JPH06202360A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPH06202360A JPH06202360A JP28727493A JP28727493A JPH06202360A JP H06202360 A JPH06202360 A JP H06202360A JP 28727493 A JP28727493 A JP 28727493A JP 28727493 A JP28727493 A JP 28727493A JP H06202360 A JPH06202360 A JP H06202360A
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- layer
- silicon
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 非公害物質である珪素を主成分とした電子写
真用感光体の半導体層を提供することである。 【構成】 導電性基板上に珪素を主成分とし、Ｐまたは
Ｎ型の半導体または半絶縁体の第１層を設け、該層上に
真性または実質的に真性の珪素半導体の第２の層を形成
する。さらに、珪素半導体の第２の層上に、電荷を捕獲
蓄積させるために、珪素を主成分とし炭素が添加された
半導体または半絶縁体の第３の層を形成する。かくし
て、第３の層に帯電した静電荷と選択的に光励起された
電荷とを再結合せしめ、また、この静電荷または光励起
された多数キャリアを裏面の導体に放電せしめる。
真用感光体の半導体層を提供することである。 【構成】 導電性基板上に珪素を主成分とし、Ｐまたは
Ｎ型の半導体または半絶縁体の第１層を設け、該層上に
真性または実質的に真性の珪素半導体の第２の層を形成
する。さらに、珪素半導体の第２の層上に、電荷を捕獲
蓄積させるために、珪素を主成分とし炭素が添加された
半導体または半絶縁体の第３の層を形成する。かくし
て、第３の層に帯電した静電荷と選択的に光励起された
電荷とを再結合せしめ、また、この静電荷または光励起
された多数キャリアを裏面の導体に放電せしめる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子写真用感光体に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】静電複写機に用いる感光体は、真性のII
−VI族の化合物半導体の光電効果を利用して選択的に静
電気を帯電させていた。しかし、この化合物半導体は、
材料自体が公害物質であり、発ガン性物質が印刷されて
いるに加えて、光照射により発生した電荷によりすでに
帯電した電荷との中和をコントラストを大にして（Ｓ／
Ｎ比を大きくして）行わしめることには満足できるもの
ではなかった。さらに、耐久性においても不十分であっ
た。
−VI族の化合物半導体の光電効果を利用して選択的に静
電気を帯電させていた。しかし、この化合物半導体は、
材料自体が公害物質であり、発ガン性物質が印刷されて
いるに加えて、光照射により発生した電荷によりすでに
帯電した電荷との中和をコントラストを大にして（Ｓ／
Ｎ比を大きくして）行わしめることには満足できるもの
ではなかった。さらに、耐久性においても不十分であっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、非公害物質である珪素を主成分とした電子写真用感
光体の半導体層を提供することである。
は、非公害物質である珪素を主成分とした電子写真用感
光体の半導体層を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このために、本発明は、
導電性基板上に珪素を主成分とし、ＰまたはＮ型の半導
体または半絶縁体の第１層を設け、該層上に真性または
実質的に真性の珪素半導体の第２の層を形成したもので
ある。さらに、珪素半導体の第２の層上に、珪素を主成
分とし炭素が添加された半導体または半絶縁体の第３の
層を形成した。さらに、第３の層は、エネルギバンド的
に井戸構成を有する電荷を捕獲蓄積させる層とした。す
なわち、半導体のクラスタまたは膜をサンドウィッチ化
した電荷捕獲層を設け、該層に帯電した静電荷と選択的
に光励起された電荷とを再結合せしめ、また、この静電
荷または光励起された多数キャリアを裏面の導体に放電
せしめる。
導電性基板上に珪素を主成分とし、ＰまたはＮ型の半導
体または半絶縁体の第１層を設け、該層上に真性または
実質的に真性の珪素半導体の第２の層を形成したもので
ある。さらに、珪素半導体の第２の層上に、珪素を主成
分とし炭素が添加された半導体または半絶縁体の第３の
層を形成した。さらに、第３の層は、エネルギバンド的
に井戸構成を有する電荷を捕獲蓄積させる層とした。す
なわち、半導体のクラスタまたは膜をサンドウィッチ化
