JPH06203632A - 誘電体磁器及び磁器コンデンサ - Google Patents
誘電体磁器及び磁器コンデンサInfo
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- JPH06203632A JPH06203632A JP4360666A JP36066692A JPH06203632A JP H06203632 A JPH06203632 A JP H06203632A JP 4360666 A JP4360666 A JP 4360666A JP 36066692 A JP36066692 A JP 36066692A JP H06203632 A JPH06203632 A JP H06203632A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電体磁器の比誘電率及び絶縁耐圧を高め
る。また、誘電体磁器の結晶が異常に大きくなることを
抑制する。 【構成】 磁器コンデンサ１０の誘電体磁器基体１２
を、（Ｂａ1-x Ｓｒx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ3 から成
る１００モル部の基本成分と、０．５〜２．０モル部の
Ｅｒ2 Ｏ3 と、０．０３〜０．３０モル部のＭｎＯとか
ら成る組成物で形成する。
る。また、誘電体磁器の結晶が異常に大きくなることを
抑制する。 【構成】 磁器コンデンサ１０の誘電体磁器基体１２
を、（Ｂａ1-x Ｓｒx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ3 から成
る１００モル部の基本成分と、０．５〜２．０モル部の
Ｅｒ2 Ｏ3 と、０．０３〜０．３０モル部のＭｎＯとか
ら成る組成物で形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高い誘電率を有する誘
電体磁器及びこれを使用した単層又は積層の誘電体磁器
コンデンサに関する。
電体磁器及びこれを使用した単層又は積層の誘電体磁器
コンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁器コンデンサの誘電体磁器基体として
ＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウム）を主成分とした磁
器、又はＢａＴｉＯ3 のＢａ（バリウム）の一部をＣａ
（カルシウム）に置換し、且つＴｉ（チタン）の一部を
Ｚｒ（ジルコニウム）に置換した磁器を使用することは
公知である。また、これ等の磁器にＭｎ（マンガン）の
化合物を含めることも公知である。この種の誘電体磁器
の比誘電率の最大値はほぼ１４０００である。
ＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウム）を主成分とした磁
器、又はＢａＴｉＯ3 のＢａ（バリウム）の一部をＣａ
（カルシウム）に置換し、且つＴｉ（チタン）の一部を
Ｚｒ（ジルコニウム）に置換した磁器を使用することは
公知である。また、これ等の磁器にＭｎ（マンガン）の
化合物を含めることも公知である。この種の誘電体磁器
の比誘電率の最大値はほぼ１４０００である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、誘電体磁器
コンデンサの容量の増大及び信頼性の向上が要求されて
いる。容量の増大を図るためには一対の電極間に介在す
る誘電体磁器層の厚みを薄くすることが考えられる。し
かし、誘電体磁器層を薄くすると、一対の電極間の絶縁
耐圧が低下する。容量の増大を図るための別の方法とし
て、比誘電率が高く、且つ絶縁耐圧の高い誘電体磁器を
使用する方法がある。しかし、従来のＢａＴｉＯ3 系の
誘電体磁器では比誘電率及び絶縁耐圧に限界があり、高
容量化に限界があった。
コンデンサの容量の増大及び信頼性の向上が要求されて
いる。容量の増大を図るためには一対の電極間に介在す
