JPH06203635A - 誘電体磁器及び磁器コンデンサ - Google Patents
誘電体磁器及び磁器コンデンサInfo
- Publication number
- JPH06203635A JPH06203635A JP4360665A JP36066592A JPH06203635A JP H06203635 A JPH06203635 A JP H06203635A JP 4360665 A JP4360665 A JP 4360665A JP 36066592 A JP36066592 A JP 36066592A JP H06203635 A JPH06203635 A JP H06203635A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- parts
- dielectric
- porcelain
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電体磁器の比誘電率及び絶縁耐圧を高め
る。また、誘電体磁器の結晶が異常に大きくなることを
抑制する。 【構成】 磁器コンデンサ１０の誘電体磁器基体１２
を、（ＢａαＣａβＥｒγＯk ）（Ｔｉ1-x Ｚｒ
x Ｏ2 ）から成る１００重量部の基本成分と、０．０５
〜０．５０重量部のＭｎＯと、０．００２〜０．４００
重量部のＮｉＯ及び／又はＺｎＯとから成る組成物で形
成する。
る。また、誘電体磁器の結晶が異常に大きくなることを
抑制する。 【構成】 磁器コンデンサ１０の誘電体磁器基体１２
を、（ＢａαＣａβＥｒγＯk ）（Ｔｉ1-x Ｚｒ
x Ｏ2 ）から成る１００重量部の基本成分と、０．０５
〜０．５０重量部のＭｎＯと、０．００２〜０．４００
重量部のＮｉＯ及び／又はＺｎＯとから成る組成物で形
成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高い誘電率を有する誘
電体磁器及びこれを使用した単層又は積層の誘電体磁器
コンデンサに関する。
電体磁器及びこれを使用した単層又は積層の誘電体磁器
コンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁器コンデンサの誘電体磁器基体として
ＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウム）を主成分とした磁
器、又はＢａＴｉＯ3 のＢａ（バリウム）の一部をＣａ
（カルシウム）に置換し、且つＴｉ（チタン）の一部を
Ｚｒ（ジルコニウム）に置換した磁器を使用することは
公知である。この種の誘電体磁器の比誘電率の最大値は
ほぼ１４０００である。
ＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウム）を主成分とした磁
器、又はＢａＴｉＯ3 のＢａ（バリウム）の一部をＣａ
（カルシウム）に置換し、且つＴｉ（チタン）の一部を
Ｚｒ（ジルコニウム）に置換した磁器を使用することは
公知である。この種の誘電体磁器の比誘電率の最大値は
ほぼ１４０００である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、誘電体磁器
コンデンサの容量の増大及び信頼性の向上が要求されて
いる。容量の増大を図るために一対の電極間に介在する
誘電体磁器層の厚みを薄くすることが考えられる。しか
し、誘電体磁器層を薄くすると、一対の電極間の絶縁耐
圧が低下する。容量の増大を図るための別の方法とし
て、比誘電率が高く、且つ絶縁耐圧の高い誘電体磁器を
使用する方法がある。しかし、従来のＢａＴｉＯ3 系の
誘電体磁器では比誘電率及び絶縁耐圧に限界があり、高
容量化に限界があった。
コンデンサの容量の増大及び信頼性の向上が要求されて
いる。容量の増大を図るために一対の電極間に介在する
誘電体磁器層の厚みを薄くすることが考えられる。しか
し、誘電体磁器層を薄くすると、一対の電極間の絶縁耐
圧が低下する。容量の増大を図るための別の方法とし
て、比誘電率が高く、且つ絶縁耐圧の高い誘電体磁器を
使用する方法がある。しかし、従来のＢａＴｉＯ3 系の
誘電体磁器では比誘電率及び絶縁耐圧に限界があり、高
