JP5460789B2

JP5460789B2 - Substrate processing equipment

Info

Publication number: JP5460789B2
Application number: JP2012165444A
Authority: JP
Inventors: 宏展百武; 浩司山下; 真吾上塘
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2012-07-26
Filing date: 2012-07-26
Publication date: 2014-04-02
Anticipated expiration: 2028-11-07
Also published as: JP2012227548A

Description

本発明は、半導体部品やフラットディスプレイなどの基板に対してエッチングや洗浄や乾燥などの処理を行うための基板処理装置に関するものである。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing processing such as etching, cleaning, and drying on a substrate such as a semiconductor component or a flat display.

従来より、半導体部品やフラットディスプレイなどの製造には、半導体ウエハや液晶基板などの基板に対してエッチングや洗浄や乾燥などの各種の処理を施すための基板処理装置が用いられている。 2. Description of the Related Art Conventionally, a substrate processing apparatus for performing various processes such as etching, cleaning, and drying on a substrate such as a semiconductor wafer or a liquid crystal substrate has been used for manufacturing semiconductor components and flat displays.

たとえば、半導体ウエハの洗浄を行った後に半導体ウエハの表面の乾燥を行う基板処理装置では、基板としての半導体ウエハを処理するための基板処理部と、基板を乾燥処理する処理流体としてのイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の蒸気を基板処理部に供給するための処理流体供給部と、基板処理部から排出された排気中の水分を分離除去するドレイン処理部とで構成していた。 For example, in a substrate processing apparatus for drying a surface of a semiconductor wafer after cleaning the semiconductor wafer, a substrate processing unit for processing the semiconductor wafer as a substrate and isopropyl alcohol (a processing fluid for drying the substrate) The processing fluid supply unit supplies the IPA vapor to the substrate processing unit, and the drain processing unit separates and removes moisture in the exhaust discharged from the substrate processing unit.

そして、従来の基板処理装置では、ＩＰＡの蒸気を基板に噴霧することで基板の表面に付着した水滴中にＩＰＡが溶解して基板と水滴とを剥離させることによって基板の乾燥処理を行い、その後、基板処理部から排出された排気に対してドレイン処理部において気液分離し、水中に溶解したＩＰＡを廃液として廃棄する一方、気体状の排気を排気設備を介して外部に排出していた（たとえば、特許文献１参照。）。 In the conventional substrate processing apparatus, the IPA vapor is sprayed onto the substrate to dissolve the IPA in the water droplets attached to the surface of the substrate, thereby separating the substrate and the water droplets, and then drying the substrate. The exhaust gas discharged from the substrate processing unit was gas-liquid separated in the drain processing unit, and the IPA dissolved in water was discarded as waste liquid, while the gaseous exhaust was discharged to the outside through the exhaust equipment ( For example, see Patent Document 1.)

特開２００２−１１０６２１号公報JP 2002-110621 A

ところが、上記従来の基板処理装置では、基板処理部から排出された排気に対して水分の分離除去を行うドレイン処理部が設けられていただけであるため、水中に溶解した処理流体（ＩＰＡ）は廃液として処理されるものの、水中に溶解することなく気体として存在する処理流体（ＩＰＡ）はそのまま排気設備に送られていた。 However, in the above-described conventional substrate processing apparatus, a drain processing unit that separates and removes moisture from the exhaust discharged from the substrate processing unit is provided, so that the processing fluid (IPA) dissolved in water is a waste liquid. However, the processing fluid (IPA) that exists as a gas without being dissolved in water was sent to the exhaust system as it was.

そのため、従来の基板処理装置では、排気を処理するために設けられた排気設備に処理流体が流れ込み、排気設備が処理流体で汚染されてしまったり、排気設備で処理流体を別途処理する必要があり、排気設備への負荷が増大していた。 Therefore, in the conventional substrate processing apparatus, the processing fluid flows into the exhaust facility provided for processing the exhaust, and the exhaust facility is contaminated with the processing fluid, or the processing fluid needs to be separately processed in the exhaust facility. The load on the exhaust equipment was increasing.

そこで、本発明では、基板処理装置において、基板を処理するための基板処理部と、基板を処理する処理流体を基板処理部に供給するための処理流体供給部と、基板処理部から排出された処理流体を含有する排気を処理するための排気処理部とを有し、排気処理部は、水分が重量の作用で落下することで排気中の処理流体濃度を低減させる処理を行い、下方に向けて排気が流れる排気処理流路を形成するとともに、排気処理流路の下流側に下方から上方に向けて排気を流す排気上昇流路を形成し、排気上昇流路の断面積を排気処理流路の断面積よりも大きくして、排気上昇流路を流れる排気の流速を排気処理流路を流れる排気の流速よりも遅くなるようにした。
また、前記排気処理部は、前記排気処理流路と排気上昇流路の下方に液体を流すための排水流路を形成することにした。

Therefore, in the present invention, in the substrate processing apparatus, the substrate processing unit for processing the substrate, the processing fluid supply unit for supplying the processing fluid for processing the substrate to the substrate processing unit, and the substrate processing unit discharged from the substrate processing unit. An exhaust treatment unit for treating exhaust gas containing a treatment fluid, and the exhaust treatment unit performs a process for reducing the concentration of the treatment fluid in the exhaust gas by dropping moisture due to the action of weight, and facing downward. The exhaust treatment flow path through which the exhaust flows is formed, and the exhaust ascending flow path for flowing the exhaust from below to above is formed on the downstream side of the exhaust treatment flow path, and the cross-sectional area of the exhaust rise flow path is defined as the exhaust treatment flow path The flow velocity of the exhaust gas flowing through the exhaust gas rising flow path is made slower than the flow velocity of the exhaust gas flowing through the exhaust gas processing flow path.
In addition, the exhaust processing unit forms a drainage channel for flowing a liquid below the exhaust processing channel and the exhaust ascending channel.

