JPH06196462A - 半導体装置におけるコンタクトホールの形成方法 - Google Patents
半導体装置におけるコンタクトホールの形成方法Info
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- JPH06196462A JPH06196462A JP35767592A JP35767592A JPH06196462A JP H06196462 A JPH06196462 A JP H06196462A JP 35767592 A JP35767592 A JP 35767592A JP 35767592 A JP35767592 A JP 35767592A JP H06196462 A JPH06196462 A JP H06196462A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 コンタクトホールの形成時に、コンタクトホ
ール内に形成される汚染物質を確実に除去し、コンタク
トホール内に埋め込まれる導電物質の劣化を抑制して、
コンタクト不良を防止するようにした半導体装置におけ
るコンタクトホールの形成方法を提供することを目的と
する。 【構成】 アルミニウムからなる第１配線層１上に、Ｓ
ｉＯ2 膜２ａ、２ｂ及びＳＯＧ膜３からなる層間絶縁膜
４を形成し、層間絶縁膜４を選択的にエッチング除去
し、第１配線層１に達するコンタクトホール５を形成
し、エチルアルコールが１０％含まれるパーフロロカー
ボン系溶液の混合液によって洗浄し、コンタクトホール
５の側壁に堆積された主としてアルミニウムのフッ化物
からなる汚染物質６を除去してなる。
ール内に形成される汚染物質を確実に除去し、コンタク
トホール内に埋め込まれる導電物質の劣化を抑制して、
コンタクト不良を防止するようにした半導体装置におけ
るコンタクトホールの形成方法を提供することを目的と
する。 【構成】 アルミニウムからなる第１配線層１上に、Ｓ
ｉＯ2 膜２ａ、２ｂ及びＳＯＧ膜３からなる層間絶縁膜
４を形成し、層間絶縁膜４を選択的にエッチング除去
し、第１配線層１に達するコンタクトホール５を形成
し、エチルアルコールが１０％含まれるパーフロロカー
ボン系溶液の混合液によって洗浄し、コンタクトホール
５の側壁に堆積された主としてアルミニウムのフッ化物
からなる汚染物質６を除去してなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンタクトホール内に
形成される汚染物質を確実に除去する半導体装置におけ
るコンタクトホールの形成方法に関する。
形成される汚染物質を確実に除去する半導体装置におけ
るコンタクトホールの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】下層配線と上層配線が層間絶縁膜を介し
て絶縁されてなる２層配線構造において、下層配線と上
層配線とを接続するコンタクトホール（スルーホール）
を層間絶縁膜に形成する方法としては、例えば図４に示
すような方法がある。
て絶縁されてなる２層配線構造において、下層配線と上
層配線とを接続するコンタクトホール（スルーホール）
を層間絶縁膜に形成する方法としては、例えば図４に示
すような方法がある。
【０００３】図４において、例えばアルミニウムからな
る第１配線層５１を形成した後、プラズマＣＶＤ法で形
成されるＳｉＯ2 膜５２ａ、平坦化用のＳＯＧ（Spin o
n Glass ）膜５３、プラズマＣＶＤ法で形成されるＳｉ
０2 膜５２ｂを順次堆積してなる３層構造の層間絶縁膜
５４を形成する（図４（ａ））。
る第１配線層５１を形成した後、プラズマＣＶＤ法で形
成されるＳｉＯ2 膜５２ａ、平坦化用のＳＯＧ（Spin o
n Glass ）膜５３、プラズマＣＶＤ法で形成されるＳｉ
０2 膜５２ｂを順次堆積してなる３層構造の層間絶縁膜
５４を形成する（図４（ａ））。
【０００４】次に、フォトリソグラフィー工程によりパ
ターニングしたレジスト５５を形成し、このレジスト５
５をマスクとして、まず、ウェットエッチングを行な
い、コンタクトホール５６の開口端をテーパ形状に形成
し、続いて、ドライエッチングを行ない、層間絶縁膜５
４に第１配線層５１に達するコンタクトホール５６を形
成する（図４（ｂ））。
ターニングしたレジスト５５を形成し、このレジスト５
５をマスクとして、まず、ウェットエッチングを行な
い、コンタクトホール５６の開口端をテーパ形状に形成
し、続いて、ドライエッチングを行ない、層間絶縁膜５
