JPH06188302A - 半導体素子の位置検出装置及び位置検出方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、リードフレームのダイステージ上
にダイボンディングされた半導体素子のステージに対す
る位置ずれを検出する装置に関し、微小な位置ずれを確
実に検出することを目的としている。 【構成】 ダイステージ４に搭載された半導体素子２に
光を照射する光源７と、該光源７と半導体素子２の間に
位置し、半導体素子２からの反射光のうち平行光、散乱
光のいずれか一方のみを透過する光学系５と、該光学系
５を透過した光のうちの特定の光のみ透過させて位置ず
れ量を増幅させるような遮光パターンが形成されたスリ
ット板９と、該スリット板９を透過した光を受光してそ
の受光結果をもとに半導体素子２のダイステージに対す
る位置ずれ量を算出する位置ずれ検出部１０を有する構
成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の位置検出
装置及び位置検出方法に係り、特にリードフレームのダ
イステージ上にダイボンディングされた半導体素子のス
テージに対する位置ずれを検出する装置及び方法に関す
る。近年、半導体装置は大容量化に伴って高密度となっ
ているため、ダイステージに搭載した際に、位置ずれが
生じるとワイヤボンディングを行う時に、ワイヤが素子
上のパッドに接続されないようなことが起こることにな
る。

【０００２】また、大容量化に伴って素子が大型化する
のに対して、素子を搭載するステージは大きくせず小型
化をはかっている。従って、寸法に余裕がなく、僅かな
位置ずれでステージからはみ出してしまうことがある。
以上のように、ダイステージに対する半導体素子の位置
精度は、厳しくなっており、僅かな位置ずれを確実に検
出することが望まれる。

【０００３】

【従来の技術】従来、リードフレームのダイステージに
搭載される半導体素子の位置は、顕微鏡を用いた目視に
頼ることが殆どであった。それでも、４Ｍｂｉｔ程度の
半導体素子の場合は、それぼど位置精度が要求されず、
大幅な位置ずれのものを検出できれば良かったため、問
題とはならなかった。

【０００４】しかしながら、半導体素子が１６Ｍ、６４
Ｍｂｉｔと大容量化してくると、上記の如く厳しい位置
精度が要求されるため、僅かな位置ずれを検出して、こ
の結果をもとにダイボンダー等の制御を行うような必要
がある。目視以外の方法として、光学的に検出する方法
が配線パターンの位置検出等において行われている。こ
れはパターンのエッジ部の散乱光を暗視野光学系によっ
て検出することで、その位置を確認するものである。

【０００５】このような方法により、半導体素子の絶対
的な位置を検出することは可能である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、所定位
置に対して僅かな位置ずれの場合には、その比較が困難
であるため、ある程度大きな位置ずれの場合にしか検出
することはできない。以上のように、従来の目視による
検出、及び光学的な検出では、僅かな位置ずれを正確に
検出することは困難であり、大容量化に伴った位置精度
の向上を実現することができない。

【０００７】本発明は、以上のような課題を解決して、
ダイステージに対する微小な半導体素子の位置ずれを正
確に検出することのできる位置検出装置及び位置検出方
法を提供することを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明は、リードフレーム３のダイステージ４上に搭載され
た半導体素子２の位置検出を行う装置であり、少なくと
もダイステージ４に搭載された半導体素子２に光を照射
する光源７と、該光源７と、半導体素子２の間に位置
し、半導体素子２からの反射光のうち平行光、散乱光の
いずれか一方のみを透過する光学系５と、該光学系５を
透過した光のうちの特定の光のみ透過させて位置ずれ量
を増幅するような遮光パターンが形成されたスリット板
９と、該スリット板９を透過した光を受光して、その受
光結果をもとに半導体素子２のダイステージ４に対する
位置ずれ量を算出する位置ずれ検出部１０とを有するこ
とを特徴とする。

【０００９】

【作用】上記の如き本発明によると、スリット板９によ
り、例えば半導体素子の上下左右のずれ量に対して増幅
されるように透過される光の長さが大きく変わるため、
微小な位置ずれであっても、確実に検出することが可能
となる。

