JPH0620877A - タンタル固体電解コンデンサ - Google Patents
タンタル固体電解コンデンサInfo
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- JPH0620877A JPH0620877A JP4044676A JP4467692A JPH0620877A JP H0620877 A JPH0620877 A JP H0620877A JP 4044676 A JP4044676 A JP 4044676A JP 4467692 A JP4467692 A JP 4467692A JP H0620877 A JPH0620877 A JP H0620877A
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- conductive resin
- fluororesin
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- tantalum
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- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
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- H01G9/052—Sintered electrodes
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、陰極を形成する導電性樹脂層内の金
属の拡散による短絡を防止するようにしたタンタル固体
電解コンデンサを提供することを目的とする。 【構成】タンタル焼結体表面に誘電体酸化膜を形成した
陽極体と、金属を含む導電性樹脂から構成される陰極体
との間に、フッ素樹脂層又はフッ素樹脂含有層を介在さ
せたことを特徴とする。なお、フッ素樹脂を上記導電性
樹脂層内に含有させてもよい。 【効果】陰極をなす導電性樹脂中の金属のＴａ陽極側へ
のマイグレーションを防止することができ、タンタル固
体電解コンデンサの故障モードの主原因となる漏れ電流
の発生を抑制することができる。
属の拡散による短絡を防止するようにしたタンタル固体
電解コンデンサを提供することを目的とする。 【構成】タンタル焼結体表面に誘電体酸化膜を形成した
陽極体と、金属を含む導電性樹脂から構成される陰極体
との間に、フッ素樹脂層又はフッ素樹脂含有層を介在さ
せたことを特徴とする。なお、フッ素樹脂を上記導電性
樹脂層内に含有させてもよい。 【効果】陰極をなす導電性樹脂中の金属のＴａ陽極側へ
のマイグレーションを防止することができ、タンタル固
体電解コンデンサの故障モードの主原因となる漏れ電流
の発生を抑制することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はタンタル固体電解コンデ
ンサに関し、特に陰極を形成する導電性樹脂層内の金属
の拡散による短絡を防止するようにしたタンタル固体電
解コンデンサに関するものである。
ンサに関し、特に陰極を形成する導電性樹脂層内の金属
の拡散による短絡を防止するようにしたタンタル固体電
解コンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、タンタル固体電解コンデンサは図
５に示すように構成されている。すなわち、陽極金属と
してのタンタル（Ｔａ）１の表面に、電気化学的手法に
より酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）２を形成し、これを誘
電体として、その上に電解質として二酸化マンガン層
（ＭｎＯ2 ）３を形成する。このＭｎＯ2 ３の上に電気
的接続を充分にするためにグラファイト層（炭素）４を
設け、さらに金属を含む導電性樹脂層５を形成して陰極
とする。なお、図中６、７はリード線、８は半田であ
る。
５に示すように構成されている。すなわち、陽極金属と
してのタンタル（Ｔａ）１の表面に、電気化学的手法に
より酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）２を形成し、これを誘
電体として、その上に電解質として二酸化マンガン層
（ＭｎＯ2 ）３を形成する。このＭｎＯ2 ３の上に電気
的接続を充分にするためにグラファイト層（炭素）４を
設け、さらに金属を含む導電性樹脂層５を形成して陰極
とする。なお、図中６、７はリード線、８は半田であ
る。
【０００３】タンタルコンデンサの整流特性について