４に第１配線層５１に達するコンタクトホール５６を形
成する（図４（ｂ））。
【０００５】次に、レジスト５５を除去した後、Ｏ2 ガ
スによるドライアッシングによりレジストの洗浄を行な
い、続いて、Ａｒガスによるプレスパッタを行なって、
表面を洗浄する。その後、例えばアルミニウムからなる
第２配線層５７を、アルミニウムがコンタクトホール５
６に埋め込まれるようにして堆積形成し、層間絶縁膜５
４により絶縁されて、コンタクトホール５６を介して接
続された第１配線層５１と第２配線層５７との２層配線
構造が得られる（図４（ｃ））。
スによるドライアッシングによりレジストの洗浄を行な
い、続いて、Ａｒガスによるプレスパッタを行なって、
表面を洗浄する。その後、例えばアルミニウムからなる
第２配線層５７を、アルミニウムがコンタクトホール５
６に埋め込まれるようにして堆積形成し、層間絶縁膜５
４により絶縁されて、コンタクトホール５６を介して接
続された第１配線層５１と第２配線層５７との２層配線
構造が得られる（図４（ｃ））。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このようなコンタクト
ホールの形成方法において、層間絶縁膜５４にコンタク
トホール５６を形成する際に、コンタクトホール５６が
下層の第１配線層５１に達するまで確実に開孔されるた
め、また、下層の第１配線層５１に段差が生じて、コン
タクトホール５６の深さにばらつきが生じるため、第１
配線層５１をある程度オーバーエッチングしなければな
らなかった。このため、層間絶縁膜５４をドライエッチ
ングにより除去する際に、主としてＳｉＯ2 膜等のドラ
イエッチング処理に適したＣＦ4 等のフレオン系エッチ
ングガスにより、第１配線層５１のアルミニウムがスパ
ッタされることになる。すなわち、アルミニウムをエッ
チングするエッチングガスとして適していないエッチン
グガスによりアルミニウムがエッチングされる。
ホールの形成方法において、層間絶縁膜５４にコンタク
トホール５６を形成する際に、コンタクトホール５６が
下層の第１配線層５１に達するまで確実に開孔されるた
め、また、下層の第１配線層５１に段差が生じて、コン
タクトホール５６の深さにばらつきが生じるため、第１
配線層５１をある程度オーバーエッチングしなければな
らなかった。このため、層間絶縁膜５４をドライエッチ
ングにより除去する際に、主としてＳｉＯ2 膜等のドラ
イエッチング処理に適したＣＦ4 等のフレオン系エッチ
ングガスにより、第１配線層５１のアルミニウムがスパ
ッタされることになる。すなわち、アルミニウムをエッ
チングするエッチングガスとして適していないエッチン
グガスによりアルミニウムがエッチングされる。
【０００７】これにより、アルミニウムとエッチングガ
スに含まれるフッ素が反応して、主としてアルミニウム
のフッ化物からなる堆積物（一種の汚染物質）５８が、
図４（ｂ）に示すように、コンタクトホール５６の側壁
に付着形成されていた。
スに含まれるフッ素が反応して、主としてアルミニウム
のフッ化物からなる堆積物（一種の汚染物質）５８が、
図４（ｂ）に示すように、コンタクトホール５６の側壁
に付着形成されていた。
【０００８】このような汚染物質５８は、コンタクトホ
ール５６を形成した後に行われるＯ2 ガスによるドライ
アッシング処理や、Ａｒガスによるプレスパッタ処理の
洗浄処理では、除去することができなかった。
ール５６を形成した後に行われるＯ2 ガスによるドライ
アッシング処理や、Ａｒガスによるプレスパッタ処理の
洗浄処理では、除去することができなかった。
【０００９】したがって、高温保管試験や電流印加試験
を実施すると、コンタクトホール５６に埋め込まれた第
２配線層５７がマイグレーションを起こし、オープン不
良等のコンタクト不良が発生するという不具合を招いて
いた。
を実施すると、コンタクトホール５６に埋め込まれた第
２配線層５７がマイグレーションを起こし、オープン不
良等のコンタクト不良が発生するという不具合を招いて
いた。
【００１０】そこで、本発明は、上記の点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、コンタクト
ホール内に形成される汚染物質を確実に除去し、コンタ
クトホール内に埋め込まれる導電物質の劣化を回避し
て、コンタクト不良を防止した半導体装置におけるコン
タクトホールの形成方法を提供することにある。
れたものであり、その目的とするところは、コンタクト
ホール内に形成される汚染物質を確実に除去し、コンタ
クトホール内に埋め込まれる導電物質の劣化を回避し
