイパッド、9は半導体素子
8とインナーリード6を接続するボンディングワイヤー
である。10は半導体素子8とインナーリード6をモー
ルドする樹脂である。
(Embodiment 1) Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor device manufactured by a method for manufacturing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention after lead forming. 2 is a perspective view of an inner lead frame and an outer lead frame after taping of the semiconductor device shown in FIG. 1 manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the semiconductor device shown in FIG. 1 manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device according to the embodiment of FIG.
5 is a sectional view of the inner lead frame of the semiconductor device shown in FIG. 1 manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention after cutting the tie bar portion. FIG. 5 shows the first embodiment of the present invention. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor device mounted on a lead frame of the semiconductor device shown in FIG. 1 manufactured by the semiconductor device manufacturing method, and FIG. 6 is a semiconductor device manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view of the lead frame of the semiconductor device shown in FIG. 1 molded with resin. FIG. 7 is a tie bar portion cut of the outer lead frame of the semiconductor device shown in FIG. It is a sectional view after. As shown in each drawing, 1 is an inner lead frame, 4 is a tie bar portion formed on the inner lead frame 1, and 6 is an inner lead.
Reference numeral 12 is an outer lead frame, 15 is a tie bar portion formed on the outer lead frame 12, and 7 is an outer lead. Also, 3 is a polyimide tape, 21
Is a die pad for mounting the semiconductor element 8, and 9 is a bonding wire for connecting the semiconductor element 8 and the inner lead 6. A resin 10 molds the semiconductor element 8 and the inner lead 6.

【0010】以上のように構成された本発明の半導体装
置の製造方法について、以下に説明する。
A method of manufacturing the semiconductor device of the present invention having the above structure will be described below.

【0011】まず図2に示すようにエッチング,アディ
ティブ法等により作製したインナーリードフレーム1の
インナーリード6をポリイミドテープ3で固定し、タイ
バー部4をスタンピング,エッチング法等により作製し
たアウターリードフレーム12の板厚の半分程度段落と
ししたアウターリード7の内側先端に載せ、図3に示す
ようにはんだや金めっき層等を介して熱圧着等によりこ
れらのタイバー部4とアウターリード7との接合を行
う。この後、インナーリード6をお互いに接続している
タイバー部4をカットして図4の状態となり、図5に示
すようにダイパッド21上に半導体素子8を実装し、ボ
ンディングワイヤー9によりインナーリード6と接続す
る。次に、図6に示すようにインナーリード6と半導体
素子8をインナーリード6とアウターリード7との接合
部が外部に出ないように、かつタイバー部15より内側
を樹脂10によりモールディングし、タイバー部15を
カット工程にてカットして図7の状態となり、さらにリ
ードフォーミングを行い図1の状態となる。
First, as shown in FIG. 2, the inner leads 6 of the inner lead frame 1 produced by etching, an additive method or the like are fixed with a polyimide tape 3, and the tie bar portion 4 is produced by stamping, etching or the like. It is placed on the inner tip of the outer lead 7 which is a half of the plate thickness, and as shown in FIG. 3, the tie bar portion 4 and the outer lead 7 are joined by thermocompression bonding with a solder or gold plating layer or the like. To do. After this, the tie bar portions 4 connecting the inner leads 6 to each other are cut to obtain the state of FIG. 4, the semiconductor element 8 is mounted on the die pad 21 as shown in FIG. Connect with. Next, as shown in FIG. 6, the inner lead 6 and the semiconductor element 8 are molded so that the joint between the inner lead 6 and the outer lead 7 is not exposed to the outside, and the inside of the tie bar portion 15 is molded with the resin 10 to form a tie bar. The portion 15 is cut in the cutting step to be in the state of FIG. 7, and further subjected to lead forming to be in the state of FIG.

【0012】このように本発明の第1の実施例によれ
ば、製造したインナーリードフレーム1のインナーリー
ド6をポリイミドテープ3で固定することでライン搬
送、接合工程、タイバー部4のカット工程での取扱いに
おいてインナーリード6の変形を防止し、また、インナ
ーリードフレーム1とアウターリードフレーム12を接
合し、タイバー部4をカットして、半導体素子8を実装
後、インナーリード6とアウターリード7との接合部が
外部に出ないように樹脂10によりモールディングする
ことにより、この後のリードフォーミング等に対するイ
ンナーリード6とアウターリード7との接合部の機械的
強度を保持することができる。
As described above, according to the first embodiment of the present invention, by fixing the inner leads 6 of the manufactured inner lead frame 1 with the polyimide tape 3, it is possible to carry out the line conveyance, the joining process, and the cutting process of the tie bar portion 4. The inner lead 6 is prevented from being deformed in handling, the inner lead frame 1 and the outer lead frame 12 are joined, the tie bar portion 4 is cut, the semiconductor element 8 is mounted, and then the inner lead 6 and the outer lead 7 are By molding with the resin 10 so that the joint portion of No. 1 does not come out to the outside, it is possible to maintain the mechanical strength of the joint portion of the inner lead 6 and the outer lead 7 against subsequent lead forming and the like.

