JPH06204023A - フェライト粉末の製造方法 - Google Patents
フェライト粉末の製造方法Info
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- JPH06204023A JPH06204023A JP4360083A JP36008392A JPH06204023A JP H06204023 A JPH06204023 A JP H06204023A JP 4360083 A JP4360083 A JP 4360083A JP 36008392 A JP36008392 A JP 36008392A JP H06204023 A JPH06204023 A JP H06204023A
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- ferrite powder
- ferrite
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/36—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites in the form of particles
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 初透磁率が高く、高性能なモールド材料とし
て使用可能なフェライト樹脂を形成できるフェライト粉
末の製造方法を提供する。 【構成】 焼成した後、粉砕するフェライト粉末の製造
方法において、粉砕されたフェライト粉末にアニール処
理を施す。このアニール処理時の熱処理温度は、７００
〜９５０℃の範囲とされる。
て使用可能なフェライト樹脂を形成できるフェライト粉
末の製造方法を提供する。 【構成】 焼成した後、粉砕するフェライト粉末の製造
方法において、粉砕されたフェライト粉末にアニール処
理を施す。このアニール処理時の熱処理温度は、７００
〜９５０℃の範囲とされる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チョークコイル、マイ
クロインダクタ、ロータリートランス等のモールド材料
として使用されるフェライト樹脂に用いられるフェライ
ト粉末の製造方法に関する。
クロインダクタ、ロータリートランス等のモールド材料
として使用されるフェライト樹脂に用いられるフェライ
ト粉末の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、チョークコイル、マイクロイ
ンダクタ、ロータリートランス等のモールド材料として
は、例えば高分子材料とフェライト粉末よりなるフェラ
イト樹脂が使用されている。このフェライト樹脂は、上
記チョークコイル等においてコイルを包み込んで該コイ
ルの透磁率を高めるために使用される。
ンダクタ、ロータリートランス等のモールド材料として
は、例えば高分子材料とフェライト粉末よりなるフェラ
イト樹脂が使用されている。このフェライト樹脂は、上
記チョークコイル等においてコイルを包み込んで該コイ
ルの透磁率を高めるために使用される。
【０００３】かかるフェライト樹脂は、略球形のフェラ
イト粉末と高分子材料とを混合、混練してフェライトス
ラリーを調製した後、射出成形によって所望の形状に成
形され、複雑な形状にも成形することが可能であるとと
もに、低コストである等の利点を有する。
イト粉末と高分子材料とを混合、混練してフェライトス
ラリーを調製した後、射出成形によって所望の形状に成
形され、複雑な形状にも成形することが可能であるとと
もに、低コストである等の利点を有する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記フェラ
イト樹脂においては、フェライト粉末間に非磁性材料で
ある高分子材料が混入されるために、初透磁率を十分に
高めることができないという問題がある。特に、近年、
上記チョークコイル等の各種デバイスの使用形態が広が
る状況にあっては、用途によって極めて高い性能が要求
されるようになっており、それに伴ってモールド材料で
ある上記フェライト樹脂においても透磁率の一層の向上
が望まれている。
イト樹脂においては、フェライト粉末間に非磁性材料で
ある高分子材料が混入されるために、初透磁率を十分に
高めることができないという問題がある。特に、近年、
上記チョークコイル等の各種デバイスの使用形態が広が
る状況にあっては、用途によって極めて高い性能が要求
されるようになっており、それに伴ってモールド材料で
ある上記フェライト樹脂においても透磁率の一層の向上
が望まれている。
【０００５】これに対して、上記フェライト樹脂の高透
磁率化を図るために、例えばフェライト樹脂中のフェラ
イト粉末の含有量を増加させる方法が提案されている。
