JPH06196461A - シリコンウエハの洗浄方法 - Google Patents
シリコンウエハの洗浄方法Info
- Publication number
- JPH06196461A JPH06196461A JP34621692A JP34621692A JPH06196461A JP H06196461 A JPH06196461 A JP H06196461A JP 34621692 A JP34621692 A JP 34621692A JP 34621692 A JP34621692 A JP 34621692A JP H06196461 A JPH06196461 A JP H06196461A
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- JP
- Japan
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- cleaning
- weight
- silicon wafer
- concentration
- hcl
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Abstract
(57)【要約】
【目的】最終研磨後のシリコンウエハを、シリコンウエ
ハを収納したカセットの交換が不要な連続洗浄装置で洗
浄する。 【構成】最終研磨後のシリコンウエハを、ＮＨ3 とＨ2
Ｏ2 とを含有する水溶液を用いて前段洗浄を行った後、
前段洗浄とは組成の異る水溶液を用いて後段洗浄を行う
洗浄方法において、１〜１０重量％のクエン酸と０．２
〜２重量％のＨＣｌとを含有する水溶液を用いて後段洗
浄を行う。
ハを収納したカセットの交換が不要な連続洗浄装置で洗
浄する。 【構成】最終研磨後のシリコンウエハを、ＮＨ3 とＨ2
Ｏ2 とを含有する水溶液を用いて前段洗浄を行った後、
前段洗浄とは組成の異る水溶液を用いて後段洗浄を行う
洗浄方法において、１〜１０重量％のクエン酸と０．２
〜２重量％のＨＣｌとを含有する水溶液を用いて後段洗
浄を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウエハの製造
工程において、最終研磨後のシリコンウエハの付着スラ
リ及び付着金属を除去する洗浄方法に関するものであ
る。
工程において、最終研磨後のシリコンウエハの付着スラ
リ及び付着金属を除去する洗浄方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】最終研磨後のシリコンウエハの洗浄は、
５〜２０重量％のＮＨ3 と１〜２０重量％のＨ2 Ｏ2 と
を含有する水溶液（超純水を用いる、以下同じ）を用い
て主として付着スラリの除去を目的とする前段洗浄と、
５〜２０重量％のＨＣｌと１〜２０重量％のＨ2 Ｏ2 と
を含有する水溶液を用い重金属の除去を目的とした後段
洗浄との組み合わせが一般的である。
５〜２０重量％のＮＨ3 と１〜２０重量％のＨ2 Ｏ2 と
を含有する水溶液（超純水を用いる、以下同じ）を用い
て主として付着スラリの除去を目的とする前段洗浄と、
５〜２０重量％のＨＣｌと１〜２０重量％のＨ2 Ｏ2 と
を含有する水溶液を用い重金属の除去を目的とした後段
洗浄との組み合わせが一般的である。
【０００３】この洗浄方法では、前段洗浄は付着スラリ
除去の点では優れた方法であるが、重金属については、
表面濃度の１例を表１に示すように、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ
は除去されるが、Ｆｅ、Ｚｎにはそれ程顕著な除去効果
はなく、Ａｌは逆に付着し易く非常に増加する。なお、
これ等の重金属の検出限界濃度は１．０×１０10ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ2 である。
除去の点では優れた方法であるが、重金属については、
表面濃度の１例を表１に示すように、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ
は除去されるが、Ｆｅ、Ｚｎにはそれ程顕著な除去効果
はなく、Ａｌは逆に付着し易く非常に増加する。なお、
これ等の重金属の検出限界濃度は１．０×１０10ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ2 である。
【０００４】Ｆｅ、Ｚｎ、Ａｌをその表面濃度を総て
１．０×１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 未満に除去するため
に後段洗浄が行われるが、前段洗浄には５〜２０重量％
のＮＨ 3 を含有する水溶液を、後段洗浄には５〜２０重
量％の濃度の高いＨＣｌを含有する水溶液を用いるの
で、前段洗浄と後段洗浄とを、図１の洗浄槽の配置を示
す模式平面図の（ａ）に示すように、前段洗浄槽１と後