容量化に限界があった。
【０００４】そこで、本発明の目的は、−２５℃〜＋８
５℃の範囲における比誘電率の最大値が１４０００以上
であり、２０℃のtan δ（誘電損失）が１．５％以下で
あり、１５０℃における抵抗率が６×１０6 ＭΩ・ｃｍ
以上であり、結晶粒子の平均粒径が４μｍ以下であり、
且つ巨大粒子が存在しない誘電体磁器及びこれを使用し
た磁器コンデンサを提供することにある。
５℃の範囲における比誘電率の最大値が１４０００以上
であり、２０℃のtan δ（誘電損失）が１．５％以下で
あり、１５０℃における抵抗率が６×１０6 ＭΩ・ｃｍ
以上であり、結晶粒子の平均粒径が４μｍ以下であり、
且つ巨大粒子が存在しない誘電体磁器及びこれを使用し
た磁器コンデンサを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、 （ＢａαＣａβＥｒγＯk ）（Ｔｉ1-x Ｚｒx Ｏ2 ） ここで、α、β、γ、ｋ、ｘは、 ０．０１≦β≦０．１２ ０．００３≦γ≦０．０３ ０．９９６≦α＋β＋γ＝ｋ≦１．０３０ ０．１０≦ｘ≦０．２０ を満足する数値から成る１００重量部の基本成分と、
０．０５〜０．５０重量部の酸化マンガンと、０．００
２〜０．４００重量部の酸化亜鉛と酸化ニッケルの内の
いずれか一方又は両方から成る金属酸化物とを含む誘電
体磁器に係わるものである。なお、請求項２に示すよう
に、請求項１の誘電体磁器を磁器コンデンサの誘電体磁
器基体として使用することができる。
の本発明は、 （ＢａαＣａβＥｒγＯk ）（Ｔｉ1-x Ｚｒx Ｏ2 ） ここで、α、β、γ、ｋ、ｘは、 ０．０１≦β≦０．１２ ０．００３≦γ≦０．０３ ０．９９６≦α＋β＋γ＝ｋ≦１．０３０ ０．１０≦ｘ≦０．２０ を満足する数値から成る１００重量部の基本成分と、
０．０５〜０．５０重量部の酸化マンガンと、０．００
２〜０．４００重量部の酸化亜鉛と酸化ニッケルの内の
いずれか一方又は両方から成る金属酸化物とを含む誘電
体磁器に係わるものである。なお、請求項２に示すよう
に、請求項１の誘電体磁器を磁器コンデンサの誘電体磁
器基体として使用することができる。
【０００６】
【作用及び効果】誘電体磁器を本発明で特定した組成に
すると、−２５℃〜＋８５℃の範囲における最大比誘電
体率εmax が１４０００以上、２０℃のtan δが１．５
％以下、１５０℃における抵抗率ρが６×１０6 ＭΩ・
ｃｍ以上、平均粒径が４μｍ以下になる。本発明の磁器
に含まれているＥｒ（エルビウム）は絶縁耐圧の向上及
び比誘電率の向上に寄与している。即ち、エルビウムは
誘電体磁器を構成している結晶粒子の平均粒径を小さく
する作用を有する。またエルビウムは結晶粒子の平均粒
径の例えば１０倍以上のような異常粒子（巨大粒子）の
発生を抑制する作用を有する。小さい結晶粒子から成る
誘電体磁器は、大きな結晶粒子から成る誘電体磁器より
も大きな絶縁耐圧を示し、且つ比誘電率が大きくなる。
酸化マンガンは平均粒径を小さくして抵抗率及び比誘電
率を大きくする。酸化ニッケル及び／又は酸化亜鉛は抵
抗率及び比誘電率の増大に寄与する。
すると、−２５℃〜＋８５℃の範囲における最大比誘電
体率εmax が１４０００以上、２０℃のtan δが１．５
％以下、１５０℃における抵抗率ρが６×１０6 ＭΩ・
ｃｍ以上、平均粒径が４μｍ以下になる。本発明の磁器
に含まれているＥｒ（エルビウム）は絶縁耐圧の向上及
び比誘電率の向上に寄与している。即ち、エルビウムは
誘電体磁器を構成している結晶粒子の平均粒径を小さく
する作用を有する。またエルビウムは結晶粒子の平均粒
径の例えば１０倍以上のような異常粒子（巨大粒子）の
発生を抑制する作用を有する。小さい結晶粒子から成る
誘電体磁器は、大きな結晶粒子から成る誘電体磁器より
も大きな絶縁耐圧を示し、且つ比誘電率が大きくなる。
酸化マンガンは平均粒径を小さくして抵抗率及び比誘電
率を大きくする。酸化ニッケル及び／又は酸化亜鉛は抵
抗率及び比誘電率の増大に寄与する。
【０００７】
【第１の実施例】次に、本発明の第１の実施例において
は、図１に示す誘電体磁器コンデンサ１０を作製した。
この磁器コンデンサ１０は、円板状の誘電体磁器基体１
２と、この一対の主面に設けられた一対の電極１４、１