しかしながら、この方法では、フェライト樹脂の流動性
が低下するため射出成形性が低下するといった不都合が
生じてしまう。
磁率化を図るために、例えばフェライト樹脂中のフェラ
イト粉末の含有量を増加させる方法が提案されている。
しかしながら、この方法では、フェライト樹脂の流動性
が低下するため射出成形性が低下するといった不都合が
生じてしまう。
【０００６】そこで、本発明は、この問題を解消するこ
とを目的として提案されたものであり、初透磁率が高
く、各種デバイスの高性能化の要請に十分対応できるフ
ェライト樹脂を得ることが可能なフェライト粉末の製造
方法を提供することを目的とする。
とを目的として提案されたものであり、初透磁率が高
く、各種デバイスの高性能化の要請に十分対応できるフ
ェライト樹脂を得ることが可能なフェライト粉末の製造
方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと鋭意研究の結果、焼成後、粉砕され
たフェライト粉末にアニール処理を施す、或いは粉砕さ
れたフェライト粉末を分級し、粒径が小さい方の粉末を
再焼成した後、これを粒径が大きい方の粉末と組み合わ
せることにより、フェライト粉末のインダクタンスを向
上させることができ、更にこのフェライト粉末を使用す
ることによって高い初透磁率を有するフェライト樹脂を
得ることが可能となることを見出し、本発明を完成する
に到った。
的を達成せんものと鋭意研究の結果、焼成後、粉砕され
たフェライト粉末にアニール処理を施す、或いは粉砕さ
れたフェライト粉末を分級し、粒径が小さい方の粉末を
再焼成した後、これを粒径が大きい方の粉末と組み合わ
せることにより、フェライト粉末のインダクタンスを向
上させることができ、更にこのフェライト粉末を使用す
ることによって高い初透磁率を有するフェライト樹脂を
得ることが可能となることを見出し、本発明を完成する
に到った。
【０００８】即ち、本願の第１の発明のフェライト粉末
の製造方法は、焼成した後、粉砕するフェライト粉末の
製造方法において、粉砕されたフェライト粉末をアニー
ル処理することを特徴とするものである。
の製造方法は、焼成した後、粉砕するフェライト粉末の
製造方法において、粉砕されたフェライト粉末をアニー
ル処理することを特徴とするものである。
【０００９】また、本願の第２の発明のフェライト粉末
の製造方法は、焼成した後、粉砕するフェライト粉末の
製造方法において、粉砕されたフェライト粉末を分級
し、粒径７５μｍ以下の粉末を再焼成した後、この再焼
成された粉末を粒径が７５μｍより大きい粉末と組み合
わせることを特徴とするものである。
の製造方法は、焼成した後、粉砕するフェライト粉末の
製造方法において、粉砕されたフェライト粉末を分級
し、粒径７５μｍ以下の粉末を再焼成した後、この再焼
成された粉末を粒径が７５μｍより大きい粉末と組み合
わせることを特徴とするものである。
【００１０】本発明のフェライト粉末の製造方法におい
ては、焼成後、粉砕されたフェライト粉末にアニール処
理が施される、或いは粉砕されたフェライト粉末を分級
し、このうち粒径が小さい方の粉末に再焼成を行った
後、粒径が大きい方の粉末と組み合わせられる。これに
より、焼成後の粉砕によって劣化したフェライト粉末の
インダクタンスが粉砕前の状態にまで改善され、良好な
特性が得られる。
ては、焼成後、粉砕されたフェライト粉末にアニール処
理が施される、或いは粉砕されたフェライト粉末を分級
し、このうち粒径が小さい方の粉末に再焼成を行った
後、粒径が大きい方の粉末と組み合わせられる。これに
より、焼成後の粉砕によって劣化したフェライト粉末の
インダクタンスが粉砕前の状態にまで改善され、良好な
特性が得られる。
【００１１】ここで、上記焼成時の条件としては、この
種のフェライト粉末の製造において通常用いられるもの
であれば良く、例えば大気中にて温度１０００℃、焼成
時間４時間とされることが適当である。また、上記アニ
ール処理において、熱処理温度は７００〜９５０℃、焼
成時間は４時間とされることが好ましい。熱処理温度が
上記範囲よりも低いと、十分な効果が得られず、逆に上
記範囲よりも高いと、フェライト粉末同士が焼結してし
まう。
種のフェライト粉末の製造において通常用いられるもの
であれば良く、例えば大気中にて温度１０００℃、焼成
時間４時間とされることが適当である。また、上記アニ
ール処理において、熱処理温度は７００〜９５０℃、焼
成時間は４時間とされることが好ましい。熱処理温度が
上記範囲よりも低いと、十分な効果が得られず、逆に上
記範囲よりも高いと、フェライト粉末同士が焼結してし
まう。
【００１２】一方、粉砕されたフェライト粉末を分級す
るに際し、フェライト粉末は、粒径７５μｍ以下のもの
と、粒径が７５μｍより大きいものとに分けられる。そ
して、粒径７５μｍ以下の粉末について再焼成が行われ