は、次のような説明がされている。まず、酸化皮膜の金
属側に隣接している部分はＴａ2 Ｏ5 の化学当量以上の
過剰タンタル原子を含んでいるｎ形酸化タンタル層で、
その厚さは５〜１０nm程度の薄い層であると推定され
る。それに続く層はＴａ2 Ｏ5 ２の化学当量の組成をも
つ真性半導体とみなされる層で、この層が電気化学的に
処理される際に印加される電圧に比例した厚さを持ち、
静電容量を規定する誘電体として働く層となる。しか
し、酸化皮膜の表面に吸着したイオン、または酸化皮膜
の表面に密着させた物質（たとえばＭｎＯ2 ）が表面状
態を構成して、これにより酸化皮膜の表面に、Ｐ形酸化
タンタル層が誘起されると考えられる。かくして陽極酸
化皮膜の微細構造はｐ−ｉ−ｎ接合をなしていると考え
られる。この酸化皮膜が整流特性をもち、きわめて薄い
にもかかわらず、誘電体として良好な絶縁性、耐圧性を
示す原因になっていると考えられる。
は、次のような説明がされている。まず、酸化皮膜の金
属側に隣接している部分はＴａ2 Ｏ5 の化学当量以上の
過剰タンタル原子を含んでいるｎ形酸化タンタル層で、
その厚さは５〜１０nm程度の薄い層であると推定され
る。それに続く層はＴａ2 Ｏ5 ２の化学当量の組成をも
つ真性半導体とみなされる層で、この層が電気化学的に
処理される際に印加される電圧に比例した厚さを持ち、
静電容量を規定する誘電体として働く層となる。しか
し、酸化皮膜の表面に吸着したイオン、または酸化皮膜
の表面に密着させた物質（たとえばＭｎＯ2 ）が表面状
態を構成して、これにより酸化皮膜の表面に、Ｐ形酸化
タンタル層が誘起されると考えられる。かくして陽極酸
化皮膜の微細構造はｐ−ｉ−ｎ接合をなしていると考え
られる。この酸化皮膜が整流特性をもち、きわめて薄い
にもかかわらず、誘電体として良好な絶縁性、耐圧性を
示す原因になっていると考えられる。
【０００４】しかし、このＴａ2 Ｏ5 ２は均一な層では
なく、ところどころ欠陥が存在する。又、上述のように
ｎ−ｉ−ｐ接合構造を有するため、外部負荷をかけなく
とも電界を持っている。他方、導電性樹脂層５中の金
属、たとえばＡｇは水分の存在下でイオン化し易いた
め、タンタル固体電解コンデンサを高温、高湿下に放置
した場合、Ａｇはイオン化してＴａ2 Ｏ5 ２の欠陥部を
通過し、Ｔａ１側からＡｇが析出し短絡の原因となるこ
とが見出された。この短絡発生のメカニズムは以下のよ
うに説明できる。すなわち、タンタル酸化皮膜２は、均
一な厚さではなくタンタル表面層に不純物等があると、
その部分は酸化皮膜が薄く不完全な欠陥部になってい
る。
なく、ところどころ欠陥が存在する。又、上述のように
ｎ−ｉ−ｐ接合構造を有するため、外部負荷をかけなく
とも電界を持っている。他方、導電性樹脂層５中の金
属、たとえばＡｇは水分の存在下でイオン化し易いた
め、タンタル固体電解コンデンサを高温、高湿下に放置
した場合、Ａｇはイオン化してＴａ2 Ｏ5 ２の欠陥部を
通過し、Ｔａ１側からＡｇが析出し短絡の原因となるこ
とが見出された。この短絡発生のメカニズムは以下のよ
うに説明できる。すなわち、タンタル酸化皮膜２は、均
一な厚さではなくタンタル表面層に不純物等があると、
その部分は酸化皮膜が薄く不完全な欠陥部になってい
る。
【０００５】このような欠陥部がランダムに分布し、こ
れらの部分では不純物の拡散等もあって半導体の接合の
ような整流特性をもっており、コンデンサの漏れ電流も
これら欠陥部に集中する。
れらの部分では不純物の拡散等もあって半導体の接合の
ような整流特性をもっており、コンデンサの漏れ電流も
これら欠陥部に集中する。
【０００６】コンデンサに電圧を印加し、徐々に上昇し
ていくと、ある電圧で欠陥部のひとつでシンチレイショ
ン（放電）がおこる。このシンチレイションは、通常数
ｍsec で終るのが観測されている。このとき、その微小
なスポットには、電流が集中し、局部的に過熱されると
このスポットに隣接するＭｎＯ2 は、低級酸化物ＭｎＯ
3 又は、この低級酸化物は、ＭｎＯ2 にくらべて電気抵
抗が著しく大きくスポット部分の電流制限に寄与する。
この電流阻止作用で欠陥部のヒーリングが行われる。
ていくと、ある電圧で欠陥部のひとつでシンチレイショ
ン（放電）がおこる。このシンチレイションは、通常数
ｍsec で終るのが観測されている。このとき、その微小
なスポットには、電流が集中し、局部的に過熱されると
このスポットに隣接するＭｎＯ2 は、低級酸化物ＭｎＯ
3 又は、この低級酸化物は、ＭｎＯ2 にくらべて電気抵
抗が著しく大きくスポット部分の電流制限に寄与する。
この電流阻止作用で欠陥部のヒーリングが行われる。