【0013】(実施例2)以下本発明の第2の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。図8は本発明の第
2の実施例における半導体装置の製造方法により製造さ
れた半導体装置のリードフォーミング後の断面図であ
る。図9は本発明の第2の実施例における半導体装置の
製造方法により製造された図8に示す半導体装置のテー
ピング後のインナーリードフレームとアウターリードフ
レームの斜視図、図10は本発明の第2の実施例におけ
る半導体装置の製造方法により製造された図8に示す半
導体装置のインナーリードとアウターリードとの接合時
の断面図、図11は本発明の第2の実施例における半導
体装置の製造方法により製造された図8に示す半導体装
置のリードフレームに樹脂によりモールディングした断
面図である。各図に示すように、1はインナーリードフ
レーム、4はインナーリードフレーム1に形成されたタ
イバー部であり、6はインナーリードである。22はア
ウターリードフレーム、15はアウターリードフレーム
22に形成されたタイバー部であり、7はアウターリー
ドである。また、3はポリイミドテープを示し、10は
半導体素子8とインナーリード6をモールドする樹脂
で、以上は図1,図2,図3,図4,図5,図6,図7
に示す本発明の第1の実施例の構成と同様なものであ
り、異なるのはアウターリードフレーム22のタイバー
部15の内側にインナータイバー部11を設けた点であ
る。
(Second Embodiment) A second embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 8 is a sectional view of a semiconductor device manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention after lead forming. FIG. 9 is a perspective view of an inner lead frame and an outer lead frame after taping of the semiconductor device shown in FIG. 8 manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a cross-sectional view of the semiconductor device shown in FIG. 8 manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device according to the embodiment of FIG. 8 at the time of joining the inner lead and the outer lead, and FIG. 11 is a method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention. FIG. 9 is a cross-sectional view of the lead frame of the semiconductor device shown in FIG. As shown in each drawing, 1 is an inner lead frame, 4 is a tie bar portion formed on the inner lead frame 1, and 6 is an inner lead. Reference numeral 22 is an outer lead frame, 15 is a tie bar portion formed on the outer lead frame 22, and 7 is an outer lead. Further, 3 is a polyimide tape, 10 is a resin for molding the semiconductor element 8 and the inner lead 6, and the above is shown in FIG. 1, FIG. 2, FIG. 3, FIG. 4, FIG.
The configuration is the same as that of the first embodiment of the present invention shown in FIG. 3, except that the inner tie bar portion 11 is provided inside the tie bar portion 15 of the outer lead frame 22.

【0014】以上のように構成された本発明の半導体装
置の製造方法について、以下に説明する。
A method of manufacturing the semiconductor device of the present invention configured as described above will be described below.

【0015】まず図9に示すようにエッチング,アディ
ティブ法等により作製したインナーリードフレーム1の
インナーリード6をポリイミドテープ3で固定し、タイ
バー部4をスタンピング,エッチング法等により作製し
たアウターリードフレーム22の板厚の半分程度段落と
ししたインナータイバー部11上に載せ、図10に示す
ようにはんだや金めっき層等を介して熱圧着等によりこ
れらのタイバー部4とインナータイバー部11との接合
を行う。この後、本発明の第1の実施例で説明した、図
4,図5,図6の場合と同様に接合部のタイバー部4,
インナータイバー部11をカットし、ダイパッド21上
に半導体素子8を実装し、ボンディングワイヤー9によ
りインナーリード6と接続する。次に、インナーリード
6と半導体素子8をインナーリード6とアウターリード
7との接合部が外部に出ないように、かつタイバー部1
5より内側を樹脂10によりモールディングを行い図1
1の状態となる。最後に本発明の第1の実施例で説明し
た図7の場合と同様にタイバー部15をカット工程にて
カットし、リードフォーミングを行い図8の状態とな
る。
First, as shown in FIG. 9, the inner leads 6 of the inner lead frame 1 produced by etching, an additive method or the like are fixed with a polyimide tape 3 and the tie bar portion 4 is made by stamping, etching or the like. It is placed on the inner tie bar portion 11 which is a half of the plate thickness, and as shown in FIG. 10, the tie bar portion 4 and the inner tie bar portion 11 are joined by thermocompression bonding with a solder or gold plating layer or the like. To do. After this, as in the case of FIGS. 4, 5 and 6 described in the first embodiment of the present invention, the tie bar portion 4 of the joint portion 4 is formed.
The inner tie bar portion 11 is cut, the semiconductor element 8 is mounted on the die pad 21, and the bonding wire 9 connects the inner lead 6. Next, the inner lead 6 and the semiconductor element 8 are connected to each other so that the joint portion between the inner lead 6 and the outer lead 7 does not come out to the outside and the tie bar portion 1
The inside of 5 is molded with resin 10 as shown in FIG.
It becomes the state of 1. Finally, as in the case of FIG. 7 described in the first embodiment of the present invention, the tie bar portion 15 is cut in the cutting step, and lead forming is performed to obtain the state of FIG.