【００１０】

【実施例】以下に、本発明の実施例を図面を参照しなが
ら詳細に説明する。図１は、本発明の原理的な図であ
り、本発明の第１実施例を説明するための図でもある。
図１に示すように、本実施例の位置検出装置は、半導体
素子２が搭載されたリードフレーム３が載置されるステ
ージ１、その上方に順次配置される暗視野光学系５及び
ハーフミラー６、これらハーフミラー６と暗視野光学系
５を介してステージ１上のリードフレーム３に光を照射
する光源７、リードフレーム３から反射して暗視野光学
系５とハーフミラー６を透過した光を所定方向へ偏光す
る偏光ミラー８、所定パターン形状の遮光膜が設けられ
偏光された光の一部のみを透過させるスリット板９、ス
リット板９を透過した光を受光して位置ずれ量を検出す
る位置ずれ検出部１０とから成っている。

【００１１】尚、位置ずれ検出部１０は、マトリクス状
に配列される複数の受光素子からなるディテクタ１１
と、ディテクタ１１による受光情報を画像処理する画像
処理部１２と、画像処理部１２により得られる画像情報
を演算することでずれ量を数値化する演算処理部１３と
を有している。リードフレーム３は、半導体素子２を搭
載するダイステージ４と樹脂封止した際に外部に導出す
るリード端子等からなっており、半導体素子２がダイス
テージ４に搭載されて樹脂封止する前の状態で、ステー
ジ１に載置される。

【００１２】リードフレーム３を載置した後、光源７か
ら光照射が行われる。尚、光源７は白色光源である。光
源７からの照射光はハーフミラー６により９０°下方へ
曲げられ、暗視野光学系５を通過してリードフレーム３
上の半導体素子２付近へ到達する。半導体素子２に照射
された光は、反射されるが半導体素子２のエッジ部分に
おいては散乱光となって角度をもって反射することにな
る。暗視野光学系５はこのような散乱光の部分のみを透
過させるものである。従って、半導体素子２のエッジ部
分に対応する枠状の光が透過されていく。

【００１３】この枠状の光は、ハーフミラー６を通過
し、偏光ミラー８によって偏光され、リードフレーム３
のダイステージ４に対して正確な位置決めがなされてい
るスリット板９に到達する。スリット板９には所定パタ
ーンの遮光膜が設けられており、枠状の光の一部のみを
透過する。このスリット板９の作用について図２を用い
て具体的に説明する。

【００１４】図２は、スリット板９の平面図を示すもの
であり、図２（ａ）はスリット板９を、図２（ｂ）は光
の透過状態を示している。本実施例では、スリット板９
は、石英ガラスからなり半導体素子２の形状と略同様な
方形をしており、一部を残してクロム膜による遮光膜９
ｂが被着されている。遮光膜９ｂは、図２（ａ）に示す
ように、スリット板９の周囲の４辺をそれぞれ長辺とし
てできる４個の二等辺三角形が光透過部９ａとなるよう
な形状で形成されている。

【００１５】図１における偏光ミラー８からの枠状の光
は、その一部がスリット板９の遮光膜９ｂによって遮ら
れ、図２（ｂ）に示すように４方向の直線部分の光のみ
が透過する。半導体素子に位置ずれがない場合には、各
透過光の長さＳ１〜Ｓ４は同じとなるが、位置ずれが生
じている場合には、この長さＳ１〜Ｓ４にそれぞれ差が
できる。

【００１６】以上の如く、スリット板９を透過した光
は、位置ずれ検出部１０のディテクタ１１により受光さ
れる。そして、ディテクタ１１による受光情報を元に、
画像処理及び演算処理が、それぞれ画像処理部１２と演
算処理部１３より行われ、半導体素子２のダイステージ
４に対する位置ずれ量が数値化される。

【００１７】上述したように、リードフレーム３のダイ
ステージ４に対して、半導体素子２の搭載位置がずれて
いるような場合には、図２（ｂ）に示すように、スリッ
ト板９を透過する直線状の４つの光の長さＳ１〜Ｓ４が
それぞれ異なる。この長さの違いを演算することにより
位置ずれ量が認識できるのである。本実施例のスリット
板９を用れば、その光透過部９ａの傾斜角によって、半
導体素子２の位置ずれ量を増幅して検出することがで
き、その精度は優れたものとなる。この傾斜角が大きく
なるほど増幅度は大きくなる。

