JPH06208988A - Wet treating apparatus - Google Patents

Wet treating apparatus

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JPH06208988A
JPH06208988A JP7011492A JP7011492A JPH06208988A JP H06208988 A JPH06208988 A JP H06208988A JP 7011492 A JP7011492 A JP 7011492A JP 7011492 A JP7011492 A JP 7011492A JP H06208988 A JPH06208988 A JP H06208988A
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JP
Japan
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liquid
processing
chamber
neutral
wet
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JP7011492A
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Japanese (ja)
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Shintaro Yanagisawa
真太郎 柳澤
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CHUO RIKEN KK
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CHUO RIKEN KK
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To provide a wet treating apparatus of a structure in which leakage of vaporized treating fluid is sufficiently prevented. CONSTITUTION:Liquid curtains 22, 23 for feeding liquid L to neutral chambers 2, 3 by shutting OFF a channel of treating fluid vaporized from a treating chamber 1 are provided, and a board 10 is conveyed through the liquid L fed by the curtains 22, 23. A fluid feeder 22 is formed, for example, of a partition wall 221 for partitioning the chamber 2, and a curtain side plate 222 stood oppositely to the wall 221, and the liquid L fed from a lower inlet 225 flows out from a partition wall outlet 226 and a side plate outlet 227 provided in height of a conveying line 40 while storing between the wall 221 and the plate 222. The board 10 is conveyed through the outlets 226, 227.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、何らかの液体を方形の
基板に供給して処理するウェット処理装置に関するもの
である。より具体的に言うと、例えば液晶基板への微細
回路の形成の際に用いられるウェットエッチング装置や
ウェット剥離装置等に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wet processing apparatus for supplying some liquid to a rectangular substrate for processing. More specifically, the present invention relates to a wet etching apparatus, a wet stripping apparatus, and the like used when forming a fine circuit on a liquid crystal substrate, for example.

【0002】[0002]

【従来の技術】微細回路を形成する等の目的で基板の表
面を処理する装置は、従来より各種のものが知られてい
る。このうち、何らかの液体を基板の表面に供給し特定
の化学反応を生じさせるなどして処理する装置として
は、例えば薬液によりエッチングを行うウェットエッチ
ング装置や強アルカリ等の剥離液でレジストを剥離する
ウェット剥離装置等が周知である。ここで、半導体プロ
セス等においては、気相成長のような液体をしないプロ
セスをドライプロセスと一般的に呼ぶ。そこで、本願に
おいては、現像液を使用した現像処理や薬液を使用した
ウェットエッチング処理等のような液体を使用するプロ
セスをウェットプロセスと呼び、このウェットプロセス
に使用される装置をウェット処理装置と呼ぶことにす
る。さらに、ウェットプロセスに使用される液体を処理
液と呼ぶことにする。
2. Description of the Related Art Various types of devices for processing the surface of a substrate for the purpose of forming fine circuits have been known. Among these, as an apparatus for processing by supplying a certain liquid to the surface of the substrate and causing a specific chemical reaction, for example, a wet etching apparatus that performs etching with a chemical solution or a wet method that removes a resist with a stripping solution such as strong alkali is used. Peeling devices and the like are well known. Here, in a semiconductor process or the like, a process that does not use liquid such as vapor phase growth is generally called a dry process. Therefore, in the present application, a process using a liquid such as a developing process using a developing solution and a wet etching process using a chemical solution is called a wet process, and an apparatus used in this wet process is called a wet processing apparatus. I will decide. Further, the liquid used in the wet process will be called a processing liquid.

