JPH0620263A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0620263A JPH0620263A JP19750692A JP19750692A JPH0620263A JP H0620263 A JPH0620263 A JP H0620263A JP 19750692 A JP19750692 A JP 19750692A JP 19750692 A JP19750692 A JP 19750692A JP H0620263 A JPH0620263 A JP H0620263A
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- Japan
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- carbon
- film
- magnetic
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- magnetic recording
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐熱酸化性炭素質膜を保護膜として有するＣ
ＳＳ特性に優れた耐久性良好な磁気記録媒体とその製造
方法を提供する。 【構成】 バイアススパッターリング法によって、磁性
層上に炭素質保護膜を形成する。この炭素質保護膜は、
従来の炭素保護膜と比較し、酸化されにくく炭素の減少
量が少なく、大気中290 ℃で30分加熱後の炭素の減少量
が１０％以下であるか、320 ℃で30分加熱後の炭素の減
少量が30％以下とすくないので、ヘッドの摺動に起因す
る摩擦により保護膜の温度が約300 ℃程度以上の温度に
上昇しても酸化損傷しにくい。これにより、ＣＳＳ特性
に優れ、耐久性のよい磁気記録媒体が得られる。さら
に、バイアススパッタリング法によって得られるSi、G
e、Fe、W 、Ptを含有させた炭素質保護膜も耐熱酸化性
に優れ、同様に優れたＣＳＳ特性と耐久性を有する磁気
記録媒体が得られる。
ＳＳ特性に優れた耐久性良好な磁気記録媒体とその製造
方法を提供する。 【構成】 バイアススパッターリング法によって、磁性
層上に炭素質保護膜を形成する。この炭素質保護膜は、
従来の炭素保護膜と比較し、酸化されにくく炭素の減少
量が少なく、大気中290 ℃で30分加熱後の炭素の減少量
が１０％以下であるか、320 ℃で30分加熱後の炭素の減
少量が30％以下とすくないので、ヘッドの摺動に起因す
る摩擦により保護膜の温度が約300 ℃程度以上の温度に
上昇しても酸化損傷しにくい。これにより、ＣＳＳ特性
に優れ、耐久性のよい磁気記録媒体が得られる。さら
に、バイアススパッタリング法によって得られるSi、G
e、Fe、W 、Ptを含有させた炭素質保護膜も耐熱酸化性
に優れ、同様に優れたＣＳＳ特性と耐久性を有する磁気
記録媒体が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は耐熱酸化性にすぐれた炭
素質膜を保護膜として有する磁気記録媒体に関するもの
であり、特にＣＳＳ特性の良好な耐久性のある磁気記録
媒体に関するものである。
素質膜を保護膜として有する磁気記録媒体に関するもの
であり、特にＣＳＳ特性の良好な耐久性のある磁気記録
媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録装置はますます高記録密
度化され、これに伴い高い信頼性を有する磁気記録媒体
の開発が望まれている。高い信頼性を有する磁気記録媒
体を得るためには、通常磁気ヘッドとの接触や摺動時の
磁性層の摩耗、損傷を防ぐために保護層が設けられてい
る。この保護層として、炭素膜、Cr, Zr等の金属膜、Si
O2などの酸化物膜が使用されている。この中で、炭素膜
が最も広く用いられている。
度化され、これに伴い高い信頼性を有する磁気記録媒体
の開発が望まれている。高い信頼性を有する磁気記録媒
体を得るためには、通常磁気ヘッドとの接触や摺動時の
磁性層の摩耗、損傷を防ぐために保護層が設けられてい
る。この保護層として、炭素膜、Cr, Zr等の金属膜、Si
O2などの酸化物膜が使用されている。この中で、炭素膜
が最も広く用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、磁気
記録媒体の保護層（以下、保護膜という）は長時間磁気
ヘッドと擦れあっていると保護膜の表面が変化する等の
原因により、磁気ヘッドと磁気記録媒体間に大きな摩擦
力が生じる場合がある。このような現象が起こると磁気
ヘッドや磁気記録媒体にキズが発生してしまい、記録再
生が困難になるという問題点があった。
記録媒体の保護層（以下、保護膜という）は長時間磁気
ヘッドと擦れあっていると保護膜の表面が変化する等の
原因により、磁気ヘッドと磁気記録媒体間に大きな摩擦
力が生じる場合がある。このような現象が起こると磁気
ヘッドや磁気記録媒体にキズが発生してしまい、記録再
生が困難になるという問題点があった。
【０００４】この保護膜表面の変化は、保護膜表面が磁
気ヘッドと擦れあう際に発生する摩擦熱によるものと考
えられる。この摩擦熱により保護膜と磁気ヘッドとの界
面の温度は微小領域では 300℃程度になることが報告さ
れている。（例えば、STLE Special Publication SP-25
(1988)30.)