て、コンタクト不良を防止した半導体装置におけるコン
タクトホールの形成方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、導電物質からなる下地層上に、層間絶縁
膜を形成する工程と、層間絶縁膜を選択的に除去し、下
地層に達するコンタクトホールを形成する工程と、パー
フロロカーボン系溶液を主溶液として、アルコール系溶
液が０〜１５％含まれる第１の混合液、又はケトン系溶
液が０〜３０％含まれる第２の混合液、あるいはアルコ
ール系溶液とケトン系溶液との混合液が０〜３０％含ま
れケトン系溶液に対してアルコール系溶液が０〜５０％
含まれる第３の混合液によって洗浄する工程とから構成
される。
に、本発明は、導電物質からなる下地層上に、層間絶縁
膜を形成する工程と、層間絶縁膜を選択的に除去し、下
地層に達するコンタクトホールを形成する工程と、パー
フロロカーボン系溶液を主溶液として、アルコール系溶
液が０〜１５％含まれる第１の混合液、又はケトン系溶
液が０〜３０％含まれる第２の混合液、あるいはアルコ
ール系溶液とケトン系溶液との混合液が０〜３０％含ま
れケトン系溶液に対してアルコール系溶液が０〜５０％
含まれる第３の混合液によって洗浄する工程とから構成
される。
【００１２】
【作用】上記構成において、本発明は、コンタクトホー
ルを開孔した後、第１、第２、又は第３の混合液によっ
て洗浄し、下地層を形成する導電物質と層間絶縁膜を選
択的に除去する際の除去剤に含まれる物質との化合物か
らなる汚染物質を除去するようにしている。
ルを開孔した後、第１、第２、又は第３の混合液によっ
て洗浄し、下地層を形成する導電物質と層間絶縁膜を選
択的に除去する際の除去剤に含まれる物質との化合物か
らなる汚染物質を除去するようにしている。
【００１３】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の一実施例を説明
する。
する。
【００１４】図１は本発明の一実施例に係わる半導体装
置におけるコンタクトホールの形成方法を示す工程断面
図である。図１に示す実施例は、本発明のコンタクトホ
ールの形成方法を、２層配線構造に適用したものであ
る。
置におけるコンタクトホールの形成方法を示す工程断面
図である。図１に示す実施例は、本発明のコンタクトホ
ールの形成方法を、２層配線構造に適用したものであ
る。
【００１５】まず、図１（ａ）に示すように、例えばア
ルミニウム又はアルミニウム合金からなる第１配線層１
を形成する。その後、第１配線層１上にプラズマＣＶＤ
法によりＳｉＯ2 膜２ａを３０００Å程度の厚さに堆積
形成する。さらに、ＳＯＧの塗布とアニール処理を１〜
２回程度繰り返して行ない、ＳＯＧ膜３を１５００Å程
度の厚さに堆積形成する。続いて、ドライエッチングに
よりＳＯＧ膜３を全面エッチバックして表面を平坦化す
る。その後、ＳＯＧ膜３上に、プラズマＣＶＤ法により
ＳｉＯ2 膜２ｂを６０００Å程度の厚さに堆積形成す
る。これにより、第１配線層１上にＳＯＧ膜３をＳｉＯ
2 膜２ａ、２ｂで挟んでなる３層構造の層間絶縁膜４を
形成する。
ルミニウム又はアルミニウム合金からなる第１配線層１
を形成する。その後、第１配線層１上にプラズマＣＶＤ
法によりＳｉＯ2 膜２ａを３０００Å程度の厚さに堆積
形成する。さらに、ＳＯＧの塗布とアニール処理を１〜
２回程度繰り返して行ない、ＳＯＧ膜３を１５００Å程
度の厚さに堆積形成する。続いて、ドライエッチングに
よりＳＯＧ膜３を全面エッチバックして表面を平坦化す
る。その後、ＳＯＧ膜３上に、プラズマＣＶＤ法により
ＳｉＯ2 膜２ｂを６０００Å程度の厚さに堆積形成す
る。これにより、第１配線層１上にＳＯＧ膜３をＳｉＯ
2 膜２ａ、２ｂで挟んでなる３層構造の層間絶縁膜４を
形成する。
【００１６】次に、層間絶縁膜４上に、フォトリソグラ
フィー工程によりレジストパターン（図示せず）を形成
した後、このレジストパターンをマスクとして、例えば
ＮＨ4 ＯＨ／ＨＦの混合液により層間絶縁膜４のＳｉＯ
2 膜２ｂを選択的に３０００Å程度の深さにウェットエ
ッチングして除去する。これにより、コンタクトホール
５の開口端をテーパ形状に形成し、コンタクトホール５
に第２配線層が埋め込まれる際のステップカバレージを
向上させるようにしている。
フィー工程によりレジストパターン（図示せず）を形成
した後、このレジストパターンをマスクとして、例えば
ＮＨ4 ＯＨ／ＨＦの混合液により層間絶縁膜４のＳｉＯ
2 膜２ｂを選択的に３０００Å程度の深さにウェットエ
