JPH0620044B2 - ▲iii▼−▲v▼族化合物半導体結晶のド−ピング方法 - Google Patents
▲iii▼−▲v▼族化合物半導体結晶のド−ピング方法Info
- Publication number
- JPH0620044B2 JPH0620044B2 JP1356287A JP1356287A JPH0620044B2 JP H0620044 B2 JPH0620044 B2 JP H0620044B2 JP 1356287 A JP1356287 A JP 1356287A JP 1356287 A JP1356287 A JP 1356287A JP H0620044 B2 JPH0620044 B2 JP H0620044B2
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- JP
- Japan
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- group
- compound semiconductor
- iii
- gas species
- constituent element
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はIII−V族化合物半導体結晶のドーピング方法
に関するものである。
に関するものである。
近年、数原子層以下、さらには単原子層の超薄膜および
その積層構造を有する量子効果素子が提案された。超薄
膜内二次元電子ガスの特異な電気的および光学的性質は
新たなデバイス機能の可能性を示しており、量子井戸レ
ーザなどへの応用に加えて高速新機能の電子/光デバイ
スへの展開が期待されている。
その積層構造を有する量子効果素子が提案された。超薄
膜内二次元電子ガスの特異な電気的および光学的性質は
新たなデバイス機能の可能性を示しており、量子井戸レ
ーザなどへの応用に加えて高速新機能の電子/光デバイ
スへの展開が期待されている。
しかしながら従来の化合物半導体のエピタキシャル成長
方法では実現が難しいという問題を有していた。例えば
MO−CVD法、MBE法においては原料供給料によって成長速
度が決るため、原料供給量を少なくして成長速度を遅く
することによって数原子層レベルの成長制御が可能であ
るが、その供給量の精密なモニターと制御が必要とな
り、単原子層レベルで高い制御精度を得るのは困難であ
る。
方法では実現が難しいという問題を有していた。例えば
MO−CVD法、MBE法においては原料供給料によって成長速
度が決るため、原料供給量を少なくして成長速度を遅く
することによって数原子層レベルの成長制御が可能であ
るが、その供給量の精密なモニターと制御が必要とな
り、単原子層レベルで高い制御精度を得るのは困難であ
る。
そこで最近、スントラ(Suntola) 等によって報告された
原子層エピタキシャル法(ALE法) が注目を集めている
〔第16回固体素子,材料コンファレンス予稿集(T.Suntol
a,Extended Abstract of the16th Conference on Soli
d State Device and Materiales,Kobe,1984,pp.647-
650)〕。この方法は、化合物半導体の構成元素、あるい
はその元素を含むガス種を交互に導入することにより一
原子層づつ積層し所望の化合物半導体結晶を成長させよ
うとする方法である。この方法によると、膜厚の制御の
ためには従来の原料ガスや供給時間で成長速度を制御す
る方法とは異なり、ガスの切り替え回数を制御すればよ
いことになり、その精度は格段に向上するそとが期待さ
れる。
原子層エピタキシャル法(ALE法) が注目を集めている
〔第16回固体素子,材料コンファレンス予稿集(T.Suntol
a,Extended Abstract of the16th Conference on Soli
d State Device and Materiales,Kobe,1984,pp.647-
650)〕。この方法は、化合物半導体の構成元素、あるい
はその元素を含むガス種を交互に導入することにより一
原子層づつ積層し所望の化合物半導体結晶を成長させよ
うとする方法である。この方法によると、膜厚の制御の
ためには従来の原料ガスや供給時間で成長速度を制御す
る方法とは異なり、ガスの切り替え回数を制御すればよ
いことになり、その精度は格段に向上するそとが期待さ
れる。
またすでに碓井等,西沢等によって、原子層エピタキシ
ャル法(ALE法)は一定の領域において原料供給量によら
ず、一原子層成長が達成されていることが報告されてい
る〔ジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フ
ィジックス (Japanese Journal of Applied Physics)2
5,1986,pp.L212-214.ジャーナル オブ ザ エレク
トロケミカルソサイエティ (Journal of The Electroc
hemical Society)132,1985,pp.1197−1200.〕。
ャル法(ALE法)は一定の領域において原料供給量によら
ず、一原子層成長が達成されていることが報告されてい
る〔ジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フ
ィジックス (Japanese Journal of Applied Physics)2
5,1986,pp.L212-214.ジャーナル オブ ザ エレク
トロケミカルソサイエティ (Journal of The Electroc
hemical Society)132,1985,pp.1197−1200.〕。
しかしながら、原子層エピタキシャル成長はドーピング
の制御性に問題を有していた。原子層エピタキシャル成
長のドーピング方法に関して、2種類のドーピング方法
が提案されていた。まず第一に牧本らがジャパニーズ
ジャーナル オブ アプライド フィジックス(Japanes
e Journal of Applied Physics)25,1986,pp.L513-515.
