JPH06202092A - 液晶装置及びそれに用いられる絶縁膜の製造方法 - Google Patents
液晶装置及びそれに用いられる絶縁膜の製造方法Info
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- JPH06202092A JPH06202092A JP35931592A JP35931592A JPH06202092A JP H06202092 A JPH06202092 A JP H06202092A JP 35931592 A JP35931592 A JP 35931592A JP 35931592 A JP35931592 A JP 35931592A JP H06202092 A JPH06202092 A JP H06202092A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】絶縁破壊電圧が大きく、自発分極の影響が小さ
く、硬度が大きく、且つ、透過率の大きい絶縁膜４ａを
透明電極に配設する。 【構成】チタン又はタンタルと珪素とが主成分をなす金
属の水酸化物若しくは該水酸化物の縮合物の溶液、又
は、オルガシキド又は該オルガシキドの部分加水分解物
若しくは該部分加水分解物の縮合物の溶液を透明基板に
塗布し、熱処理して前記溶液に含まれる溶剤を揮発さ
せ、その後ＵＶ光を照射する。そして不活性ガスと酸素
との混合雰囲気で焼成して絶縁膜を形成する。
く、硬度が大きく、且つ、透過率の大きい絶縁膜４ａを
透明電極に配設する。 【構成】チタン又はタンタルと珪素とが主成分をなす金
属の水酸化物若しくは該水酸化物の縮合物の溶液、又
は、オルガシキド又は該オルガシキドの部分加水分解物
若しくは該部分加水分解物の縮合物の溶液を透明基板に
塗布し、熱処理して前記溶液に含まれる溶剤を揮発さ
せ、その後ＵＶ光を照射する。そして不活性ガスと酸素
との混合雰囲気で焼成して絶縁膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶装置及びそれに用
いられる絶縁膜の製造方法に係り、詳しくは、硬度、体
積抵抗率及び透過率を最適にした絶縁膜に関する。
いられる絶縁膜の製造方法に係り、詳しくは、硬度、体
積抵抗率及び透過率を最適にした絶縁膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、強誘電性液晶を用いた液晶装置に
おいて、絶縁膜の選択はその表示品位及び電気的、光学
的特性に関係するため、非常に重大な問題であった。絶
縁膜の必要条件として以下の項目が挙げられる。
おいて、絶縁膜の選択はその表示品位及び電気的、光学
的特性に関係するため、非常に重大な問題であった。絶
縁膜の必要条件として以下の項目が挙げられる。
【０００３】絶縁破壊電圧（Ｂ．Ｄ．Ｖ）が高いこ
と、 誘電率が大きいこと、 硬度が高いこと、 可視透明度であること。 具体的に絶縁膜として用いられているものとしてＳｉＯ
2 ，ＴｉＯ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 等のスパッタリングで形成さ
れた無機絶縁膜が知れている。また溶液を塗布した後に
高温で焼成し、形成される金属配化膜も用いられるよう
になってきた。
と、 誘電率が大きいこと、 硬度が高いこと、 可視透明度であること。 具体的に絶縁膜として用いられているものとしてＳｉＯ
2 ，ＴｉＯ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 等のスパッタリングで形成さ
れた無機絶縁膜が知れている。また溶液を塗布した後に
高温で焼成し、形成される金属配化膜も用いられるよう
になってきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、強誘電
性液晶を用いた液晶装置は基板間隔が１．０〜２．０μ
m と非常に薄いため、導電性異物により上下透明電極間
で短絡が発生し易い問題がある。従って、異物により絶