段洗浄槽２とを連続洗浄装置４内に配置して行うと、前
段洗浄槽１より発生したＮＨ3 ガスと後段洗浄槽２より
発生したＨＣｌガスが反応して装置内にＮＨ4 Ｃｌの煙
霧を生じ洗浄したシリコンウエハに付着して汚染を生ず
る。なお、３は超純水槽である。
１．０×１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 未満に除去するため
に後段洗浄が行われるが、前段洗浄には５〜２０重量％
のＮＨ 3 を含有する水溶液を、後段洗浄には５〜２０重
量％の濃度の高いＨＣｌを含有する水溶液を用いるの
で、前段洗浄と後段洗浄とを、図１の洗浄槽の配置を示
す模式平面図の（ａ）に示すように、前段洗浄槽１と後
段洗浄槽２とを連続洗浄装置４内に配置して行うと、前
段洗浄槽１より発生したＮＨ3 ガスと後段洗浄槽２より
発生したＨＣｌガスが反応して装置内にＮＨ4 Ｃｌの煙
霧を生じ洗浄したシリコンウエハに付着して汚染を生ず
る。なお、３は超純水槽である。
【０００５】このＮＨ4 Ｃｌによる汚染を防止するため
に、図１の（ｂ）に示したように、前段洗浄と後段洗浄
とをカセット移しかえ超純水槽７を介しそれぞれ別個の
前段洗浄装置５と後段洗浄装置６とに分ける方法が用い
られているが、この方法においては酸とアルカリの２種
類の排気系を必要とし、また前段洗浄を終了したシリコ
ンウエハを収納したカセットを前段洗浄装置５から後段
洗浄装置６に移送する際に水中で入れかえる作業を必要
とするため設備が複雑で大がかりになる欠点がある。
に、図１の（ｂ）に示したように、前段洗浄と後段洗浄
とをカセット移しかえ超純水槽７を介しそれぞれ別個の
前段洗浄装置５と後段洗浄装置６とに分ける方法が用い
られているが、この方法においては酸とアルカリの２種
類の排気系を必要とし、また前段洗浄を終了したシリコ
ンウエハを収納したカセットを前段洗浄装置５から後段
洗浄装置６に移送する際に水中で入れかえる作業を必要
とするため設備が複雑で大がかりになる欠点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の欠点を解決し、操業の安定、および設備費を減少し得
るシリコンウエハの洗浄方法を提供しようとするもので
ある。
の欠点を解決し、操業の安定、および設備費を減少し得
るシリコンウエハの洗浄方法を提供しようとするもので
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、最終研磨後のシリコンウエハを、ＮＨ3と
Ｈ2 Ｏ2 とを含有する水溶液を用いて前段洗浄を行った
後、前段洗浄とは組成の異る水溶液を用いて後段洗浄を
行う洗浄方法において、１〜１０重量％のクエン酸と
０．２〜２重量％のＨＣｌとを含有する水溶液を用いて
後段洗浄を行うことを特徴とするシリコンウエハの洗浄
方法を提供するものである。
するために、最終研磨後のシリコンウエハを、ＮＨ3と
Ｈ2 Ｏ2 とを含有する水溶液を用いて前段洗浄を行った
後、前段洗浄とは組成の異る水溶液を用いて後段洗浄を
行う洗浄方法において、１〜１０重量％のクエン酸と
０．２〜２重量％のＨＣｌとを含有する水溶液を用いて
後段洗浄を行うことを特徴とするシリコンウエハの洗浄
方法を提供するものである。
【０００８】
【作用】本発明は、ＮＨ3 とＨ2 Ｏ2 とを含有する水溶
液を用いる従来技術による前段洗浄の後、特定濃度のク
エン酸とＨＣｌとを含有する新規な水溶液により後段洗
浄を行う方法である。クエン酸は揮発性がないので、前
段洗浄にＮＨ3 を含有する水溶液を用いて前段と後段の
洗浄を連続洗浄装置を用いて行っても、従来技術におけ
るＮＨ4 Ｃｌによるような汚染を生じない。
液を用いる従来技術による前段洗浄の後、特定濃度のク
エン酸とＨＣｌとを含有する新規な水溶液により後段洗
浄を行う方法である。クエン酸は揮発性がないので、前
段洗浄にＮＨ3 を含有する水溶液を用いて前段と後段の
洗浄を連続洗浄装置を用いて行っても、従来技術におけ
るＮＨ4 Ｃｌによるような汚染を生じない。
【０００９】しかし、表１に重金属の表面濃度を示した
前段洗浄後のシリコンウエハをクエン酸濃度１０重量％
の水溶液を用いて後段洗浄を行うと、重金属の表面濃度
は表２に示すようにＡｌが顕著に減少すると共にＦｅ、
Ｚｎも検出限界濃度以下に除去されるが、Ｃｕは再付着
により増加する。Ｃｕの再付着による増加を、重金属の
除去に効果のあるＨＣｌのなるべく濃度の低い水溶液を
用いて防ぐために、シリコンウエハの表面へのＣｕの吸
着のｐＨ依存性を調査した。その結果を図２に示す。表
面Ｃｕ濃度は、ＨＣｌ水溶液のＨＣｌ濃度を適切に選ぶ
ことにより＜１．０×１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 にする
ことができ、また、この処理によりＡｌも＜１．０ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ2 にすることができた。