る。この再焼成時の焼成温度及び焼成時間は、上記焼成
時の条件と同様とされれば良い。
るに際し、フェライト粉末は、粒径７５μｍ以下のもの
と、粒径が７５μｍより大きいものとに分けられる。そ
して、粒径７５μｍ以下の粉末について再焼成が行われ
る。この再焼成時の焼成温度及び焼成時間は、上記焼成
時の条件と同様とされれば良い。
【００１３】
【作用】焼成後、粉砕されたフェライト粉末をアニール
処理する、或いは粉砕されたフェライト粉末を分級し、
粒径７５μｍ以下の粉末について再焼成を行った後、こ
の粉末を粒径が７５μｍより大きい粉末と組み合わせる
ことにより、上記粉砕によって劣化したフェライト粉末
のインダクタンスが粉砕前の状態まで改善される。
処理する、或いは粉砕されたフェライト粉末を分級し、
粒径７５μｍ以下の粉末について再焼成を行った後、こ
の粉末を粒径が７５μｍより大きい粉末と組み合わせる
ことにより、上記粉砕によって劣化したフェライト粉末
のインダクタンスが粉砕前の状態まで改善される。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、図面や実験結果をもとに説明する。
いて、図面や実験結果をもとに説明する。
【００１５】先ず、通常の手法によりフェライト粉末を
作製した。即ち、原材料を秤量した後、これら材料を混
合し、脱水、乾燥、仮焼成、粗粉砕、本焼成及び粉砕の
各工程を経てフェライト粉末を得た。
作製した。即ち、原材料を秤量した後、これら材料を混
合し、脱水、乾燥、仮焼成、粗粉砕、本焼成及び粉砕の
各工程を経てフェライト粉末を得た。
【００１６】なお、上記フェライト粉末としては、一般
的なＮｉ─Ｃｕ─Ｚｎ系フェライト（４９．５モル％Ｆ
ｅ2 Ｏ3 、３１．５モル％ＺｎＯ、９．５モル％Ｎｉ
Ｏ、９．５モル％ＣｕＯなる組成）を用いた。
的なＮｉ─Ｃｕ─Ｚｎ系フェライト（４９．５モル％Ｆ
ｅ2 Ｏ3 、３１．５モル％ＺｎＯ、９．５モル％Ｎｉ
Ｏ、９．５モル％ＣｕＯなる組成）を用いた。
【００１７】また、上記仮焼成は、混合した原材料をあ
る程度酸化させ、後工程の本焼成時に分解ガスが発生し
ないようにする目的で行った。この仮焼成時の条件とし
ては、大気中にて焼成温度を８００℃、焼成時間を４時
間とした。更に、上記本焼成を行うに際して、焼成温度
は１０００℃とし、焼成時間は４時間として大気中で行
った。
る程度酸化させ、後工程の本焼成時に分解ガスが発生し
ないようにする目的で行った。この仮焼成時の条件とし
ては、大気中にて焼成温度を８００℃、焼成時間を４時
間とした。更に、上記本焼成を行うに際して、焼成温度
は１０００℃とし、焼成時間は４時間として大気中で行
った。
【００１８】ここで、得られたフェライト粉末（粉砕さ
れたもの）と上記本焼成後のフェライト粉末（粉砕前の
もの）のインダクタンスをそれぞれ評価した。なお、測
定に際しては、図１に示すように、プラスチック製の容
器１の筒部３に綿巻銅線を１００ターン巻回してコイル
２を形成し、この筒部３内に上記フェライト粉末（図示
せず。）をそれぞれ充填して、上記コイル２に接続され
る図示しないインピーダンスアナライザーにて測定した
（測定誤差＝±５％）。
れたもの）と上記本焼成後のフェライト粉末（粉砕前の
もの）のインダクタンスをそれぞれ評価した。なお、測
定に際しては、図１に示すように、プラスチック製の容
器１の筒部３に綿巻銅線を１００ターン巻回してコイル
２を形成し、この筒部３内に上記フェライト粉末（図示
せず。）をそれぞれ充填して、上記コイル２に接続され
る図示しないインピーダンスアナライザーにて測定した
（測定誤差＝±５％）。
【００１９】この結果、上記本焼成後のフェライト粉末
（但し、測定する際に、上記容器１内に充填するため
に、手により粉砕した。）のインダクタンスは０．０７
２μＨ／ｇ・ターンであったのに対して、上記粉砕後の
フェライト粉末のインダクタンスは０．０６２μＨ／ｇ
・ターンであった。このことから、本焼成後の粉砕によ
りフェライト粉末のインダクタンスが劣化することが明
らかとなった。
（但し、測定する際に、上記容器１内に充填するため
に、手により粉砕した。）のインダクタンスは０．０７
２μＨ／ｇ・ターンであったのに対して、上記粉砕後の
フェライト粉末のインダクタンスは０．０６２μＨ／ｇ
・ターンであった。このことから、本焼成後の粉砕によ
りフェライト粉末のインダクタンスが劣化することが明
らかとなった。
【００２０】そこで、このように粉砕によるインダクタ
ンスの劣化が見られたフェライト粉末にアニール処理を
施し、その効果を調べた。実験１ 上記粉砕後のフェライト粉末を熱処理温度７００〜９５
０℃にて４時間アニール処理した。
ンスの劣化が見られたフェライト粉末にアニール処理を
施し、その効果を調べた。実験１ 上記粉砕後のフェライト粉末を熱処理温度７００〜９５
０℃にて４時間アニール処理した。