縁膜が破損しないように膜質が硬いものが要求され、ま
た、多少異物による影響があっても絶縁破壊を起こさな
い絶縁破壊電圧の高いものが望まれている。
性液晶を用いた液晶装置は基板間隔が１．０〜２．０μ
m と非常に薄いため、導電性異物により上下透明電極間
で短絡が発生し易い問題がある。従って、異物により絶
縁膜が破損しないように膜質が硬いものが要求され、ま
た、多少異物による影響があっても絶縁破壊を起こさな
い絶縁破壊電圧の高いものが望まれている。
【０００５】また、液晶層には強誘電性液晶の持つ自発
分極から逆電界が生じている。この逆電界により液晶は
双安定状態のうち一方の安定状態に安定してしまう問題
があった。その対策として 電極間の容量を大きくして、自発分極による逆電界の
効果を小さくする。
分極から逆電界が生じている。この逆電界により液晶は
双安定状態のうち一方の安定状態に安定してしまう問題
があった。その対策として 電極間の容量を大きくして、自発分極による逆電界の
効果を小さくする。
【０００６】逆電界で発生した絶縁膜に誘起された電
荷を電極へ逃がし、逆電界の効果を緩和させる。 上記２項目が有効であり、絶縁膜の特性としてに対し
強誘電性液晶の自発分極に適応した誘電率の大きさが必
要であり、に対しては、体積抵抗率が低いことが必要
となる。
荷を電極へ逃がし、逆電界の効果を緩和させる。 上記２項目が有効であり、絶縁膜の特性としてに対し
強誘電性液晶の自発分極に適応した誘電率の大きさが必
要であり、に対しては、体積抵抗率が低いことが必要
となる。
【０００７】さらに、光学表示装置の基本的条件とし
て、可視光領域での透過率が高いことはいうまでもな
い。
て、可視光領域での透過率が高いことはいうまでもな
い。
【０００８】そこで、本発明は、自発分極の影響が小さ
く、透過率が高く、硬度の大きく、且つ、絶縁破壊電圧
の高い金属絶縁膜を有する液晶装置及びそれに用いる絶
縁膜の製造方法を提供することを目的とする。
く、透過率が高く、硬度の大きく、且つ、絶縁破壊電圧
の高い金属絶縁膜を有する液晶装置及びそれに用いる絶
縁膜の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みなされたものであって、帯び状の透明電極が設けられ
た２枚の透明基板を所定間隙て対向させ、該間隙に液晶
を挟持してなる液晶装置において、前記透明基板の少な
くとも一方の前記透明電極上に、体積抵抗率が５×１０
6 Ω・ｃｍ以上、１０8 Ω・ｃｍ以下を有し、且つ、可
視光領域における透過率が８０％以上、９５％以下を有
する金属酸化膜を被着してなる、ことを特徴とする。
みなされたものであって、帯び状の透明電極が設けられ
た２枚の透明基板を所定間隙て対向させ、該間隙に液晶
を挟持してなる液晶装置において、前記透明基板の少な
くとも一方の前記透明電極上に、体積抵抗率が５×１０
6 Ω・ｃｍ以上、１０8 Ω・ｃｍ以下を有し、且つ、可
視光領域における透過率が８０％以上、９５％以下を有
する金属酸化膜を被着してなる、ことを特徴とする。
【００１０】また、前記金属酸化膜が、チタン又はタン
タルと珪素とが主成分をなす混合酸化物からなる。
タルと珪素とが主成分をなす混合酸化物からなる。
【００１１】また、前記金属酸化膜が、該金属酸化膜の
主成分である金属の水酸化物又は該水酸化物の縮合物の
溶液を前記透明電極を有する前記透明基板に塗布する塗
布工程と、該塗布工程後に前記透明基板を熱処理して前
記溶液に含まれる溶剤を揮発させる熱処理工程と、該熱
処理工程後の前記透明基板にＵＶ光を照射する照射工程
と、該照射工程後に不活性ガスと酸素との混合雰囲気で
前記透明基板を焼成する焼成工程と、を経て形成されて
なる。
主成分である金属の水酸化物又は該水酸化物の縮合物の
溶液を前記透明電極を有する前記透明基板に塗布する塗
布工程と、該塗布工程後に前記透明基板を熱処理して前
記溶液に含まれる溶剤を揮発させる熱処理工程と、該熱
処理工程後の前記透明基板にＵＶ光を照射する照射工程
と、該照射工程後に不活性ガスと酸素との混合雰囲気で