気ヘッドと擦れあう際に発生する摩擦熱によるものと考
えられる。この摩擦熱により保護膜と磁気ヘッドとの界
面の温度は微小領域では 300℃程度になることが報告さ
れている。（例えば、STLE Special Publication SP-25
(1988)30.)
【０００５】一方、この保護膜として従来から使用され
ている炭素膜の熱安定性について調べたところ、270 ℃
程度の温度から酸化されはじめ、 320℃で加熱すること
により炭素が完全にガス化していることが確認されてい
る。これらのことから、上述した問題は磁気ヘッドが摺
動することにより炭素膜の温度が上り、表面層から徐々
に酸化され、炭素膜が自ら持っている耐摩耗性や潤滑性
を失い、保護膜としての役割を果たさなくなり、磁性膜
が損傷されることによって起ると考えられている。
ている炭素膜の熱安定性について調べたところ、270 ℃
程度の温度から酸化されはじめ、 320℃で加熱すること
により炭素が完全にガス化していることが確認されてい
る。これらのことから、上述した問題は磁気ヘッドが摺
動することにより炭素膜の温度が上り、表面層から徐々
に酸化され、炭素膜が自ら持っている耐摩耗性や潤滑性
を失い、保護膜としての役割を果たさなくなり、磁性膜
が損傷されることによって起ると考えられている。
【０００６】本発明は上述した問題点を解決するために
なされたもので、たとえば磁気記録媒体等の保護膜とし
て、耐摩耗性にすぐれ、長時間磁気ヘッドを摺動しても
摩擦力の増加の少ない耐熱酸化性炭素質膜からなる保護
膜を有する磁気記録媒体及びその製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
なされたもので、たとえば磁気記録媒体等の保護膜とし
て、耐摩耗性にすぐれ、長時間磁気ヘッドを摺動しても
摩擦力の増加の少ない耐熱酸化性炭素質膜からなる保護
膜を有する磁気記録媒体及びその製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の発明の特
徴は、非磁性基板上に、少なくとも磁性層、保護層が形
成されてなる磁気記録媒体において、前記保護層が炭素
を主成分とした膜であって、大気雰囲気中で 290℃の温
度で30分間加熱した後の炭素の減少量が１０％以下であ
るか、または320 ℃の温度で30分間加熱した後の炭素の
減少量が３０％以下である耐熱酸化性炭素質膜からなる
ことにある。
徴は、非磁性基板上に、少なくとも磁性層、保護層が形
成されてなる磁気記録媒体において、前記保護層が炭素
を主成分とした膜であって、大気雰囲気中で 290℃の温
度で30分間加熱した後の炭素の減少量が１０％以下であ
るか、または320 ℃の温度で30分間加熱した後の炭素の
減少量が３０％以下である耐熱酸化性炭素質膜からなる
ことにある。
【０００８】又、第２の発明の特徴は、前記耐熱酸化性
炭素質膜がSi, Ge, Fe, W または Pt から選ばれた少な
くとも１種以上の元素を含有してなることにある。又、
第３の発明の特徴は、磁性層が形成された前記非磁性基
板にマイナス電圧を印加してスパッタリングする方法に
よって作製された請求項１または請求項２の磁気記録媒
体である。
炭素質膜がSi, Ge, Fe, W または Pt から選ばれた少な
くとも１種以上の元素を含有してなることにある。又、
第３の発明の特徴は、磁性層が形成された前記非磁性基
板にマイナス電圧を印加してスパッタリングする方法に
よって作製された請求項１または請求項２の磁気記録媒
体である。
【０００９】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明にいう耐熱酸化性炭素質膜とは、炭素成分が99重量
％以上からなる炭素を主成分とする炭素質膜か、もしく
はSi, Ge, Fe, W またはPtなどを20原子％以下を含み残
りが炭素成分からなる炭素質膜をいい、通常非晶質構造