また、前記排気処理部に排気を分散させるための多孔状の分散板を設けることにした。 Further, a porous dispersion plate for dispersing the exhaust gas is provided in the exhaust treatment unit.

また、前記排気上昇流路に気液分離フィルターを設けることにした。 In addition, a gas-liquid separation filter is provided in the exhaust rising passage.

そして、本発明では、基板処理部より排出された排気中の処理流体濃度を低減させることができ、基板処理装置に接続した排気設備へ流れ込む処理流体が低減し、排気設備への負担を軽減させることができる。 And in this invention, the processing fluid density | concentration in the exhaust_gas | exhaustion discharged | emitted from the substrate processing part can be reduced, the processing fluid which flows into the exhaust equipment connected to the substrate processing apparatus reduces, and the burden on exhaust equipment is reduced. be able to.

基板処理装置を示す平面図。The top view which shows a substrate processing apparatus. 基板洗浄乾燥装置を示す模式図。The schematic diagram which shows a board | substrate washing | cleaning drying apparatus. 排気処理部を示す正面断面図。Front sectional drawing which shows an exhaust-gas treatment part. 同平面断面図。FIG. 同側面断面図。FIG.

以下に、本発明の具体的な実施例について、半導体ウエハ（基板）の洗浄処理や乾燥処理を施す基板処理装置を例に挙げて図面を参照しながら説明する。 In the following, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, taking as an example a substrate processing apparatus for performing a cleaning process and a drying process on a semiconductor wafer (substrate).

図１に示すように、基板処理装置１は、複数枚の半導体ウエハ（以下、「基板２」という。）を収容したキャリア３の搬入及び搬出を行うキャリア搬入出ユニット４と、キャリア３に収容された基板２の搬入及び搬出を行う基板搬入出ユニット５と、基板２の洗浄処理及び乾燥処理を行う基板処理ユニット６とで構成している。 As shown in FIG. 1, a substrate processing apparatus 1 includes a carrier loading / unloading unit 4 that loads and unloads a carrier 3 that houses a plurality of semiconductor wafers (hereinafter referred to as “substrate 2”), and a carrier 3. The substrate loading / unloading unit 5 for loading and unloading the substrate 2 and the substrate processing unit 6 for cleaning and drying the substrate 2 are configured.

キャリア搬入出ユニット４は、キャリア３を載置するキャリアステージ７に密閉状の開閉扉８を形成し、この開閉扉８の内側にキャリア搬送機構９とキャリアストック10とキャリア載置台11を配設している。 The carrier loading / unloading unit 4 forms a sealed opening / closing door 8 on the carrier stage 7 on which the carrier 3 is placed, and a carrier transport mechanism 9, a carrier stock 10, and a carrier mounting table 11 are disposed inside the opening / closing door 8. doing.

そして、キャリア搬入出ユニット４では、キャリア搬送機構９によってキャリアステージ７に載置されたキャリア３を必要に応じてキャリアストック10に一時的に保管するとともに、キャリア載置台11に搬入するようにしている。また、キャリア搬入出ユニット４では、基板処理ユニット６で処理が完了した基板２が収容されたキャリア３に対し、搬入時とは逆に、キャリア載置台11に載置されたキャリア３を必要に応じてキャリア搬送機構９によってキャリアストック10に一時的に保管するとともに、キャリアステージ７に搬出するようにしている。 In the carrier loading / unloading unit 4, the carrier 3 placed on the carrier stage 7 by the carrier carrying mechanism 9 is temporarily stored in the carrier stock 10 as necessary, and is loaded on the carrier placing table 11. Yes. Further, the carrier loading / unloading unit 4 requires the carrier 3 mounted on the carrier mounting table 11, contrary to the time of loading, for the carrier 3 containing the substrate 2 processed by the substrate processing unit 6. Accordingly, the carrier is temporarily stored in the carrier stock 10 by the carrier transport mechanism 9 and is transported to the carrier stage 7.

基板搬入出ユニット５は、キャリア搬入出ユニット４との間に密閉状の開閉扉12を形成するとともに、この開閉扉12の内側に基板搬入出機構13と基板搬送機構14の始端部とを配設している。 The substrate loading / unloading unit 5 forms a hermetic door 12 between the carrier loading / unloading unit 4 and a substrate loading / unloading mechanism 13 and a starting end of the substrate transporting mechanism 14 are arranged inside the opening / closing door 12. Has been established.