【０００７】局部的な発熱が適切であれば、ＭｎＯ2 の
低級酸化物によって電流は阻止されるがそのエネルギー
が大きいとき、流れる電流によりＴａ2 Ｏ5 の熱的破壊
を起こし、ショートに至る場合がある。
低級酸化物によって電流は阻止されるがそのエネルギー
が大きいとき、流れる電流によりＴａ2 Ｏ5 の熱的破壊
を起こし、ショートに至る場合がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明は
タンタル固体電解コンデンサにおいて陰極を構成する導
電性樹脂が、高温、高湿下で誘電体間においてマイグレ
ーションを起こし、陽極及び誘電体を構成するタンクル
及びタンタル酸化皮膜から導電性樹脂内部に含まれる金
属がＴａ側から析出することによる短絡を制御すること
ができるタンタル固体電解コンデンサを提供することを
目的とする。
タンタル固体電解コンデンサにおいて陰極を構成する導
電性樹脂が、高温、高湿下で誘電体間においてマイグレ
ーションを起こし、陽極及び誘電体を構成するタンクル
及びタンタル酸化皮膜から導電性樹脂内部に含まれる金
属がＴａ側から析出することによる短絡を制御すること
ができるタンタル固体電解コンデンサを提供することを
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するため、陽極、陰極を間に疎水性を有するフッ素樹脂
層を介在させるという手段を採用した。
するため、陽極、陰極を間に疎水性を有するフッ素樹脂
層を介在させるという手段を採用した。
【００１０】すなわち、本発明は、タンタル焼結体表面
に誘電体酸化膜を形成した陽極体と、導電性樹脂から構
成される陰極体と、前記両極間に、介在させたフッ素樹
脂層又はフッ素樹脂含有層とを有することを特徴とする
タンタル固体電解コンデンサを提供するものである。
に誘電体酸化膜を形成した陽極体と、導電性樹脂から構
成される陰極体と、前記両極間に、介在させたフッ素樹
脂層又はフッ素樹脂含有層とを有することを特徴とする
タンタル固体電解コンデンサを提供するものである。
【００１１】さらに、本発明は、タンタル焼結体表面に
誘電体酸化膜を形成した陽極体と、導電性樹脂から構成
される陰極体とを有し、該導電性樹脂にフッ素樹脂を含
有させたことを特徴とするタンタル固体電解コンデンサ
を提供するものである。より具体的には、上記フッ素樹
脂は陽極体又は陰極体に対し以下のように介在させるこ
とができる。 （１）Ｔａ陽極体側、即ち、Ｔａ2 Ｏ5 の表面にフッ素
樹脂をコーティングする方法。 （２）カーボンペースト中にフッ素樹脂を添加するか、
あるいはカーボン層表面にフッ素樹脂をコーティングす
る方法。 （３）陰極体を構成する導電性樹脂中にフッ素樹脂を添
加するか、あるいは導電性樹脂中の金属粉にフッ素樹脂
をコーティングする方法。 （４）上記（１）〜（３）の任意の組合せからなる方
法。 ここで用いられるフッ素樹脂としては特に制限はなく、
公知の任意のものを使用し得る。
誘電体酸化膜を形成した陽極体と、導電性樹脂から構成
される陰極体とを有し、該導電性樹脂にフッ素樹脂を含
有させたことを特徴とするタンタル固体電解コンデンサ
を提供するものである。より具体的には、上記フッ素樹
脂は陽極体又は陰極体に対し以下のように介在させるこ
とができる。 （１）Ｔａ陽極体側、即ち、Ｔａ2 Ｏ5 の表面にフッ素
樹脂をコーティングする方法。 （２）カーボンペースト中にフッ素樹脂を添加するか、
あるいはカーボン層表面にフッ素樹脂をコーティングす
る方法。 （３）陰極体を構成する導電性樹脂中にフッ素樹脂を添
加するか、あるいは導電性樹脂中の金属粉にフッ素樹脂
をコーティングする方法。 （４）上記（１）〜（３）の任意の組合せからなる方
法。 ここで用いられるフッ素樹脂としては特に制限はなく、
公知の任意のものを使用し得る。
【００１２】例えば、ポリテトラフルオロエチレン（Ｐ
ＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプ
ロピレン共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン
−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テト
ラフルオロエチレン−エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、
テトラフルオロエチレン−ヘキフルオロプロピレン−パ
ーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＥＰ
Ｅ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＥ
Ｅ）、クロロトリフルオロエチレン−エチレン共重合体
（ＥＣＴＦＥ）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶｄ
Ｆ）、ポリビニルフルオライド（ＰＶＦ）、軟質フッ素
樹脂（フッ素ゴム）等を使用し得る。
ＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプ
ロピレン共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン
−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テト
ラフルオロエチレン−エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、
テトラフルオロエチレン−ヘキフルオロプロピレン−パ
ーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＥＰ
Ｅ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＥ
Ｅ）、クロロトリフルオロエチレン−エチレン共重合体
（ＥＣＴＦＥ）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶｄ
Ｆ）、ポリビニルフルオライド（ＰＶＦ）、軟質フッ素
樹脂（フッ素ゴム）等を使用し得る。
【００１３】なお、このフッ素樹脂を上記（３）の方法
に基づいて使用する場合は、導電性樹脂層を形成する際
に用いられる水又は溶剤に対し溶解又は分散可能なフッ
素樹脂、例えばＴＦＥ系、ＣＴＦＥ系、ＰＶｄＦ、ＰＶ
Ｆなどを用いる。これらフッ素樹脂の適用方法について
は特に制限はなく、塗布、含浸、蒸着、ラミネーション
等を適宜採用し得る。導電性樹脂層等、その他の構成に
ついては従来公知の構成をそのまま任意に選択、採用し
得る。
に基づいて使用する場合は、導電性樹脂層を形成する際
に用いられる水又は溶剤に対し溶解又は分散可能なフッ
素樹脂、例えばＴＦＥ系、ＣＴＦＥ系、ＰＶｄＦ、ＰＶ
Ｆなどを用いる。これらフッ素樹脂の適用方法について
は特に制限はなく、塗布、含浸、蒸着、ラミネーション
等を適宜採用し得る。導電性樹脂層等、その他の構成に
ついては従来公知の構成をそのまま任意に選択、採用し
得る。
【００１４】
【作用】陽極体と陰極体との間に疎水性のフッ素樹脂が
介在することにより陰極をなす導電性樹脂中の金属のＴ
ａ陽極体側への拡散が防止できる。
介在することにより陰極をなす導電性樹脂中の金属のＴ
ａ陽極体側への拡散が防止できる。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照して本発明を説明する。
【００１６】図１は、上記（１）の方法に従って、陽極
体を形成するＴａ焼結体１の表面、より正確にはＴａ2
Ｏ5 ２の表面にフッ素樹脂層１０をコーティングした例
を示している。その他の構成については図５に示す従来
例のものと同様である。したがって、同一符号を付すこ
とによりその説明を省略する。図２は上記（２）の方法
に従って、陰極側に設けられたカーボン層４の表面にフ
ッ素樹脂層１０をコーティングした例を示している。そ
の他の構成については図５に示す従来のものと同様であ
る。したがって同一符号を付すことによりその説明を省
略する。
体を形成するＴａ焼結体１の表面、より正確にはＴａ2
Ｏ5 ２の表面にフッ素樹脂層１０をコーティングした例
を示している。その他の構成については図５に示す従来
例のものと同様である。したがって、同一符号を付すこ
とによりその説明を省略する。図２は上記（２）の方法
に従って、陰極側に設けられたカーボン層４の表面にフ
ッ素樹脂層１０をコーティングした例を示している。そ
の他の構成については図５に示す従来のものと同様であ
る。したがって同一符号を付すことによりその説明を省
略する。
【００１７】その他、図示しないが、カーボン層４（図
２参照）の中にフッ素樹脂を分散させてもよい。その場
合の添加量については目標とするコンデンサの特性を考
慮しつつ実験的に決定し得る。
２参照）の中にフッ素樹脂を分散させてもよい。その場
合の添加量については目標とするコンデンサの特性を考
慮しつつ実験的に決定し得る。
【００１８】同じく図示しないが、上記（３）の方法に
従い、陰極体を構成する導電性樹脂５（図２参照）の中
にフッ素樹脂を分散させてもよい。その場合の添加量に
ついても目標とするコンデンサの特性を考慮しつつ実験
的に決定し得る。