る誘電体磁器層の厚みを薄くすることが考えられる。し
かし、誘電体磁器層を薄くすると、一対の電極間の絶縁
耐圧が低下する。容量の増大を図るための別の方法とし
て、比誘電率が高く、且つ絶縁耐圧の高い誘電体磁器を
使用する方法がある。しかし、従来のＢａＴｉＯ3 系の
誘電体磁器では比誘電率及び絶縁耐圧に限界があり、高
容量化に限界があった。
【０００４】そこで、本発明の目的は、−２５℃〜＋８
５℃の範囲における比誘電率の最大値が１４０００以上
であり、２０℃のtan δ（誘電損失）が１．５％以下で
あり、１５０℃における抵抗率が５×１０5 ＭΩ・ｃｍ
以上である誘電体磁器及びこれを使用した磁器コンデン
サを提供することにある。
５℃の範囲における比誘電率の最大値が１４０００以上
であり、２０℃のtan δ（誘電損失）が１．５％以下で
あり、１５０℃における抵抗率が５×１０5 ＭΩ・ｃｍ
以上である誘電体磁器及びこれを使用した磁器コンデン
サを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、 （Ｂａ1-x Ｓｒx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ3 ここで、ｘは０．０５〜０．１５の範囲の数値、ｙは
０．１０〜０．２４の範囲の数値、から成る１００モル
部の基本成分と、０．５〜２．０モル部のエルビウム化
合物と、０．０３〜０．３０モル部のマンガン化合物と
から成る誘電体磁器に係わるものである。なお、請求項
２に示すように、請求項１の誘電体磁器を磁器コンデン
サの誘電体磁器基体として使用することができる。
の本発明は、 （Ｂａ1-x Ｓｒx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ3 ここで、ｘは０．０５〜０．１５の範囲の数値、ｙは
０．１０〜０．２４の範囲の数値、から成る１００モル
部の基本成分と、０．５〜２．０モル部のエルビウム化
合物と、０．０３〜０．３０モル部のマンガン化合物と
から成る誘電体磁器に係わるものである。なお、請求項
２に示すように、請求項１の誘電体磁器を磁器コンデン
サの誘電体磁器基体として使用することができる。
【０００６】
【発明の作用及び効果】誘電体磁器を本発明で特定した
組成にすると、−２５℃〜＋８５℃の範囲における最大
比誘電率εmax が１４０００以上、２０℃のtan δが
１．５％以下、１５０℃における抵抗率ρが５×１０5
ＭΩ・ｃｍ以上になる。本発明の磁器に含まれているエ
ルビウム（Ｅｒ）化合物は絶縁耐圧の向上及び比誘電率
の向上に寄与している。即ち、エルビウム化合物は誘電
体磁器を構成している結晶粒子の平均粒径を例えば５μ
ｍ以下のように小さくする作用を有する。またエルビウ
ム化合物は結晶粒子の平均粒径の例えば１０倍以上のよ
うな異常粒子の発生を抑制する作用を有する。小さい結
晶粒子から成る誘電体磁器は、大きな結晶粒子から成る
誘電体磁器よりも大きな絶縁耐圧を示す。この結晶粒子
の大小は特に積層型磁器コンデンサにおける一対の電極
間の誘電体磁器を薄くする時に問題になる。
組成にすると、−２５℃〜＋８５℃の範囲における最大
比誘電率εmax が１４０００以上、２０℃のtan δが
１．５％以下、１５０℃における抵抗率ρが５×１０5
ＭΩ・ｃｍ以上になる。本発明の磁器に含まれているエ
ルビウム（Ｅｒ）化合物は絶縁耐圧の向上及び比誘電率
の向上に寄与している。即ち、エルビウム化合物は誘電
体磁器を構成している結晶粒子の平均粒径を例えば５μ
ｍ以下のように小さくする作用を有する。またエルビウ
ム化合物は結晶粒子の平均粒径の例えば１０倍以上のよ
うな異常粒子の発生を抑制する作用を有する。小さい結
晶粒子から成る誘電体磁器は、大きな結晶粒子から成る
誘電体磁器よりも大きな絶縁耐圧を示す。この結晶粒子
の大小は特に積層型磁器コンデンサにおける一対の電極
間の誘電体磁器を薄くする時に問題になる。
【０００７】
【第１の実施例】次に、本発明の第１の実施例において