そして、基板搬入出ユニット５では、キャリア搬入出ユニット４のキャリア載置台11に載置したキャリア３に収容された基板２を基板搬入出機構13によって基板搬送機構14に搬入するとともに、基板搬送機構14によって基板処理ユニット６に基板２を搬送し、一方、基板処理ユニット６で処理が完了した基板２を基板搬送機構14によって基板処理ユニット６から基板搬入出機構13に搬送するとともに、基板搬入出機構13によって基板搬送機構14からキャリア搬入出ユニット４のキャリア載置台11に載置したキャリア３に搬出するようにしている。 In the substrate carry-in / out unit 5, the substrate 2 housed in the carrier 3 placed on the carrier placing table 11 of the carrier carry-in / out unit 4 is carried into the substrate carrying mechanism 14 by the substrate carry-in / out mechanism 13, and the substrate carrying mechanism The substrate 2 is transported to the substrate processing unit 6 by 14, while the substrate 2 processed by the substrate processing unit 6 is transported from the substrate processing unit 6 to the substrate loading / unloading mechanism 13 by the substrate transport mechanism 14, and the substrate is loaded / unloaded. The mechanism 13 is carried out from the substrate carrying mechanism 14 to the carrier 3 placed on the carrier placing table 11 of the carrier carry-in / out unit 4.

基板処理ユニット６は、基板２の洗浄処理及び乾燥処理を行う基板洗浄乾燥装置15と、基板２の洗浄処理を行う基板洗浄装置16,17,18と、基板搬送機構14に設けた基板２を保持する保持体19の洗浄を行う洗浄装置20とを並べて配設するとともに、これら各装置15,16,17,18,20に沿って基板搬送機構14を配設している。 The substrate processing unit 6 includes a substrate cleaning / drying device 15 that performs cleaning processing and drying processing of the substrate 2, substrate cleaning devices 16, 17, 18 that perform cleaning processing of the substrate 2, and a substrate 2 provided in the substrate transport mechanism 14. A cleaning device 20 for cleaning the holding body 19 to be held is disposed side by side, and a substrate transport mechanism 14 is disposed along these devices 15, 16, 17, 18, and 20.

そして、基板処理ユニット６では、基板搬送機構14によって基板搬入出ユニット５から基板２を基板洗浄乾燥装置15や基板洗浄装置16,17,18に搬送して、基板２の洗浄処理や乾燥処理を行い、その後、処理後の基板２を基板搬送機構14によって基板搬入出ユニット５へ再び搬送するようにしている。 In the substrate processing unit 6, the substrate transport mechanism 14 transports the substrate 2 from the substrate carry-in / out unit 5 to the substrate cleaning / drying device 15 and the substrate cleaning devices 16, 17, 18, and performs cleaning processing and drying processing of the substrate 2. After that, the processed substrate 2 is transported again to the substrate carry-in / out unit 5 by the substrate transport mechanism 14.

また、基板処理ユニット６では、基板搬送機構14の保持体19を洗浄装置20で洗浄して、保持体19に付着した汚染物質が基板２に転写しないようにしている。 In the substrate processing unit 6, the holder 19 of the substrate transport mechanism 14 is cleaned by the cleaning device 20 so that the contaminants attached to the holder 19 are not transferred to the substrate 2.

次に、本発明の要部となる基板洗浄乾燥装置15の構成について説明する。 Next, the configuration of the substrate cleaning / drying apparatus 15 which is a main part of the present invention will be described.

基板洗浄乾燥装置15は、図２に示すように、基板２に対して洗浄処理及び乾燥処理を施すための基板処理部21と、基板処理部21に処理流体としてのイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の蒸気を供給するための処理流体供給部22と、基板処理部21から排出された排気を処理するための排気処理部23とで構成している。 As shown in FIG. 2, the substrate cleaning / drying device 15 includes a substrate processing unit 21 for performing cleaning processing and drying processing on the substrate 2, and vapor of isopropyl alcohol (IPA) as a processing fluid in the substrate processing unit 21. The processing fluid supply unit 22 for supplying the gas and the exhaust processing unit 23 for processing the exhaust discharged from the substrate processing unit 21.

基板処理部21は、上端を開口した中空箱型状の洗浄槽24の上部に下端を開口した中空箱型状の乾燥室25を左右にスライド自在の開閉蓋26を介して昇降自在に取付けるとともに、洗浄槽24及び乾燥室25の内部に基板２を保持する保持体27を昇降自在に収容している。なお、基板処理部21としては、基板２の洗浄及び乾燥を行うものに限られず、基板２の洗浄のみを行うものや乾燥のみを行うものであってもよい。 The substrate processing unit 21 is mounted with a hollow box-shaped drying chamber 25 having a lower end opened at the top of a hollow box-shaped cleaning tank 24 having an upper end opened through an open / close lid 26 slidable left and right. A holding body 27 for holding the substrate 2 is accommodated in the cleaning tank 24 and the drying chamber 25 so as to be movable up and down. The substrate processing unit 21 is not limited to the one that cleans and dries the substrate 2, and may be one that only cleans the substrate 2 or only dries it.

そして、基板処理部21は、洗浄槽24の内部に貯留した洗浄液に保持体27で保持した基板２を浸漬させることで基板の洗浄処理を行い、その後、保持体27で基板２を洗浄槽24から乾燥室25に移動させ、乾燥室25の内部で処理流体供給部22から供給されたＩＰＡ蒸気を用いて基板２の乾燥処理を行うようにしている。 The substrate processing unit 21 performs the substrate cleaning process by immersing the substrate 2 held by the holding body 27 in the cleaning liquid stored in the cleaning tank 24, and then the substrate 2 is cleaned by the holding body 27. Then, the substrate 2 is dried using the IPA vapor supplied from the processing fluid supply unit 22 inside the drying chamber 25.