従い、陰極体を構成する導電性樹脂５（図２参照）の中
にフッ素樹脂を分散させてもよい。その場合の添加量に
ついても目標とするコンデンサの特性を考慮しつつ実験
的に決定し得る。
【００１９】例えば導電性樹脂中に分散される金属とし
て銀（Ａｇ）を用いた場合、この導電性樹脂層の比抵抗
値は１０-2Ω・cm未満が要求されるため、銀に対する樹
脂（例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノキシン
樹脂等）の量は３５重量％以下とすることが望ましい。
しかし、この樹脂量が１０重量％未満では基板との密着
性が不十分となるおそれがあり好ましくない。
て銀（Ａｇ）を用いた場合、この導電性樹脂層の比抵抗
値は１０-2Ω・cm未満が要求されるため、銀に対する樹
脂（例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノキシン
樹脂等）の量は３５重量％以下とすることが望ましい。
しかし、この樹脂量が１０重量％未満では基板との密着
性が不十分となるおそれがあり好ましくない。
【００２０】したがって、この導電性樹脂層に添加され
るフッ素樹脂の量は最大２５重量％となり、望ましくは
比抵抗を１０-3Ω・cm以下とし、対基板密着性を十分と
することを考慮すると、フッ素樹脂の添加量は２〜６重
量％とすることが好ましい。次に本発明に係わるタンタ
ル固体電解コンデンサの製造例について説明する。
るフッ素樹脂の量は最大２５重量％となり、望ましくは
比抵抗を１０-3Ω・cm以下とし、対基板密着性を十分と
することを考慮すると、フッ素樹脂の添加量は２〜６重
量％とすることが好ましい。次に本発明に係わるタンタ
ル固体電解コンデンサの製造例について説明する。
【００２１】まず、９９．９％以上に高純度化された微
細なタンタル金属粉末を原材料とし、これにショウノウ
などの有機バインダを有機溶剤に溶解させて粉末と混合
し、これに、リード線を埋設して一定形状に加圧成形
し、多孔質成形体を得る。その後、脱バインダを行い、
１０-5〜１０-6Torrの高真空中にて、１，５００〜２，
０００℃の高温度で焼結し、各粒子間の結合および埋設
したリード線との結合を行い、多孔質焼結体を得る。
細なタンタル金属粉末を原材料とし、これにショウノウ
などの有機バインダを有機溶剤に溶解させて粉末と混合
し、これに、リード線を埋設して一定形状に加圧成形
し、多孔質成形体を得る。その後、脱バインダを行い、
１０-5〜１０-6Torrの高真空中にて、１，５００〜２，
０００℃の高温度で焼結し、各粒子間の結合および埋設
したリード線との結合を行い、多孔質焼結体を得る。
【００２２】焼結体はその後、電気化学的な陽極酸化に
より粒子表面に誘電体酸化皮膜を形成させる。陽極酸化
はリン酸などの電解液中で、焼結体を陽極にして電圧を
印加して行われる。生成する酸化膜の厚さは電圧に比例
し、膜厚に応じた美しい鮮やかな干渉色を示すので肉眼
によってその生成状態を確認することができる。
より粒子表面に誘電体酸化皮膜を形成させる。陽極酸化
はリン酸などの電解液中で、焼結体を陽極にして電圧を
印加して行われる。生成する酸化膜の厚さは電圧に比例
し、膜厚に応じた美しい鮮やかな干渉色を示すので肉眼
によってその生成状態を確認することができる。
【００２３】この形成された酸化皮膜は無定形Ｔａ2 Ｏ
5 であり、これが非常に高い絶縁性を示す。この表面に
電解質である二酸化マンガンを、硝酸マンガン溶液の熱
分解反応により被着させる。
5 であり、これが非常に高い絶縁性を示す。この表面に
電解質である二酸化マンガンを、硝酸マンガン溶液の熱
分解反応により被着させる。
【００２４】多孔質体内部の皮膜表面に十分に二酸化マ
ンガンを被着させるために、硝酸マンガンの含浸−熱分
解の操作を数回繰返すことによって完了させる。その
後、接触抵抗を小さくさせるためにカーボン層を形成さ
せ、さらにその上に銀１００重量部に対し、エポキシ樹
脂２０重量部、テフロンＧ（デュポン社、米国製）３重
量部を添加したエポキシ銀ペーストを塗布して陰極層を
形成させる。
ンガンを被着させるために、硝酸マンガンの含浸−熱分
解の操作を数回繰返すことによって完了させる。その
後、接触抵抗を小さくさせるためにカーボン層を形成さ
せ、さらにその上に銀１００重量部に対し、エポキシ樹
脂２０重量部、テフロンＧ（デュポン社、米国製）３重
量部を添加したエポキシ銀ペーストを塗布して陰極層を
形成させる。
【００２５】さらに突出導入線および陰極金属層の一部
に外部端子をそれぞれ接続して樹脂外装を行う。さらに
エージング工程、仕上げ工程を経てタンタル固体電解コ