を有する。そして、非磁性基板上に形成されたこの耐熱
酸化性炭素質膜を大気雰囲気中で 290℃の温度で30分間
加熱した後の酸化による炭素の減少量が１０％以下であ
るか、または 320℃の温度で30分間加熱した後の酸化に
よる炭素の減少量が３０％以下であるものをいう。
発明にいう耐熱酸化性炭素質膜とは、炭素成分が99重量
％以上からなる炭素を主成分とする炭素質膜か、もしく
はSi, Ge, Fe, W またはPtなどを20原子％以下を含み残
りが炭素成分からなる炭素質膜をいい、通常非晶質構造
を有する。そして、非磁性基板上に形成されたこの耐熱
酸化性炭素質膜を大気雰囲気中で 290℃の温度で30分間
加熱した後の酸化による炭素の減少量が１０％以下であ
るか、または 320℃の温度で30分間加熱した後の酸化に
よる炭素の減少量が３０％以下であるものをいう。
【００１０】このような熱安定性の優れた炭素質膜を保
護膜として有する磁気記録媒体は、磁性層が形成された
非磁性基板にマイナス電圧を印加してスパッタリングす
る方法（バイアススパッタリング法）によって作製され
る。次に、本発明の耐熱酸化性炭素質膜を保護膜として
有する磁気記録媒体をバイアススパッタリング法によっ
て作製する過程について詳細に説明する。
護膜として有する磁気記録媒体は、磁性層が形成された
非磁性基板にマイナス電圧を印加してスパッタリングす
る方法（バイアススパッタリング法）によって作製され
る。次に、本発明の耐熱酸化性炭素質膜を保護膜として
有する磁気記録媒体をバイアススパッタリング法によっ
て作製する過程について詳細に説明する。
【００１１】まず、アルミニウム合金基板１の表面にNi
-P層２を設け、その表面をポリッシング処理し、さらに
テクスチャー加工した非磁性基板を用いる。次に該基板
上に磁性層４を設ける。磁性層４はスパッタリング法に
よるCoNiCr、CoCrTa、CoCrPt膜やメッキ法によるCo-Pt
膜などに限定されるものではない。スパッタリング法に
よりCoNiCr、CoCrTa、CoCrPtなどの磁性層を設ける場合
には、高い抗磁力を得るために磁性層４の下地層として
Cr層３を設けても良い。
-P層２を設け、その表面をポリッシング処理し、さらに
テクスチャー加工した非磁性基板を用いる。次に該基板
上に磁性層４を設ける。磁性層４はスパッタリング法に
よるCoNiCr、CoCrTa、CoCrPt膜やメッキ法によるCo-Pt
膜などに限定されるものではない。スパッタリング法に
よりCoNiCr、CoCrTa、CoCrPtなどの磁性層を設ける場合
には、高い抗磁力を得るために磁性層４の下地層として
Cr層３を設けても良い。
【００１２】この磁性層４を設けた基板上に保護膜５と
して炭素質膜をスパッタリング法で設ける。磁性層をス
パッタリング法で形成した場合は、磁性層の形成に引き
続いて保護膜を成膜することができる。本発明をおいて
は、該炭素質膜をスパッタリング法で設ける際に、磁性
層を設けた基板を図２の真空槽11中の基板ホルダー14に
設置し、基板ホルダーにＤＣバイアス電源16を接続し、
マイナスの電圧を印加しながらバイアススパッタリング
を行う。炭素質膜を形成する際にバイアススパッタリン
グすることにより、炭素質膜の構造が変化して熱安定性
が高まり、磁気記録媒体の耐久性が改善される。
して炭素質膜をスパッタリング法で設ける。磁性層をス
パッタリング法で形成した場合は、磁性層の形成に引き
続いて保護膜を成膜することができる。本発明をおいて
は、該炭素質膜をスパッタリング法で設ける際に、磁性
層を設けた基板を図２の真空槽11中の基板ホルダー14に
設置し、基板ホルダーにＤＣバイアス電源16を接続し、
マイナスの電圧を印加しながらバイアススパッタリング
を行う。炭素質膜を形成する際にバイアススパッタリン
グすることにより、炭素質膜の構造が変化して熱安定性
が高まり、磁気記録媒体の耐久性が改善される。