処理流体供給部22は、ＩＰＡ蒸気を供給するＩＰＡ蒸気供給源28と窒素ガスを供給する窒素ガス供給源29とを連通管30,31を介して切換器32に接続し、切換器32に供給管33の基端部を接続するとともに、供給管33の先端部を基板処理部21の乾燥室25の内部に取付けた供給ノズル34,34に接続している。処理流体供給部22としては、基板２を処理するための処理流体を供給するものであればよく、処理流体としては、蒸気状のＩＰＡに限られず、蒸気状や液体状やミスト状の有機溶剤などを用いることができる。 The processing fluid supply unit 22 connects an IPA vapor supply source 28 that supplies IPA vapor and a nitrogen gas supply source 29 that supplies nitrogen gas to a switch 32 via communication pipes 30 and 31, and supplies the switch 32. The base end of the tube 33 is connected, and the tip of the supply tube 33 is connected to supply nozzles 34 and 34 attached to the inside of the drying chamber 25 of the substrate processing unit 21. The processing fluid supply unit 22 may be anything that supplies a processing fluid for processing the substrate 2, and the processing fluid is not limited to the vapor-like IPA, but is a vapor-like, liquid, or mist-like organic solvent. Etc. can be used.

そして、処理流体供給部22は、ＩＰＡ蒸気供給源28から供給されたＩＰＡ蒸気を供給ノズル34,34から乾燥室25の内部に供給し、乾燥室25の内部でＩＰＡ蒸気によって基板２を乾燥処理するようにし、乾燥処理後に窒素ガス供給源29から供給された窒素ガスで乾燥室25の内部をパージするようにしている。 Then, the processing fluid supply unit 22 supplies the IPA vapor supplied from the IPA vapor supply source 28 to the inside of the drying chamber 25 from the supply nozzles 34 and 34, and dries the substrate 2 with the IPA vapor inside the drying chamber 25. The interior of the drying chamber 25 is purged with nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply source 29 after the drying process.

排気処理部23は、基板処理部21の乾燥室25に排出管35の基端部を接続するとともに、排出管35の先端部に矩形中空箱型状の排気処理室36を接続し、排気処理室36に排気管37と排水管38とを接続しており、排気管37は排気設備（図示省略）に接続する一方、排水管38は排水設備（図示省略）に接続している。 The exhaust processing unit 23 connects the base end portion of the discharge pipe 35 to the drying chamber 25 of the substrate processing unit 21 and connects the exhaust processing chamber 36 having a rectangular hollow box shape to the distal end portion of the discharge pipe 35, thereby An exhaust pipe 37 and a drain pipe 38 are connected to the chamber 36, and the exhaust pipe 37 is connected to an exhaust facility (not shown), while the drain pipe 38 is connected to a drain facility (not shown).

排気処理室36は、図３〜図５に示すように、上端左側後部に排出管35を接続した排気流入口39を形成するとともに、右下部に排気管37を接続した排気流出口40と排水管38を接続した排水流出口41とを形成し、排気流入口39と排気流出口40及び排水流出口41の近傍に仕切壁42,43をそれぞれ形成している。 As shown in FIGS. 3 to 5, the exhaust treatment chamber 36 forms an exhaust inlet 39 having a discharge pipe 35 connected to the rear left side of the upper end, and an exhaust outlet 40 having a discharge pipe 37 connected to the lower right and drainage. A drain outlet 41 connected to the pipe 38 is formed, and partition walls 42 and 43 are formed in the vicinity of the exhaust inlet 39, the exhaust outlet 40, and the drain outlet 41, respectively.

これにより、排気処理室36は、内部に、排気流入口39から下方に向けて排気が流れる排気処理流路44と、排気処理流路44から流入する液体（排液）が排水流出口41に向けて左から右向きに流れる排水流路45と、排気処理流路44から流入する気体（排気）が下から上向きに流れる排気上昇流路46と、排気上昇流路46から流入する気体（排気）が排気流出口40に向けて上から下向きに流れる排気流路47とが形成される。なお、仕切壁42,43の間隔をあけることによって排気上昇流路46のほうが排気処理流路44よりも断面積が広くなるようにしている。 As a result, the exhaust treatment chamber 36 has an exhaust treatment flow path 44 in which exhaust flows downward from the exhaust inlet 39 and liquid (drainage) flowing from the exhaust treatment flow path 44 into the drain outlet 41. A drainage flow channel 45 that flows from left to right, an exhaust gas flow channel 46 that flows in from the exhaust treatment flow channel 44 (exhaust gas) that flows upward from the bottom, and a gas gas (exhaust gas) that flows in from the exhaust gas flow channel 46 An exhaust passage 47 is formed which flows downward from above toward the exhaust outlet 40. Note that the exhaust ascending channel 46 has a larger cross-sectional area than the exhaust processing channel 44 by separating the partition walls 42 and 43 from each other.

そして、排気処理流路44には、排気流入口39の近傍位置に２個の第１及び第２の噴霧ノズル48,49を取付けるとともに、各噴霧ノズル48,49に溶媒供給源50を連通管51を介して接続しており、排気流入口39から排気処理室36の内部に流入する排気に向けて各噴霧ノズル48,49から溶媒を噴霧するようにしている。なお、溶媒とは、基板処理部21で基板２を処理するために使用される処理流体（ここでは、ＩＰＡ）を溶解することができる溶媒（ここでは、純水）である。 In the exhaust treatment flow path 44, two first and second spray nozzles 48, 49 are attached in the vicinity of the exhaust inlet 39, and a solvent supply source 50 is connected to each spray nozzle 48, 49. 51, the solvent is sprayed from the spray nozzles 48 and 49 toward the exhaust flowing into the exhaust processing chamber 36 from the exhaust inlet 39. The solvent is a solvent (here, pure water) that can dissolve the processing fluid (here, IPA) used for processing the substrate 2 in the substrate processing unit 21.