【００１８】例えば、スリット板９の一辺の長さＬを１
０ｍｍ、光透過部９ａの中央部の長さＤを２ｍｍとした
場合には、Ｘ方向及びＹ方向のずれに対して、実際のず
れ量の２．５倍の分解能を持つこととなる。即ち、半導
体素子２の実際の位置ずれ量に対して、Ｌ／２Ｄだけ分
解能が上がるのである。次に、第１実施例とは異なる遮
光膜パターンを持つスリット板を用いる第２実施例につ
いて説明する。

【００１９】図３は、第２実施例におけるスリット板、
及び光の透過状態を示す平面図である。本実施例のスリ
ット板１９は、図３（ａ）に示すように、中心から外側
に向かって放射状の光透過部１９ａ、遮光膜１９ｂが交
互に形成されて縞模様を成している。

【００２０】このスリット板１９も、第１実施例の場合
と同様、石英ガラスにクロム膜を被着させたものであ
る。本実施例において、位置検出装置の全体構成は図１
と同様であり、スリット板９に代えて図３（ａ）に示さ
れるスリット板１９を用いるものである。第１実施例と
同様、スリット板１９はリードフレーム３のダイステー
ジ４に対して正確に位置決めされて配置されている。こ
のような状態で光源７から光照射を行う。その後、スリ
ット板１９に到達するまでの光の進行は、第１実施例と
同じであるため説明を省略する。

【００２１】スリット板１９に到達した枠状の光は、図
３（ｂ）の拡大図に示すように、遮光膜１９ｂにより遮
られて、点線状の光となってディテクタ１１に受光され
る。半導体素子２の位置ずれは、この点線状の光Ｗ１〜
Ｗｎの数によって検出することができる。具体的には、
ディテクタ１１における受光情報を元に画像処理部１２
にて画像処理して、Ｘ方向及びＹ方向の透過光の数をカ
ウントし、比較する如き演算を演算処理部１３にて行う
ことで半導体素子２のダイステージ４に対する位置ずれ
量を認識することができる。

【００２２】例えば、半導体素子２の寸法が８ｍｍ□
で、スリット板１９の光透過部１９ａ、遮光膜１９ｂの
それぞれの角度が１°ずつずれて縞模様が形成されてい
る場合には、半導体素子２が所定位置に対して７０μｍ
ずれて搭載されると、透過光の本数が変化して位置ずれ
検出が可能となる。以上のように、本実施例によれば、
半導体素子２の位置ずれをスリット板１９を透過する光
の数で検出することができるため、微小な位置ずれも確
実に検出することができる。

【００２３】次に、更に異なるスリット板を用いる第３
実施例について説明する。図４（ａ）は、第３実施例に
おけるスリット板２９の平面図を、図４（ｂ）は、スリ
ット板２９の光の透過状態をそれぞれ示している。図４
（ａ）に示すように、本実施例のスリット板２９は、４
本の線状の光透過部２９ａを有するように、遮光膜２９
ｂがパターン形成されている。これはやはり石英ガラス
にクロム膜を被着したものである。

【００２４】本実施例においても、位置検出装置の全体
構成は図１と同様であり、スリット板９に代えて図４に
示されるスリット板２９を用いるものである。本実施例
では、第１実施例及び第２実施例とは異なり、スリット
板２９をリードフレーム３のダイステージ４に対してそ
れぼど正確に配置する必要はない。即ち、半導体素子２
のエッジの検出と共に、ダイステージ４のエッジ検出を
同時に行って両者の位置を比較することで、位置ずれの
検出を行うものである。

【００２５】但し、スリット板２９を半導体素子２等か
らの反射光に対して所定角度θだけ傾けて配置すると共
に、光源７からの照射光が半導体素子２は勿論、ダイス
テージ４の周辺部にまで照射されるよう設定しておく必
要がある。このような位置検出装置のステージ１上に半
導体素子２を搭載したリードフレーム３を載置した後、
光源７から光照射を行う。ハーフミラー６及び暗視野光
学系５を通過して半導体素子２付近に到達した光は、反
射されるが、半導体素子２のエッジ部及びダイステージ
４のエッジ部では散乱光となって反射する。

【００２６】暗視野光学系５は、散乱光の部分のみを透
過するため、半導体素子２及びダイステージ４のそれぞ
れのエッジ部に対応する２重の枠状の光が透過されてい
く。この２重の枠状の光は、ハーフミラー６を通過した
後、偏光ミラー８によって偏光され、スリット板２９に
到達する。傾斜した状態で配置されるスリット板２９に
対して２重の枠状の光は図４（ｂ）に示すように透過す
る。