は、図１に示す誘電体磁器コンデンサ１０を作製した。
この磁器コンデンサ１０は、円板状の誘電体磁器基体１
２と、この一対の主面に設けられた一対の電極１４、１
６とから成る。
は、図１に示す誘電体磁器コンデンサ１０を作製した。
この磁器コンデンサ１０は、円板状の誘電体磁器基体１
２と、この一対の主面に設けられた一対の電極１４、１
６とから成る。
【０００８】図１の磁器基体１２を形成するために、ま
ず、チタン酸ジルコン酸バリウム・ストロンチウム化合
物として（Ｂａ1-x Ｓｒx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ
3 と、エルビウム化合物として酸化エルビウム（Ｅｒ2
Ｏ3 ）と、マンガン化合物として酸化マンガン（Ｍｎ
Ｏ）とを用意した。次に、（Ｂａ1-x Ｓｒx ）（Ｔｉ
1-y Ｚｒy ）Ｏ3 におけるｘ及びｙの値と、Ｅｒ2 Ｏ3
及びＭｎＯのモル部とを表１に示すように変化させて２
０種類の試料のための２０種類の誘電体磁器材料を用意
した。
ず、チタン酸ジルコン酸バリウム・ストロンチウム化合
物として（Ｂａ1-x Ｓｒx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ
3 と、エルビウム化合物として酸化エルビウム（Ｅｒ2
Ｏ3 ）と、マンガン化合物として酸化マンガン（Ｍｎ
Ｏ）とを用意した。次に、（Ｂａ1-x Ｓｒx ）（Ｔｉ
1-y Ｚｒy ）Ｏ3 におけるｘ及びｙの値と、Ｅｒ2 Ｏ3
及びＭｎＯのモル部とを表１に示すように変化させて２
０種類の試料のための２０種類の誘電体磁器材料を用意
した。
【０００９】試料NO. １の誘電体磁器材料に従う磁器コ
ンデンサの製造方法を次に説明する。試料No. １の場合
には基本成分のＳｒとＺｒのモル比を示すｘが０．０
９、ｙが０．１７であるので、次式を満足する基本成分
を用意した。 （Ｂａ0.91 Ｓｒ0.09）（Ｔｉ0.83 Ｚｒ0.17）Ｏ3 なお、基本成分は、これに含まれている各原子のモル比
を満足するようにＢａＣＯ3 （炭酸バリウム）とＳｒＣ
Ｏ3 （炭酸ストロンチウム）とＴｉＯ2 （酸化チタン）
とＺｒＯ2 （酸化ジルコニウム）とを混合し、これを仮
焼きすることによって得た。次に、１００モル部の基本
成分に対して０．５０モル部のＥｒ2 Ｏ3 と０．１８モ
ル部のＭｎＯとを付加し、これをボールミルにて約１５
時間混合及び粉砕し、しかる後１５０℃、３時間乾燥す
ることによって磁器材料の粉末を得た。次に、この磁器
材料の粉末に有機バインダを添加して攪拌したものを使
用しプレス成形によって直径１０ｍｍ、厚さ０．４ｍｍ
の円板状成形体を形成した。次に、この磁器材料の成形
体を空気（酸化性雰囲気）中において１３００℃で２時
間焼成して焼結体から成る図１に示した誘電体磁器基体
１２を得た。次に、この磁器基体１２の一方及び両方の
主面に銀ペーストを印刷法で塗布し、しかる後８００℃
で焼付けることによって一対の電極１４、１６を形成
し、磁器コンデンサ１０を完成させた。
ンデンサの製造方法を次に説明する。試料No. １の場合
には基本成分のＳｒとＺｒのモル比を示すｘが０．０
９、ｙが０．１７であるので、次式を満足する基本成分
を用意した。 （Ｂａ0.91 Ｓｒ0.09）（Ｔｉ0.83 Ｚｒ0.17）Ｏ3 なお、基本成分は、これに含まれている各原子のモル比
を満足するようにＢａＣＯ3 （炭酸バリウム）とＳｒＣ
Ｏ3 （炭酸ストロンチウム）とＴｉＯ2 （酸化チタン）
とＺｒＯ2 （酸化ジルコニウム）とを混合し、これを仮
焼きすることによって得た。次に、１００モル部の基本
成分に対して０．５０モル部のＥｒ2 Ｏ3 と０．１８モ
ル部のＭｎＯとを付加し、これをボールミルにて約１５
時間混合及び粉砕し、しかる後１５０℃、３時間乾燥す
ることによって磁器材料の粉末を得た。次に、この磁器
材料の粉末に有機バインダを添加して攪拌したものを使
用しプレス成形によって直径１０ｍｍ、厚さ０．４ｍｍ
の円板状成形体を形成した。次に、この磁器材料の成形