した電荷捕獲層を設け、該層に帯電した静電荷と選択的
に光励起された電荷とを再結合せしめ、また、この静電
荷または光励起された多数キャリアを裏面の導体に放電
せしめる。
【０００５】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面に従って説明す
る。 図１は、本発明を適用させるべき静電複写機の要
素を示したものである。すなわち、図１（Ａ）において
導電性基板上に光導電性の半導体１が設けられている。
さらにこの後、図１（Ｃ）に示すように、光５を局部的
に吸着した領域６、６′、６″の静電気は導体２へと放
出される。加えて光励起で発生した電気・ホール対のう
ち図面では負の電子がこの正の静電気と再結合して中和
する。このようにして半導体上に選択的に静電気を分布
せしめることができた。
る。 図１は、本発明を適用させるべき静電複写機の要
素を示したものである。すなわち、図１（Ａ）において
導電性基板上に光導電性の半導体１が設けられている。
さらにこの後、図１（Ｃ）に示すように、光５を局部的
に吸着した領域６、６′、６″の静電気は導体２へと放
出される。加えて光励起で発生した電気・ホール対のう
ち図面では負の電子がこの正の静電気と再結合して中和
する。このようにして半導体上に選択的に静電気を分布
せしめることができた。
【０００６】図２は、この原理を応用した回転ドラム形
の半導体を用いた光導電性半導体層を設けた電子式複写
機の原理を示している。
の半導体を用いた光導電性半導体層を設けた電子式複写
機の原理を示している。
【０００７】すなわち、回転ドラムの表面部分はＰまた
はＮ型の半導体と真性または実質的に真性の半導体との
多層構造が図１と同様に設けられている。
はＮ型の半導体と真性または実質的に真性の半導体との
多層構造が図１と同様に設けられている。
【０００８】さらに、静電気発生源８より放出された静
電気は、ドラムの上面の半導体表面に３のように均一に
分布される。さらに、光源７より物体（例えば印刷され
た紙表面）１１の反射光５がスリット９を経てドラム上
を照射する。すると照射された表面領域の半導体中で光
起電力を発生し、その負の電荷の表面静電気との再結合
及び正の電荷の基板導体への放出により、その反射光５
に従って静電気４の濃淡ができる。
電気は、ドラムの上面の半導体表面に３のように均一に
分布される。さらに、光源７より物体（例えば印刷され
た紙表面）１１の反射光５がスリット９を経てドラム上
を照射する。すると照射された表面領域の半導体中で光
起電力を発生し、その負の電荷の表面静電気との再結合
及び正の電荷の基板導体への放出により、その反射光５
に従って静電気４の濃淡ができる。
【０００９】さらに、この回転ドラムの表面は、１２の
部分にて炭素粉またはそれと似質の混合物（１．０〜１
００μの粒径）の黒粉体をドラム表面上に分布せしめ
る。するとこの粉体は静電気の量に比例してドラム表面
に付着する。いわゆる「可視化」を行う。
部分にて炭素粉またはそれと似質の混合物（１．０〜１
００μの粒径）の黒粉体をドラム表面上に分布せしめ
る。するとこの粉体は静電気の量に比例してドラム表面
に付着する。いわゆる「可視化」を行う。
【００１０】さらに、このドラムの回転（スピードは１
〜１０秒／回転）と同じスピードにてこの黒粉体の表面
に接して被複写体例えば新しい紙１３が移動し、この粉
体を被複写体上に付着せしめる。この後この紙１３は焼
付、定着を経て複写が完成する。ドラムの表面に残存し
た粉体はブラシ１４により完全に除去した後、最初の静
電気発生源に至る。
〜１０秒／回転）と同じスピードにてこの黒粉体の表面
に接して被複写体例えば新しい紙１３が移動し、この粉
体を被複写体上に付着せしめる。この後この紙１３は焼
付、定着を経て複写が完成する。ドラムの表面に残存し
た粉体はブラシ１４により完全に除去した後、最初の静
電気発生源に至る。
【００１１】図３は、従来の非接合型の光導電性半導体
１のエネルギバンド図である。図面において静電気３、
裏面の導体２が設けられ、光照射により電子・ホール対
が形成されるが、この半導体はＣｄＳ等の化合物半導体
であり真性であるため、フェルミレベル２２が中央に存
在している。さらにこの半導体１の表面に静電気が吸着
して安定状態になったエネルギバンド図が図３（Ｂ）に
示されている。
１のエネルギバンド図である。図面において静電気３、
裏面の導体２が設けられ、光照射により電子・ホール対
が形成されるが、この半導体はＣｄＳ等の化合物半導体
であり真性であるため、フェルミレベル２２が中央に存
在している。さらにこの半導体１の表面に静電気が吸着
して安定状態になったエネルギバンド図が図３（Ｂ）に
示されている。
【００１２】本発明のドラムを製造するプラズマＣＶＤ
法を用いた製造装置を図４および図５に示す。