【００２７】図４（ｂ）に示すように、半導体素子２と
ダイステージ４のエッジ部に対応する枠状の光のうちそ
の一部がスリット板２９の光透過部２９ａに重なり、そ
の部分のみ光が透過することになる。即ち、一本の光透
過部２９ａに、半導体素子２とダイステージ４の枠状の
光から一点（Ｐ１，Ｐ２）ずつ透過することになる。傾
斜角θを考慮した上、この点Ｐ１，Ｐ２間の距離Ｓを、
それぞれ検出して比較することで、半導体素子２のダイ
ステージ４に対する位置ずれ量を検出することができ
る。

【００２８】具体的には、スリット板２９を透過する光
を受光するディテクタ１１の受光情報を元に、画像処理
部１２で画像処理して、各点の間の距離を算出する等の
演算処理を演算処理部１３で行うことにより、ダイステ
ージ４に対する半導体素子２の位置ずれ量が数値化され
る。本実施例の場合は、ステージ１上に載置されるリー
ドフレーム３とスリット板２９との位置決めをそれほど
精度良く行わなくても、ダイステージ４に対する半導体
素子２の位置ずれ量を正確に求めることができる。その
ため、第１実施例及び第２実施例に比べ、装置の組立が
容易になると共に、精度が向上する。

【００２９】以上のように、第１実施例〜第３実施例に
おいては、スリット板を通過した光をディテクタ１１で
受光して、これを画像処理部１２及び演算処理部１３で
処理することにより半導体素子２の位置ずれ量を数値化
した。これに対して、それほど精度が要求されず、ある
程度以上の位置ずれの有無を確認するような場合は、本
発明の装置を簡易化してスリット板の透過光を顕微鏡を
用いて目視することも可能である。

【００３０】図５は、目視により位置ずれ確認を行う第
４実施例を説明するための位置検出装置を示すものであ
る。本実施例の位置検出装置は、図１の位置検出装置に
おける位置ずれ検出部１０、即ち、ディテクタ１１、画
像処理部１２及び演算処理部１３が存在せず、スリット
板９に対向する位置に顕微鏡１４を配置している。スリ
ット板は、図２（ａ）に示す第１実施例と同様なものを
用いる。

【００３１】光源７から照射された光は、ハーフミラー
６により下方に曲げられ、暗視野光学系５を通過してス
テージ１上に載置された半導体素子２付近に到達する。
暗視野光学系５は、第１実施例同様半導体素子２のエッ
ジ部における散乱光のみを透過させる。この透過光は、
ハーフミラー６を通過して偏光ミラー８により偏光さ
れ、スリット板９に到達する。そして、図２（ｂ）に示
すように、４本の直線状の光が透過する。

【００３２】ここでダイステージ４に対して、半導体素
子２に位置ずれがある場合には、４本の直線光の長さが
それぞれ異なることになる。しかも第１実施例において
も説明したとおり、わずかな位置ずれであっても、その
ずれ量が増幅されるように長さの変化として現れる。こ
の増幅作用は、第１実施例において説明したとおりであ
る。

【００３３】従って、これを顕微鏡１４を用いて目視す
ることで、微小な位置ずれも十分に確認することが可能
となる。次に、ダイステージ４に対する半導体素子２の
位置ずれを検出すると共に、半導体素子２のカケの検出
を行うことができる本発明の第５実施例について説明す
る。

【００３４】半導体素子２をダイステージ４に搭載する
工程等で、半導体素子２にカケが発生して、不良の原因
となることがある。図６は、本発明の第５実施例の位置
検出装置を示す図である。半導体素子２の位置の検出手
段は、第１実施例と全く同様で、位置ずれ検出部１０に
より行われるが、偏光ミラーを操作することで半導体装
置のカケ検出も行うことができる構成となっている。

【００３５】これは、位置ずれ検出部１０に対向するよ
うにカケ検出部１５が設けられると共に、左右に配置さ
れる位置ずれ検出部１０と、カケ検出部１５との間に回
転可能な偏光ミラー１８を設けることで可能となる。
尚、偏光ミラー１８は、ステッピングモータ等により回
転させる。半導体素子２の位置ずれを検出する場合に
は、ハーフミラー６を通過した光が右方向に偏光される
ように、偏光ミラー１８を操作する。この場合には、第
１実施例と同様に半導体装置２の位置ずれを検出するこ
とができる。