体を空気（酸化性雰囲気）中において１３００℃で２時
間焼成して焼結体から成る図１に示した誘電体磁器基体
１２を得た。次に、この磁器基体１２の一方及び両方の
主面に銀ペーストを印刷法で塗布し、しかる後８００℃
で焼付けることによって一対の電極１４、１６を形成
し、磁器コンデンサ１０を完成させた。
【００１０】次に、完成した磁器コンデンサの最大比誘
電率εmax とtan δと抵抗率ρと磁器基体の結晶の径Ｄ
と異常粒子を次の要領で測定した。 （ａ） 最大比誘電率 磁器コンデンサを恒温槽に入れて−２５℃から＋８５℃
まで温度を変化させた時の最大容量をインピーダンスア
ナライザで測定し、この最大容量と磁器基体との寸法に
基づいて比誘電率を計算した。 （ｂ） tan δ（誘電損失） ２０℃におけるtan δを測定した。 （ｃ） 抵抗率ρ 磁器コンデンサを１５０℃にして一対の電極１４、１６
間に直流１００Ｖを２０秒間印加して絶縁抵抗を測定
し、この絶縁抵抗の値と磁器基体１２の寸法とから抵抗
率ρを計算した。 （ｄ） 平均粒径Ｄ 磁器基体１２を切断して５箇所を電子顕微鏡で２０００
倍又は５０００倍に撮影し、これ等の写真から２００個
の結晶粒子をランダムに選んでこの寸法を測定し、平均
値を求めた。 （ｅ） 異常粒子の判定 平均粒径Ｄを測定するために切断した磁器基体を電子顕
微鏡で１００倍で観察し、結晶の平均粒径の１０倍以上
の結晶の有無を調べ、１０倍以上の結晶を異常粒子とし
た。
電率εmax とtan δと抵抗率ρと磁器基体の結晶の径Ｄ
と異常粒子を次の要領で測定した。 （ａ） 最大比誘電率 磁器コンデンサを恒温槽に入れて−２５℃から＋８５℃
まで温度を変化させた時の最大容量をインピーダンスア
ナライザで測定し、この最大容量と磁器基体との寸法に
基づいて比誘電率を計算した。 （ｂ） tan δ（誘電損失） ２０℃におけるtan δを測定した。 （ｃ） 抵抗率ρ 磁器コンデンサを１５０℃にして一対の電極１４、１６
間に直流１００Ｖを２０秒間印加して絶縁抵抗を測定
し、この絶縁抵抗の値と磁器基体１２の寸法とから抵抗
率ρを計算した。 （ｄ） 平均粒径Ｄ 磁器基体１２を切断して５箇所を電子顕微鏡で２０００
倍又は５０００倍に撮影し、これ等の写真から２００個
の結晶粒子をランダムに選んでこの寸法を測定し、平均
値を求めた。 （ｅ） 異常粒子の判定 平均粒径Ｄを測定するために切断した磁器基体を電子顕
微鏡で１００倍で観察し、結晶の平均粒径の１０倍以上
の結晶の有無を調べ、１０倍以上の結晶を異常粒子とし
た。
【００１１】試料NO. １の場合には、表１に示すよう
に、εmax は２４２００、tan δは０．６３％、ρは
８．０×１０5 ＭΩ・ｃｍ、平均粒径Ｄは３．１μｍで
あり、また異常粒子は存在していなかった。
に、εmax は２４２００、tan δは０．６３％、ρは
８．０×１０5 ＭΩ・ｃｍ、平均粒径Ｄは３．１μｍで
あり、また異常粒子は存在していなかった。
【００１２】試料NO. ２〜２０においても試料NO. １と
同様な方法で磁器コンデンサを作り、同様な方法でε
max 、tan δ、ρ、及びＤを測定し、更に異常粒子の有
無を判定した。なお、異常粒子は試料NO. ３及び１１で
のみ発生し、この他の試料では発生しなかった。
同様な方法で磁器コンデンサを作り、同様な方法でε
max 、tan δ、ρ、及びＤを測定し、更に異常粒子の有
無を判定した。なお、異常粒子は試料NO. ３及び１１で
のみ発生し、この他の試料では発生しなかった。
【００１３】
【表１】
【００１４】表１から明らかなように、本発明で特定し
た組成を満足する試料NO. １、２、５、６，９、１０、
１３、１６〜２０の磁器コンデンサは、本発明で目標と
している−２５℃〜＋８５℃の範囲における最大比誘電
率εmax が１４０００以上、２０℃のtan δが１．５％
以下、１５０℃における抵抗率ρが５×１０5 ＭΩ・ｃ
ｍ以上、平均粒径Ｄが５μｍ以下を満足している。ま
た、これ等では異常粒子が発生しない。表１の試料NO.