６とから成る。
は、図１に示す誘電体磁器コンデンサ１０を作製した。
この磁器コンデンサ１０は、円板状の誘電体磁器基体１
２と、この一対の主面に設けられた一対の電極１４、１
６とから成る。
【０００８】図１の磁器基体１２を形成するための基本
成分 （ＢａαＣａβＥｒγＯk ）（Ｔｉ1-x Ｚｒx Ｏ2 ） を得るために、ＢａＣＯ3 （炭酸バリウム）とＣａＣＯ
3 （炭酸カルシウム）とＥｒ2 Ｏ3 （酸化エルビウム）
とＴｉＯ2 （酸化チタン）とＺｒＯ2 （酸化ジルコニウ
ム）とを用意し、基本成分の各原子のモル比を示すα、
β、γ、ｋ、ｘを表１の試料NO. １〜２７に示すように
変えた２７種類の基本成分の原料混合物を用意した。ま
た、添加成分としてのＭｎＯ（酸化マンガン）とＮｉＯ
（酸化ニッケル）とＺｎＯ（酸化亜鉛）とを表１に示す
ように用意した。
成分 （ＢａαＣａβＥｒγＯk ）（Ｔｉ1-x Ｚｒx Ｏ2 ） を得るために、ＢａＣＯ3 （炭酸バリウム）とＣａＣＯ
3 （炭酸カルシウム）とＥｒ2 Ｏ3 （酸化エルビウム）
とＴｉＯ2 （酸化チタン）とＺｒＯ2 （酸化ジルコニウ
ム）とを用意し、基本成分の各原子のモル比を示すα、
β、γ、ｋ、ｘを表１の試料NO. １〜２７に示すように
変えた２７種類の基本成分の原料混合物を用意した。ま
た、添加成分としてのＭｎＯ（酸化マンガン）とＮｉＯ
（酸化ニッケル）とＺｎＯ（酸化亜鉛）とを表１に示す
ように用意した。
【０００９】
【表１】
【００１０】試料NO. １に従う誘電体磁器コンデンサの
製造方法を詳しく説明する。試料NO. １の基本成分は、
αが０．９４０、βが０．０５０、γが０．０２０、ｋ
が１．０１０、ｘが０．１９０であるので、次式で示す
ことができる。 （Ｂａ0.94Ｃａ0.05Ｅｒ0.02Ｏ1.01）（Ｔｉ0.81Ｚ0.19
Ｏ2 ） この基本成分の各原子のモル比を満足する割合にＢａＣ
Ｏ3 、ＣａＣＯ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 を
秤量し、これ等の混合物を得た。次に、この混合物をボ
ールミルで湿式混合し、これを乾燥した後、大気中（酸
化性雰囲気）中において１１５０℃で２時間仮焼して基
本成分を得た。
製造方法を詳しく説明する。試料NO. １の基本成分は、
αが０．９４０、βが０．０５０、γが０．０２０、ｋ
が１．０１０、ｘが０．１９０であるので、次式で示す
ことができる。 （Ｂａ0.94Ｃａ0.05Ｅｒ0.02Ｏ1.01）（Ｔｉ0.81Ｚ0.19
Ｏ2 ） この基本成分の各原子のモル比を満足する割合にＢａＣ
Ｏ3 、ＣａＣＯ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 を
秤量し、これ等の混合物を得た。次に、この混合物をボ
ールミルで湿式混合し、これを乾燥した後、大気中（酸
化性雰囲気）中において１１５０℃で２時間仮焼して基
本成分を得た。
【００１１】次に、１００重量部の基本成分に対して
０．３０重量部のＭｎＯと０．１重量部のＮｉＯを添加
し、ボールミルで湿式混合及び粉砕し、１５０℃で３時
間乾燥することによって磁器材料粉末を得た。
０．３０重量部のＭｎＯと０．１重量部のＮｉＯを添加
し、ボールミルで湿式混合及び粉砕し、１５０℃で３時
間乾燥することによって磁器材料粉末を得た。
【００１２】次に、磁器材料粉末に有機バインダを添加
したものを乾式プレス成形法で成形し、直径１０ｍｍ、
厚さ０．５ｍｍの円板状成形体を得た。
したものを乾式プレス成形法で成形し、直径１０ｍｍ、
厚さ０．５ｍｍの円板状成形体を得た。
【００１３】次に、この成形体を大気（酸化性雰囲気）
中において１２６０℃で２時間焼成して焼結体から成る
図１に示した誘電体磁器基体１２を得た。次に、この磁
器基体１２の一方及び両方の主面に銀ペーストを印刷法
で塗布し、しかる後８００℃で焼付けることによって一
対の電極１４、１６を形成し、磁器コンデンサ１０を完
成させた。
中において１２６０℃で２時間焼成して焼結体から成る
図１に示した誘電体磁器基体１２を得た。次に、この磁
器基体１２の一方及び両方の主面に銀ペーストを印刷法
で塗布し、しかる後８００℃で焼付けることによって一