【００３６】また、半導体素子２のカケの有無を検出す
る場合には、偏光ミラー１８を９０度回転させること
で、ハーフミラー６からの光を左方向に偏光させる。カ
ケ検出については、後述するが、カケ部分からの散乱光
の有無を検出するだけなので、位置ずれ検出に用いるス
リット板は不要である。このような検出装置によれば、
正確な位置ずれ量の検出と共に、ダイステージ４への搭
載の際等に生じる半導体素子２のカケについても検出す
ることが可能となる。

【００３７】ここで、カケ検出方法について、図７を参
照しながら簡単に説明する。図７は、カケ検出部１５に
おけるディテクタ１６の受光状態を示す図であり、図７
（ａ）は全体図、図７（ｂ）は部分拡大図である。図６
にといて、光源７から照射された光は、半導体素子２に
到達して反射されるが、そのエッジ部等の平坦でない部
分では散乱光が反射される。暗視野光学系５は、この散
乱光の部分のみを透過するため、通常は半導体素子２の
エッジに対応する枠状の光２１がディテクタ１６により
受光される。

【００３８】図７（ａ）では、カケが存在する場合の受
光状態を示しているが、枠状の一部が大きく欠如する欠
如部２２が存在している。これは、半導体素子２のカケ
の部分に対応する散乱光を暗視野光学系５が透過したこ
とにより、ディテクタ１６が受光したものである。この
欠如部２２の部分を拡大して図７（ｂ）に示す。

【００３９】図７（ｂ）においては、ディテクタ１６で
光を受光した部分を“１”、受光していない部分を
“０”で示す。通常カケのない場合は、２列程度の受光
素子が枠状に受光状態となるが、カケがあるような場合
には、一定以上の範囲で受光状態となる。このような欠
如した部分２２の範囲が、例えば斜線で示すように５×
５を超えるような場合にカケと判断することができる。
このようなカケの判断は、図６に示される画像処理部１
７、演算処理部２０にて行われる。

【００４０】また、第１実施例の装置におけるスリット
板９を可動にして、スリット板９を透過させずにディテ
クタ１１に反射光を送ることで、本実施例同様、カケ検
出が可能となる。次に検出した位置ずれを半導体素子２
をダイステージ４に搭載するためのダイボンダー２３に
フィードバックして、精度良く半導体素子２の搭載を行
う第６実施例について説明する。

【００４１】図８は、本発明の第６実施例を説明するた
めの検出装置を示す図であり、位置ずれ検出部１０によ
る位置ずれ情報がダイボンダー２３にフィードバックさ
れる構成となっている。尚、ダイボンダー２３は半導体
素子２をリードフレーム３上に搭載するコレット２４、
リードフレーム３を載置するステージ２５、コレット２
４を動作させるコレット駆動部２６、ステージ２５を移
動させるステージ駆動部２７とから成っている。

【００４２】偏光ミラー１８により半導体素子２からの
反射光がスリット板９に入射され、位置ずれ検出部１０
により第１実施例と同様に位置ずれ量が算出される。こ
の位置ずれ検出部１０の情報をコレット駆動部２６及び
ステージ駆動部２７にフィードバックして、位置ずれの
分だけそれぞれ移動させることで位置ずれのない半導体
素子２の搭載を行うことができる。

【００４３】以上のような各実施例によれば、確実な位
置ずれ検出、カケ検出、更に位置ずれ防止を可能にする
ことができる。従って、大容量化に伴う半導体装置の品
質管理及び品質保証を行うことができる。更に、図９に
断面図を示すが、第１実施例等のスリット板９の光透過
部９ａの下面に集光効果を有するレンズ２８を設けるこ
とにより、ディテクタ１１に対するコントラストが向上
して、位置検出を更に精度良く行うことが可能となる。

【００４４】この集光レンズ２７は、石英ガラスからな
り、エポキシ樹脂等でスリット板９に接着する。尚、第
２実施例、第３実施例のスリット板１９、２９に適用し
た場合でも、同様の効果があるのは勿論である。

【００４５】

【効果】本発明によれば、ダイステージに対する半導体
素子の位置ずれを、増幅した状態で検出することができ
るため、微小な位置ずれも確実に検出することが可能と
なる。従って、半導体素子の大容量化に伴う厳しい位置
精度にも対応することができ、ワイヤボンディング等に
おける不良品の発生を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の位置検出装置を示す図で
ある。