また、排気処理流路44には、排気処理室36の内壁と仕切壁42との間に３枚の多孔状の分散板52,53,54を上下に間隔をあけて水平に取付けている。この分散板52,53,54には、複数の矩形状の貫通孔55が形成されており、しかも、上下の分散板52,53,54の貫通孔55の位置を左右にずらして配置して、排気処理流路44を流れる排気が蛇行するようにしている。 Further, in the exhaust treatment flow path 44, three porous dispersion plates 52, 53, 54 are horizontally attached between the inner wall of the exhaust treatment chamber 36 and the partition wall 42 with a vertical spacing. The dispersion plates 52, 53, 54 are formed with a plurality of rectangular through holes 55, and the positions of the through holes 55 of the upper and lower dispersion plates 52, 53, 54 are shifted to the left and right. The exhaust gas flowing through the exhaust treatment flow path 44 meanders.

ここで、排気処理室36の側部に取付けた第１の噴霧ノズル48は、前方に向けて水平に溶媒を噴霧するように取付けられており、排気処理室36に流入する排気に対して排気の流れと直交する向きに向けて溶媒を噴霧するようにしている。しかも、第１の噴霧ノズル48は、溶媒の噴霧方向を分散板52と平行とし、分散板52の近傍位置に取付けている。 Here, the first spray nozzle 48 attached to the side of the exhaust treatment chamber 36 is attached so as to spray the solvent horizontally toward the front, and exhausts the exhaust gas flowing into the exhaust treatment chamber 36. The solvent is sprayed in a direction orthogonal to the flow of the liquid. In addition, the first spray nozzle 48 is attached in the vicinity of the dispersion plate 52 so that the spray direction of the solvent is parallel to the dispersion plate 52.

また、排気処理室36の上部に取付けた第２の噴霧ノズル49は、下方に向けて溶媒を噴霧するように取付けられており、排気処理室36に流入する排気に対して排気の流れと平行な向きに向けて溶媒を噴霧するようにしている。しかも、第２の噴霧ノズル49は、噴霧した溶媒が第１の噴霧ノズル48から噴霧された溶媒と交差する位置に取付けている。 The second spray nozzle 49 attached to the upper part of the exhaust treatment chamber 36 is attached so as to spray the solvent downward, and is parallel to the exhaust flow with respect to the exhaust flowing into the exhaust treatment chamber 36. The solvent is sprayed in any direction. Moreover, the second spray nozzle 49 is attached at a position where the sprayed solvent intersects with the solvent sprayed from the first spray nozzle 48.

また、各噴霧ノズル48,49は、排気流入口39から流入する排気に直接的に噴霧するようにしており、噴霧した溶媒の一部が最上段（最も上流側）の分散板52に直接的に噴霧されるようにしている。 In addition, each of the spray nozzles 48 and 49 sprays directly on the exhaust flowing in from the exhaust inlet 39, and a part of the sprayed solvent is directly applied to the uppermost (most upstream) dispersion plate 52. To be sprayed on.

なお、各噴霧ノズル48,49は、分散板52,53,54よりも下流側に設けてもよい。また、各噴霧ノズル48,49は、溶媒を噴霧するものであればよく、噴霧形態は円錐形状や扇形状などのものを用いることができる。 The spray nozzles 48 and 49 may be provided on the downstream side of the dispersion plates 52, 53, and 54. The spray nozzles 48 and 49 may be any one that sprays a solvent, and the spray form may be conical or fan-shaped.

また、排気上昇流路46には、仕切壁42,43の間に気液分離フィルター56を取付けて、排気上昇流路46を上昇する排気に含有される水分（特に処理流体）を捕捉するようにしている。 In addition, a gas-liquid separation filter 56 is attached to the exhaust rising flow path 46 between the partition walls 42 and 43 so as to capture moisture (particularly processing fluid) contained in the exhaust rising through the exhaust rising flow path 46. I have to.

排気処理部23は、以上に説明したように構成しており、基板処理部21での基板２の処理中や処理後に基板処理部21から排出された排気が排気処理室36に流入し、排気処理流路44において噴霧ノズル48,49から噴霧された溶媒によって排気中に含有される処理流体が溶解され、排液となったものは排水流路45を通って排水流出口41から外部に排水され、一方、排気は排気上昇流路46を上昇し、気液分離フィルター56を通過し、その後、排気流路47を通って排気流出口40から外部に排気される。 The exhaust processing unit 23 is configured as described above, and the exhaust discharged from the substrate processing unit 21 during or after the processing of the substrate 2 in the substrate processing unit 21 flows into the exhaust processing chamber 36 and is exhausted. The processing fluid contained in the exhaust gas is dissolved by the solvent sprayed from the spray nozzles 48 and 49 in the processing channel 44, and the discharged liquid passes through the drain channel 45 and is drained to the outside from the drain outlet 41. On the other hand, the exhaust gas goes up the exhaust gas rising flow path 46, passes through the gas-liquid separation filter 56, and then exhausts to the outside through the exhaust flow path 47 from the exhaust outlet port 40.