対の電極１４、１６を形成し、磁器コンデンサ１０を完
成させた。
【００１４】次に、完成した磁器コンデンサの最大比誘
電率εmax とtan δと抵抗率ρと平均粒径Ｄを次の要領
で測定した。 （ａ） 最大比誘電率 磁器コンデンサを恒温槽に入れて−２５℃から＋８５℃
まで温度を変化させた時の最大容量をインピーダンスア
ナライザを用いて１ｋＨｚ、１Ｖの条件で測定し、この
最大容量と磁器基体との寸法に基づいて比誘電率を計算
した。 （ｂ） tan δ（誘電損失） ２０℃におけるtan δを測定した。 （ｃ） 抵抗率ρ 磁器コンデンサを１５０℃にして一対の電極１４、１６
間に直流１００Ｖを２０秒間印加して絶縁抵抗を測定
し、この絶縁抵抗の値と磁器基体１２の寸法とから抵抗
率ρを計算した。 （ｄ） 平均粒径 電極１４、１６を形成する前の磁器基体１２の表面を無
作為に５箇所選び、これ等を走査型電子顕微鏡で２００
０倍又は５０００倍に拡大して撮影し、これ等の写真か
ら２００個の結晶粒子をランダムに選んで切片法により
大きさを測定し、平均値を求めて平均粒径とした。な
お、磁器基体１２における巨大粒子の有無も調べた。こ
の巨大粒子の判定は平均粒径を測定した磁器基体１２の
表面を電子顕微鏡で１００倍に拡大して観察し、平均粒
径Ｄの１０倍以上の粒子を巨大粒子とした。表２は各試
料の電気特性、平均粒径及び巨大粒子の有無を示す。
電率εmax とtan δと抵抗率ρと平均粒径Ｄを次の要領
で測定した。 （ａ） 最大比誘電率 磁器コンデンサを恒温槽に入れて−２５℃から＋８５℃
まで温度を変化させた時の最大容量をインピーダンスア
ナライザを用いて１ｋＨｚ、１Ｖの条件で測定し、この
最大容量と磁器基体との寸法に基づいて比誘電率を計算
した。 （ｂ） tan δ（誘電損失） ２０℃におけるtan δを測定した。 （ｃ） 抵抗率ρ 磁器コンデンサを１５０℃にして一対の電極１４、１６
間に直流１００Ｖを２０秒間印加して絶縁抵抗を測定
し、この絶縁抵抗の値と磁器基体１２の寸法とから抵抗
率ρを計算した。 （ｄ） 平均粒径 電極１４、１６を形成する前の磁器基体１２の表面を無
作為に５箇所選び、これ等を走査型電子顕微鏡で２００
０倍又は５０００倍に拡大して撮影し、これ等の写真か
ら２００個の結晶粒子をランダムに選んで切片法により
大きさを測定し、平均値を求めて平均粒径とした。な
お、磁器基体１２における巨大粒子の有無も調べた。こ
の巨大粒子の判定は平均粒径を測定した磁器基体１２の
表面を電子顕微鏡で１００倍に拡大して観察し、平均粒
径Ｄの１０倍以上の粒子を巨大粒子とした。表２は各試
料の電気特性、平均粒径及び巨大粒子の有無を示す。
【００１５】
【表２】
【００１６】試料NO. １の場合には表２から明らかなよ
うに、最大比誘電率εmax が２３２００、誘電損失tan
δが０．５０％、抵抗率ρが１．３８×１０7 ＭΩ・ｃ
ｍ、平均粒径が２．６μｍであり、また巨大粒子は存在
しなかった。
うに、最大比誘電率εmax が２３２００、誘電損失tan
δが０．５０％、抵抗率ρが１．３８×１０7 ＭΩ・ｃ
ｍ、平均粒径が２．６μｍであり、また巨大粒子は存在
しなかった。
【００１７】試料NO. ２〜２７においても試料NO. １と
同様な方法で磁器コンデンサを作り、同様な方法でε
max 、tan δ、ρ、Ｄを測定し、また巨大粒子の有無を
判定した。
同様な方法で磁器コンデンサを作り、同様な方法でε
max 、tan δ、ρ、Ｄを測定し、また巨大粒子の有無を
判定した。
【００１８】表１及び表２から明らかなように、本発明
で特定した組成を満足する試料NO.１、３、４、７、
８、１１、１２、１５、１６、１９、２０、２３、２
４、２６、２７の磁器コンデンサは、本発明で目標とし
ている−２５℃〜＋８５℃の範囲における最大比誘電率
εmax が１４００以上、２０℃のtan δが１．５％以
下、１５０℃における抵抗率ρが６×１０6 ＭΩ・ｃｍ
以上、平均粒径Ｄが４μｍ以下、巨大粒子無しを満足し
ている。一方、表１及び表２の試料NO. ２、５、６、
９、１０、１３、１４、１７、１８、２１、２２、２５
の磁器コンデンサは本発明で目標とする特性を得ること
ができないので、本発明以外のものである。
で特定した組成を満足する試料NO.１、３、４、７、