ッチングして除去する。これにより、コンタクトホール
５の開口端をテーパ形状に形成し、コンタクトホール５
に第２配線層が埋め込まれる際のステップカバレージを
向上させるようにしている。
【００１７】ひき続いて、例えば平行平板型の反応性イ
オンエッチング装置を用いて、ＣＨＦ3 が６０ｃｃｍ、
ＣＦ4 が６０ｃｃｍ、Ａｒが８００ｃｃｍのエッチング
ガスにより、圧力１．７Ｔｏｒｒ、高周波電力７５０Ｗ
の条件下で層間絶縁膜４を第１配線層１に達するまでド
ライエッチングして除去し、コンタクトホール５を形成
する。
オンエッチング装置を用いて、ＣＨＦ3 が６０ｃｃｍ、
ＣＦ4 が６０ｃｃｍ、Ａｒが８００ｃｃｍのエッチング
ガスにより、圧力１．７Ｔｏｒｒ、高周波電力７５０Ｗ
の条件下で層間絶縁膜４を第１配線層１に達するまでド
ライエッチングして除去し、コンタクトホール５を形成
する。
【００１８】この時に、図２に示すように、第１配線層
１に段差が生じている部分に形成されるコンタクトホー
ル５があるため、段差によりコンタクトホール５のエッ
チング深さ（図２にＤで示す）がそれぞれのコンタクト
ホール５で異なることになる。このため、すべてのコン
タクトホール５の深さが確実に第１配線層１にまで達す
るためには、上述したドライエッチングの際に５０％程
度のオーバーエッチングを行なう必要がある。
１に段差が生じている部分に形成されるコンタクトホー
ル５があるため、段差によりコンタクトホール５のエッ
チング深さ（図２にＤで示す）がそれぞれのコンタクト
ホール５で異なることになる。このため、すべてのコン
タクトホール５の深さが確実に第１配線層１にまで達す
るためには、上述したドライエッチングの際に５０％程
度のオーバーエッチングを行なう必要がある。
【００１９】このようなドライエッチング処理の後、レ
ジストパターンを除去し、例えば３５０ｃｃｍのＯ2 の
ガスプラズマにより、圧力０．６Ｔｏｒｒ、μ波電力１
０００Ｗの条件下で、ドライアッシング処理を行なう。
このドライアッシング処理では、従来の技術の欄で説明
したように、ドライエッチングを行なった際に、コンタ
クトホール５の側壁に付着形成される、主としてアルミ
ニウムのフッ化物からなる一種の汚染物質６は除去され
ず、付着されたままとなる（図１（ａ））。
ジストパターンを除去し、例えば３５０ｃｃｍのＯ2 の
ガスプラズマにより、圧力０．６Ｔｏｒｒ、μ波電力１
０００Ｗの条件下で、ドライアッシング処理を行なう。
このドライアッシング処理では、従来の技術の欄で説明
したように、ドライエッチングを行なった際に、コンタ
クトホール５の側壁に付着形成される、主としてアルミ
ニウムのフッ化物からなる一種の汚染物質６は除去され
ず、付着されたままとなる（図１（ａ））。
【００２０】次に、例えば３Ｍ製のフロリナート（商品
名）やモンテジソン製のガルデン（商品名）等のパーフ
ロロカーボン系溶液にエチルアルコールを１０％程度混
合した洗浄液により洗浄処理を行なう。これにより、コ
ンタクトホール５が洗浄されて、コンタクトホール５の
側壁に付着した汚染物質６が確実に除去される（図１
（ｂ））。
名）やモンテジソン製のガルデン（商品名）等のパーフ
ロロカーボン系溶液にエチルアルコールを１０％程度混
合した洗浄液により洗浄処理を行なう。これにより、コ
ンタクトホール５が洗浄されて、コンタクトホール５の
側壁に付着した汚染物質６が確実に除去される（図１
（ｂ））。
【００２１】なお、上述した洗浄液は、パーフロロカー
ボン系溶液に混合されるエチルアルコールの外に、他の
アルコール系溶液であってもよく、また、混合比は０〜
１５％の範囲であれば十分な洗浄能力が得られる。
ボン系溶液に混合されるエチルアルコールの外に、他の
アルコール系溶液であってもよく、また、混合比は０〜
１５％の範囲であれば十分な洗浄能力が得られる。
【００２２】また、アルコール系溶液の外に、例えばイ
ソプロピルケトン等のケトン系溶液を０〜３０％程度、
好ましくは２０％程度混合させた洗浄液であってもよ
い。
ソプロピルケトン等のケトン系溶液を０〜３０％程度、
好ましくは２０％程度混合させた洗浄液であってもよ
い。
【００２３】さらに、洗浄液は、混合比がパーフロロカ
ーボン系溶液に対してケトン系溶液が０〜３０％程度、
好ましくは２０％程度、アルコール系溶液がケトン系溶
液に対して０〜５０％程度、好ましくは２５％程度含ん
だ混合液であっても、同等の洗浄能力を得ることができ
る。
ーボン系溶液に対してケトン系溶液が０〜３０％程度、
好ましくは２０％程度、アルコール系溶液がケトン系溶
液に対して０〜５０％程度、好ましくは２５％程度含ん