ンデンサが完成される。なお、上記陰極層におけるＡｇ
のマイグレーションの程度を測定するため、図３に示す
ような装置をつくり実験をおこなった。
に外部端子をそれぞれ接続して樹脂外装を行う。さらに
エージング工程、仕上げ工程を経てタンタル固体電解コ
ンデンサが完成される。なお、上記陰極層におけるＡｇ
のマイグレーションの程度を測定するため、図３に示す
ような装置をつくり実験をおこなった。
【００２６】すなわち、Ａｌ2 Ｏ3 プレート２０上に上
記エポキシ銀ペーストを図示のようにパターン状（印刷
パターン２mm平方／１mmギャップ）に印刷し、エポキシ
銀ペーストパターン２１を形成させ、２００℃、６０分
間放置して硬化させた。ついで、このパターン２１の上
にこれを覆うようにして蒸留水２２ ０．１ccを置き、
図３に示す回路をいて電圧１．０Ｖを６００秒間印加
し、その時の電流値を測定した。この場合、負荷時間に
対する電流値の大きさを以って銀マイグレーションの大
きさを判定した。なお、図中２３は抵抗器、２４は電源
を示す。この測定結果を図４に線（Ａ）として示す。
記エポキシ銀ペーストを図示のようにパターン状（印刷
パターン２mm平方／１mmギャップ）に印刷し、エポキシ
銀ペーストパターン２１を形成させ、２００℃、６０分
間放置して硬化させた。ついで、このパターン２１の上
にこれを覆うようにして蒸留水２２ ０．１ccを置き、
図３に示す回路をいて電圧１．０Ｖを６００秒間印加
し、その時の電流値を測定した。この場合、負荷時間に
対する電流値の大きさを以って銀マイグレーションの大
きさを判定した。なお、図中２３は抵抗器、２４は電源
を示す。この測定結果を図４に線（Ａ）として示す。
【００２７】なお、比較のため、上記実験においてテフ
ロンＧを１重量部（銀１００重量部に対して）を上記エ
ポキシ銀ペーストに添加した場合と、上記テフロンを全
く添加しない場合（０％）（なお、その他の条件を全く
上記実験と同一）について同様に銀マイグレーションの
測定をおこない、その結果を同じく図４にそれぞれ線
（Ｂ）、（Ｃ）として示した。これらの結果からＡｇ
１００に対しフッ素樹脂を２〜６重量％添加することに
より漏れ電流の発生を著るしく抑制し得ることが確認さ
れた。
ロンＧを１重量部（銀１００重量部に対して）を上記エ
ポキシ銀ペーストに添加した場合と、上記テフロンを全
く添加しない場合（０％）（なお、その他の条件を全く
上記実験と同一）について同様に銀マイグレーションの
測定をおこない、その結果を同じく図４にそれぞれ線
（Ｂ）、（Ｃ）として示した。これらの結果からＡｇ
１００に対しフッ素樹脂を２〜６重量％添加することに
より漏れ電流の発生を著るしく抑制し得ることが確認さ
れた。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、陽
極体と陰極体との間に疎水性のフッ素樹脂を介在させる
ようにしたため、陰極をなす導電性樹脂中の金属のＴａ
陽極側へのマイグレーションを防止することができ、タ
ンタル固体電解コンデンサの故障モードの主原因となる
漏れ電流の発生を著るしく抑制することが可能となっ
た。
極体と陰極体との間に疎水性のフッ素樹脂を介在させる
ようにしたため、陰極をなす導電性樹脂中の金属のＴａ
陽極側へのマイグレーションを防止することができ、タ
ンタル固体電解コンデンサの故障モードの主原因となる
漏れ電流の発生を著るしく抑制することが可能となっ
た。
【図１】本発明の一実施例に係わるタンタル固体電解コ
ンデンサの断面図。
ンデンサの断面図。
【図２】本発明の他の実施例に係わるタンタル固体電解
コンデンサの断面図。
コンデンサの断面図。
【図３】本発明のタンタル固体電解コンデンサの特性を
テストするために用いられた回路図。
テストするために用いられた回路図。
【図４】本発明のタンタル固体電解コンデンサの特性を
示す線図。
示す線図。
【図５】従来のタンタル固体電解コンデンサの断面図。
１…タンタル（Ｔａ） ２…酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ） ３…二酸化マンガン層（ＭｎＯ2 ） ４…グラファイト層 ５…導電性樹脂層 ６、７…リード線 ８…半田 １０…フッ素樹脂層
Claims (3)
- 【請求項１】 タンタル焼結体表面に誘電体酸化膜を形
成した陽極体と、導電性樹脂から構成される陰極体と、
前記両極間に、介在させたフッ素樹脂層又はフッ素樹脂
含有層とを有することを特徴とするタンタル固体電解コ
ンデンサ。 - 【請求項２】 該導電性樹脂にフッ素樹脂を含有させた
ことを特徴とする請求項１記載のタンタル固体電解コン
デンサ。 - 【請求項３】 タンタル焼結体表面に誘電体酸化膜を形