法を用いた製造装置を図４および図５に示す。
【００１３】すなわち、真空可能な円筒形反応炉５０に
配設したドラム４２は直径２０〜４０ｃｍ、長さ２５〜
５０ｃｍを有しており、このドラム４２を０．１〜１回
／秒の速度にて回転させた。ドラムの表面はアルミニュ
ームまたはその化合物よりなり、表面の酸化アルミニュ
ームを珪化物気体を被膜化する前に真空中でプラズマス
パッタにてＡｒ、またはＡｒおよびＨ2 との混合気体に
よりドラム表面の被形成面をクリーニングして酸化物ま
たは汚物を除去した。この後、珪化物気体であるＳｉＨ
4 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、ＳｉＣｌ4 またはＳｉＦ4 を４０
より導入する。さらに、Ｐ型半導体を形成する場合には
III 価の不純物であるＢ2 Ｈ6 、ＩｎＣｌ3 を同時にヘ
リュームなどにより希釈して導入する。この後、プラズ
マを１〜５０ＭＨｚ、１〜１０ＧＨｚの周波数で１００
Ｗ〜１ＫＷのパワー（高周波出力）を加え、図５のよう
にドラム４２と、ドラムの円筒形に合わせて円弧状にし
た電極４７、４７′との間にプラズマ化を生ぜしめ、珪
素を主成分とした元素がドラム上に被着するようにこの
ドラムを２００〜４００℃に加熱しつつ、かつＤＣプラ
ズマＣＶＤを行った。さらに、Ｂ2 Ｈ6 、ＩｎＣｌ3 の
導入を中止し、真性または実質的に真性の半導体層を形
成させた。
配設したドラム４２は直径２０〜４０ｃｍ、長さ２５〜
５０ｃｍを有しており、このドラム４２を０．１〜１回
／秒の速度にて回転させた。ドラムの表面はアルミニュ
ームまたはその化合物よりなり、表面の酸化アルミニュ
ームを珪化物気体を被膜化する前に真空中でプラズマス
パッタにてＡｒ、またはＡｒおよびＨ2 との混合気体に
よりドラム表面の被形成面をクリーニングして酸化物ま
たは汚物を除去した。この後、珪化物気体であるＳｉＨ
4 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、ＳｉＣｌ4 またはＳｉＦ4 を４０
より導入する。さらに、Ｐ型半導体を形成する場合には
III 価の不純物であるＢ2 Ｈ6 、ＩｎＣｌ3 を同時にヘ
リュームなどにより希釈して導入する。この後、プラズ
マを１〜５０ＭＨｚ、１〜１０ＧＨｚの周波数で１００
Ｗ〜１ＫＷのパワー（高周波出力）を加え、図５のよう
にドラム４２と、ドラムの円筒形に合わせて円弧状にし
た電極４７、４７′との間にプラズマ化を生ぜしめ、珪
素を主成分とした元素がドラム上に被着するようにこの
ドラムを２００〜４００℃に加熱しつつ、かつＤＣプラ
ズマＣＶＤを行った。さらに、Ｂ2 Ｈ6 、ＩｎＣｌ3 の
導入を中止し、真性または実質的に真性の半導体層を形
成させた。
【００１４】反応炉内は珪化物気体特にシランを３〜３
０％、Ｈｅ９７〜７０％とし、さらにＢ2 Ｈ6 またはＩ
ｎＣｌ3 を０．１〜５％導入する場合はその量に相当す
る希釈材であるヘリュームを少なくした。ヘリュームは
すべての気体中最も軽く、かつ熱伝導率がＡｒ等に比べ
て約３倍も大きく、反応炉内の均熱化にきわめて好まし
い希釈ガスであった。
０％、Ｈｅ９７〜７０％とし、さらにＢ2 Ｈ6 またはＩ
ｎＣｌ3 を０．１〜５％導入する場合はその量に相当す
る希釈材であるヘリュームを少なくした。ヘリュームは
すべての気体中最も軽く、かつ熱伝導率がＡｒ等に比べ
て約３倍も大きく、反応炉内の均熱化にきわめて好まし
い希釈ガスであった。
【００１５】さらには、Ｈｅはイオン化する時の電離電
圧が２１ｅＶもあり、他の気体の１２〜１５ｅＶに比べ
てきわめて大きく、結果としてプラズマ状態の持続に対
してもその寄与が大であった。
圧が２１ｅＶもあり、他の気体の１２〜１５ｅＶに比べ
てきわめて大きく、結果としてプラズマ状態の持続に対
してもその寄与が大であった。
【００１６】さらに、この形成される被膜を半導体では
なく半絶縁体とするためには同様にアンモニアを添加し
た。するとＳｉ3 Ｎ4-x （０＜ｘ＜４）が形成され、窒
素が１０〜５０原子％添加されると、その膜はＥｇが
２．０〜３．０ｅＶと、珪素の１．０〜１．８ｅＶより
も大きくすることができ、耐磨耗性も向上した。本発明
の静電複写機は結果として、従来より公知の単純な珪素
ではなく、窒素が１０〜５０原子％添加され、特にこの
半導体の静電気が吸着する表面またはその近傍に窒素の
添加量を大とした。
なく半絶縁体とするためには同様にアンモニアを添加し
た。するとＳｉ3 Ｎ4-x （０＜ｘ＜４）が形成され、窒
素が１０〜５０原子％添加されると、その膜はＥｇが
２．０〜３．０ｅＶと、珪素の１．０〜１．８ｅＶより
も大きくすることができ、耐磨耗性も向上した。本発明
の静電複写機は結果として、従来より公知の単純な珪素
ではなく、窒素が１０〜５０原子％添加され、特にこの
半導体の静電気が吸着する表面またはその近傍に窒素の