だ混合液であっても、同等の洗浄能力を得ることができ
る。
【００２４】上述した洗浄処理は、例えば図３に示すよ
うに、上述した洗浄液１０を満たした洗浄槽１１に、図
１（ａ）に示した工程を終了してウェハキャリア１２に
より支持されたウェハ１３を浸漬し、洗浄槽１１と循環
槽１４をポンプ１５、フィルタ１６を介在させた循環路
１７により連結し、洗浄液１０を洗浄槽１１から循環槽
１４にオーバーフローさせ、再び洗浄槽１１に循環させ
て洗浄処理を行なうことにより、パーフロロカーボン系
溶液に対して比重の軽いアルコール系溶液又はケトン溶
液によって洗浄された汚染物質を効率よく洗浄槽１１か
ら排出することが可能となる。
うに、上述した洗浄液１０を満たした洗浄槽１１に、図
１（ａ）に示した工程を終了してウェハキャリア１２に
より支持されたウェハ１３を浸漬し、洗浄槽１１と循環
槽１４をポンプ１５、フィルタ１６を介在させた循環路
１７により連結し、洗浄液１０を洗浄槽１１から循環槽
１４にオーバーフローさせ、再び洗浄槽１１に循環させ
て洗浄処理を行なうことにより、パーフロロカーボン系
溶液に対して比重の軽いアルコール系溶液又はケトン溶
液によって洗浄された汚染物質を効率よく洗浄槽１１か
ら排出することが可能となる。
【００２５】次に、例えばアルミニウムを堆積形成し
て、第２配線層７を形成する。これにより、層間絶縁膜
４で絶縁されて、コンタクトホール５を介して接続され
た第１配線層１と第２配線層７の２層配線構造が得られ
る（図１（ｃ））。
て、第２配線層７を形成する。これにより、層間絶縁膜
４で絶縁されて、コンタクトホール５を介して接続され
た第１配線層１と第２配線層７の２層配線構造が得られ
る（図１（ｃ））。
【００２６】このように、パーフロロカーボン溶液を主
溶液とする洗浄液で洗浄し、コンタクトホール５内の汚
染物質６を確実に除去した後、第２配線層７がコンタク
トホール５内に埋め込まれるので、高温保管試験や電流
印加試験を実施した場合に、第２配線層７が劣化して、
オープン不良等のコンタクト不良が引き起こされるとい
う不具合を防止することができ、信頼性を高めることが
できる。
溶液とする洗浄液で洗浄し、コンタクトホール５内の汚
染物質６を確実に除去した後、第２配線層７がコンタク
トホール５内に埋め込まれるので、高温保管試験や電流
印加試験を実施した場合に、第２配線層７が劣化して、
オープン不良等のコンタクト不良が引き起こされるとい
う不具合を防止することができ、信頼性を高めることが
できる。
【００２７】また、第２配線層７を形成する工程におい
て、コンタクトホール５を開孔した後、洗浄液により洗
浄処理しているので、表面を洗浄する目的で従来から行
われていたＡｒによるプレスパッタ処理が不要となる。
て、コンタクトホール５を開孔した後、洗浄液により洗
浄処理しているので、表面を洗浄する目的で従来から行
われていたＡｒによるプレスパッタ処理が不要となる。
【００２８】なお、本発明は、上記実施例に限ることは
なく、例えば上記実施例では配線間を接続するコンタク
トホールの形成方法について説明したが、電極であって
も本発明が適用できることは勿論である。また、配線や
電極の材料は、アルミニウムやアルミニウムの合金に限
らず、他の金属や合金であってもよい。
なく、例えば上記実施例では配線間を接続するコンタク
トホールの形成方法について説明したが、電極であって
も本発明が適用できることは勿論である。また、配線や
電極の材料は、アルミニウムやアルミニウムの合金に限
らず、他の金属や合金であってもよい。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
コンタクトホールを形成した後、パーフロロカーボン系
溶液を主溶液とする洗浄液により洗浄処理を施すように
したので、コンタクトホール内に形成された汚染物質を
確実に除去することが可能となる。これにより、コンタ
クトホール内に埋め込まれて下地層と接続される物質の
汚染物質による劣化が回避され、コンタクト不良を防止
することができるようになる。
コンタクトホールを形成した後、パーフロロカーボン系
溶液を主溶液とする洗浄液により洗浄処理を施すように
したので、コンタクトホール内に形成された汚染物質を
確実に除去することが可能となる。これにより、コンタ
クトホール内に埋め込まれて下地層と接続される物質の
汚染物質による劣化が回避され、コンタクト不良を防止
することができるようになる。
【図１】本発明の一実施例に係わる半導体装置における
コンタクトホールの形成方法を示す工程断面図である。