【0003】図3は、従来のウェット処理装置の一例と
してのウェットエッチング装置の概略説明図である。従
来のウェットエッチング装置は、例えば中央に処理室1
があり、その前後にニュートラル室2,3が配置されて
いる。このニュートラル室2,3は、処理室1への出入
りのための予備的な部屋である。搬入側ニュートラル室
2の搬入側の側壁には、ニュートラル室搬入口21が設
けられている。そして、搬入側ニュートラル室21と処
理室1との隔壁には、処理室搬入口11が設けられてい
る。さらに、処理室1と搬出側ニュートラル室3との隔
壁には、処理室搬出口12が、搬出側ニュートラル室3
の搬出側の側壁には、ニュートラル室搬出口31がそれ
ぞれ設けられている。これらの出入口を経由して、基板
10は、例えば搬送コロ4により搬入側ニュートラル室
2,処理室1,搬出側ニュートラル室3の順に、搬送ラ
イン40に沿って搬送される。そしてその間、処理室1
を通過中に基板10のエッチング処理がなされる。処理
室1の構成は、エッチングの方式によって異なるが、例
えば、スプレー方式のエッチングの場合には、処理液の
噴射用のノズル13が室内の上方に設けられる。そし
て、下方を通過する基板10に対して処理液を噴射して
エッチング処理を行う。
FIG. 3 is a schematic explanatory view of a wet etching apparatus as an example of a conventional wet processing apparatus. A conventional wet etching apparatus has, for example, a processing chamber 1 at the center.
And the neutral chambers 2 and 3 are arranged in front of and behind them. The neutral chambers 2 and 3 are preliminary chambers for entering and leaving the processing chamber 1. On the side wall of the carry-in side neutral chamber 2 on the carry-in side, a neutral chamber carry-in port 21 is provided. A processing chamber carry-in port 11 is provided in the partition wall between the carry-in side neutral chamber 21 and the processing chamber 1. Further, the processing chamber unloading port 12 is provided on the partition wall between the processing chamber 1 and the unloading-side neutral chamber 3,
A neutral chamber carry-out port 31 is provided on each of the side walls on the carry-out side. The substrate 10 is transferred along the transfer line 40 through the entrances and exits in the order of the loading-side neutral chamber 2, the processing chamber 1, and the unloading-side neutral chamber 3 by the transfer roller 4, for example. And during that time, the processing chamber 1
The substrate 10 is etched while passing through. The configuration of the processing chamber 1 differs depending on the etching method. For example, in the case of spray etching, a nozzle 13 for injecting a processing liquid is provided above the room. Then, the processing liquid is sprayed on the substrate 10 passing below to perform the etching process.

【0004】上記従来のウェット処理装置において、処
理液即ちエッチングに使用される薬液は例えば酸又はア
ルカリ等の化学的に活性な成分を多く含んでいるため、
装置の外部に漏出すると、周辺の他の装置や備品を腐食
させてしまう。特に、反応速度を高めるため処理液は加
熱されることが多く、処理液は気化し易く蒸気となって
装置外へ排出され易い。さらに、スプレー方式やジェッ
ト方式のエッチングの場合には、なおさらである。そこ
で、気化した処理液が装置の外に漏出しないようにする
ための工夫が従来よりなされている。この点に関して、
従来のウェット処理装置は、処理室1の前後に配置され
たニュートラル室2,3の奥壁等に排気口20,30を
設け、ニュートラル室2,3の内部をこの排気口20,
30から排気ポンプで排気するようにしている。そし
て、排気された処理液は、冷却トラップ等で液化されて
廃液タンク等に排出されるようになっている。
In the above conventional wet processing apparatus, the processing liquid, that is, the chemical liquid used for etching contains a large amount of chemically active components such as acid or alkali.
If leaked to the outside of the device, it will corrode other devices and equipment around it. In particular, the treatment liquid is often heated in order to increase the reaction rate, and the treatment liquid easily vaporizes and is easily discharged to the outside of the apparatus as vapor. Furthermore, this is all the more true in the case of spray type or jet type etching. Therefore, conventional measures have been taken to prevent the vaporized processing liquid from leaking out of the apparatus. In this regard,
In the conventional wet processing apparatus, exhaust ports 20 and 30 are provided on the inner walls of the neutral chambers 2 and 3 arranged in front of and behind the processing chamber 1, and the insides of the neutral chambers 2 and 3 are provided with the exhaust ports 20 and 30.
It exhausts from 30 with an exhaust pump. Then, the exhausted processing liquid is liquefied by a cooling trap or the like and discharged to a waste liquid tank or the like.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな排気ポンプによる排出だけでは、気化した処理液の
流路を完全に遮断しているわけではないので、漏出する
気化した処理液を充分取りきれず、ニュートラル室搬入
口等から装置外へどうしても漏れてしまう。このような
ニュートラル室搬入口等から漏出する気化した処理液の
存在は、ニュートラル室搬入口等の付近に金属片等を置
いておくと激しく腐食することで、確認できる。このよ
うな事情は、ウェットエッチング装置以外の他のウェッ
ト処理装置の場合も同様であって、酸やアルカリ等の反
応性の高い処理液を使用するウェット処理装置の場合に
は、気化した処理液の装置外への漏出は厳重に防止しな
ければならない。特に、半導体プロセスや液晶プロセス
などにおいては、気化した処理液の漏出によりクリーン
ルーム内のセンサーや計器類が腐食したり誤動作したり
して、思わぬ事故を招く可能性もある。またさらに、人
体に有害な処理液を使用するとか悪臭を放つ処理液を使
用する装置等の場合においても、処理液が装置外に漏出
しないようにすることが勿論重要である。本願の発明
は、このような課題を考慮してなされたものであり、気
化した処理液の漏出を充分に防止した構造のウェット処
理装置を提供することを目的としている。
However, the discharge by the exhaust pump does not completely shut off the flow path of the vaporized treatment liquid, so that the leaked vaporized treatment liquid can be sufficiently removed. Instead, it will inevitably leak out of the device from the neutral room carry-in port. The presence of the vaporized processing liquid leaking from the neutral chamber carry-in port or the like can be confirmed by violently corroding a metal piece or the like if a metal piece or the like is placed near the neutral chamber carry-in port or the like. Such a situation is the same in the case of other wet processing apparatuses other than the wet etching apparatus, and in the case of a wet processing apparatus that uses a highly reactive processing solution such as acid or alkali, the vaporized processing solution is used. Must be strictly prevented from leaking out of the equipment. Particularly in a semiconductor process, a liquid crystal process, or the like, leakage of the vaporized treatment liquid may corrode or malfunction the sensors and instruments in the clean room, possibly causing an unexpected accident. Further, in the case of an apparatus or the like which uses a processing solution harmful to the human body or uses a processing solution which gives off a bad odor, it is of course important to prevent the processing solution from leaking out of the apparatus. The invention of the present application has been made in consideration of such problems, and an object thereof is to provide a wet processing apparatus having a structure in which leakage of a vaporized processing liquid is sufficiently prevented.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のウェット処理装置は、ニュートラル室に、
処理室からの気化した処理液の流路を遮断するようにし
て液体を流動させる液体カーテン部を具備し、基板は液
体カーテン部で流動する液体を通り抜けて搬送される構
成を有するものである。
In order to achieve the above object, the wet processing apparatus of the present invention is provided in a neutral chamber,
The substrate has a liquid curtain part that allows the liquid to flow while blocking the flow path of the vaporized processing liquid from the processing chamber, and the substrate is configured to be transported through the liquid flowing in the liquid curtain part.