【００２１】そして、アニール処理後のフェライト粉末
のインダクタンスを測定した。この結果を下記の表１に
示す。
のインダクタンスを測定した。この結果を下記の表１に
示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１より明らかなように、上記粉砕後のフ
ェライト粉末に熱処理温度を７００〜９５０℃の範囲で
変化させてアニール処理を施した場合、得られたフェラ
イト粉末のインダクタンスは上記本焼成後のフェライト
粉末と同程度となった。従って、上述のようなアニール
処理を行うことにより、粉砕によって劣化したインダク
タンスを粉砕前の状態まで回復させることができること
が判った。
ェライト粉末に熱処理温度を７００〜９５０℃の範囲で
変化させてアニール処理を施した場合、得られたフェラ
イト粉末のインダクタンスは上記本焼成後のフェライト
粉末と同程度となった。従って、上述のようなアニール
処理を行うことにより、粉砕によって劣化したインダク
タンスを粉砕前の状態まで回復させることができること
が判った。
【００２４】次に、各温度でアニール処理したフェライ
ト粉末を用いてフェライト樹脂（Ｂ／Ｐ比＝０．０６）
をそれぞれ作成し、トロイダルコア状（外径２５ｍｍ、
内径１８ｍｍ、厚さ５ｍｍ）のモールドフェライトを得
た。そして、これらモールドフェライトの初透磁率を調
べた。この結果を上記表１中に併せて示す。表１に示す
ように、アニール処理が施されたフェライト粉末からな
るモールドフェライトは、いずれも高い初透磁率を有し
ていることが判った。
ト粉末を用いてフェライト樹脂（Ｂ／Ｐ比＝０．０６）
をそれぞれ作成し、トロイダルコア状（外径２５ｍｍ、
内径１８ｍｍ、厚さ５ｍｍ）のモールドフェライトを得
た。そして、これらモールドフェライトの初透磁率を調
べた。この結果を上記表１中に併せて示す。表１に示す
ように、アニール処理が施されたフェライト粉末からな
るモールドフェライトは、いずれも高い初透磁率を有し
ていることが判った。
【００２５】また、上記粉砕後のフェライト粉末を用い
て、以下のような実験を行った。実験２ 先ず、上記粉砕後のフェライト粉末を粗度７５μｍの篩
により分級した後、粒径７５μｍ以下の粉末について大
気中で温度１０００℃にて４時間再焼成を行った。な
お、分級されたフェライト粉末のうち、粒径７５μｍ以
下のものは全体の７５重量％であり、粒径が７５μｍよ
り大きいものは２５重量％であった。
て、以下のような実験を行った。実験２ 先ず、上記粉砕後のフェライト粉末を粗度７５μｍの篩
により分級した後、粒径７５μｍ以下の粉末について大
気中で温度１０００℃にて４時間再焼成を行った。な
お、分級されたフェライト粉末のうち、粒径７５μｍ以
下のものは全体の７５重量％であり、粒径が７５μｍよ
り大きいものは２５重量％であった。
【００２６】続いて、この再焼成されたフェライト粉末
を粒径が７５μｍより大きい粉末と組み合わせた。そし
て、得られたフェライト粉末のインダクタンスを測定し
た。この結果を下記の表２に示す。
を粒径が７５μｍより大きい粉末と組み合わせた。そし
て、得られたフェライト粉末のインダクタンスを測定し
た。この結果を下記の表２に示す。
【００２７】
【表２】
【００２８】表２より明らかなように、再焼成されたフ
ェライト粉末と粒径が７５μｍより大きい粉末とを組み
合わせることにより、得られたフェライト粉末のインダ
クタンスが著しく改善され、良好な結果が得られること
が判った。
ェライト粉末と粒径が７５μｍより大きい粉末とを組み
合わせることにより、得られたフェライト粉末のインダ
クタンスが著しく改善され、良好な結果が得られること
が判った。
【００２９】次に、このフェライト粉末を用いて上記実
験１と同様にしてモールドフェライトを形成し、その初
透磁率を調べた。この結果を上記表２中に併せて示す。
表２に示すように、再焼成されたフェライト粉末と粒径
が７５μｍより大きい粉末とが組み合わされたフェライ
ト粉末からなるモールドフェライトは、極めて高い初透
磁率を有することが判った。
験１と同様にしてモールドフェライトを形成し、その初
透磁率を調べた。この結果を上記表２中に併せて示す。
表２に示すように、再焼成されたフェライト粉末と粒径
が７５μｍより大きい粉末とが組み合わされたフェライ
ト粉末からなるモールドフェライトは、極めて高い初透
磁率を有することが判った。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、焼成後、粉砕されたフェライト粉末にア
ニール処理を施したり、粉砕されたフェライト粉末を分
級し、粒径７５μｍ以下の粉末を再焼成した後、これを
粒径が７５μｍより大きい粉末と組み合わせたりしてい
るので、上記粉砕によって劣化したフェライト粉末のイ
ンダクタンスを粉砕前の状態まで改善することができ
る。