【００１３】バイアススパッタリング時の雰囲気ガス
は、Arが最も安定して操作でき、かつ経済的で好ましい
が、その他の不活性ガス（例えば、He、Ne、Kr、Xeな
ど）も使用できる。また、CH4 、C2H4、C3H8、C6H6など
の炭化水素ガス、H2ガスも使用することができる。さら
に、これら不活性ガス、炭化水素ガス、H2ガスとの混合
ガスも使用することができる。雰囲気圧力は１〜５×10
-3 Torr で行うのが好ましい。
は、Arが最も安定して操作でき、かつ経済的で好ましい
が、その他の不活性ガス（例えば、He、Ne、Kr、Xeな
ど）も使用できる。また、CH4 、C2H4、C3H8、C6H6など
の炭化水素ガス、H2ガスも使用することができる。さら
に、これら不活性ガス、炭化水素ガス、H2ガスとの混合
ガスも使用することができる。雰囲気圧力は１〜５×10
-3 Torr で行うのが好ましい。
【００１４】磁性層が形成された非磁性基板に印加する
バイアス電圧は、−50〜−500 Ｖが好ましい。−50Ｖよ
り小さい（＞−50Ｖ）と、炭素質膜の耐熱酸化性は良好
でなく、バイアス電圧が−500 Ｖより大きい（＜−500
Ｖ）とスパッタ放電が不安定になる。
バイアス電圧は、−50〜−500 Ｖが好ましい。−50Ｖよ
り小さい（＞−50Ｖ）と、炭素質膜の耐熱酸化性は良好
でなく、バイアス電圧が−500 Ｖより大きい（＜−500
Ｖ）とスパッタ放電が不安定になる。
【００１５】なお、炭素質膜を形成するにあたり、黒鉛
からなるターゲットを使用する方法の他に、さらに磁気
記録媒体の耐久性を改善させるために炭素中にSi、Ge、
Fe、ＷまたはPtから選ばれた少なくとも１種の元素を含
有した合金ターゲットを使用するか、黒鉛からなるター
ゲット上にこれら少なくとも１種の元素からなる複合タ
ーゲットを使用し、２元素以上からなる炭素質膜を形成
してもよい。これら元素の含有量は多くても20原子％
で、より好ましくは１〜10原子％含有するものが良い。
また、磁気記録媒体の耐久性を改善させるために、通
常、保護膜としての炭素質膜上に、パーフルオロポリア
ルキルエーテルなどの潤滑剤が塗布されて潤滑層６が形
成される。
からなるターゲットを使用する方法の他に、さらに磁気
記録媒体の耐久性を改善させるために炭素中にSi、Ge、
Fe、ＷまたはPtから選ばれた少なくとも１種の元素を含
有した合金ターゲットを使用するか、黒鉛からなるター
ゲット上にこれら少なくとも１種の元素からなる複合タ
ーゲットを使用し、２元素以上からなる炭素質膜を形成
してもよい。これら元素の含有量は多くても20原子％
で、より好ましくは１〜10原子％含有するものが良い。
また、磁気記録媒体の耐久性を改善させるために、通
常、保護膜としての炭素質膜上に、パーフルオロポリア
ルキルエーテルなどの潤滑剤が塗布されて潤滑層６が形
成される。
【００１６】
【作用】本発明においては、炭素質膜をスパッタリング
法により形成する時に磁性層が形成された非磁性基板に
負バイアスを印加してスパッタリングを行うと、バイア
ス印加により加速されたAr+ などのイオンは、生成中の
炭素質膜に衝突し、膜の中部に侵入し、膜を構成するカ
ーボン原子間に過剰な力の作用を生み出し、従って耐熱
酸化性の強い炭素質膜を形成することができる。バイア
ス電圧と形成された炭素質膜の耐熱酸化性とは強い相関
があり、バイアス電圧を−50Ｖ〜−500 Ｖにすることに
より、290 ℃以上の温度で加熱しても、炭素の減少量の
少ない炭素質膜を形成することができる。
法により形成する時に磁性層が形成された非磁性基板に
負バイアスを印加してスパッタリングを行うと、バイア
ス印加により加速されたAr+ などのイオンは、生成中の
炭素質膜に衝突し、膜の中部に侵入し、膜を構成するカ
ーボン原子間に過剰な力の作用を生み出し、従って耐熱
酸化性の強い炭素質膜を形成することができる。バイア
ス電圧と形成された炭素質膜の耐熱酸化性とは強い相関