３、４、７、８、１１、１２、１４、１５の磁器コンデ
ンサは本発明で目標とする特性を得ることができないの
で、本発明以外のものである。
た組成を満足する試料NO. １、２、５、６，９、１０、
１３、１６〜２０の磁器コンデンサは、本発明で目標と
している−２５℃〜＋８５℃の範囲における最大比誘電
率εmax が１４０００以上、２０℃のtan δが１．５％
以下、１５０℃における抵抗率ρが５×１０5 ＭΩ・ｃ
ｍ以上、平均粒径Ｄが５μｍ以下を満足している。ま
た、これ等では異常粒子が発生しない。表１の試料NO.
３、４、７、８、１１、１２、１４、１５の磁器コンデ
ンサは本発明で目標とする特性を得ることができないの
で、本発明以外のものである。
【００１５】誘電体磁器の組成の限定理由を次に述べ
る。試料NO. ３に示すようにｘの値が０．０４場合に
は、異常粒子が発生する。しかし試料NO. ６に示すよう
にｘの値が０．０５の場合には、所望特性が得られる。
従って、ｘの下限値は０．０５である。試料NO. ４に示
すように、ｘの値が０．１６の場合にはρが所望値未満
になる。しかし、試料NO. ５に示すようにｘの値が０．
１５の場合には所望特性が得られる。従って、ｘの上限
値は０．１５である。
る。試料NO. ３に示すようにｘの値が０．０４場合に
は、異常粒子が発生する。しかし試料NO. ６に示すよう
にｘの値が０．０５の場合には、所望特性が得られる。
従って、ｘの下限値は０．０５である。試料NO. ４に示
すように、ｘの値が０．１６の場合にはρが所望値未満
になる。しかし、試料NO. ５に示すようにｘの値が０．
１５の場合には所望特性が得られる。従って、ｘの上限
値は０．１５である。
【００１６】試料NO. ７に示すようにｙの値が０．０９
の場合にはtan δが所望範囲よりも大きくなる。しか
し、試料NO. １０に示すようにｙの値が０．１０になる
と所望の特性が得られる。従って、ｙの下限値は０．１
０である。試料NO. ８に示すようにｙの値が０．２５の
場合には、εmax が所望値未満となる。しかし、試料N
O. ９に示すようにｙが０．２４の場合には所望特性が
得られる。従って、ｙの上限値は０．２４である。
の場合にはtan δが所望範囲よりも大きくなる。しか
し、試料NO. １０に示すようにｙの値が０．１０になる
と所望の特性が得られる。従って、ｙの下限値は０．１
０である。試料NO. ８に示すようにｙの値が０．２５の
場合には、εmax が所望値未満となる。しかし、試料N
O. ９に示すようにｙが０．２４の場合には所望特性が
得られる。従って、ｙの上限値は０．２４である。
【００１７】試料NO. １１に示すようにＥｒ2 Ｏ3 が
０．４モル部の場合には結晶の平均粒径の１０倍以上の
異常粒子が生じる。しかし、試料NO. １に示すようにＥ
ｒ2 Ｏ3 を０．５０モル部の場合には、異常粒子が発生
せず且つ所望の特性を得ることができる。従って、Ｅｒ
2 Ｏ3 の下限値は０．１０モル部である。試料NO. １２
に示すようにＥｒ2 Ｏ3 が２．１０モル部の場合にはε
max が所望値未満になり、且つtan δが所望範囲よりも
大きくなる。しかし、試料NO. １３に示すようにＥｒ2
Ｏ3 が２．００モル部の場合には所望の特性を得ること
ができる。従って、Ｅｒ2 Ｏ3 の上限は２．００モル部
である。
０．４モル部の場合には結晶の平均粒径の１０倍以上の
異常粒子が生じる。しかし、試料NO. １に示すようにＥ
ｒ2 Ｏ3 を０．５０モル部の場合には、異常粒子が発生
せず且つ所望の特性を得ることができる。従って、Ｅｒ
2 Ｏ3 の下限値は０．１０モル部である。試料NO. １２
に示すようにＥｒ2 Ｏ3 が２．１０モル部の場合にはε
max が所望値未満になり、且つtan δが所望範囲よりも
大きくなる。しかし、試料NO. １３に示すようにＥｒ2
Ｏ3 が２．００モル部の場合には所望の特性を得ること
ができる。従って、Ｅｒ2 Ｏ3 の上限は２．００モル部
である。
【００１８】試料NO. １４に示すようにＭｎＯが０．０
２モル部の場合にはρが所望値未満である。しかし、試
料NO. １６に示すようにＭｎＯが０．０３モル部の場合
には所望の特性が得られる。従って、ＭｎＯの下限値は
０．０３モル部である。試料NO. １５に示すようにＭｎ