成した陽極体と、導電性樹脂から構成される陰極体とを
有し、該導電性樹脂にフッ素樹脂を含有させたことを特
徴とするタンタル固体電解コンデンサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4044676A JPH0620877A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | タンタル固体電解コンデンサ |
| KR1019930002889A KR930020503A (ko) | 1992-03-02 | 1993-02-27 | 탄탈 고체 전해 캐패시터 |
| EP93103182A EP0559109A1 (en) | 1992-03-02 | 1993-02-27 | Tantalum solid electrolytic capacitor |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4044676A JPH0620877A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | タンタル固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620877A true JPH0620877A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=12698051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4044676A Pending JPH0620877A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | タンタル固体電解コンデンサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0559109A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0620877A (ja) |
| KR (1) | KR930020503A (ja) |
| CN (1) | CN1078572A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000049632A1 (fr) * | 1999-02-18 | 2000-08-24 | Showa Denko K.K. | Condensateur electrolytique solide et son procede de production |
| JP2002025863A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Showa Denko Kk | 固体電解コンデンサ素子及びその製造方法 |
| JP2008235907A (ja) * | 2007-03-21 | 2008-10-02 | Avx Corp | 保護バリヤー層を含有する固体電解コンデンサ |
| JP4505774B2 (ja) * | 1999-02-18 | 2010-07-21 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
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- 1992-03-02 JP JP4044676A patent/JPH0620877A/ja active Pending
-
1993
- 1993-02-27 KR KR1019930002889A patent/KR930020503A/ko not_active Application Discontinuation
- 1993-02-27 EP EP93103182A patent/EP0559109A1/en not_active Withdrawn
- 1993-03-02 CN CN 93102153 patent/CN1078572A/zh active Pending
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0559109A1 (en) | 1993-09-08 |
| CN1078572A (zh) | 1993-11-17 |
| KR930020503A (ko) | 1993-10-20 |
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