で述べているように、原料ガスと同時にドーパントガス
を供給する方法である。第二に碓井らがガリウムひ素・
化合物半導体国際シンポジウム(Gallium Arsenide and
Related Compounds) 1986で述べているようにIII族ある
いはV族の構成面を一層ドーパント構成面に置き換えて
しまう方法である。第二の方法はドーパントの活性化率
に問題点はあるものの、高均一な高濃度ドーピング層が
得られる。しかし低濃度ドーピング層を得ることは困難
であった。
の制御性に問題を有していた。原子層エピタキシャル成
長のドーピング方法に関して、2種類のドーピング方法
が提案されていた。まず第一に牧本らがジャパニーズ
ジャーナル オブ アプライド フィジックス(Japanes
e Journal of Applied Physics)25,1986,pp.L513-515.
で述べているように、原料ガスと同時にドーパントガス
を供給する方法である。第二に碓井らがガリウムひ素・
化合物半導体国際シンポジウム(Gallium Arsenide and
Related Compounds) 1986で述べているようにIII族ある
いはV族の構成面を一層ドーパント構成面に置き換えて
しまう方法である。第二の方法はドーパントの活性化率
に問題点はあるものの、高均一な高濃度ドーピング層が
得られる。しかし低濃度ドーピング層を得ることは困難
であった。
第一の方法は原料ガスと同時にドーパントガスの濃度を
コントロールすることによって、高濃度から低濃度のド
ーピングを行うことができるが、原料ガスとドーピング
ガスの吸着速度、脱離速度が異なるためにガスの消費割
合が基板の上流部と下流部で異なり、ドーピングの均一
性が低下してしまうという欠点があった。
コントロールすることによって、高濃度から低濃度のド
ーピングを行うことができるが、原料ガスとドーピング
ガスの吸着速度、脱離速度が異なるためにガスの消費割
合が基板の上流部と下流部で異なり、ドーピングの均一
性が低下してしまうという欠点があった。
本発明の目的はIII−V族化合物半導体結晶の原子層エ
ピタキシャル成長において、従来のかかる欠点を除去
し、高均一でかつ濃度制御性が高いドーピング方法を提
供することにある。
ピタキシャル成長において、従来のかかる欠点を除去
し、高均一でかつ濃度制御性が高いドーピング方法を提
供することにある。
本発明はIII族構成元素を含むガス種と、V族構成元素
を含むガス種との供給を交互に繰り返しながら気相成長
を行うIII−V族化合物半導体結晶の原子層エピタキシ
ャル成長方法において、III族構成元素:Aを含む第一
のガス種を供給後、一方のV族構成元素:Bを含む第二
のガス種を供給し、その後にn型不純物となるVI族構成
元素:Cを含む第三のガス種を供給して、第二のガス種
によって供給されたV族元素:Bの一部を第三のガス種
によって供給されたVI族元素:Cに置換させることを特
徴とするIII−V族化合物半導体結晶のドーピング方法
である。
を含むガス種との供給を交互に繰り返しながら気相成長
を行うIII−V族化合物半導体結晶の原子層エピタキシ
ャル成長方法において、III族構成元素:Aを含む第一
のガス種を供給後、一方のV族構成元素:Bを含む第二
のガス種を供給し、その後にn型不純物となるVI族構成
元素:Cを含む第三のガス種を供給して、第二のガス種
によって供給されたV族元素:Bの一部を第三のガス種
によって供給されたVI族元素:Cに置換させることを特
徴とするIII−V族化合物半導体結晶のドーピング方法
である。
III−V族化合物半導体の原子層エピタキシィーの成長
機構としては、まずIII族構成元素を含むガス種を基板
上に供給し、III族構成元素を含む吸着種を基板上に吸
着させ、次にV族構成元素を含むガス種を基板上に供給
し、吸着種と反応させ、III−V族化合物半導体結晶を
一分子層成長させる。
機構としては、まずIII族構成元素を含むガス種を基板
上に供給し、III族構成元素を含む吸着種を基板上に吸
着させ、次にV族構成元素を含むガス種を基板上に供給
し、吸着種と反応させ、III−V族化合物半導体結晶を
一分子層成長させる。
ここでn型ドーパントとしてV族サイトを占めるVI族不
純物のドーピングを考えると、まずIII族構成元素:A
を含む第一のガス種を基板上に供給し、第一の吸着種を
基板上に吸着させ、、V族構成元素:Bを含む第二のガ
ス種を基板上に供給し、第一の吸着種と反応させ、III
−V族化合物半導体(A−B)結晶を一分子層成長させる。
しかる後、VI族構成元素:Cを含む第三のガス種を基板
上に供給する。ここでVI族構成元素:Cの入るべきV族