【0016】このように本発明の第2の実施例によれ
ば、製造したインナーリードフレーム1のインナーリー
ド6をポリイミドテープ3で固定することでライン搬
送、接合工程、タイバー部4,インナータイバー部11
のカット工程での取扱いにおいてインナーリード6の変
形を防止し、また、インナーリードフレーム1とアウタ
ーリードフレーム22をタイバー部4とインナータイバ
ー部11とで接合し、接合部のタイバー部4,インナー
タイバー部11をカット、半導体素子8を実装後、イン
ナーリード6とアウターリード7との接合部が外部に出
ないように樹脂10によりモールディングすることによ
り、インナーリード6とアウターリード7との接合部の
位置合わせ精度を大幅に緩和することができ、接合後の
リードフォーミング等に対するインナーリード6とアウ
ターリード7との接合部の機械的強度を保持することが
できる。
As described above, according to the second embodiment of the present invention, by fixing the inner leads 6 of the manufactured inner lead frame 1 with the polyimide tape 3, the line transfer, the joining process, the tie bar portion 4, the inner tie bar portion are performed. 11
Of the inner lead frame 1 and the outer lead frame 22 are joined to each other at the tie bar portion 4 and the inner tie bar portion 11 in the handling in the cutting step, and the tie bar portion 4 and the inner tie bar portion of the joint portion are joined together. After the portion 11 is cut and the semiconductor element 8 is mounted, the joint portion between the inner lead 6 and the outer lead 7 is molded by the resin 10 so that the joint portion between the inner lead 6 and the outer lead 7 does not come out to the outside. The positioning accuracy can be significantly eased, and the mechanical strength of the joint between the inner lead 6 and the outer lead 7 against lead forming or the like after joining can be maintained.

【0017】[0017]

【発明の効果】本発明は、インナーリードとアウターリ
ードとを別々に製造し、インナーリードとアウターリー
ドとの接合および半導体素子のリードフレームへの実装
後、インナーリードとアウターリードとの接合部を樹脂
でモールドすることによりインナーリードフレームとア
ウターリードフレームの接合部を樹脂でモールドするた
め、リード外観を損なわず、樹脂モールド後のタイバー
のカットやリードフォーミング等の曲げ加工に対する接
合部の十分な機械的接合強度を保持することができるの
で、狭ピッチ化されたリードフレームを持つ半導体装置
の製造を容易に行うことができる。
According to the present invention, the inner lead and the outer lead are manufactured separately, and after the inner lead and the outer lead are joined and the semiconductor element is mounted on the lead frame, the inner lead and the outer lead are joined together. Since the inner lead frame and outer lead frame joints are molded with resin by molding with resin, the machine does not damage the appearance of the leads and is a machine with sufficient joints for cutting tie bars after resin molding and bending such as lead forming. Since it is possible to maintain the desired bonding strength, it is possible to easily manufacture a semiconductor device having a lead frame with a narrowed pitch.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例における半導体装置の製
造方法により製造された半導体装置のリードフォーミン
グ後の透視図
FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor device manufactured by a method for manufacturing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention after lead forming.

【図2】本発明の第1の実施例における半導体装置の製
造方法により製造された図1に示す半導体装置のテーピ
ング後のインナーリードフレームとアウターリードフレ
ームの斜視図
FIG. 2 is a perspective view of an inner lead frame and an outer lead frame after taping of the semiconductor device shown in FIG. 1 manufactured by the method of manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1の実施例における半導体装置の製
造方法により製造された図1に示す半導体装置のインナ
ーリードとアウターリードとの接合時の断面図
FIG. 3 is a cross-sectional view of the semiconductor device shown in FIG. 1 manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention when the inner lead and the outer lead are joined together.

【図4】本発明の第1の実施例における半導体装置の製
造方法により製造された図1に示す半導体装置のインナ
ーリードフレームのタイバー部カット後の断面図
FIG. 4 is a sectional view of the inner lead frame of the semiconductor device shown in FIG. 1 manufactured by the method of manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention after cutting the tie bar portion.