【0007】[0007]

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。従来と同
様、ウェット処理装置の一例としてウェットエッチング
装置を採り上げて説明する。図1は、本発明の実施例の
ウェット処理装置の一例としてのウェットエッチング装
置の概略説明図である。また、図2は、図1のウェット
エッチング装置の処理室の部分の側断面図である。図1
及び図2に示すウェットエッチング装置は、図3に示す
従来のウェットエッチング装置と同様に、中央に処理室
1があり、搬送ラインの前後に二つのニュートラル室
2,3を配置した構成になっている。それぞれの部屋へ
の出入口として、やはり従来の装置と同様に、ニュート
ラル室搬入口21,処理室搬入口11,処理室搬出口1
2及びニュートラル室搬出口31が設けられている。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. As in the conventional case, a wet etching apparatus will be described as an example of the wet processing apparatus. FIG. 1 is a schematic explanatory diagram of a wet etching apparatus as an example of a wet processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a side sectional view of a portion of the processing chamber of the wet etching apparatus shown in FIG. Figure 1
The wet etching apparatus shown in FIG. 2 has a processing chamber 1 in the center and two neutral chambers 2 and 3 arranged before and after the transfer line, like the conventional wet etching apparatus shown in FIG. There is. As in the case of the conventional device, the neutral chamber carry-in port 21, the process chamber carry-in port 11, and the process chamber carry-out port 1 are used as the doorways to the respective rooms.
2 and a neutral chamber carry-out port 31 are provided.

【0008】基板10の搬送のための機構は、従来と同
様の搬送コロ4を回転させるものであり、水平な搬送ラ
イン40に沿って配置された多数の搬送コロ4によっ
て、基板10は、搬入側ニュートラル室2,処理室1,
搬出側ニュートラル室3へと搬送される。
The mechanism for transporting the substrate 10 is to rotate the transport roller 4 similar to the conventional one, and the substrate 10 is loaded by the plurality of transport rollers 4 arranged along the horizontal transport line 40. Side neutral room 2, processing room 1,
It is transported to the unloading side neutral chamber 3.