前段洗浄後のシリコンウエハをクエン酸濃度１０重量％
の水溶液を用いて後段洗浄を行うと、重金属の表面濃度
は表２に示すようにＡｌが顕著に減少すると共にＦｅ、
Ｚｎも検出限界濃度以下に除去されるが、Ｃｕは再付着
により増加する。Ｃｕの再付着による増加を、重金属の
除去に効果のあるＨＣｌのなるべく濃度の低い水溶液を
用いて防ぐために、シリコンウエハの表面へのＣｕの吸
着のｐＨ依存性を調査した。その結果を図２に示す。表
面Ｃｕ濃度は、ＨＣｌ水溶液のＨＣｌ濃度を適切に選ぶ
ことにより＜１．０×１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 にする
ことができ、また、この処理によりＡｌも＜１．０ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ2 にすることができた。
【００１０】上記知見に基ずきクエン酸濃度及びＨＣｌ
濃度について検討を重ね、本発明においてはクエン酸濃
度を１〜１０重量％、ＨＣｌ濃度を０．２〜２重量％と
した。クエン酸濃度が１重量％未満では効果が不十分
で、１０重量％を越えると効果が飽和し、ＨＣｌ濃度が
０．２重量％未満では効果が不十分で、２重量％を越え
るととＮＨ4 Ｃｌによる汚染を生じる。
濃度について検討を重ね、本発明においてはクエン酸濃
度を１〜１０重量％、ＨＣｌ濃度を０．２〜２重量％と
した。クエン酸濃度が１重量％未満では効果が不十分
で、１０重量％を越えると効果が飽和し、ＨＣｌ濃度が
０．２重量％未満では効果が不十分で、２重量％を越え
るととＮＨ4 Ｃｌによる汚染を生じる。
【００１１】前段及び後段洗浄における処理温度は適宜
選定することができる。本発明により、最終研磨後のシ
リコンウエハを収納したカセットを交換することなく、
連続洗浄装置で洗浄を完了することができる。
選定することができる。本発明により、最終研磨後のシ
リコンウエハを収納したカセットを交換することなく、
連続洗浄装置で洗浄を完了することができる。
【００１２】
【実施例】最終研磨後のシリコンウエハを、図１の
（ａ）に模式平面図を示した連続洗浄装置を用い、ＮＨ
3 濃度５重量％、Ｈ2 Ｏ2 濃度５重量％、温度８０℃の
水溶液を用いて前段洗浄を行った後、クエン酸濃度１０
重量％、ＨＣｌ濃度０．５重量％、温度７５℃の水溶液
を用いて後段洗浄を行った。比較例として、後段洗浄を
ＨＣｌ濃度５重量％、Ｈ2 Ｏ2 濃度５重量％の水溶液を
用いたほかは実施例と同様に洗浄した。試験結果を表３
に示す。
（ａ）に模式平面図を示した連続洗浄装置を用い、ＮＨ
3 濃度５重量％、Ｈ2 Ｏ2 濃度５重量％、温度８０℃の
水溶液を用いて前段洗浄を行った後、クエン酸濃度１０
重量％、ＨＣｌ濃度０．５重量％、温度７５℃の水溶液
を用いて後段洗浄を行った。比較例として、後段洗浄を
ＨＣｌ濃度５重量％、Ｈ2 Ｏ2 濃度５重量％の水溶液を
用いたほかは実施例と同様に洗浄した。試験結果を表３
に示す。
【００１３】実施例は、比較例では発生したＮＨ4 Ｃｌ
による汚染を生せず、しかも重金属は十分に洗浄されて
いる。
による汚染を生せず、しかも重金属は十分に洗浄されて
いる。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【表２】
【００１６】
【表３】
【００１７】
【発明の効果】本発明により、シリコンウエハを収納し
たカセットの交換を必要としない連続洗浄装置を使用し
ながら、ＮＨ4 Ｃｌによる汚染を生せず、しかも重金属
を十分に洗浄することができる。
たカセットの交換を必要としない連続洗浄装置を使用し
ながら、ＮＨ4 Ｃｌによる汚染を生せず、しかも重金属
を十分に洗浄することができる。
【図１】洗浄槽の配置を示す模式平面図である。
【図２】ＨＣｌ水溶液のｐＨと表面Ｃｕ濃度との関係を
示すグラフである。
示すグラフである。
１ 前段洗浄槽 ２ 後段洗浄槽 ３ 超純水槽 ４ 連続洗浄装
置 ５ 前段洗浄装置 ６ 後段洗浄装
置 ７ カセット移しかえ超純水槽
置 ５ 前段洗浄装置 ６ 後段洗浄装
置 ７ カセット移しかえ超純水槽
Claims (1)
- 【請求項１】 最終研磨後のシリコンウエハを、ＮＨ3
とＨ2 Ｏ2 とを含有する水溶液を用いて前段洗浄を行っ
た後、前段洗浄とは組成の異る水溶液を用いて後段洗浄
を行う洗浄方法において、１〜１０重量％のクエン酸と
０．２〜２重量％のＨＣｌとを含有する水溶液を用いて
後段洗浄を行うことを特徴とするシリコンウエハの洗浄