８、１１、１２、１５、１６、１９、２０、２３、２
４、２６、２７の磁器コンデンサは、本発明で目標とし
ている−２５℃〜＋８５℃の範囲における最大比誘電率
εmax が１４００以上、２０℃のtan δが１．５％以
下、１５０℃における抵抗率ρが６×１０6 ＭΩ・ｃｍ
以上、平均粒径Ｄが４μｍ以下、巨大粒子無しを満足し
ている。一方、表１及び表２の試料NO. ２、５、６、
９、１０、１３、１４、１７、１８、２１、２２、２５
の磁器コンデンサは本発明で目標とする特性を得ること
ができないので、本発明以外のものである。
【００１９】次に、誘電体磁器の組成の限定理由を述べ
る。試料NO. ２に示すように、βが０の場合には巨大粒
子が発生し、またεmax が１４０００未満になる。しか
し、試料NO. ３に示すように、βが０．０１の場合には
所望特性が得られる。従って、βの下限値は０．０１で
ある。試料NO. ５に示すようにβが０．１３の場合には
εmax が１４０００未満になる。しかし、試料NO. ４に
示すようにβが０．１２の場合には所望特性が得られ
る。従って、βの上限値は０．１２である。
る。試料NO. ２に示すように、βが０の場合には巨大粒
子が発生し、またεmax が１４０００未満になる。しか
し、試料NO. ３に示すように、βが０．０１の場合には
所望特性が得られる。従って、βの下限値は０．０１で
ある。試料NO. ５に示すようにβが０．１３の場合には
εmax が１４０００未満になる。しかし、試料NO. ４に
示すようにβが０．１２の場合には所望特性が得られ
る。従って、βの上限値は０．１２である。
【００２０】試料NO. ６に示すようにγが０．００２の
場合には巨大粒子が発生し、ρも目標値未満になる。し
かし、試料NO. ７に示すようにγが０．００３の場合に
は所望特性が得られる。従って、γの下限値は０．００
３である。試料NO. ９に示すようにγが０．０３５の場
合にはεmax が１４０００未満である。しかし、試料N
O. ８に示すようにγが０．０３０の場合には所望特性
が得られる。従って、γの上限値は０．０３０である。
場合には巨大粒子が発生し、ρも目標値未満になる。し
かし、試料NO. ７に示すようにγが０．００３の場合に
は所望特性が得られる。従って、γの下限値は０．００
３である。試料NO. ９に示すようにγが０．０３５の場
合にはεmax が１４０００未満である。しかし、試料N
O. ８に示すようにγが０．０３０の場合には所望特性
が得られる。従って、γの上限値は０．０３０である。
【００２１】試料NO. １０に示すようにｋが０．９９４
の場合には巨大粒子が発生する。しかし、試料NO. １１
に示すようにｋが０．９９６の場合には所望特性が得ら
れる。従って、ｋの下限値は０．９９６である。試料N
O. １３に示すように、ｋが１．０３５の場合には緻密
な焼結体が得られない。しかし、試料NO. １２に示すよ
うにｋが１．０３０の場合には所望特性が得られる。従
ってｋの上限値は１．０３０である。
の場合には巨大粒子が発生する。しかし、試料NO. １１
に示すようにｋが０．９９６の場合には所望特性が得ら
れる。従って、ｋの下限値は０．９９６である。試料N
O. １３に示すように、ｋが１．０３５の場合には緻密
な焼結体が得られない。しかし、試料NO. １２に示すよ
うにｋが１．０３０の場合には所望特性が得られる。従
ってｋの上限値は１．０３０である。
【００２２】試料NO. １４に示すように、ｘが０．０８
０の場合にはεmax が１４０００未満になり、且つtan
δが１．５％よりも大きくなる。しかし、試料NO. １５
に示すようにｘが０．１００の場合には所望特性が得ら
れる。従ってｘの下限値は０．１００である。試料NO.
１７に示すように、ｘが０．２３０の場合にはεmaxが
１４０００未満になる。しかし、試料NO. １６に示すよ
うにｘが０．２０の場合には所望特性が得られる。従っ
て、ｘの上限値は０．２０である。
０の場合にはεmax が１４０００未満になり、且つtan
δが１．５％よりも大きくなる。しかし、試料NO. １５
に示すようにｘが０．１００の場合には所望特性が得ら
れる。従ってｘの下限値は０．１００である。試料NO.