添加量を大とした。
【００１７】このようにして、図６に示すように、導体
基板２上にＰ型半導体２１、真性または実質的に真性の
半導体２３よりなる半導体層１を形成した。
基板２上にＰ型半導体２１、真性または実質的に真性の
半導体２３よりなる半導体層１を形成した。
【００１８】この上面に電流を流し得る厚さの絶縁また
は半絶縁膜２６ここでは窒化珪素を１０〜１００Ａ（オ
ングストローム；以下Ａと表す）特に３０〜５０Ａを漸
次積層し、光導電性半導体または半絶縁体の層とした。
は半絶縁膜２６ここでは窒化珪素を１０〜１００Ａ（オ
ングストローム；以下Ａと表す）特に３０〜５０Ａを漸
次積層し、光導電性半導体または半絶縁体の層とした。
【００１９】この上面に半導体のクラスタ５０をエネル
ギ的に井戸型を構成するようにして同じ反応炉にて作製
した。
ギ的に井戸型を構成するようにして同じ反応炉にて作製
した。
【００２０】さらに、その上面に電流を流し得る厚さの
第２の絶縁または半絶縁膜２７を２６と同様の作製方法
により形成した。
第２の絶縁または半絶縁膜２７を２６と同様の作製方法
により形成した。
【００２１】半導体のクラスタ５０は５０Ａ〜５μｍの
直径をもつ塊状の半導体であり、また各クラスタ間は互
いに電気的に絶縁されている。平均膜厚が５０〜２００
０Ａの厚さを有するこのクラスタはシランのみを膜２６
上にディポジットしてもよく、またはこの珪素に０．１
〜１０原子％の窒素を添加したそのクラスタの外周辺を
窒化した低級窒化物であってもよい。いずれにしても一
度半導体表面よりこの低い（狭い）エネルギバンドを有
する井戸５０内に静電荷を蓄積させた場合でも、面方向
に拡散しない程度に絶縁性があることが必要である。こ
の意味で半導体を井戸構造とし、またその周辺を絶縁性
にするための窒素を添加することは有効であった。
直径をもつ塊状の半導体であり、また各クラスタ間は互
いに電気的に絶縁されている。平均膜厚が５０〜２００
０Ａの厚さを有するこのクラスタはシランのみを膜２６
上にディポジットしてもよく、またはこの珪素に０．１
〜１０原子％の窒素を添加したそのクラスタの外周辺を
窒化した低級窒化物であってもよい。いずれにしても一
度半導体表面よりこの低い（狭い）エネルギバンドを有
する井戸５０内に静電荷を蓄積させた場合でも、面方向
に拡散しない程度に絶縁性があることが必要である。こ
の意味で半導体を井戸構造とし、またその周辺を絶縁性
にするための窒素を添加することは有効であった。
【００２２】さらに、本発明においては、この半導体の
クラスタまたは膜の表面に電流を流し得る厚さの絶縁
物、ここでは窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）をバリア層２７と
して３０〜１００Ａの厚さに形成させた。この窒化珪素
はエネルギバンド巾が５．０ｅＶであり、これは酸化珪
素に比べて硬く耐磨耗性に優れているに加えて、その厚
さを３０〜１００Ａと厚くしても電流を流すことができ
る。このため酸化珪素の保護膜に比べて寿命が長いとい
う特徴を有する。
クラスタまたは膜の表面に電流を流し得る厚さの絶縁
物、ここでは窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）をバリア層２７と
して３０〜１００Ａの厚さに形成させた。この窒化珪素
はエネルギバンド巾が５．０ｅＶであり、これは酸化珪
素に比べて硬く耐磨耗性に優れているに加えて、その厚
さを３０〜１００Ａと厚くしても電流を流すことができ
る。このため酸化珪素の保護膜に比べて寿命が長いとい
う特徴を有する。
【００２３】本発明においては、図４及び図５の反応炉
においてシランの導入を中止してアンモニアのみを導入
しプラズマ化し、この半導体または半絶縁体の表面を固
相−気相反応で窒化して絶縁膜２７を形成してもよい。
においてシランの導入を中止してアンモニアのみを導入
しプラズマ化し、この半導体または半絶縁体の表面を固
相−気相反応で窒化して絶縁膜２７を形成してもよい。
【００２４】本発明の別の実施例では、保護膜２７を炭
化珪素とした。
化珪素とした。
【００２５】図６（Ａ）は、注入された電荷に光照射２
０により発生した電子・ホール対の中の少数キャリアが
再結合する場合であり、図６（Ｂ）は、正の静電荷が蓄
積されて不揮発性になった場合のエネルギバンド図を示
している。この場合、粉体５３がこの静電荷に吸引され
て静電荷の量に比例して絶縁膜２７の表面に吸着する。
この図６（Ａ）、（Ｂ）の構造の半導体層においてはプ
リントの度に再び静電荷を蓄積させる必要がなく、複数
回プリントする複写機に対して好ましい結果が得られ
る。
０により発生した電子・ホール対の中の少数キャリアが
再結合する場合であり、図６（Ｂ）は、正の静電荷が蓄
積されて不揮発性になった場合のエネルギバンド図を示