【0009】このウェットエッチング装置は、スプレー
方式のものである。従って、処理室1の内部にはノズル
13が設けられており、このノズル13から処理液が下
方の基板10に向けて噴射される。処理液は、装置外の
処理液用タンク14から処理液用ポンプ15により上記
ノズル13に供給されており、処理液用タンク14に付
設されたヒーター及び水冷コイル等で構成された温調機
構16により例えば20℃から50℃程度の温度に加熱
されている。従って、ノズル13からは、加熱された処
理液がジェット気流のように噴射される。噴射された処
理液の一部は、基板10に付着し、基板10のエッチン
グ処理が達成される。
This wet etching apparatus is of a spray type. Therefore, a nozzle 13 is provided inside the processing chamber 1, and the processing liquid is ejected from the nozzle 13 toward the substrate 10 below. The treatment liquid is supplied from the treatment liquid tank 14 outside the apparatus to the nozzle 13 by the treatment liquid pump 15, and the temperature control mechanism 16 is composed of a heater and a water cooling coil attached to the treatment liquid tank 14. Is heated to a temperature of, for example, 20 ° C. to 50 ° C. Therefore, the heated treatment liquid is ejected from the nozzle 13 like a jet stream. A part of the sprayed processing liquid adheres to the substrate 10, and the etching process of the substrate 10 is achieved.

【0010】図2に示すように、処理室1の底板101
は漏斗状に形成されており、その最下端には処理液排出
口102が設けられている。従って、基板10に付着し
なかった処理液は、この処理液排出口102から排出さ
れる。排出された処理液は、処理液用タンク14に戻る
ように構成されているが、廃液タンク等に排出して再利
用しないようにする場合もある。
As shown in FIG. 2, the bottom plate 101 of the processing chamber 1
Is formed in a funnel shape, and the processing liquid discharge port 102 is provided at the lowermost end thereof. Therefore, the processing liquid that has not adhered to the substrate 10 is discharged from the processing liquid discharge port 102. Although the discharged processing liquid is configured to return to the processing liquid tank 14, it may be discharged to a waste liquid tank or the like so as not to be reused.

【0011】また、図2から分かるように、処理室1の
奥壁には、処理室排気口17が設けられている。この処
理室排気口17は、ダクト171によってミストキャッ
チ172を介して排気ポンプ173に連通されており、
これによって処理室1は排気される。ミストキャッチ1
72は、内部に冷却コイル174を配設した箱状のもの
であり、処理室排気口17から排気する気化処理液を液
化して再度処理液タンク14に戻すためのものである。
即ち、後段に設けられた排気ポンプ173により処理室
1の内部が排気されると、ミスト状などになって気化し
た処理液はミストキャッチ172に流入し、内部に設け
られた冷却コイル174により冷却されて液化し、再び
処理液タンク14に戻るようになっている。但し、前述
と同様に廃液にしてしまっても良い。
Further, as can be seen from FIG. 2, a processing chamber exhaust port 17 is provided on the back wall of the processing chamber 1. The processing chamber exhaust port 17 is connected to an exhaust pump 173 by a duct 171 via a mist catch 172,
As a result, the processing chamber 1 is exhausted. Mist catch 1
Reference numeral 72 is a box-shaped member having a cooling coil 174 disposed therein, and is for liquefying the vaporized processing liquid exhausted from the processing chamber exhaust port 17 and returning it to the processing liquid tank 14 again.
That is, when the inside of the processing chamber 1 is exhausted by the exhaust pump 173 provided in the latter stage, the processing liquid vaporized in the form of mist flows into the mist catch 172 and is cooled by the cooling coil 174 provided inside. The liquid is liquefied and returned to the processing liquid tank 14 again. However, as in the above case, the waste liquid may be discarded.

【0012】尚、処理液は酸やアルカリ等の化学的に活
性なものであるため、処理室1内の各部材や上記処理室
1の排気のための部材は、化学的に耐性の強い材料で形
成されるか又はそのような表明処理が施されている。
Since the processing liquid is chemically active such as acid or alkali, each member in the processing chamber 1 and the member for exhausting the processing chamber 1 are made of a material having strong chemical resistance. Or have been subject to such an assertion process.

【0013】次に、本実施例のニュートラル室について
説明する。前後の二つのニュートラル室2,3の構成
は、図1から分かるように、処理室1を挟んで左右対称
の配置になっている点を除き、互いにほぼ同様である。
従って、搬入側ニュートラル室2のみに重点をおいて以
下に説明する。搬入側ニュートラル室2は、後述の液体
カーテン部22によって二つの部屋に仕切られている。
そして、仕切られたそれぞれの部屋の奥壁には、処理室
1と同様な排気口201,202が設けられており、そ
れぞれの排気口201,202に接続された不図示のダ
クト及び排気ポンプにより排気されている。
Next, the neutral chamber of this embodiment will be described. As can be seen from FIG. 1, the two front and rear neutral chambers 2 and 3 have substantially the same configuration except that they are symmetrically arranged with the processing chamber 1 interposed therebetween.
Therefore, the following description will be given with a focus on only the carry-in side neutral chamber 2. The carry-in side neutral chamber 2 is partitioned into two chambers by a liquid curtain portion 22 described later.
Exhaust ports 201 and 202 similar to those in the processing chamber 1 are provided on the back wall of each of the partitioned chambers, and a duct and an exhaust pump (not shown) connected to the exhaust ports 201 and 202 are provided. Exhausted.