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34621692A JPH06196461A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | シリコンウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34621692A JPH06196461A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | シリコンウエハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196461A true JPH06196461A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=18381900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34621692A Withdrawn JPH06196461A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | シリコンウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06196461A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2722511A1 (fr) * | 1994-07-15 | 1996-01-19 | Ontrak Systems Inc | Procede pour enlever les metaux dans un dispositif de recurage |
| EP0818809A2 (en) * | 1996-06-13 | 1998-01-14 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Method of washing semiconductor wafers |
| US6387190B1 (en) | 1998-05-20 | 2002-05-14 | Nec Corporation | Method for cleaning semiconductor wafer after chemical mechanical polishing on copper wiring |
| KR100811411B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2008-03-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 화학적 기계적 연마방법 |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP34621692A patent/JPH06196461A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2722511A1 (fr) * | 1994-07-15 | 1996-01-19 | Ontrak Systems Inc | Procede pour enlever les metaux dans un dispositif de recurage |
| EP0818809A2 (en) * | 1996-06-13 | 1998-01-14 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Method of washing semiconductor wafers |
| EP0818809A3 (en) * | 1996-06-13 | 1998-06-10 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Method of washing semiconductor wafers |
| US6387190B1 (en) | 1998-05-20 | 2002-05-14 | Nec Corporation | Method for cleaning semiconductor wafer after chemical mechanical polishing on copper wiring |
| US6767409B2 (en) | 1998-05-20 | 2004-07-27 | Nec Electronics Corporation | Method for cleaning semiconductor wafer after chemical mechanical polishing on copper wiring |
| KR100811411B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2008-03-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 화학적 기계적 연마방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000307 |