前記透明基板を焼成する焼成工程と、を経て形成されて
なる。
【００１２】さらに、前記金属酸化膜が、該金属酸化膜
の主成分である金属のオルガシキド又は該オルガシキド
の部分加水分解物若しくは該部分加水分解物の縮合物の
溶液を前記透明電極を有する前記透明基板に塗布する塗
布工程と、該塗布工程後に前記透明基板を熱処理して前
記溶液に含まれる溶剤を揮発させる熱処理工程と、該熱
処理工程後の前記透明基板にＵＶ光を照射する照射工程
と、該照射工程後に不活性ガスと酸素との混合雰囲気で
前記透明基板を焼成する焼成工程と、を経て形成されて
なる。
の主成分である金属のオルガシキド又は該オルガシキド
の部分加水分解物若しくは該部分加水分解物の縮合物の
溶液を前記透明電極を有する前記透明基板に塗布する塗
布工程と、該塗布工程後に前記透明基板を熱処理して前
記溶液に含まれる溶剤を揮発させる熱処理工程と、該熱
処理工程後の前記透明基板にＵＶ光を照射する照射工程
と、該照射工程後に不活性ガスと酸素との混合雰囲気で
前記透明基板を焼成する焼成工程と、を経て形成されて
なる。
【００１３】
【作用】以上構成に基づき、絶縁膜の体積低効率を５×
１０6 Ω・ｃｍ以上、１０8 Ω・ｃｍ以下の範囲とし、
且つ、可視光領域における透過率を８０％以上、９５％
以下の範囲に設定する。
１０6 Ω・ｃｍ以上、１０8 Ω・ｃｍ以下の範囲とし、
且つ、可視光領域における透過率を８０％以上、９５％
以下の範囲に設定する。
【００１４】また、金属酸化膜の主成分である金属の水
酸化物若しくは該水酸化物の縮合物の溶液、又は、オル
ガシキド又は該オルガシキドの部分加水分解物若しくは
該部分加水分解物の縮合物の溶液を透明基板に塗布し、
熱処理して前記溶液に含まれる溶剤を揮発させ、その後
ＵＶ光を照射する。そして不活性ガスと酸素との混合雰
囲気で焼成して絶縁膜を形成する。
酸化物若しくは該水酸化物の縮合物の溶液、又は、オル
ガシキド又は該オルガシキドの部分加水分解物若しくは
該部分加水分解物の縮合物の溶液を透明基板に塗布し、
熱処理して前記溶液に含まれる溶剤を揮発させ、その後
ＵＶ光を照射する。そして不活性ガスと酸素との混合雰
囲気で焼成して絶縁膜を形成する。
【００１５】
【実施例】本発明の実施例を説明する前に、発明の原理
を説明する。高誘電率で絶縁破壊電圧の大きい膜として
酸化タンタルＴａ2 Ｏ5 があげられる。このＴａ2 Ｏ5
は、体積抵抗率として１０10〜１０12Ωcmと極めて高い
ので、スパッタリング法の成膜条件を変えて体積抵抗率
の低下を試みたが、１０7 Ωcm程度の膜において著しく
透過率を失い、表示特性に影響があることが判明した。
を説明する。高誘電率で絶縁破壊電圧の大きい膜として
酸化タンタルＴａ2 Ｏ5 があげられる。このＴａ2 Ｏ5
は、体積抵抗率として１０10〜１０12Ωcmと極めて高い
ので、スパッタリング法の成膜条件を変えて体積抵抗率
の低下を試みたが、１０7 Ωcm程度の膜において著しく
透過率を失い、表示特性に影響があることが判明した。
【００１６】そこで、焼成法によるチタンと珪素との酸
化物を調べた。チタン（Ｔｉ）と珪素（Ｓｉ）を含む溶
液として、ＴｉとＳｉとの水酸化物、縮合物、オルガノ
オキシド、もしくはその部分加水分解物あるいは該部分
加水分解物の縮合物の溶液を用いた。ＴｉとＳｉとの混
合物であることから、双方の割合により絶縁膜特性が変
化する。即ちＴｉの比率が大きいと誘電率は大きくなる
が、絶縁破壊電圧は小さくなってしまう。この場合絶縁
破壊電圧を高めるには膜厚を大きくする方向で対策が施
せる。また、体積抵抗率はスパッタリング法に比較して
低抵抗の膜が可能であり、３００℃，１時間位の焼成に
より形成されるＴｉ／Ｓｉ（１：１）の金属酸化膜では
１０〜１０10Ωcm程度の体積抵抗率が得られる。
化物を調べた。チタン（Ｔｉ）と珪素（Ｓｉ）を含む溶
液として、ＴｉとＳｉとの水酸化物、縮合物、オルガノ
オキシド、もしくはその部分加水分解物あるいは該部分
加水分解物の縮合物の溶液を用いた。ＴｉとＳｉとの混
合物であることから、双方の割合により絶縁膜特性が変