【0014】液体カーテン部22は、基板10の通過を
可能にしつつ処理室1から気化した処理液の漏出の流路
を遮断するものであり、ニュートラル室2内を区画する
鉛直な姿勢の隔壁221と、この隔壁221とともに液
体Lの流路を構成するために隔壁221の手前に対面さ
せて立設させたカーテン部側板222とから主に構成さ
れている。そして、装置外には、隔壁221とカーテン
部側板222との間に供給される液体Lを貯蔵したカー
テン部用タンク223と、このカーテン部用タンク22
3から液体Lを供給するためのカーテン部用ポンプ22
4とを具備している。カーテン部用タンク223には、
新しい液体Lが少しづつ流入するようになっている他、
一定水位以上になった場合の吐き出し等のためのドレイ
ンが設けれている。
The liquid curtain portion 22 blocks the flow path of leakage of the vaporized processing liquid from the processing chamber 1 while allowing the substrate 10 to pass therethrough, and is a partition wall 221 that vertically partitions the interior of the neutral chamber 2. And a curtain portion side plate 222 that is erected upright in front of the partition wall 221 to form a flow path for the liquid L together with the partition wall 221. Then, outside the apparatus, a curtain portion tank 223 that stores the liquid L supplied between the partition wall 221 and the curtain portion side plate 222, and the curtain portion tank 22.
Pump 22 for the curtain part for supplying the liquid L from 3
4 and. In the curtain part tank 223,
In addition to the new liquid L flowing in little by little,
A drain is provided for discharging when the water level exceeds a certain level.

【0015】また、ニュートラル室2の底板23のうち
の隔壁221とカーテン部側板222の間の位置には、
液体Lの流入口225が形成されており、上記カーテン
部ポンプ224により送られた液体Lは、この流入口2
25から隔壁221とカーテン部側板222との間の部
分に溜まるようにして供給される。そして、供給された
液体Lを流出させるために、隔壁221及びカーテン部
側板222の搬送ライン40の高さの位置には、隔壁流
出口226及び側板流出口227がそれぞれ設けられて
いる。従って、カーテン部ポンプ224により供給され
た液体Lは、隔壁流出口226及び側板流出口227か
ら流出する。尚、隔壁流出口226及び側板流出口22
7は、後述のように基板10が通過する部分であるた
め、搬送方向に直角な水平方向に長いスリット状になっ
ている。但し、隔壁221とカーテン部側板222との
間に溜まる液体Lの液面は、隔壁流出口226及び側板
流出口227の高さよりも高い位置になるように、カー
テン部用ポンプ224の圧力が設定されている。即ち、
隔壁流出口226及び側板流出口227は、流出はする
ものの溜まった液体Lによって塞がれた状態となってい
る。
Further, at the position between the partition wall 221 and the curtain side plate 222 of the bottom plate 23 of the neutral chamber 2,
An inflow port 225 for the liquid L is formed, and the liquid L sent by the curtain pump 224 is the inflow port 2
From 25, it is supplied so as to be collected in a portion between the partition wall 221 and the curtain portion side plate 222. In order to let the supplied liquid L flow out, a partition wall outlet 226 and a side plate outlet 227 are provided at the height of the transfer line 40 of the partition wall 221 and the curtain side plate 222. Therefore, the liquid L supplied by the curtain pump 224 flows out from the partition wall outlet 226 and the side plate outlet 227. The partition wall outlet 226 and the side plate outlet 22
Since 7 is a portion through which the substrate 10 passes, as will be described later, it has a slit shape that is long in the horizontal direction perpendicular to the transport direction. However, the pressure of the curtain pump 224 is set such that the liquid level of the liquid L accumulated between the partition wall 221 and the curtain side plate 222 is higher than the heights of the partition wall outlet 226 and the side plate outlet 227. Has been done. That is,
The partition wall outlet 226 and the side plate outlet 227 are in a state of being blocked by the accumulated liquid L although they flow out.