している。この場合、粉体５３がこの静電荷に吸引され
て静電荷の量に比例して絶縁膜２７の表面に吸着する。
この図６（Ａ）、（Ｂ）の構造の半導体層においてはプ
リントの度に再び静電荷を蓄積させる必要がなく、複数
回プリントする複写機に対して好ましい結果が得られ
る。
【００２６】図６（Ｃ）は、本発明の他の実施例を示
す。この図面は図６（Ｂ）と同様に半導体のクラスタま
たは膜５０を有したエネルギバンド的に井戸構成とせし
め、この井戸に静電荷蓄積させるものであるが、その井
戸を挾む膜２８、２９はプラズマＣＶＤ法で作製したた
め、そのエネルギバンド端（エッジ）がソフトになって
いる。この場合は窒素の添加量を調整してＥｇ３〜４ｅ
Ｖとすることができるため、被膜２８、２９を３０〜５
００Ａと厚くしても光照射による感光性を有していた。
す。この図面は図６（Ｂ）と同様に半導体のクラスタま
たは膜５０を有したエネルギバンド的に井戸構成とせし
め、この井戸に静電荷蓄積させるものであるが、その井
戸を挾む膜２８、２９はプラズマＣＶＤ法で作製したた
め、そのエネルギバンド端（エッジ）がソフトになって
いる。この場合は窒素の添加量を調整してＥｇ３〜４ｅ
Ｖとすることができるため、被膜２８、２９を３０〜５
００Ａと厚くしても光照射による感光性を有していた。
【００２７】以上の実施例では、井戸構造を示したが、
表面静電気の状態によっては井戸構造とせずに単一表面
層にできることはいうまでもない。
表面静電気の状態によっては井戸構造とせずに単一表面
層にできることはいうまでもない。
【００２８】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
は従来のＣｄｓなどの化合物半導体を用いた静電複写機
に比べて安価な珪素を主成分とした半導体による感光体
を提供した。その半導体中特にその表面またはその近傍
に炭素を添加して硬くし耐摩耗性を向上した。なお、前
記表面は、半絶縁化することにより静電気のリークを防
止した。導体基板またはドラム近傍にはＰ型の半導体を
設け、Ｉ−Ｐ接合を作ることにより内部電界を発生せし
め、Ｓ／Ｎ比（表面電位を１００〜１５０Ｖ以上とさせ
る）を向上させた。
は従来のＣｄｓなどの化合物半導体を用いた静電複写機
に比べて安価な珪素を主成分とした半導体による感光体
を提供した。その半導体中特にその表面またはその近傍
に炭素を添加して硬くし耐摩耗性を向上した。なお、前
記表面は、半絶縁化することにより静電気のリークを防
止した。導体基板またはドラム近傍にはＰ型の半導体を
設け、Ｉ−Ｐ接合を作ることにより内部電界を発生せし
め、Ｓ／Ｎ比（表面電位を１００〜１５０Ｖ以上とさせ
る）を向上させた。
【００２９】さらに、アルミニュームまたはその化合物
の導電性気体を使用すれば、導電性気体と第１の非単結
晶層とのオーム接触がよくなる。
の導電性気体を使用すれば、導電性気体と第１の非単結
晶層とのオーム接触がよくなる。
【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、各々、本発明にな
る静電気の局部的な帯電の原理を示す略図である。
る静電気の局部的な帯電の原理を示す略図である。
【図２】ドラム式の静電複写機の原理を示す略図であ
る。
る。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は、従来の複写機用半導体のエ
ネルギバンド図を示である。
ネルギバンド図を示である。
【図４】本発明の感光体を作るためのプラズマＣＶＤ法
を用いた製造装置の原理を示す概略斜視図である。
を用いた製造装置の原理を示す概略斜視図である。
【図５】図４の概略側面図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の感光体の
エネルギバンド構造を示す図である。
エネルギバンド構造を示す図である。
１ 半導体層 ２ 導体基板 ３ 静電気 ４ 静電気 ５ 反射光 ６、６′、６″ 領域 ７ 光源 ８ 静電気発生源 ９ スリット １４ ブラシ ２０ 光照射 ２２ フェルミレベル ２３ 半導体 ２６ 半絶縁膜 ２７ 半絶縁膜 絶縁膜 ２８ 膜 ２９ 膜 ４２ ドラム ４７、４７′ 電極 ５０ 膜 ５３ 粉体 ５０ クラスタ（井戸）
Claims (2)
- 【請求項１】 珪素を主成分として水素、弗素あるいは
塩素を含み、Ｐ型用のホウ素またはインジュームまたは
Ｎ型用のリンまたはアンチモンが添加され、かつ窒素、
酸素または炭素が添加された半導体または半絶縁体から
なる第１の非単結晶層と、第１の非単結晶層の上に形成
され、水素、弗素あるいは塩素を含む真性または実質的
に真性の珪素半導体からなる第２の非単結晶層と、第２
の非単結晶層の上に形成され、珪素を主成分として水
素、弗素あるいは塩素を含み、かつ炭素が添加された半