化する。即ちＴｉの比率が大きいと誘電率は大きくなる
が、絶縁破壊電圧は小さくなってしまう。この場合絶縁
破壊電圧を高めるには膜厚を大きくする方向で対策が施
せる。また、体積抵抗率はスパッタリング法に比較して
低抵抗の膜が可能であり、３００℃，１時間位の焼成に
より形成されるＴｉ／Ｓｉ（１：１）の金属酸化膜では
１０〜１０10Ωcm程度の体積抵抗率が得られる。
【００１７】ここで体積抵抗率を制御する手段として焼
成工程での酸化度を悪くする方法、例えば、焼成時に不
活性ガスをあえて導入することにより可能となることが
判明した。しかしながら、このような膜は有機分の残留
が多いことから膜の硬度が低下し、更に透過率も悪くす
ことがわかった。そこで有機分の除去する手法として焼
成前に紫外線、特に１４２mm波長のＵＶ光を膜に照射す
ることにより高度及び透過率の低下を防止することが可
能であることを発見した。
成工程での酸化度を悪くする方法、例えば、焼成時に不
活性ガスをあえて導入することにより可能となることが
判明した。しかしながら、このような膜は有機分の残留
が多いことから膜の硬度が低下し、更に透過率も悪くす
ことがわかった。そこで有機分の除去する手法として焼
成前に紫外線、特に１４２mm波長のＵＶ光を膜に照射す
ることにより高度及び透過率の低下を防止することが可
能であることを発見した。
【００１８】図１は上述した発見に基づく液晶装置の断
面図で、１は対向させて配置した２枚のガラス基板、２
はその対向面上に設けられた透明電極、３は透明電極に
片がけの金属電極、４ａは絶縁膜、４ｂは配向膜、５は
液晶である。
面図で、１は対向させて配置した２枚のガラス基板、２
はその対向面上に設けられた透明電極、３は透明電極に
片がけの金属電極、４ａは絶縁膜、４ｂは配向膜、５は
液晶である。
【００１９】絶縁膜４ａは、金属電極３を形成したガラ
ス基板１上にＴｉとＳｉの１：１の比率の混合溶液（固
形分８％）をオフセット印刷で塗布（塗布工程）し、こ
れを１１０℃で１５分間乾燥（熱処理工程）した。この
後、ＵＶ光照射手段として低圧水銀灯（２００Ｗ）を用
い、５分間照射した（照射工程）。その後、３００℃，
１時間オーブンで焼成（焼成工程）して膜厚１００Åの
絶縁膜４ａを得た。その際にオーブン中に不活性ガスと
して窒素ガス（Ｎ2 ）、と酸素（Ｏ2 ）の混合ガス（混
合雰囲気）をＮ2 ：Ｏ2 ＝９５：５の混合率で導入しつ
づけた。また、ＴｉとＳｉとの割合は、試料Ａは３：
７、試料Ｂは１：１、試料Ｃは７：３の３種類の溶液を
用いて絶縁膜４ａを作成した。
ス基板１上にＴｉとＳｉの１：１の比率の混合溶液（固
形分８％）をオフセット印刷で塗布（塗布工程）し、こ
れを１１０℃で１５分間乾燥（熱処理工程）した。この
後、ＵＶ光照射手段として低圧水銀灯（２００Ｗ）を用
い、５分間照射した（照射工程）。その後、３００℃，
１時間オーブンで焼成（焼成工程）して膜厚１００Åの
絶縁膜４ａを得た。その際にオーブン中に不活性ガスと
して窒素ガス（Ｎ2 ）、と酸素（Ｏ2 ）の混合ガス（混
合雰囲気）をＮ2 ：Ｏ2 ＝９５：５の混合率で導入しつ
づけた。また、ＴｉとＳｉとの割合は、試料Ａは３：
７、試料Ｂは１：１、試料Ｃは７：３の３種類の溶液を
用いて絶縁膜４ａを作成した。
【００２０】この後、絶縁膜４ａ上にポリイミド系の配
向膜４ｂ（東レ（株）製；ＬＰ−６４）を５０Åの厚さ
で形成し配向処理を施した。その後、ガラス基板１間の
距離を１．３μm のギャップを保持して、 Ｐｓ＝
６．２ｎｃ／cm2 ， Ｐｓ＝９．６ｎｃ／cm2 ，
Ｐｓ＝１４ｎｃ／cm2 の３種類のＳｍＣ* 液晶を封入
し、液晶装置を作製した。
向膜４ｂ（東レ（株）製；ＬＰ−６４）を５０Åの厚さ
で形成し配向処理を施した。その後、ガラス基板１間の
距離を１．３μm のギャップを保持して、 Ｐｓ＝
６．２ｎｃ／cm2 ， Ｐｓ＝９．６ｎｃ／cm2 ，
Ｐｓ＝１４ｎｃ／cm2 の３種類のＳｍＣ* 液晶を封入
し、液晶装置を作製した。
【００２１】この液晶装置を図２に示す駆動信号波形