があり、バイアス電圧を−50Ｖ〜−500 Ｖにすることに
より、290 ℃以上の温度で加熱しても、炭素の減少量の
少ない炭素質膜を形成することができる。
【００１７】一方、磁気ディスク使用時に於いてはその
保護膜の温度は約 290℃程度まで上昇するので、その耐
久性は保護膜の耐熱酸化性に大きく左右される。本発明
の炭素質膜は 290℃以上の温度においても酸化されにく
く、保護膜としての耐摩耗性を十分に発揮できるので磁
性層を保護し、良好な磁気記録媒体を提供することがで
きる。
保護膜の温度は約 290℃程度まで上昇するので、その耐
久性は保護膜の耐熱酸化性に大きく左右される。本発明
の炭素質膜は 290℃以上の温度においても酸化されにく
く、保護膜としての耐摩耗性を十分に発揮できるので磁
性層を保護し、良好な磁気記録媒体を提供することがで
きる。
【００１８】
【実施例】以下に、実施例をあげて本発明を具体的に説
明する。 （実施例１〜７）以下、本発明の実施例について、図１
及び図２を用いて具体的に説明する。アルミニウム合金
基板１の表面に無電解メッキ法によりNi-Pメッキ層２を
形成し、その表面をポリッシングマシンで精密研磨しテ
クスチャー処理を行い、非磁性基板（3.５インチφ）を
作製した。この非磁性基板上にDCマグネトロンスパッタ
法により、３×10-3 Torr のＡr 雰囲気中で、下地Cr層
500Å、CoCrTa磁性層500Å設けた。この時、非磁性基
板を加熱し基板温度 200℃で実施した。磁性層の形成に
引き続いて、炭素質膜の形成を行った。炭素質膜は、黒
鉛をターゲットとして用い、磁性層が形成されている非
磁性基板にマイナスの電圧を−50〜−500 Ｖ印加しなが
らバイアススパッタリングを行った。
明する。 （実施例１〜７）以下、本発明の実施例について、図１
及び図２を用いて具体的に説明する。アルミニウム合金
基板１の表面に無電解メッキ法によりNi-Pメッキ層２を
形成し、その表面をポリッシングマシンで精密研磨しテ
クスチャー処理を行い、非磁性基板（3.５インチφ）を
作製した。この非磁性基板上にDCマグネトロンスパッタ
法により、３×10-3 Torr のＡr 雰囲気中で、下地Cr層
500Å、CoCrTa磁性層500Å設けた。この時、非磁性基
板を加熱し基板温度 200℃で実施した。磁性層の形成に
引き続いて、炭素質膜の形成を行った。炭素質膜は、黒
鉛をターゲットとして用い、磁性層が形成されている非
磁性基板にマイナスの電圧を−50〜−500 Ｖ印加しなが
らバイアススパッタリングを行った。
【００１９】このようにして得られた磁気記録媒体（以
下、媒体という）の保護膜の耐熱酸化性を調べた。耐熱
酸化性とは、炭素質膜の熱安定性を示すもので、大気中
でホットプレート上に媒体を放置し、 250℃〜 370℃の
各温度で30分加熱し、炭素質膜の炭素の減少量を求め、
この減少量が少ないものを耐熱酸化性が強く熱安定性が
よいものとする。媒体の加熱と温度の測定は図４に示す
ように、ホットプレート（ＡＤＶＡＮＴＥＣ社製 SR 3
50 )21上に媒体22を置き、媒体上のＥＤＸ測定点 25 よ
り１cmずらした点26の位置（ 25 及び26の位置は媒体の
中心からｒ＝３０mm）の温度を接触式温度計 23 、24
（ＹＯＫＯＧＡＷＡ製 Ｍodel 2455 ）で測定して目的
の温度となるように、ホットプレートの温度設定を調整
した。一方、炭素の減少量は EDX（エネルギー分散型Ｘ
線分光法；ＥＤＡＸ社製 PV9900 ）を用い、加熱前後
での EDXの炭素ピーク強度を測定し、その炭素ピーク強
度の比から算出した。各温度での炭素の減少量は同一媒
体の同一位置の測定値である。
下、媒体という）の保護膜の耐熱酸化性を調べた。耐熱
酸化性とは、炭素質膜の熱安定性を示すもので、大気中
でホットプレート上に媒体を放置し、 250℃〜 370℃の
各温度で30分加熱し、炭素質膜の炭素の減少量を求め、