【図２】本発明の第１実施例におけるスリット板の平面
図である。

【図３】本発明の第２実施例におけるスリット板の平面
図である。

【図４】本発明の第３実施例におけるスリット板の平面
図である。

【図５】本発明の第４実施例の位置検出装置を示す図で
ある。

【図６】本発明の第５実施例の位置検出装置を示す図で
ある。

【図７】本発明の第５実施例のカケ検出部におけるディ
テクタの受光状態を示す図である。

【図８】本発明の第６実施例の位置検出装置を示す図で
ある。

【図９】集光レンズを設けたスリット板を示す断面図で
ある。

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 リードフレーム（３）のダイステージ
   （４）上に搭載された半導体素子（２）の位置検出を行
   う装置であり、 少なくともダイステージ（４）に搭載された半導体素子
   （２）に光を照射する光源（７）と、 該光源（７）と、半導体素子（２）の間に位置し、半導
   体素子（２）からの反射光のうち平行光、散乱光のいず
   れか一方のみを透過する光学系（５）と、 該光学系（５）を透過した光のうちの特定の光のみ透過
   させて位置ずれ量を増幅させるような遮光パターンが形
   成されたスリット板（９）と、 該スリット板（９）を透過した光を受光して、その受光
   結果をもとに半導体素子（２）のダイステージ（４）に
   対する位置ずれ量を算出する位置ずれ検出部（１０）と
   を有することを特徴とする半導体素子の位置検出装置。
2. 【請求項２】 前記光学系（５）は暗視野光学系であ
   り、半導体素子（２）及びダイステージ（４）のエッジ
   部からの散乱光を受け、エッジ形状に対応する枠状の光
   を透過するものであることを特徴とする請求項１記載の
   半導体素子の位置検出装置。
3. 【請求項３】 前記スリット板（９）は、方形であり、
   ４辺がそれぞれ長辺となるような４個の二等辺三角形の
   部分が光透過部（９ａ）となるように遮光膜（９ｂ）が
   形成されていることを特徴とする請求項２記載の半導体
   素子の位置検出装置。
4. 【請求項４】 前記スリット板は、その中心から外側に
   向かって放射状に延びるように光透過部（１９ａ）と遮
   光部（１９ｂ）とが交互に形成されていることを特徴と
   する請求項２記載の半導体素子の位置検出装置。
5. 【請求項５】 前記スリット板は、前記半導体素子
   （２）とダイステージ（４）のエッジ部に対応する枠状
   の光に対して所定角度傾斜する４本の線状の光透過部
   （２９ａ）を有するように遮光膜（２９ｂ）が形成され
   ていることを特徴とする請求項２記載の半導体素子の位
   置検出装置。
6. 【請求項６】 前記位置ずれ検出部（１０）に対向する
   位置にカケ検出部（１５）を備え、前記光学系（５）を
   透過した光の進行方向を変えることのできる可動偏光ミ
   ラー（１８）によって、適宜位置ずれ検出部（１０）と
   カケ検出部（１５）のいずれか一方に光を入射させるこ
   とを特徴とする請求項１〜５記載の半導体素子の位置検
   出装置。
7. 【請求項７】 前記位置ずれ検出部（１０）によって算
   出される位置ずれ量を半導体素子（２）をダイステージ
   （４）に搭載するための装置にフィードバックする手段
   を有することを特徴とする請求項１〜６記載の半導体素
   子の位置検出装置。
8. 【請求項８】 前記スリット板（９）の光透過部（９
   ａ）に集光作用を有するレンズを設けることを特徴とす
   る請求項１〜７記載の半導体素子の位置検出装置。
9. 【請求項９】 請求項３記載の前記スリット板（９）の
   二等辺三角形の光透過部（９ａ）を透過する４方向の光
   の長さを比較することで位置ずれ量を算出することを特
   徴とする半導体素子の位置検出方法。
10. 【請求項１０】請求項４記載の前記スリット板（１９）
    の放射状の光透過部（１９ａ）を 通過する光の数によ
    り位置ずれ量を算出することを特徴とする半導体素子の
    位置検出方法。
11. 【請求項１１】請求項５記載の前記スリット板（２９）
    の線状の光透過部（２９ａ）を透過する光の間隔により
    位置ずれ量を算出することを特徴とする半導体素子の位
    置検出方法。