Ｏが０．３１の場合にはεmax 及びρが所望値未満であ
る。しかし、試料NO. １７に示すようにＭｎＯが０．３
０モル部の場合には、所望の特性が得られる。従って、
ＭｎＯの上限値は０．３０モル部である。
２モル部の場合にはρが所望値未満である。しかし、試
料NO. １６に示すようにＭｎＯが０．０３モル部の場合
には所望の特性が得られる。従って、ＭｎＯの下限値は
０．０３モル部である。試料NO. １５に示すようにＭｎ
Ｏが０．３１の場合にはεmax 及びρが所望値未満であ
る。しかし、試料NO. １７に示すようにＭｎＯが０．３
０モル部の場合には、所望の特性が得られる。従って、
ＭｎＯの上限値は０．３０モル部である。
【００１９】
【第２の実施例】図２は第２の実施例の積層型磁器コン
デンサ１８を示す。この磁器コンデンサ１８は誘電体磁
器基体２０と、複数の第１の内部電極２２と、複数の第
２の内部電極２４と、第１及び第２の外部電極２６、２
８とから成る。誘電体磁器基体２０は、図１の誘電体磁
器基体１２と同様に、 （Ｂａ1-x Ｓｒx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ3 から成る１００モル部の基本成分と、０．５〜２．０モ
ル部の酸化エルビウムと、０．０３〜０．３０モル部の
酸化マンガンとから成る組成物で形成されている。第１
及び第２の内部電極２２、２４は誘電体磁器基体２０に
それぞれ埋設され、これ等の一端が誘電体磁器基体２０
の一対の側面に露出し、ここに設けられた第１及び第２
の外部電極２６、２８に接続されている。第１及び第２
の内部電極２２、２４は誘電体磁器基体２０の一部から
成る誘電体磁器層を介して互いに対向しているので、こ
れ等の間に容量を得ることができる。
デンサ１８を示す。この磁器コンデンサ１８は誘電体磁
器基体２０と、複数の第１の内部電極２２と、複数の第
２の内部電極２４と、第１及び第２の外部電極２６、２
８とから成る。誘電体磁器基体２０は、図１の誘電体磁
器基体１２と同様に、 （Ｂａ1-x Ｓｒx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ3 から成る１００モル部の基本成分と、０．５〜２．０モ
ル部の酸化エルビウムと、０．０３〜０．３０モル部の
酸化マンガンとから成る組成物で形成されている。第１
及び第２の内部電極２２、２４は誘電体磁器基体２０に
それぞれ埋設され、これ等の一端が誘電体磁器基体２０
の一対の側面に露出し、ここに設けられた第１及び第２
の外部電極２６、２８に接続されている。第１及び第２
の内部電極２２、２４は誘電体磁器基体２０の一部から
成る誘電体磁器層を介して互いに対向しているので、こ
れ等の間に容量を得ることができる。
【００２０】積層型磁器コンデンサを製造する時には、
周知のように、誘電体磁器材料から成るグリーンシート
（未焼成セラミックシート）を複数枚用意する。次に複
数のグリーンシートに第１及び第２の内部電極２２、２
４を得るための導電ペーストを所望パターンに塗布して
積層し、更にこの上下に導電ペーストを重ね、これ等を
圧着した後に、所望形状にカッテングして焼成する。こ
れにより、図２に示す第１及び第２の内部電極２２、２
４を伴なった磁器基体２０が得られる。しかる後、磁器
基体２０の側面に導電ペーストを塗布して焼付けること
によって第１及び第２の外部電極２６、２８を形成す
る。
周知のように、誘電体磁器材料から成るグリーンシート
（未焼成セラミックシート）を複数枚用意する。次に複
数のグリーンシートに第１及び第２の内部電極２２、２
４を得るための導電ペーストを所望パターンに塗布して
積層し、更にこの上下に導電ペーストを重ね、これ等を
圧着した後に、所望形状にカッテングして焼成する。こ
れにより、図２に示す第１及び第２の内部電極２２、２
４を伴なった磁器基体２０が得られる。しかる後、磁器
基体２０の側面に導電ペーストを塗布して焼付けること
によって第１及び第２の外部電極２６、２８を形成す
る。
【００２１】図２の積層コンデンサ１８についても、図
１の磁器コンデンサ１０と同様に表１の試料NO. １、
２、５、６、９、１０、１３、１６〜２０と同一の組成
の種々の試料を作成し、これ等のεmax 、tan δ、ρ、
Ｄを測定したところ、本発明の目標特性を満足してい
た。また、異常粒子の発生が見られなかった。