【0016】流出した液体Lは、ニュートラル室2の底
板23に落下するが、ニュートラル室の底板23は、図
1に示すように、液体カーテン部22で区画された前後
の部分がそれぞれ漏斗のように形成されており、落下し
た液体Lは、下端に位置する底板流出口231から排出
される。底板流出口231は、配管により前述のカーテ
ン部用タンク223に連通されており、底板流出口23
1からの液体Lは再びカーテン部用タンク223に戻る
ようになっている。
The liquid L that has flowed out falls onto the bottom plate 23 of the neutral chamber 2, but the bottom plate 23 of the neutral chamber is, as shown in FIG. 1, the front and rear parts partitioned by the liquid curtain portion 22 like funnels. The liquid L that has been formed on the bottom plate is discharged from the bottom plate outlet 231 located at the lower end. The bottom plate outlet 231 is connected to the curtain tank 223 described above by a pipe, and
The liquid L from 1 returns to the curtain tank 223 again.

【0017】尚、液体Lは、具体的には水道水で構わな
いが、気化した処理液の混入及び再気化という過程によ
り処理液の装置外への漏出が有り得るため、処理液の溶
解等による混入が起こりにくい成分であると、さらに好
ましい。またさらに、液体Lは上記のようにカーテン部
用ポンプ224によって循環されるが、循環経路にフィ
ルターを設けたり、カーテン部用タンク223に貯蔵さ
れた液体Lを少しづつ交換したりするようにしても良
い。
The liquid L may be tap water, but the treatment liquid may leak out of the apparatus due to the process of mixing the vaporized treatment liquid and revaporizing the treatment liquid. It is more preferable that the components are less likely to be mixed. Furthermore, although the liquid L is circulated by the curtain pump 224 as described above, a filter may be provided in the circulation path or the liquid L stored in the curtain tank 223 may be replaced little by little. Is also good.

【0018】上記実施例の装置においては、第一,第
二,第三の三つのエアナイフ51,52,53が搬送経
路に添って図のように配置されている。エアナイフ5
1,52,53は、搬送ライン40を挟んで上下に二本
配置されたエアノズルでそれぞれ構成され、基板10の
表面及び裏面に気流を吹き付けるものである。
In the apparatus of the above embodiment, the three air knives 51, 52 and 53 of the first, second and third are arranged along the transfer path as shown in the figure. Air knife 5
1, 52, and 53 are respectively configured by two air nozzles arranged above and below with the transport line 40 sandwiched therebetween, and blow air flow to the front surface and the back surface of the substrate 10.

【0019】まず、上記液体カーテン部22,32と処
理室1との間には、第一エアナイフ51が配置されてい
る。この第一エアナイフ51は、液体Lの処理室1への
持ち込みを防止するためのものである。即ち、上記液体
カーテン部22の通過によって基板10の表面及び裏面
には液体Lが付着するが、液体Lが付着したまま基板1
0が処理室1に搬送されると、上述のように処理液を噴
射付着させた際に液体Lにより処理液が希釈化され、こ
の結果、期待されたエッチング反応が得られないことと
なるからである。そこで、この第一エアナイフ51によ
り基板1の表面及び裏面にエアを吹き付けて液体Lを除
去し、液体Lの付着のない状態で基板10を処理室10
に搬入するようにしている。
First, a first air knife 51 is arranged between the liquid curtain portions 22 and 32 and the processing chamber 1. The first air knife 51 is for preventing the liquid L from being brought into the processing chamber 1. That is, the liquid L adheres to the front surface and the back surface of the substrate 10 by passing through the liquid curtain portion 22, but the substrate 1 remains attached with the liquid L.
When 0 is transferred to the processing chamber 1, the processing liquid is diluted with the liquid L when the processing liquid is jetted and adhered as described above, and as a result, the expected etching reaction cannot be obtained. Is. Therefore, the first air knife 51 blows air on the front surface and the back surface of the substrate 1 to remove the liquid L, and the substrate 10 is treated in a state where the liquid L is not attached.
I am going to carry it in.

【0020】次に、処理室10内の処理室搬入口11の
近傍には、第二エアナイフ52が配置されている。この
第二エアナイフ52は、基板10の表面に載せられた処
理液の流出を防止するためのものである。即ち、前述の
ように、搬入側ニュートラル室2の奥壁には排気口20
1が設けられ排気ポンプで排気されており、処理室1内
の雰囲気は、処理室搬入口11を経由してこの排気口2
01によって若干吸引されている。この為、基板10の
表面に載った処理液が排気口201の排気に引かれて流
れてしまい、均一なエッチング処理ができないおそれが
ある。そこで、排気口201による排気の向きとは逆の
向きに気流を吹き付けるようにして第二エアナイフ52
を配置し、上記排気口201の排気による気流を相殺し
て、基板10の表面で処理液が流れ出ないようにしてい
る。
Next, a second air knife 52 is arranged in the processing chamber 10 near the processing chamber carry-in port 11. The second air knife 52 is for preventing the processing liquid placed on the surface of the substrate 10 from flowing out. That is, as described above, the exhaust port 20 is provided on the back wall of the carry-in side neutral chamber 2.
1 is provided and is exhausted by an exhaust pump, and the atmosphere in the processing chamber 1 passes through the processing chamber carry-in port 11 to the exhaust port 2
01 is slightly sucked. Therefore, the processing liquid on the surface of the substrate 10 is drawn by the exhaust air of the exhaust port 201 and flows, and there is a possibility that a uniform etching process cannot be performed. Therefore, the air flow is blown in the direction opposite to the direction of the exhaust air from the exhaust port 201 so that the second air knife 52
Are arranged to cancel out the air flow due to the exhaust of the exhaust port 201 so that the processing liquid does not flow out on the surface of the substrate 10.