この減少量が少ないものを耐熱酸化性が強く熱安定性が
よいものとする。媒体の加熱と温度の測定は図４に示す
ように、ホットプレート（ＡＤＶＡＮＴＥＣ社製 SR 3
50 )21上に媒体22を置き、媒体上のＥＤＸ測定点 25 よ
り１cmずらした点26の位置（ 25 及び26の位置は媒体の
中心からｒ＝３０mm）の温度を接触式温度計 23 、24
（ＹＯＫＯＧＡＷＡ製 Ｍodel 2455 ）で測定して目的
の温度となるように、ホットプレートの温度設定を調整
した。一方、炭素の減少量は EDX（エネルギー分散型Ｘ
線分光法；ＥＤＡＸ社製 PV9900 ）を用い、加熱前後
での EDXの炭素ピーク強度を測定し、その炭素ピーク強
度の比から算出した。各温度での炭素の減少量は同一媒
体の同一位置の測定値である。
【００２０】図５に比較例１の炭素質膜の加熱前後の E
DXによる測定チャートを示す。（ａ）は加熱前の測定チ
ャート、（ｂ）は２９０℃加熱後の測定チャートを示
す。図中に示すように、炭素ピークは0.23 keVに検出さ
れるので、この炭素ピーク強度（カウント数）から次の
式により、炭素の減少量を算出した。 炭素の減少量＝｛１−（Ｉh ／Ｉ0 ）｝× 100 （％） ここで、Ｉ0 は（ａ）に示す加熱前の炭素ピーク強度
（カウント数）であり、Ｉh は（ｂ）に示す加熱後の炭
素ピーク強度（カウント数）である。その結果を表１お
よび図３に示す。
DXによる測定チャートを示す。（ａ）は加熱前の測定チ
ャート、（ｂ）は２９０℃加熱後の測定チャートを示
す。図中に示すように、炭素ピークは0.23 keVに検出さ
れるので、この炭素ピーク強度（カウント数）から次の
式により、炭素の減少量を算出した。 炭素の減少量＝｛１−（Ｉh ／Ｉ0 ）｝× 100 （％） ここで、Ｉ0 は（ａ）に示す加熱前の炭素ピーク強度
（カウント数）であり、Ｉh は（ｂ）に示す加熱後の炭
素ピーク強度（カウント数）である。その結果を表１お
よび図３に示す。
【００２１】これらの結果から、炭素質膜を形成する際
に、磁性層が形成された非磁性基板にマイナス電圧を印
加しないでスパッタリングして炭素質膜を形成したもの
は、290 ℃以上では炭素質膜が酸化変質され、 EDXでの
炭素ピークの減少がみられるのに対して、磁性層が形成
された非磁性基板にマイナス電圧を−50Ｖ〜− 500Ｖ印
加することにより耐熱酸化性が改善され、290 ℃〜 320
℃で加熱しても炭素質膜中の炭素量の減少が著しく小さ
くなることがわかる。
に、磁性層が形成された非磁性基板にマイナス電圧を印
加しないでスパッタリングして炭素質膜を形成したもの
は、290 ℃以上では炭素質膜が酸化変質され、 EDXでの
炭素ピークの減少がみられるのに対して、磁性層が形成
された非磁性基板にマイナス電圧を−50Ｖ〜− 500Ｖ印
加することにより耐熱酸化性が改善され、290 ℃〜 320
℃で加熱しても炭素質膜中の炭素量の減少が著しく小さ
くなることがわかる。
【００２２】次に、これら媒体にパーフルオロポリアル
キルエーテル系の潤滑剤を塗布しミニモノリシックヘッ
ドを用い CSSテストを行った。このテストは CSS測定装
置を用いて行い、磁気ディスクをセットし磁気ディスク
の回転をスタート、ストップさせ、これを１サイクルと
し、１万サイクル終了後の磁気ディスクとヘッドとの摩
擦係数を求めることにより行った。摩擦係数の測定はト
ルク測定機（デイシー株式会社）で測定した。表２に示
すように、耐熱酸化性の改善効果とともに、非磁性基板
にマイナス電圧を−50Ｖ〜− 500Ｖ印加し、バイアスス
パッタリングしたものは摩擦係数の上昇が抑制されてい
る。
キルエーテル系の潤滑剤を塗布しミニモノリシックヘッ
ドを用い CSSテストを行った。このテストは CSS測定装
置を用いて行い、磁気ディスクをセットし磁気ディスク
の回転をスタート、ストップさせ、これを１サイクルと
し、１万サイクル終了後の磁気ディスクとヘッドとの摩