明においては、焼成後、粉砕されたフェライト粉末にア
ニール処理を施したり、粉砕されたフェライト粉末を分
級し、粒径７５μｍ以下の粉末を再焼成した後、これを
粒径が７５μｍより大きい粉末と組み合わせたりしてい
るので、上記粉砕によって劣化したフェライト粉末のイ
ンダクタンスを粉砕前の状態まで改善することができ
る。
【００３１】従って、このように高いインダクタンスを
有するフェライト粉末を用いれば、初透磁率に優れたフ
ェライト樹脂を作成することができる。また、このよう
なフェライト樹脂が得られることにより、チョークコイ
ル等の各種デバイスにおいて高性能なモールド材料を提
供することが可能とされ、これらデバイスの使用形態の
幅も一層拡大できると期待される。
有するフェライト粉末を用いれば、初透磁率に優れたフ
ェライト樹脂を作成することができる。また、このよう
なフェライト樹脂が得られることにより、チョークコイ
ル等の各種デバイスにおいて高性能なモールド材料を提
供することが可能とされ、これらデバイスの使用形態の
幅も一層拡大できると期待される。
【図１】フェライト粉末のインダクタンスの測定に使用
される測定装置の構成を模式的に示す側面図である。
される測定装置の構成を模式的に示す側面図である。
１・・・容器 ２・・・コイル ３・・・筒部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩崎 和春 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 焼成した後、粉砕するフェライト粉末の
製造方法において、 粉砕されたフェライト粉末をアニール処理することを特
徴とするフェライト粉末の製造方法。 - 【請求項２】 焼成した後、粉砕するフェライト粉末の
製造方法において、 粉砕されたフェライト粉末を分級し、粒径７５μｍ以下
の粉末を再焼成した後、この再焼成された粉末を粒径が
７５μｍより大きい粉末と組み合わせることを特徴とす
るフェライト粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4360083A JPH06204023A (ja) | 1992-12-29 | 1992-12-29 | フェライト粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4360083A JPH06204023A (ja) | 1992-12-29 | 1992-12-29 | フェライト粉末の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204023A true JPH06204023A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=18467827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4360083A Withdrawn JPH06204023A (ja) | 1992-12-29 | 1992-12-29 | フェライト粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06204023A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6198373B1 (en) | 1997-08-19 | 2001-03-06 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Wire wound electronic component |
| JP2012084818A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-04-26 | Murata Mfg Co Ltd | 磁性体ペーストおよびそれを用いた電子部品 |
-
1992
- 1992-12-29 JP JP4360083A patent/JPH06204023A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6198373B1 (en) | 1997-08-19 | 2001-03-06 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Wire wound electronic component |
| JP2012084818A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-04-26 | Murata Mfg Co Ltd | 磁性体ペーストおよびそれを用いた電子部品 |
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