サイトはすでにV族構成元素:Bで埋められており、C
原子はB原子の一部を置換する。
純物のドーピングを考えると、まずIII族構成元素:A
を含む第一のガス種を基板上に供給し、第一の吸着種を
基板上に吸着させ、、V族構成元素:Bを含む第二のガ
ス種を基板上に供給し、第一の吸着種と反応させ、III
−V族化合物半導体(A−B)結晶を一分子層成長させる。
しかる後、VI族構成元素:Cを含む第三のガス種を基板
上に供給する。ここでVI族構成元素:Cの入るべきV族
サイトはすでにV族構成元素:Bで埋められており、C
原子はB原子の一部を置換する。
ここでB原子とC原子の置換の割合はB原子の脱離の速
度によって律速されるので、基板面内で高均一なドーピ
ングが可能となる。また ドーピング濃度の制御にはVI族構成元素:Cを含む第三
のガス種の供給時間を制御することにより可能である。
またVI族構成元素:Cを含む第三のガス種の濃度を変化
させることによっても可能である。またVI族構成元素:
CとV族構成元素:Bを混合して第三のガス種としても
よい。
度によって律速されるので、基板面内で高均一なドーピ
ングが可能となる。また ドーピング濃度の制御にはVI族構成元素:Cを含む第三
のガス種の供給時間を制御することにより可能である。
またVI族構成元素:Cを含む第三のガス種の濃度を変化
させることによっても可能である。またVI族構成元素:
CとV族構成元素:Bを混合して第三のガス種としても
よい。
以下に本発明の実施例を図によって説明する。
本実施例ではハロゲン輸送法に基づくALE法エピタキシ
ャル成長によってSeドープGaAs層を成長させた例につい
て述べる。成長装置の概略を第1図に示した。なお多成
長室を有するALE成長装置については碓井等によってジ
ャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジッ
クス (Japanese Journal of Applied Physics)25,198
6,pp.L212-214に報告されている。この成長装置では、
下段の成長室11の上流にGaソースボート12を置き、その
上流からH2キャリアガスと共にHClガスを供給する。こ
の結果、GaClが生成され下流に輸送される。一方上段の
成長室13はAsの水素化物であるAsH3とSの水素化物であ
るH2SeをH2キャリアガスと共に供給できる。基板結晶14
としては2インチGaAs(100)面を用いた。反応管の温度
は抵抗加熱炉によりGaソース部は730℃、基板結晶部は5
00℃に設定した。ガス流量条件は次のとおりである。
ャル成長によってSeドープGaAs層を成長させた例につい
て述べる。成長装置の概略を第1図に示した。なお多成
長室を有するALE成長装置については碓井等によってジ
ャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジッ
クス (Japanese Journal of Applied Physics)25,198
6,pp.L212-214に報告されている。この成長装置では、
下段の成長室11の上流にGaソースボート12を置き、その
上流からH2キャリアガスと共にHClガスを供給する。こ
の結果、GaClが生成され下流に輸送される。一方上段の
成長室13はAsの水素化物であるAsH3とSの水素化物であ
るH2SeをH2キャリアガスと共に供給できる。基板結晶14
としては2インチGaAs(100)面を用いた。反応管の温度
は抵抗加熱炉によりGaソース部は730℃、基板結晶部は5
00℃に設定した。ガス流量条件は次のとおりである。
ガス種 流量 HCl 2sccm AsH3 6sccm H2Se 5×10-3sccm H2 5slm まず下段の成長室11でGaClを吸着させ、基板移送機構部
15を動作させ、基板を上段の成長室13へ移動して、AsH3
を供給し、(GaAs)一分子層成長させる。次にAsH3ガスと
共にH2Seを2秒間供給した。これらの操作を5000回繰り
返した。
15を動作させ、基板を上段の成長室13へ移動して、AsH3
を供給し、(GaAs)一分子層成長させる。次にAsH3ガスと
共にH2Seを2秒間供給した。これらの操作を5000回繰り
返した。
得られた結晶をホール測定にてキャリア濃度を調べた結
果、n=2×1017(cm-3)であり、均一性は5%以内で2
インチ基板全面にわたって測定誤差範囲内であった。
果、n=2×1017(cm-3)であり、均一性は5%以内で2
インチ基板全面にわたって測定誤差範囲内であった。
以上はハロゲン輸送法に基づくALE法エピタキシャル成