１の磁器コンデンサ１０と同様に表１の試料NO. １、
２、５、６、９、１０、１３、１６〜２０と同一の組成
の種々の試料を作成し、これ等のεmax 、tan δ、ρ、
Ｄを測定したところ、本発明の目標特性を満足してい
た。また、異常粒子の発生が見られなかった。
【００２２】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 基本成分（Ｂａ1-x Ｓｒx ）（Ｔｉ1-y Ｚ
ｒy ）Ｏ3 を得るために、ＢａＴｉＯ3 とＳｒＯとＺｒ
Ｏ2 とを適当な比率で配合すること、又はＢａＴｉＯ3
とＳｒＺｒＯ3 とを適当な比率で配合すること、又はＢ
ａ（Ｔｉ1-y Ｚｒy）Ｏ3 とＳｒＴｉＯ3 とを適当な比
率で配合すること、又はＢａＴｉＯ3 とＳｒＴｉＯ3 と
ＢａＺｒＯ3 とを適当な比率で配合することができる。 （２） 焼成温度は例えば１１００〜１４００℃の範囲
で変えることができる。 （３） 誘電体磁器材料の出
発物質として、Ｅｒ2 Ｏ3 の代りにＥｒ（ＯＨ）3 等の
エルビウム化合物を使用することができる。 （４） 誘電体磁器材料の出発物質としてＭｎＯの代り
に、Ｍｎ3 Ｏ4 、Ｍｎ2 Ｏ3 、ＭｎＯ2 等の酸化物、Ｍ
ｎ（ＯＨ）2 、ＭｎＯ（ＯＨ）等の水酸化物を使用する
ことができる。 （５） 基本成分を得るための仮焼工程を省いて、例え
ばＢａＴｉＯ3 と、ＳｒＺｒＯ3 と、Ｅｒ2 Ｏ3 と、Ｍ
ｎＯとを混合し、この混合物の成形体を作って焼成して
もよい。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 基本成分（Ｂａ1-x Ｓｒx ）（Ｔｉ1-y Ｚ
ｒy ）Ｏ3 を得るために、ＢａＴｉＯ3 とＳｒＯとＺｒ
Ｏ2 とを適当な比率で配合すること、又はＢａＴｉＯ3
とＳｒＺｒＯ3 とを適当な比率で配合すること、又はＢ
ａ（Ｔｉ1-y Ｚｒy）Ｏ3 とＳｒＴｉＯ3 とを適当な比
率で配合すること、又はＢａＴｉＯ3 とＳｒＴｉＯ3 と
ＢａＺｒＯ3 とを適当な比率で配合することができる。 （２） 焼成温度は例えば１１００〜１４００℃の範囲
で変えることができる。 （３） 誘電体磁器材料の出
発物質として、Ｅｒ2 Ｏ3 の代りにＥｒ（ＯＨ）3 等の
エルビウム化合物を使用することができる。 （４） 誘電体磁器材料の出発物質としてＭｎＯの代り
に、Ｍｎ3 Ｏ4 、Ｍｎ2 Ｏ3 、ＭｎＯ2 等の酸化物、Ｍ
ｎ（ＯＨ）2 、ＭｎＯ（ＯＨ）等の水酸化物を使用する
ことができる。 （５） 基本成分を得るための仮焼工程を省いて、例え
ばＢａＴｉＯ3 と、ＳｒＺｒＯ3 と、Ｅｒ2 Ｏ3 と、Ｍ
ｎＯとを混合し、この混合物の成形体を作って焼成して
もよい。
【図１】第１の実施例の磁器コンデンサを示す正面図で
ある。
ある。
【図２】第２の実施例の積層磁器コンデンサを示す断面
図である。
図である。
１２ 誘電体磁器基体 １４、１６ 電極
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ｂａ1-x Ｓｒx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ3 ここで、ｘは０．０５〜０．１５の範囲の数値、 ｙは０．１０〜０．２４の範囲の数値、 から成る１００モル部の基本成分と、 ０．５〜２．０モル部のエルビウム化合物と、 ０．０３〜０．３０モル部のマンガン化合物とから成る
誘電体磁器。 - 【請求項２】 誘電体磁器基体とこの誘電体磁器基体に
接触している少なくとも２つの電極とから成る磁器コン
デンサであって、前記誘電体磁器基体が、 （Ｂａ1-x Ｓｒx ）（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ3 ここで、ｘは０．０５〜０．１５の範囲の数値、 ｙは０．１０〜０．２４の範囲の数値、 から成る１００モル部の基本成分と、 ０．５〜２．０モル部のエルビウム化合物と、 ０．０３〜０．３０モル部のマンガン化合物とから成る