【0021】さらにまた、搬出側ニュートラル室3に
は、第三エアナイフ53が配置されている。この第三エ
アナイフ53は、処理室1の外への処理液の持ち出しを
防止するものである。即ち、基板10の表面には、エッ
チング処理のための所定量の処理液が付着している。従
って、これが搬出側ニュートラル室3の液体カーテン部
32を通過すると、この部分の液体L中に多量に混入し
たり液体カーテン部32を通過後も処理液が残存したり
して問題を起こす。そこで、第三エアナイフ53の気流
により基板10の表面及び裏面の処理液を削り取るよう
にして除去している。
Furthermore, a third air knife 53 is arranged in the carry-out side neutral chamber 3. The third air knife 53 prevents the processing liquid from being taken out of the processing chamber 1. That is, a predetermined amount of treatment liquid for etching treatment adheres to the surface of the substrate 10. Therefore, when this passes through the liquid curtain portion 32 of the carry-out side neutral chamber 3, a large amount is mixed in the liquid L in this portion, or the treatment liquid remains even after passing through the liquid curtain portion 32, which causes a problem. Therefore, the processing liquid on the front surface and the back surface of the substrate 10 is scraped and removed by the air flow of the third air knife 53.

【0022】さて、上述のウェットエッチング装置の動
作を、液体カーテン部22の部分に重点をおいて説明す
る。まず、露光及び現像が終了した基板10は、搬送コ
ロ4により搬送されて、ニュートラル室搬入口21から
搬入側ニュートラル室2に進入する。そして、搬送ライ
ン40に沿ってニュートラル室2内の液体カーテン部2
2を通過する。すなわち、液体Lが流出する側板流出口
227から液体L中に進入し、カーテン部側板222と
隔壁221との間に溜まる液体L中を通過して、隔壁流
出口226から退出する。そして、基板10は、表面及
び裏面に付着した液体Lが前述の第一エアナイフ51に
より除去された後、処理室搬入口11から処理室1に進
入し、エッチング処理がなされる。その後、処理室搬出
口12から搬出側ニュートラル室3に進入し、付着した
処理液が第三エアナイフ53により除去された後、搬出
側ニュートラル室3の液体カーテン部32を通過して、
ニュートラル室搬出口31に至る。そして、不図示の水
洗装置等を通過した後、次の工程の処理装置に送られ
る。
Now, the operation of the above-described wet etching apparatus will be described by focusing on the liquid curtain portion 22. First, the substrate 10 that has been exposed and developed is transported by the transport rollers 4 and enters the carry-in side neutral chamber 2 from the neutral chamber carry-in port 21. Then, along the transfer line 40, the liquid curtain portion 2 in the neutral chamber 2
Pass 2. That is, the liquid L enters the liquid L from the side plate outlet 227 from which the liquid L flows, passes through the liquid L accumulated between the curtain portion side plate 222 and the partition wall 221, and exits from the partition wall outlet 226. Then, after the liquid L attached to the front surface and the back surface of the substrate 10 is removed by the above-mentioned first air knife 51, the substrate 10 enters the processing chamber 1 through the processing chamber carry-in port 11 and is etched. After that, after entering the carry-out side neutral chamber 3 from the process chamber carry-out port 12 and removing the processing liquid attached by the third air knife 53, it passes through the liquid curtain portion 32 of the carry-out side neutral chamber 3,
The neutral room carry-out port 31 is reached. Then, after passing through a water washing device (not shown) or the like, it is sent to the processing device of the next step.