で、駆動マージンの温度特性の測定を行った。駆動マー
ジンの温度特性の測定は、駆動信号の周波数を固定し、
電圧を変化させて行った。測定の結果１０℃〜５０℃の
温度範囲で３種類の液晶装置共広い駆動マージンが得ら
れた。また、上下の透明電極３間に短絡も発生しなかっ
た。
で、駆動マージンの温度特性の測定を行った。駆動マー
ジンの温度特性の測定は、駆動信号の周波数を固定し、
電圧を変化させて行った。測定の結果１０℃〜５０℃の
温度範囲で３種類の液晶装置共広い駆動マージンが得ら
れた。また、上下の透明電極３間に短絡も発生しなかっ
た。
【００２２】絶縁破壊電圧の測定は、図３に示すよう
に、タングステンカーバイド製で先端半径が０．１mmの
プローバ６をプッシュブルゲージ７に装着し、試料８に
対し１０ｇの荷重をけて測定した。図４はその時の絶縁
破壊電圧の測定結果を示している。また、誘電率と体積
抵抗率を２０ＫHzの周波数（ＬＣＲメータで測定）で測
定した結果を図５に示す。表１は、試料Ａ，Ｂ，Ｃ及び
比較試料としてスパッタリング法で作成したＴａ2 Ｏ5
に付いての動作マージン及び短絡発生率の評価結果を示
す。
に、タングステンカーバイド製で先端半径が０．１mmの
プローバ６をプッシュブルゲージ７に装着し、試料８に
対し１０ｇの荷重をけて測定した。図４はその時の絶縁
破壊電圧の測定結果を示している。また、誘電率と体積
抵抗率を２０ＫHzの周波数（ＬＣＲメータで測定）で測
定した結果を図５に示す。表１は、試料Ａ，Ｂ，Ｃ及び
比較試料としてスパッタリング法で作成したＴａ2 Ｏ5
に付いての動作マージン及び短絡発生率の評価結果を示
す。
【００２３】
【表１】 また、表２はＴｉ：Ｓｉ＝１：１の混合溶液を用い、Ｕ
Ｖ光照射時間を試料Ｄは０分、試料Ｅは２分、試料Ｂは
５分、そして試料Ｆは１０分の４条件の試料を作成し諸
特性を調べた。図６は、ＵＶ光照射時間と硬度の関係を
示す測定結果であり、その時の、動作マージン及び短絡
発生率を表２に示す。
Ｖ光照射時間を試料Ｄは０分、試料Ｅは２分、試料Ｂは
５分、そして試料Ｆは１０分の４条件の試料を作成し諸
特性を調べた。図６は、ＵＶ光照射時間と硬度の関係を
示す測定結果であり、その時の、動作マージン及び短絡
発生率を表２に示す。
【００２４】
【表２】 また、ＴｉとＳｉ（１：１）の混合溶液を用い、焼成工
程中でのＮ2 とＯ2 との混合ガスの比率を試料Ｇは８０
／２０、試料Ｈは９０／１０、試料Ｂは９５／５、試料
Ｉは９９／１の４条件の試料について諸特性を調べた。
誘電率と体積抵抗値を図７に示す。また、図８は５５０
ｎｍの波長における透過率を表わす。次にそれぞれの液
晶装置としての特性を表３に示す。
程中でのＮ2 とＯ2 との混合ガスの比率を試料Ｇは８０
／２０、試料Ｈは９０／１０、試料Ｂは９５／５、試料
Ｉは９９／１の４条件の試料について諸特性を調べた。
誘電率と体積抵抗値を図７に示す。また、図８は５５０
ｎｍの波長における透過率を表わす。次にそれぞれの液
晶装置としての特性を表３に示す。
【００２５】
【表３】 以上から強誘電性液晶を用いた液晶装置の最適化された
絶縁膜４ａとして、液晶材料のＰｓ値に関係なく、１０
7 オーダー以下の体積抵抗率を有し、液晶装置として８
０％以上の透過率を持つ絶縁膜４ａが必要であることが
判明し、且つ、本発明の製造方法により、実現可能であ
ることを示した。また生産上においても不良のない液晶
装置が作製できる。
絶縁膜４ａとして、液晶材料のＰｓ値に関係なく、１０
7 オーダー以下の体積抵抗率を有し、液晶装置として８
０％以上の透過率を持つ絶縁膜４ａが必要であることが
判明し、且つ、本発明の製造方法により、実現可能であ
ることを示した。また生産上においても不良のない液晶
装置が作製できる。
【００２６】なお、他の材料としてタンタル（Ｔａ）と
Ｓｉの混合材料を用いて絶縁膜４ａを用いても良い。
Ｓｉの混合材料を用いて絶縁膜４ａを用いても良い。
【００２７】また、絶縁膜の体積抵抗率は５×１０6 Ω
・ｃｍ以上、１０8 Ω・ｃｍ以下とし、且つ、可視光領