【図5】本発明の第1の実施例における半導体装置の製
造方法により製造された図1に示す半導体装置のリード
フレームに半導体素子を実装した断面図
5 is a cross-sectional view of a semiconductor device mounted on a lead frame of the semiconductor device shown in FIG. 1 manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第1の実施例における半導体装置の製
造方法により製造された図1に示す半導体装置のリード
フレームに樹脂によりモールディングした断面図
FIG. 6 is a sectional view of a semiconductor device shown in FIG. 1 manufactured by a method for manufacturing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, the lead frame being molded with a resin.

【図7】本発明の第1の実施例における半導体装置の製
造方法により製造された図1に示す半導体装置のアウタ
ーリードフレームのタイバー部カット後の断面図
FIG. 7 is a sectional view of the outer lead frame of the semiconductor device shown in FIG. 1 manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention after cutting the tie bar portion.

【図8】本発明の第2の実施例における半導体装置の製
造方法により製造された半導体装置のリードフォーミン
グ後の断面図
FIG. 8 is a sectional view of a semiconductor device manufactured by a method of manufacturing a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention after lead forming.

【図9】本発明の第2の実施例における半導体装置の製
造方法により製造された図8に示す半導体装置のテーピ
ング後のインナーリードフレームとアウターリードフレ
ームの斜視図
9 is a perspective view of an inner lead frame and an outer lead frame after taping of the semiconductor device shown in FIG. 8 manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第2の実施例における半導体装置の
製造方法により製造された図8に示す半導体装置のイン
ナーリードとアウターリードとの接合時の断面図
FIG. 10 is a cross-sectional view of the semiconductor device shown in FIG. 8 manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention when the inner lead and the outer lead are joined.

【図11】本発明の第2の実施例における半導体装置の
製造方法により製造された図8に示す半導体装置のリー
ドフレームに樹脂によりモールディングした断面図
FIG. 11 is a cross-sectional view of a lead frame of the semiconductor device shown in FIG. 8 manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention, which is molded with resin.

【図12】従来の半導体装置の製造方法により製造され
たインナーリードとアウターリードの接合によるリード
フレームを用いてリードフォーミング工程を行った半導
体装置の断面図
FIG. 12 is a cross-sectional view of a semiconductor device that has been subjected to a lead forming process using a lead frame formed by joining inner leads and outer leads manufactured by a conventional semiconductor device manufacturing method.

【図13】従来の半導体装置の製造方法により製造され
た図12に示す半導体装置のインナーリードフレーム及
びアウターリードフレームの斜視図
13 is a perspective view of an inner lead frame and an outer lead frame of the semiconductor device shown in FIG. 12 manufactured by a conventional method of manufacturing a semiconductor device.

【図14】従来の半導体装置の製造方法により製造され
た図12に示す半導体装置のインナーリードとアウター
リードとの接合時の断面図
14 is a cross-sectional view of the semiconductor device shown in FIG. 12 manufactured by a conventional method for manufacturing a semiconductor device when the inner lead and the outer lead are joined together.

【図15】従来の半導体装置の製造方法により製造され
た図12に示す半導体装置のリードフレームに半導体素
子を実装して樹脂によりモールディングした断面図
FIG. 15 is a cross-sectional view in which a semiconductor element is mounted on a lead frame of the semiconductor device shown in FIG. 12 manufactured by a conventional semiconductor device manufacturing method and is molded with resin.

【図16】従来の半導体装置の製造方法により製造され
た図12に示す半導体装置のリードフレームのタイバー
部カット後の断面図
16 is a sectional view of the lead frame of the semiconductor device shown in FIG. 12 manufactured by a conventional method for manufacturing a semiconductor device after cutting the tie bars.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 インナーリードフレーム 3 ポリイミドテープ 4,15 タイバー部 6 インナーリード 7 アウターリード 8 半導体素子 9 ボンディングワイヤー 10 樹脂 11 インナータイバー部 12,22 アウターリードフレーム 21 ダイパッド 1 Inner lead frame 3 Polyimide tape 4,15 Tie bar part 6 Inner lead 7 Outer lead 8 Semiconductor element 9 Bonding wire 10 Resin 11 Inner tie bar part 12,22 Outer lead frame 21 Die pad

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体素子を搭載するリードフレームのイ
ンナーリードと、前記リードフレームのアウターリード
とを別々に製造し、前記インナーリードと前記アウター
リードとの接合および半導体素子の前記リードフレーム
への実装後、前記インナーリードと前記アウターリード
との接合部を樹脂でモールドすることを特徴とする半導
体装置の製造方法。
1. An inner lead of a lead frame on which a semiconductor element is mounted and an outer lead of the lead frame are manufactured separately, and the inner lead and the outer lead are joined and the semiconductor element is mounted on the lead frame. After that, a method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that a joint portion between the inner lead and the outer lead is molded with resin.
【請求項2】前記インナーリードのお互いの位置を絶縁
部材で固定したことを特徴とする請求項1記載の半導体
装置の製造方法。
2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the inner leads are fixed to each other with an insulating member.
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