【0023】上述した構成及び動作のウェットエッチン
グ装置において、処理室1において気化したり霧状にな
ったりした処理液の一部は、例えば、処理室搬入口11
から搬入側ニュートラル室2に漏出する。しかしなが
ら、漏出した処理液の流路は、液体カーテン部22の隔
壁221や流動する液体Lにより遮断されるため、気化
した処理液が外部に漏出することが無い。従って、従来
のように、化学的活性な処理液がニュートラル室2,3
から漏出して、周辺の装置等を腐食させるようなことが
ない。
In the wet etching apparatus having the above-described structure and operation, a part of the processing liquid vaporized or atomized in the processing chamber 1 is, for example, the processing chamber carry-in port 11.
Leaks into the neutral room 2 on the loading side. However, since the flow path of the leaked processing liquid is blocked by the partition wall 221 of the liquid curtain portion 22 and the flowing liquid L, the vaporized processing liquid does not leak outside. Therefore, as in the conventional case, the chemically active treatment liquid is used in the neutral chambers 2 and 3
There is no possibility of leaking from the equipment and corroding surrounding equipment.

【0024】上述した実施例の構成は限定的なものでな
く、多くの変形が可能である。例えば、液体カーテン部
22,32の構成は、下方の流入口225から液体Lを
供給して上方の隔壁流出口226及び側板流出口227
から流出させるような構成だけでなく、単に液体Lを上
から下に流すだけの構成であってもよい。以上の実施例
の説明においては、ウェット処理装置の一例としてウェ
ットエッチング装置を採り上げたが、本発明の適用分野
は勿論これに限られるものではない。例えば強アルカリ
液を使用するウェット方式のレジスト剥離装置やウェッ
ト酸化処理装置等にも、本発明は有効に適用できる。つ
まり、周辺の装置を腐食させるとか悪臭を放つとかが原
因で処理液の漏出を防止しなければならない全てのウェ
ット処理装置に対して、本発明は有効に適用できるもの
である。
The structure of the above-mentioned embodiment is not limited, and many modifications are possible. For example, in the configuration of the liquid curtain portions 22 and 32, the liquid L is supplied from the lower inlet 225 and the upper partition outlet 226 and the side plate outlet 227 are provided.
It is not limited to the structure in which the liquid L is caused to flow out from the above, but may be a structure in which the liquid L is simply caused to flow downward. In the above description of the embodiments, the wet etching apparatus is used as an example of the wet processing apparatus, but the field of application of the present invention is not limited to this. For example, the present invention can be effectively applied to a wet-type resist stripping apparatus or a wet oxidation processing apparatus that uses a strong alkaline solution. In other words, the present invention can be effectively applied to all wet processing apparatuses that must prevent leakage of the processing liquid due to corrosive surrounding devices or giving off a bad odor.

【発明の効果】以上説明したように、本発明のウェット
処理装置によれば、ニュートラル室からの気化した処理
液の漏出が充分防止でき、処理液による周辺の装置等の
腐食を有効に防止することができる。
As described above, according to the wet processing apparatus of the present invention, it is possible to sufficiently prevent the vaporized processing liquid from leaking from the neutral chamber, and effectively prevent the corrosion of peripheral devices and the like by the processing liquid. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例のウェット処理装置の一例とし
てのウェットエッチング装置の概略説明図である。
FIG. 1 is a schematic explanatory diagram of a wet etching apparatus as an example of a wet processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1のウェットエッチング装置の処理室の部分
の側断面図である。
2 is a side sectional view of a portion of a processing chamber of the wet etching apparatus of FIG.

【図3】従来のウェット処理装置の一例としてのウェッ
トエッチング装置の概略説明図である。
FIG. 3 is a schematic explanatory diagram of a wet etching apparatus as an example of a conventional wet processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 処理室 2 搬入側ニュートラル室 22 液体カーテン部 221 隔壁 222 カーテン部側板 L 液体 3 搬出側ニュートラル室 4 搬送コロ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Processing chamber 2 Inlet side neutral chamber 22 Liquid curtain part 221 Partition wall 222 Curtain part side plate L Liquid 3 Outgoing side neutral chamber 4 Transfer roller

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 処理室と、この処理室の前又は後ろに設
けられたニュートラル室とを具備したウェット処理装置
において、ニュートラル室には、処理室からの気化した
処理液の流路を遮断するようにして液体を流動させる液
体カーテン部を具備し、基板は液体カーテン部で流動す
る液体を通り抜けるようにして搬送されることを特徴と
するウェット処理装置。
1. A wet processing apparatus comprising a processing chamber and a neutral chamber provided in front of or behind the processing chamber, wherein the neutral chamber blocks a flow path of vaporized processing liquid from the processing chamber. A wet processing apparatus comprising a liquid curtain part for flowing a liquid in this way, wherein the substrate is conveyed so as to pass through the liquid flowing in the liquid curtain part.
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