導体または半絶縁体からなる第３の非単結晶層とを有す
ることを特徴する電子写真用感光体。 - 【請求項２】 第３の非単結晶層が、エネルギバンドギ
ャップの狭い層を間に挟んだ複数のエネルギバンドギャ
ップ層からなる請求項１に記載の電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5287274A JP2617417B2 (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5287274A JP2617417B2 (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 電子写真用感光体 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56151148A Division JPH0723962B2 (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | ドラム形感光体の作製方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22778896A Division JPH09120173A (ja) | 1996-08-10 | 1996-08-10 | 感光体の作製方法 |
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|---|---|
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ID=17715283
Family Applications (1)
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Citations (6)
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|---|---|---|---|---|
| JPS54121743A (en) * | 1978-03-14 | 1979-09-21 | Canon Inc | Electrophotographic image forming member |
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| JPS54145537A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Preparation of electrophotographic image forming material |
| JPS5568149A (en) * | 1978-11-14 | 1980-05-22 | Honda Motor Co Ltd | Production of wheel made of aluminum alloy |
| JPS5624355A (en) * | 1979-08-07 | 1981-03-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS56115573A (en) * | 1980-02-15 | 1981-09-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photoconductive element |
-
1993
- 1993-10-25 JP JP5287274A patent/JP2617417B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
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|---|---|---|---|---|
| JPS54121743A (en) * | 1978-03-14 | 1979-09-21 | Canon Inc | Electrophotographic image forming member |
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| JPS56115573A (en) * | 1980-02-15 | 1981-09-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photoconductive element |
Also Published As
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| JP2617417B2 (ja) | 1997-06-04 |
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