１７に示すように、ｘが０．２３０の場合にはεmaxが
１４０００未満になる。しかし、試料NO. １６に示すよ
うにｘが０．２０の場合には所望特性が得られる。従っ
て、ｘの上限値は０．２０である。
【００２３】なお、αは、０．９９６≦ｋ＝α＋β＋γ
≦１．０３０の式を満足する範囲の値になる。
≦１．０３０の式を満足する範囲の値になる。
【００２４】試料NO. １８に示すように、ＭｎＯが０．
０２重量部の場合にはρが６×１０6 ＭΩ・ｃｍ未満に
なり、且つ平均粒径Ｄが４μｍよりも大きくなる。しか
し、試料NO. １９に示すようにＭｎＯが０．０５重量部
の場合には所望特性が得られる。従って、ＭｎＯの添加
量の下限値は０．０５重量部である。試料NO. ２１に示
すようにＭｎＯが０．６０の場合にはεmax が１４００
０未満になり、且つρが６×１０6 ＭΩ・ｃｍ未満にな
る。しかし、試料NO. ２０に示すようにＭｎＯが０．５
０重量部の場合には所望特性が得られる。従って、Ｍｎ
Ｏの添加量の上限値は０．５０重量部である。
０２重量部の場合にはρが６×１０6 ＭΩ・ｃｍ未満に
なり、且つ平均粒径Ｄが４μｍよりも大きくなる。しか
し、試料NO. １９に示すようにＭｎＯが０．０５重量部
の場合には所望特性が得られる。従って、ＭｎＯの添加
量の下限値は０．０５重量部である。試料NO. ２１に示
すようにＭｎＯが０．６０の場合にはεmax が１４００
０未満になり、且つρが６×１０6 ＭΩ・ｃｍ未満にな
る。しかし、試料NO. ２０に示すようにＭｎＯが０．５
０重量部の場合には所望特性が得られる。従って、Ｍｎ
Ｏの添加量の上限値は０．５０重量部である。
【００２５】試料NO. ２２に示すように、ＮｉＯ又はＺ
ｎＯが無添加の場合には、ρが６×１０6 ＭΩ・ｃｍ未
満になる。しかし、試料NO. ２３に示すようにＮｉＯが
０．００２重量部の場合には所望特性が得られる。な
お、表１及び表２には示されていないが、ＮｉＯの代り
にＺｎＯを０．００２重量部添加した場合、及びＮｉＯ
とＺｎＯの混合物を０．００２重量部添加した場合も所
望特性が得られた。従って、ＮｉＯ及び／又はＺｎＯの
添加量の下限値は０．００２重量部である。試料NO. ２
５にＮｉＯが０．５００重量部の場合にはεmax が１４
０００未満になり、且つρが６×１０6 ＭΩ・ｃｍ未満
になる。しかし、試料NO. ２４に示すようにＮｉＯが
０．４００重量部の場合には所望特性が得られる。な
お、表１及び２には示されていないが、ＮｉＯの代りに
ＺｎＯを０．４００重量部を添加した場合及びＮｉＯと
ＺｎＯとを混合して０．４００重量部添加した場合にも
所望特性が得られる。従って、ＮｉＯ及び／又はＺｎＯ
の添加量の上限値は０．４００重量部である。
ｎＯが無添加の場合には、ρが６×１０6 ＭΩ・ｃｍ未
満になる。しかし、試料NO. ２３に示すようにＮｉＯが
０．００２重量部の場合には所望特性が得られる。な
お、表１及び表２には示されていないが、ＮｉＯの代り
にＺｎＯを０．００２重量部添加した場合、及びＮｉＯ
とＺｎＯの混合物を０．００２重量部添加した場合も所
望特性が得られた。従って、ＮｉＯ及び／又はＺｎＯの
添加量の下限値は０．００２重量部である。試料NO. ２
５にＮｉＯが０．５００重量部の場合にはεmax が１４
０００未満になり、且つρが６×１０6 ＭΩ・ｃｍ未満
になる。しかし、試料NO. ２４に示すようにＮｉＯが
０．４００重量部の場合には所望特性が得られる。な
お、表１及び２には示されていないが、ＮｉＯの代りに
ＺｎＯを０．４００重量部を添加した場合及びＮｉＯと
ＺｎＯとを混合して０．４００重量部添加した場合にも
所望特性が得られる。従って、ＮｉＯ及び／又はＺｎＯ
の添加量の上限値は０．４００重量部である。
【００２６】
【第２の実施例】図２は第２の実施例の積層型磁器コン
デンサ１８を示す。この磁器コンデンサ１８は誘電体磁
器基体２０と、複数の第１の内部電極２２と、複数の第
２の内部電極２４と、第１及び第２の外部電極２６、２
８とから成る。誘電体磁器基体２０は、図１の誘電体磁
器基体１２と同様に、 （ＢａαＣａβＥｒγＯk ）（Ｔｉ1-x Ｚｒx Ｏ2 ） から成る１００重量部の基本成分と、０．００５〜０．
５０重量部の酸化マンガンと、０．００２〜０．４００
重量部の酸化亜鉛及び／又は酸化ニッケルとから成る組
成物で形成されている。第１及び第２の内部電極２２、
２４は誘電体磁器基体２０にそれぞれ埋設され、これ等
の一端が誘電体磁器基体２０の一対の側面に露出し、こ
こに設けられた第１及び第２の外部電極２６、２８に接
続されている。第１及び第２の内部電極２２、２４は誘
電体磁器基体２０の一部から成る誘電体磁器層を介して
互いに対向しているので、これ等の容量を得ることがで
きる。
デンサ１８を示す。この磁器コンデンサ１８は誘電体磁
器基体２０と、複数の第１の内部電極２２と、複数の第
２の内部電極２４と、第１及び第２の外部電極２６、２
８とから成る。誘電体磁器基体２０は、図１の誘電体磁
器基体１２と同様に、 （ＢａαＣａβＥｒγＯk ）（Ｔｉ1-x Ｚｒx Ｏ2 ） から成る１００重量部の基本成分と、０．００５〜０．
５０重量部の酸化マンガンと、０．００２〜０．４００
重量部の酸化亜鉛及び／又は酸化ニッケルとから成る組
成物で形成されている。第１及び第２の内部電極２２、
２４は誘電体磁器基体２０にそれぞれ埋設され、これ等
の一端が誘電体磁器基体２０の一対の側面に露出し、こ
こに設けられた第１及び第２の外部電極２６、２８に接
続されている。第１及び第２の内部電極２２、２４は誘
電体磁器基体２０の一部から成る誘電体磁器層を介して
互いに対向しているので、これ等の容量を得ることがで
きる。
【００２７】積層型磁器コンデンサを製造する時には、
周知のように、誘電体磁器材料から成るグリーンシート
（未焼成セラミックシート）を複数枚用意する。次に複
数のグリーンシートに第１及び第２の内部電極２２、２
４を得るためのＡｇ（銀）とＰｄ（パラジウム）との混
合物を導電材料とする導電ペーストを所望パターンに塗