そのため、基板処理部21から排出された排気中に含有される処理流体は、排気処理部23で溶媒によって捕捉されて排液として処理されることになり、排気中に含有される処理流体の濃度を低減させることができる。なお、基板処理部21から液体となって排出される処理流体は、そのまま排液として排水流出口41から排出される。 Therefore, the processing fluid contained in the exhaust discharged from the substrate processing unit 21 is captured by the exhaust processing unit 23 with a solvent and processed as a drainage liquid. The concentration of the processing fluid contained in the exhaust Can be reduced. Note that the processing fluid discharged as a liquid from the substrate processing unit 21 is discharged from the drain outlet 41 as the drained liquid as it is.

このように、上記基板処理装置１では、基板２を処理するための基板処理部21と、基板２を処理する処理流体を基板処理部21に供給するための処理流体供給部22と、処理流体を溶解する溶媒を基板処理部21より排出された排気に向けて噴霧ノズル48,49から噴霧することによって排気中の処理流体濃度を低減させるための排気処理部23とを有する構成となっている。 Thus, in the substrate processing apparatus 1, the substrate processing unit 21 for processing the substrate 2, the processing fluid supply unit 22 for supplying the processing fluid for processing the substrate 2 to the substrate processing unit 21, and the processing fluid And an exhaust processing unit 23 for reducing the concentration of the processing fluid in the exhaust gas by spraying from the spray nozzles 48 and 49 toward the exhaust gas discharged from the substrate processing unit 21. .

そのため、上記基板処理装置１では、噴霧ノズル48,49から噴霧した溶媒の作用によって排出中に含有された処理流体を排液として処理することができ、排気中の処理流体濃度を低減させることができるので、基板処理装置１に接続した排気設備へ流れ込む処理流体が低減し、排気設備への負担を軽減させることができる。 Therefore, in the said substrate processing apparatus 1, the process fluid contained in discharge | emission can be processed as waste liquid by the effect | action of the solvent sprayed from the spray nozzles 48 and 49, and the process fluid density | concentration in exhaust_gas | exhaustion can be reduced. Therefore, the processing fluid flowing into the exhaust equipment connected to the substrate processing apparatus 1 can be reduced, and the burden on the exhaust equipment can be reduced.

しかも、上記基板処理装置１では、排気処理部23に流入する排気に対して排気の流れと直交する向きに向けて溶媒を噴霧する第１の噴霧ノズル48を設けている。 In addition, the substrate processing apparatus 1 is provided with the first spray nozzle 48 that sprays the solvent toward the exhaust gas flowing into the exhaust processing unit 23 in a direction orthogonal to the flow of the exhaust gas.

そのため、上記構成の基板処理装置１では、第１の噴霧ノズル48から噴霧した溶媒が排気と衝突することになり、排気と溶媒との接触が良好なものとなり、溶媒によって排気中の処理流体を良好に溶解させることができ、排気中の処理流体濃度を低減させることができる。特に、第１の噴霧ノズル48の噴霧形態を円錐形状や扇形状とした場合には、排気に対して溶媒を面状に噴霧することができ、排気と溶媒との接触面積が増大して効率良く排気中の処理流体を溶解することができる。 Therefore, in the substrate processing apparatus 1 configured as described above, the solvent sprayed from the first spray nozzle 48 collides with the exhaust gas, and the contact between the exhaust gas and the solvent becomes good, and the processing fluid in the exhaust gas is removed by the solvent. It can be dissolved well, and the treatment fluid concentration in the exhaust can be reduced. In particular, when the spray form of the first spray nozzle 48 is a conical shape or a fan shape, the solvent can be sprayed in a planar shape with respect to the exhaust gas, which increases the contact area between the exhaust gas and the solvent and increases the efficiency. The processing fluid in the exhaust can be dissolved well.

さらに、上記基板処理装置１では、排気処理部23に流入する排気に対して排気の流れと平行な向きに向けて溶媒を噴霧する第２の噴霧ノズル49も設けている。 Further, the substrate processing apparatus 1 is also provided with a second spray nozzle 49 that sprays the solvent in a direction parallel to the flow of the exhaust with respect to the exhaust flowing into the exhaust processing unit 23.

そのため、上記構成の基板処理装置１では、第２の噴霧ノズル49から噴霧した溶媒が排気の流れに沿って流れることになり、排気と溶媒との接触が良好なものとなり、溶媒によって排気中の処理流体を良好に溶解させることができ、排気中の処理流体濃度を低減させることができる。特に、第２の噴霧ノズル49の噴霧形態を円錐形状や扇形状とした場合には、排気に対して溶媒を面状に噴霧することができ、排気と溶媒との接触面積が増大して効率良く排気中の処理流体を溶解することができる。また、第２の噴霧ノズル49から噴霧する溶媒を第１の噴霧ノズル48から噴霧された溶媒と交差させた場合には、排気に対して溶媒を高密度で接触させることができ、これによっても効率良く排気中の処理流体を溶解することができる。この場合、第２の噴霧ノズル49の噴霧形態を円錐形状としたほうが第１の噴霧ノズル48から噴霧される溶媒と交差する面積が増大しより効率良く排気中の処理流体を溶解することができる。 Therefore, in the substrate processing apparatus 1 configured as described above, the solvent sprayed from the second spray nozzle 49 flows along the flow of the exhaust gas, and the contact between the exhaust gas and the solvent becomes good. The treatment fluid can be dissolved well, and the treatment fluid concentration in the exhaust can be reduced. In particular, when the spray form of the second spray nozzle 49 is conical or fan-shaped, the solvent can be sprayed in a planar shape with respect to the exhaust, and the contact area between the exhaust and the solvent is increased, resulting in efficiency. The processing fluid in the exhaust can be dissolved well. In addition, when the solvent sprayed from the second spray nozzle 49 intersects with the solvent sprayed from the first spray nozzle 48, the solvent can be brought into contact with the exhaust gas at a high density. The processing fluid in the exhaust can be efficiently dissolved. In this case, if the spray form of the second spray nozzle 49 is conical, the area intersecting with the solvent sprayed from the first spray nozzle 48 increases, and the processing fluid in the exhaust can be dissolved more efficiently. .