擦係数を求めることにより行った。摩擦係数の測定はト
ルク測定機（デイシー株式会社）で測定した。表２に示
すように、耐熱酸化性の改善効果とともに、非磁性基板
にマイナス電圧を−50Ｖ〜− 500Ｖ印加し、バイアスス
パッタリングしたものは摩擦係数の上昇が抑制されてい
る。
【００２３】（実施例８〜１２）炭素質膜をスパッタリ
ングする時に、炭素中にSi、Ge、Fe、Ｗ、Ptをそれぞれ
５原子％含有するターゲットを用い、磁性層が形成され
た非磁性基板に印加するマイナス電圧を−200 Ｖとした
他は、実施例１〜７と同様に媒体作成を行った。炭素質
膜の耐熱酸化性の測定結果を表１および図３に示す。ま
た、CSS テスト結果を表２に示す。バイアススパッタに
より耐熱酸化性および CSS時の摩擦係数の増加が改善さ
れている。
ングする時に、炭素中にSi、Ge、Fe、Ｗ、Ptをそれぞれ
５原子％含有するターゲットを用い、磁性層が形成され
た非磁性基板に印加するマイナス電圧を−200 Ｖとした
他は、実施例１〜７と同様に媒体作成を行った。炭素質
膜の耐熱酸化性の測定結果を表１および図３に示す。ま
た、CSS テスト結果を表２に示す。バイアススパッタに
より耐熱酸化性および CSS時の摩擦係数の増加が改善さ
れている。
【００２４】（比較例１）炭素質膜スパッタリングする
時に、磁性層が形成された非磁性基板にマイナス電圧を
印加せずに成膜した他は、実施例１〜７と同様に媒体作
成を行った。炭素質膜の耐熱酸化性の結果を表１および
図３に示す。また、 CSSテスト結果を表２に示す。
時に、磁性層が形成された非磁性基板にマイナス電圧を
印加せずに成膜した他は、実施例１〜７と同様に媒体作
成を行った。炭素質膜の耐熱酸化性の結果を表１および
図３に示す。また、 CSSテスト結果を表２に示す。
【００２５】（比較例２〜４）磁性層が形成された非磁
性基板にマイナス電圧を印加することなしに成膜した他
は、同じ条件で実施例８〜12に対応したターゲットを用
いてスパッタリングして媒体を作製した。炭素質膜の耐
熱酸化性の結果を表１および図３に示す。また CSSテス
ト結果を表２に示す。
性基板にマイナス電圧を印加することなしに成膜した他
は、同じ条件で実施例８〜12に対応したターゲットを用
いてスパッタリングして媒体を作製した。炭素質膜の耐
熱酸化性の結果を表１および図３に示す。また CSSテス
ト結果を表２に示す。
【００２６】本発明は、上記実施例に限るものでなく、
例えば、非磁性基板はアルミニウム合金基板で説明を行
ったが、ガラス基板やカーボン基板を用いてもよい。
例えば、非磁性基板はアルミニウム合金基板で説明を行
ったが、ガラス基板やカーボン基板を用いてもよい。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、炭素質膜をスパッタリ
ングして形成する時に磁性層が形成された非磁性基板に
マイナスのバイアス電圧を印加することにより、耐熱酸
化性が改善され CSSテスト時の摩擦係数の増加が抑えら
れている。したがって、本発明は耐久性の高い磁気記録
媒体を得る方法として極めて有用である。
ングして形成する時に磁性層が形成された非磁性基板に
マイナスのバイアス電圧を印加することにより、耐熱酸
化性が改善され CSSテスト時の摩擦係数の増加が抑えら
れている。したがって、本発明は耐久性の高い磁気記録
媒体を得る方法として極めて有用である。
【図１】 本発明の磁気記録媒体の断面図である。
【図２】 本発明の磁気記録媒体を作製する装置の一例
を示す図である。
を示す図である。
【図３】 本発明の実施例と比較例の耐熱酸化性（加熱
後の炭素の減少量）を示すグラフである。
後の炭素の減少量）を示すグラフである。
【図４】 保護膜の耐熱酸化性を測定する加熱装置（ホ
ットプレート）及び方法を示す図であり、（ａ）は平面
図、（ｂ）は正面図である。
ットプレート）及び方法を示す図であり、（ａ）は平面