布して積層し、更にこの上下に導電ペーストを重ね、こ
れ等を圧着した後に、所望形状にカッティングして焼成
する。これにより、図２に示す第１及び第２の内部電極
２２、２４を伴なった磁器基体２０が得られる。しかる
後、磁器基体２０の側面に導電ペースト（Ａｇペース
ト）を塗布して焼付けることによって第１及び第２の外
部電極２６、２８を形成する。
周知のように、誘電体磁器材料から成るグリーンシート
（未焼成セラミックシート）を複数枚用意する。次に複
数のグリーンシートに第１及び第２の内部電極２２、２
４を得るためのＡｇ（銀）とＰｄ（パラジウム）との混
合物を導電材料とする導電ペーストを所望パターンに塗
布して積層し、更にこの上下に導電ペーストを重ね、こ
れ等を圧着した後に、所望形状にカッティングして焼成
する。これにより、図２に示す第１及び第２の内部電極
２２、２４を伴なった磁器基体２０が得られる。しかる
後、磁器基体２０の側面に導電ペースト（Ａｇペース
ト）を塗布して焼付けることによって第１及び第２の外
部電極２６、２８を形成する。
【００２８】図２の積層コンデンサ１８についても、図
１の磁器コンデンサ１０と同様に表１の試料NO. １、
３、４、７、８、１１、１２、１５、１６、１９、２
０、２３、２４、２６、２７と同一の組成の試料をそれ
ぞれ作成し、これ等のεmax 、tan δ、ρ、Ｄ、及び巨
大粒子を測定したところ、本発明の目標特性を満足して
いた。
１の磁器コンデンサ１０と同様に表１の試料NO. １、
３、４、７、８、１１、１２、１５、１６、１９、２
０、２３、２４、２６、２７と同一の組成の試料をそれ
ぞれ作成し、これ等のεmax 、tan δ、ρ、Ｄ、及び巨
大粒子を測定したところ、本発明の目標特性を満足して
いた。
【００２９】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 焼成温度は例えば１０００〜１４００℃の範囲
で変えることができる。また、仮焼の温度を例えば１０
００〜１３００℃の範囲で変えることができる。 （２） 誘電体磁器材料の出発物質として、Ｅｒ2 Ｏ3
の代りにＥｒ（ＯＨ）3 等のエルビニウム化合物を使用
することができる。 （３） 誘電体磁器材料の出発物質としてＭｎＯの代り
に、Ｍｎ3 Ｏ4 、Ｍｎ2 Ｏ3 、ＭｎＯ2 等の酸化物、Ｍ
ｎ（ＯＨ）2 、ＭｎＯ（ＯＨ）等の水酸化物を使用する
ことができる。 （４） 内部電極を得るための導電材料として、Ａｇ
（銀）とＰｄ（パラジウム）との混合物の代わりにＰｄ
（パラジウム）１００％を使用することができる。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 焼成温度は例えば１０００〜１４００℃の範囲
で変えることができる。また、仮焼の温度を例えば１０
００〜１３００℃の範囲で変えることができる。 （２） 誘電体磁器材料の出発物質として、Ｅｒ2 Ｏ3
の代りにＥｒ（ＯＨ）3 等のエルビニウム化合物を使用
することができる。 （３） 誘電体磁器材料の出発物質としてＭｎＯの代り
に、Ｍｎ3 Ｏ4 、Ｍｎ2 Ｏ3 、ＭｎＯ2 等の酸化物、Ｍ
ｎ（ＯＨ）2 、ＭｎＯ（ＯＨ）等の水酸化物を使用する
ことができる。 （４） 内部電極を得るための導電材料として、Ａｇ
（銀）とＰｄ（パラジウム）との混合物の代わりにＰｄ
（パラジウム）１００％を使用することができる。
【図１】第１の実施例の磁器コンデンサを示す正面図で
ある。
ある。
【図２】第２の実施例の積層磁器コンデンサを示す断面
図である。
図である。
１２ 誘電体磁器基体 １４、１６ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渋谷 和行 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 （ＢａαＣａβＥｒγＯk ）（Ｔｉ1-x
Ｚｒx Ｏ2 ） ここで、α、β、γ、ｋ、ｘは、 ０．０１≦β≦０．１２ ０．００３≦γ≦０．０３ ０．９９６≦α＋β＋γ＝ｋ≦１．０３０ ０．１０≦ｘ≦０．２０ を満足する数値、から成る１００重量部の基本成分と、 ０．０５〜０．５０重量部の酸化マンガンと、 ０．００２〜０．４００重量部の酸化亜鉛と酸化ニッケ
ルの内のいずれか一方又は両方から成る金属酸化物とを
含む誘電体磁器。 - 【請求項２】 誘電体磁器基体と、この誘電体磁器基体
に接触している少なくとも２つの電極から成る磁器コン
デンサであって、前記誘電体磁器基体が、 （ＢａαＣａβＥｒγＯk ）（Ｔｉ1-x Ｚｒx Ｏ2 ） ここで、α、β、γ、ｋ、ｘは、 ０．０１≦β≦０．１２ ０．００３≦γ≦０．０３ ０．９９６≦α＋β＋γ＝ｋ≦１．０３０ ０．１０≦ｘ≦０．２０ を満足する数値、から成る１００重量部の基本成分と、 ０．０５〜０．５０重量部の酸化マンガンと、 ０．００２〜０．４００重量部の酸化亜鉛と酸化ニッケ
ルの内のいずれか一方又は両方から成る金属酸化物とか
ら成ることを特徴とする誘電体磁器コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4360665A JPH06203635A (ja) | 1992-12-29 | 1992-12-29 | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4360665A JPH06203635A (ja) | 1992-12-29 | 1992-12-29 | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06203635A true JPH06203635A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=18470389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4360665A Pending JPH06203635A (ja) | 1992-12-29 | 1992-12-29 | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06203635A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02123614A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-11 | Tdk Corp | 高誘電率系磁器組成物 |
| JPH03109256A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-09 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH04115409A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Murata Mfg Co Ltd | 非還元性誘電体磁器組成物 |
-
1992
- 1992-12-29 JP JP4360665A patent/JPH06203635A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02123614A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-11 | Tdk Corp | 高誘電率系磁器組成物 |
| JPH03109256A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-09 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH04115409A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Murata Mfg Co Ltd | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4345071B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ、及び該積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| KR19990072723A (ko) | 유전체세라믹조성물,적층세라믹커패시터및적층세라믹커패시터의제조방법 | |
| JP2566995B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物及びセラミックコンデンサ | |
| JPH0925162A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| JP2915217B2 (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| JP3634930B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2001278659A (ja) | 誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH0676627A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2779740B2 (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| JP2872512B2 (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| JPH06203635A (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| JP2872513B2 (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| JPH06203634A (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| KR890002696B1 (ko) | 고유전율 세라믹 재료 및 그 제조방법 | |
| JP3385630B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP3233020B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP3600701B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06260023A (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| JPH1095667A (ja) | 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサ | |
| JP3389947B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた厚膜コンデンサ | |
| JP2958826B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2952061B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH0745474A (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| JPH056710A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH08119728A (ja) | 誘電体磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19981208 |