また、上記基板処理装置１では、排気処理部23に排気が流入する排気流入口39の近傍に噴霧ノズル48,49を配置している。 In the substrate processing apparatus 1, the spray nozzles 48 and 49 are disposed in the vicinity of the exhaust inlet 39 through which exhaust flows into the exhaust processing unit 23.

そのため、上記構成の基板処理装置１では、排気処理部23に流入した排気が分散する前に集中的に溶媒を噴霧することができ、これによっても排気と溶媒との接触が良好なものとなり、溶媒によって排気中の処理流体を良好に溶解させることができ、排気中の処理流体濃度を低減させることができる。 Therefore, in the substrate processing apparatus 1 having the above-described configuration, the solvent can be sprayed intensively before the exhaust gas flowing into the exhaust gas processing unit 23 is dispersed. This also provides good contact between the exhaust gas and the solvent. The processing fluid in the exhaust can be satisfactorily dissolved by the solvent, and the concentration of the processing fluid in the exhaust can be reduced.

また、上記基板処理装置１では、排気処理部23の内部に排気を分散させるための多孔状の分散板52,53,54を設けている。 Further, in the substrate processing apparatus 1, porous dispersion plates 52, 53, 54 for dispersing exhaust gas are provided inside the exhaust processing unit 23.

そのため、上記構成の基板処理装置１では、排気が分散板52,53,54によって分散することによって排気と溶媒との接触面積が増大し、これによっても排気と溶媒との接触が良好なものとなり、溶媒によって排気中の処理流体を良好に溶解させることができ、排気中の処理流体濃度を低減させることができる。 Therefore, in the substrate processing apparatus 1 configured as described above, the exhaust gas is dispersed by the dispersion plates 52, 53, and 54, so that the contact area between the exhaust gas and the solvent increases, and this also improves the contact between the exhaust gas and the solvent. Further, the processing fluid in the exhaust can be satisfactorily dissolved by the solvent, and the concentration of the processing fluid in the exhaust can be reduced.

また、上記基板処理装置１では、噴霧ノズル48,49から分散板52,53,54に向けて溶媒の少なくとも一部を噴霧するように構成している。 The substrate processing apparatus 1 is configured to spray at least part of the solvent from the spray nozzles 48 and 49 toward the dispersion plates 52, 53 and 54.

そのため、上記構成の基板処理装置１では、排気が分散板52,53,54を通過するときに溶媒と直接的に接触することになり、これによっても排気と溶媒との接触が良好なものとなり、溶媒によって排気中の処理流体を良好に溶解させることができ、排気中の処理流体濃度を低減させることができる。特に、第１の噴霧ノズル48からの溶媒の噴霧方向と分散板52とを平行とするとともに、第１の噴霧ノズル48と分散板52とを近接して配置した場合には、第１の噴霧ノズル48から噴霧した溶媒を分散板52に良好に噴霧することができ、分散板52での排気と溶媒との接触面積が増大し、処理流体をより一層良好に溶解させることができる。この場合、第１の噴霧ノズル48の噴霧形態を円錐形状としたほうが分散板52の全体にわたって溶媒を噴霧することができ、より効率良く排気中の処理流体を溶解することができる。 Therefore, in the substrate processing apparatus 1 configured as described above, the exhaust gas comes into direct contact with the solvent when passing through the dispersion plates 52, 53, and 54, and this also provides good contact between the exhaust gas and the solvent. Further, the processing fluid in the exhaust can be satisfactorily dissolved by the solvent, and the concentration of the processing fluid in the exhaust can be reduced. In particular, when the spray direction of the solvent from the first spray nozzle 48 and the dispersion plate 52 are parallel, and the first spray nozzle 48 and the dispersion plate 52 are arranged close to each other, the first spray is performed. The solvent sprayed from the nozzle 48 can be favorably sprayed on the dispersion plate 52, the contact area between the exhaust gas and the solvent on the dispersion plate 52 can be increased, and the processing fluid can be dissolved even better. In this case, if the spray form of the first spray nozzle 48 is conical, the solvent can be sprayed over the entire dispersion plate 52, and the processing fluid in the exhaust can be dissolved more efficiently.

また、上記基板処理装置１では、流入する排気に向けて噴霧ノズル48,49から溶媒を噴霧する排気処理流路44の下流側に下方から上方に向けて排気を流す排気上昇流路46を排気処理部23に形成している。 Further, in the substrate processing apparatus 1, the exhaust ascending channel 46 that exhausts the exhaust gas from the lower side to the upper side is exhausted downstream of the exhaust process channel 44 that sprays the solvent from the spray nozzles 48 and 49 toward the inflowing exhaust gas. It is formed in the processing unit 23.