図、（ｂ）は正面図である。
【図５】 本発明の耐熱酸化性を算出するためのＥＤＸ
の測定チャートを示す図である。（ａ）は比較例例１の
加熱前のチャート、（ｂ）は比較例例１の加熱後のチャ
ートを示す。
の測定チャートを示す図である。（ａ）は比較例例１の
加熱前のチャート、（ｂ）は比較例例１の加熱後のチャ
ートを示す。
１；Ａl 合金基板 ２；Ｎi-Ｐメッキ層 ３；Ｃr 層 ４；磁性層 ５；保護層 ６；潤滑層 11；真空槽 12；炭素又は炭素質ターゲット 13；基板 14；基板ホルダー 15；絶縁物 16；ＤＣバイアス電源 17；ＤＣスパッタ電源 21；ホットプレート 22；媒体 23；接触式温度計測定部 24；接触式温度計表示部 25；ＥＤＸ測定点 26; 媒体温度測定点
【表１】
【表２】
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性基板上に、少なくとも磁性層、保
護層が形成されてなる磁気記録媒体において、前記保護
層が炭素を主成分とした膜であって、大気雰囲気中で 2
90℃の温度で30分間加熱した後の炭素の減少量が１０％
以下であるか、または320 ℃の温度で30分間加熱した後
の炭素の減少量が３０％以下である耐熱酸化性炭素質膜
からなることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記耐熱酸化性炭素質膜がSi, Ge, Fe,
W または Pt から選ばれた少なくとも１種以上の元素を
含有してなることを特徴とする請求項１の磁気記録媒
体。 - 【請求項３】 磁性層が形成された前記非磁性基板にマ
イナス電圧を印加してスパッタリングする方法によって
作製されたことを特徴とする請求項１または請求項２の
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19750692A JPH0620263A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19750692A JPH0620263A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620263A true JPH0620263A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16375612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19750692A Pending JPH0620263A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620263A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0724022A1 (en) * | 1995-01-26 | 1996-07-31 | International Business Machines Corporation | Sputter deposition of hydrogenated amorphous carbon film |
-
1992
- 1992-07-02 JP JP19750692A patent/JPH0620263A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0724022A1 (en) * | 1995-01-26 | 1996-07-31 | International Business Machines Corporation | Sputter deposition of hydrogenated amorphous carbon film |
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