域における透過率が８０％以上、９５％以下が良好であ
る。
・ｃｍ以上、１０8 Ω・ｃｍ以下とし、且つ、可視光領
域における透過率が８０％以上、９５％以下が良好であ
る。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
体積抵抗率を５×１０6 Ω・ｃｍ以上、１０8 Ω・ｃｍ
以下、にすることにより強誘電性液晶による自発分極の
影響が少なくなり、また硬度も大きいので絶縁破壊電圧
の低下が防止出来、且つ、透過率も良好の絶縁膜が得ら
れた。これにより、液晶装置の信頼性が向上した。
体積抵抗率を５×１０6 Ω・ｃｍ以上、１０8 Ω・ｃｍ
以下、にすることにより強誘電性液晶による自発分極の
影響が少なくなり、また硬度も大きいので絶縁破壊電圧
の低下が防止出来、且つ、透過率も良好の絶縁膜が得ら
れた。これにより、液晶装置の信頼性が向上した。
【図１】本発明の実施例の説に適用される液晶装置の断
面図。
面図。
【図２】本発明の実施例の説に適用される液晶装置の駆
動信号波形。
動信号波形。
【図３】本発明の実施例の説に適用される絶縁膜の硬度
測定を説明する図。
測定を説明する図。
【図４】本発明の実施例の説に適用される絶縁膜のＳｉ
／Ｔｉの比率と絶縁破壊電圧との関係を説明する図。
／Ｔｉの比率と絶縁破壊電圧との関係を説明する図。
【図５】本発明の実施例の説に適用される絶縁膜のＳｉ
／Ｔｉの比率と誘電率及び体積抵抗率との関係を説明す
る図。
／Ｔｉの比率と誘電率及び体積抵抗率との関係を説明す
る図。
【図６】本発明の実施例の説に適用される絶縁膜のＵＶ
照射時間と硬度の関係を説明する図。
照射時間と硬度の関係を説明する図。
【図７】本発明の実施例の説に適用される混合ガスの混
合率と誘電率及び体積抵抗率との関係を説明する図。
合率と誘電率及び体積抵抗率との関係を説明する図。
【図８】本発明の実施例の説に適用される混合ガスの混
合率と透過率との関係を説明する図。
合率と透過率との関係を説明する図。
１ ガラス基板（透明電極） ２ 透明電極 ４ａ 絶縁膜（金属絶縁膜） ５ 強誘電性液晶（液晶）
Claims (4)
- 【請求項１】 帯び状の透明電極が設けられた２枚の透
明基板を所定間隙を保って対向させ、該間隙に液晶を挟
持してなる液晶装置において、 前記透明基板の少なくとも一方の前記透明電極上に、体
積抵抗率が５×１０6Ω・ｃｍ以上、１０8 Ω・ｃｍ以
下を有し、且つ、可視光領域における透過率が８０％以
上、９５％以下を有する金属酸化膜を被着してなる、 ことを特徴とする液晶装置。 - 【請求項２】 前記金属酸化膜が、チタン又はタンタル
と珪素とが主成分をなす混合酸化物からなる、 請求項１記載の液晶装置。 - 【請求項３】 前記金属酸化膜が、該金属酸化膜の主成
分である金属の水酸化物又は該水酸化物の縮合物の溶液
を前記透明電極を有する前記透明基板に塗布する塗布工
程と、 該塗布工程後に前記透明基板を熱処理して前記溶液に含
まれる溶剤を揮発させる熱処理工程と、 該熱処理工程後の前記透明基板にＵＶ光を照射する照射
工程と、 該照射工程後に不活性ガスと酸素との混合雰囲気で前記
透明基板を焼成する焼成工程と、を経て形成されてな
る、 請求項１又は２記載の液晶装置に用いられる絶縁膜の製
造方法。 - 【請求項４】 前記金属酸化膜が、該金属酸化膜の主成
分である金属のオルガシキド又は該オルガシキドの部分
加水分解物若しくは該部分加水分解物の縮合物の溶液を
前記透明電極を有する前記透明基板に塗布する塗布工程
と、 該塗布工程後に前記透明基板を熱処理して前記溶液に含
まれる溶剤を揮発させる熱処理工程と、 該熱処理工程後の前記透明基板にＵＶ光を照射する照射
工程と、 該照射工程後に不活性ガスと酸素との混合雰囲気で前記
透明基板を焼成する焼成工程と、を経て形成されてな