そのため、上記構成の基板処理装置１では、排気処理流路44で処理された後の排気中に霧状の排液が含有されていても、排気上昇流路46を通って上昇する際に水分の重量の作用で霧状の排液が落下して排水として処理されることになり、これによっても排気中の処理流体濃度を低減させることができる。 Therefore, in the substrate processing apparatus 1 having the above-described configuration, even when mist-like drainage is contained in the exhaust gas after being processed in the exhaust processing flow path 44, moisture rises when rising through the exhaust rising flow path 46. As a result of the weight of the mist, the mist-like effluent falls and is treated as drainage, which can also reduce the concentration of the treatment fluid in the exhaust.

さらに、上記基板処理装置１では、排気上昇流路46の断面積を排気処理流路44の断面積よりも大きくして、排気上昇流路46を流れる排気の流速を排気処理流路44を流れる排気の流速よりも遅くなるようにしている。 Furthermore, in the substrate processing apparatus 1, the cross-sectional area of the exhaust ascending channel 46 is made larger than the cross-sectional area of the exhaust processing channel 44, and the flow rate of the exhaust gas flowing through the exhaust ascending channel 46 flows through the exhaust processing channel 44. It is designed to be slower than the exhaust flow rate.

そのため、上記構成の基板処理装置１では、排気が排気上昇流路46を上昇する時間が長くなり、霧状の排液をより多く落下させることができ、これによっても排気中の処理流体濃度を低減させることができる。 Therefore, in the substrate processing apparatus 1 configured as described above, it takes a long time for the exhaust gas to rise through the exhaust gas rising flow path 46, and more mist-like waste liquid can be dropped, which also reduces the concentration of the processing fluid in the exhaust gas. Can be reduced.

１基板処理装置２基板
３キャリア４キャリア搬入出ユニット
５基板搬入出ユニット６基板処理ユニット
７キャリアステージ８開閉扉
９キャリア搬送機構 10 キャリアストック
11 キャリア載置台 12 開閉扉
13 基板搬入出機構 14 基板搬送機構
15 基板洗浄乾燥装置 16,17,18 基板洗浄装置
19 保持体 20 洗浄装置
21 基板処理部 22 処理流体供給部
23 排気処理部 24 洗浄槽
25 乾燥室 26 開閉蓋
27 保持体 28 ＩＰＡ蒸気供給源
29 窒素ガス供給源 30,31 連通管
32 切換器 33 供給管
34 供給ノズル 35 排出管
36 排気処理室 37 排気管
38 排水管 39 排気流入口
40 排気流出口 41 排水流出口
42,43 仕切壁 44 排気処理流路
45 排水流路 46 排気上昇流路
47 排気流路 48,49 噴霧ノズル
50 溶媒供給源 51 連通管
52,53,54 分散板 55 貫通孔
56 気液分離フィルター DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 2 Substrate 3 Carrier 4 Carrier loading / unloading unit 5 Substrate loading / unloading unit 6 Substrate processing unit 7 Carrier stage 8 Open / close door 9 Carrier transport mechanism 10 Carrier stock
11 Carrier mounting table 12 Open / close door
13 Board loading / unloading mechanism 14 Board loading mechanism
15 Substrate cleaning / drying device 16,17,18 Substrate cleaning device
19 Holder 20 Cleaning device
21 Substrate processing unit 22 Processing fluid supply unit
23 Exhaust treatment section 24 Cleaning tank
25 Drying room 26 Open / close lid
27 Holder 28 IPA vapor supply source
29 Nitrogen gas supply source 30,31 Communication pipe
32 Changer 33 Supply pipe
34 Supply nozzle 35 Discharge pipe
36 Exhaust treatment chamber 37 Exhaust pipe
38 Drain pipe 39 Exhaust inlet
40 Exhaust outlet 41 Drain outlet
42,43 Partition wall 44 Exhaust treatment flow path
45 Drain passage 46 Exhaust rise passage
47 Exhaust flow path 48, 49 Spray nozzle
50 Solvent supply source 51 Communication pipe
52, 53, 54 Dispersion plate 55 Through hole
56 Gas-liquid separation filter

Claims

A substrate processing unit for processing the substrate;
A processing fluid supply unit for supplying a processing fluid for processing the substrate to the substrate processing unit;
An exhaust processing unit for processing exhaust containing the processing fluid discharged from the substrate processing unit;
Have
The exhaust treatment unit performs a process of reducing the concentration of the treatment fluid in the exhaust due to moisture falling due to the action of weight, and forms an exhaust treatment flow path through which the exhaust flows downward and downstream of the exhaust treatment flow path The exhaust rising flow path for flowing the exhaust from the lower side to the upper side is formed on the side, the cross sectional area of the exhaust rising flow path is made larger than the cross sectional area of the exhaust processing flow path, and the flow velocity of the exhaust gas flowing through the exhaust rising flow path is A substrate processing apparatus characterized by being slower than a flow rate of exhaust flowing through an exhaust processing flow path.

The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the exhaust processing unit forms a drainage channel for flowing a liquid below the exhaust processing channel and the exhaust ascending channel.

The substrate processing apparatus according to claim 1 or claim 2, characterized in that a porous shaped distribution plate for distributing the exhaust to the exhaust processing unit.

The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein a gas-liquid separation filter is provided in the exhaust ascending channel.