長に本発明によるドーピング方法を適用した例について
述べたが、本発明はIII族原料とV族原料を交互に供給
する原子層エピタキシャル成長ならばすべての成長方法
に適用可能なことはそのドーピングメカニズムより明ら
かである。また、n型不純物としてS,Teについても同
様である。
長に本発明によるドーピング方法を適用した例について
述べたが、本発明はIII族原料とV族原料を交互に供給
する原子層エピタキシャル成長ならばすべての成長方法
に適用可能なことはそのドーピングメカニズムより明ら
かである。また、n型不純物としてS,Teについても同
様である。
以上述べたように、本発明によるIII−V族化合物半導
体結晶のドーピング方法によればIII−V族化合物半導
体結晶の原子層エピタキシャル成長方法において、高均
一でかつ濃度制御性が高いドーピングを行うことができ
る効果を有するものである。
体結晶のドーピング方法によればIII−V族化合物半導
体結晶の原子層エピタキシャル成長方法において、高均
一でかつ濃度制御性が高いドーピングを行うことができ
る効果を有するものである。
第1図は本発明の実施例を説明するためのGaAsのハロゲ
ン輸送法に基づく原子層エピタキシャル成長装置を示す
概略図である。 11……下段成長室、12……Gaソースボート 13……上段成長室、14……基板結晶 15……基板移動機構部
ン輸送法に基づく原子層エピタキシャル成長装置を示す
概略図である。 11……下段成長室、12……Gaソースボート 13……上段成長室、14……基板結晶 15……基板移動機構部
Claims (1)
- 【請求項1】III族構成元素を含むガス種と、V族構成
元素を含むガス種との供給を交互に繰り返しながら気相
成長を行うIII−V族化合物半導体結晶の原子層エピタ
キシャル成長方法において、III族構成元素:Aを含む
第一のガス種を供給後、V族構成元素:Bを含む第二の
ガス種を供給し、その後にn型不純物となるVI族構成元
素:Cを含む第三のガス種を供給して、第二のガス種に
よって供給されたV族元素:Bの一部を第三のガス種に
よって供給されたVI族元素:Cに置換させることを特徴
とするIII−V族化合物半導体結晶のドーピング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1356287A JPH0620044B2 (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | ▲iii▼−▲v▼族化合物半導体結晶のド−ピング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1356287A JPH0620044B2 (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | ▲iii▼−▲v▼族化合物半導体結晶のド−ピング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63181314A JPS63181314A (ja) | 1988-07-26 |
JPH0620044B2 true JPH0620044B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=11836611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1356287A Expired - Lifetime JPH0620044B2 (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | ▲iii▼−▲v▼族化合物半導体結晶のド−ピング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0620044B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2821563B2 (ja) * | 1991-07-18 | 1998-11-05 | 科学技術振興事業団 | 化合物結晶のエピタキシャル成長方法及びそのドーピング方法 |
-
1987
- 1987-01-22 JP JP1356287A patent/JPH0620044B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63181314A (ja) | 1988-07-26 |
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