ことを特徴とする誘電体磁器コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4360666A JP2872513B2 (ja) | 1992-12-29 | 1992-12-29 | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4360666A JP2872513B2 (ja) | 1992-12-29 | 1992-12-29 | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06203632A true JPH06203632A (ja) | 1994-07-22 |
| JP2872513B2 JP2872513B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=18470394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4360666A Expired - Lifetime JP2872513B2 (ja) | 1992-12-29 | 1992-12-29 | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2872513B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100415560B1 (ko) * | 2000-03-31 | 2004-01-24 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 자기 커패시터 및 그 제조방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58209807A (ja) * | 1982-05-31 | 1983-12-06 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPS5925104A (ja) * | 1982-08-04 | 1984-02-09 | 株式会社村田製作所 | 高誘電率磁器組成物 |
| JPH01175717A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Showa Denko Kk | 還元再酸化型セラミック半導体コンデンサー用磁器組成物 |
| JPH04115409A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Murata Mfg Co Ltd | 非還元性誘電体磁器組成物 |
-
1992
- 1992-12-29 JP JP4360666A patent/JP2872513B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58209807A (ja) * | 1982-05-31 | 1983-12-06 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPS5925104A (ja) * | 1982-08-04 | 1984-02-09 | 株式会社村田製作所 | 高誘電率磁器組成物 |
| JPH01175717A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Showa Denko Kk | 還元再酸化型セラミック半導体コンデンサー用磁器組成物 |
| JPH04115409A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Murata Mfg Co Ltd | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100415560B1 (ko) * | 2000-03-31 | 2004-01-24 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 자기 커패시터 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2872513B2 (ja) | 1999-03-17 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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