る、 請求項１又は２記載の液晶装置に用いられる絶縁膜の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35931592A JPH06202092A (ja) | 1992-12-26 | 1992-12-26 | 液晶装置及びそれに用いられる絶縁膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35931592A JPH06202092A (ja) | 1992-12-26 | 1992-12-26 | 液晶装置及びそれに用いられる絶縁膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06202092A true JPH06202092A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=18463876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35931592A Pending JPH06202092A (ja) | 1992-12-26 | 1992-12-26 | 液晶装置及びそれに用いられる絶縁膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06202092A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0941773A1 (fr) * | 1998-03-13 | 1999-09-15 | Saint-Gobain Vitrage | Procédé de dépÔt de couches à base d'oxyde(s) métallique(s) |
| KR20010043956A (ko) * | 1998-09-21 | 2001-05-25 | 모리시타 요이찌 | 반사형 액정 표시 장치 |
-
1992
- 1992-12-26 JP JP35931592A patent/JPH06202092A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0941773A1 (fr) * | 1998-03-13 | 1999-09-15 | Saint-Gobain Vitrage | Procédé de dépÔt de couches à base d'oxyde(s) métallique(s) |
| FR2775914A1 (fr) * | 1998-03-13 | 1999-09-17 | Saint Gobain Vitrage | Procede de depot de couches a base d'oxyde(s) metallique(s) |
| US6517901B1 (en) | 1998-03-13 | 2003-02-11 | Saint-Gobain Vitrage | Process for depositing layers based on metal oxide(s) |
| KR20010043956A (ko) * | 1998-09-21 | 2001-05-25 | 모리시타 요이찌 | 반사형 액정 표시 장치 |
| EP1116986A1 (en) * | 1998-09-21 | 2001-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Reflection liquid crystal display |
| EP1116986A4 (en) * | 1998-09-21 | 2001-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | REFLECTIVE LIQUID CRYSTAL DISPLAY |
| US6608659B1 (en) | 1998-09-21 | 2003-08-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Reflective liquid crystal display apparatus |
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