コンタクトホールの形成方法を示す工程断面図である。
【図２】本発明のコンタクトホールの形成方法が適用さ
れる半導体装置の一部断面図である。
れる半導体装置の一部断面図である。
【図３】本発明のコンタクトホールの形成方法における
洗浄処理を実施する装置の構成を示す図である。
洗浄処理を実施する装置の構成を示す図である。
【図４】従来のコンタクトホールの形成方法を示す工程
断面図である。
断面図である。
１、５１ 第１配線層 ２ａ、２ｂ、５２ａ、５２ｂ ＳｉＯ2 膜 ３、５３ ＳＯＧ膜 ４、５４ 層間絶縁膜 ５、５６ コンタクトホール ６、５８ 汚染物質 ７、５７ 第２配線層
Claims (2)
- 【請求項１】 導電物質からなる下地層上に、層間絶縁
膜を形成する第１の工程と、 層間絶縁膜を選択的に除去し、下地層に達するコンタク
トホールを形成する第２の工程と、 パーフロロカーボン系溶液を主溶液として、アルコール
系溶液が０〜１５％含まれる第１の混合液、又はケトン
系溶液が０〜３０％含まれる第２の混合液、あるいはア
ルコール系溶液とケトン系溶液との混合液が０〜３０％
含まれケトン系溶液に対してアルコール系溶液が０〜５
０％含まれる第３の混合液によって洗浄する第３の工程
とを有することを特徴とする半導体装置におけるコンタ
クトホールの形成方法。 - 【請求項２】 前記導電物質は、アルミニウムからなる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置におけるコ
ンタクトホールの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35767592A JPH06196462A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 半導体装置におけるコンタクトホールの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35767592A JPH06196462A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 半導体装置におけるコンタクトホールの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196462A true JPH06196462A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=18455338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35767592A Withdrawn JPH06196462A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 半導体装置におけるコンタクトホールの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06196462A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6192899B1 (en) * | 1997-09-17 | 2001-02-27 | Micron Technology, Inc. | Etch residue clean with aqueous HF/organic solution |
| KR100402940B1 (ko) * | 1996-11-13 | 2004-04-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 다중 금속층 형성 방법 |
-
1992
- 1992-12-24 JP JP35767592A patent/JPH06196462A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100402940B1 (ko) * | 1996-11-13 | 2004-04-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 다중 금속층 형성 방법 |
| US6192899B1 (en) * | 1997-09-17 | 2001-02-27 | Micron Technology, Inc. | Etch residue clean with aqueous HF/organic solution |
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