JPH102864A - 異物検査装置 - Google Patents

異物検査装置

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JPH102864A
JPH102864A JP8151961A JP15196196A JPH102864A JP H102864 A JPH102864 A JP H102864A JP 8151961 A JP8151961 A JP 8151961A JP 15196196 A JP15196196 A JP 15196196A JP H102864 A JPH102864 A JP H102864A
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JP
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light
optical fiber
photoelectric conversion
foreign matter
fiber bundle
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JP8151961A
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English (en)
Inventor
Hideyuki Tashiro
英之 田代
Tsuneyuki Hagiwara
恒幸 萩原
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Nikon Corp
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Nikon Corp
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  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 大型の被検査基板を検査する異物検査装置で
あって低コスト化が可能なものを提供する。 【解決手段】 異物検査装置は、m本の光ビームを被検
査物上にそれぞれ1次元走査するm個の光ビーム走査手
段と、被検査物上を走査すべき光ビームをm本の光ビー
ムから択一的に選択する光ビーム選択手段と、n個の光
ファイバ束であって、各光ファイバ束は一端部における
m個の分岐部と他端部における1個の基部とを有し、各
光ファイバ束のm個の分岐部は被検査物からのm種類の
散乱光をそれぞれ受光する、ものと、n個の光ファイバ
束の基部側の端面にそれぞれ近接するn個の光電変換手
段であって、光ファイバ束の基部側の端面から出射する
光をそれぞれ受光し、受光した光の強度に応じた信号を
それぞれ出力するものと、光電変換手段から出力される
信号に基づいて異物の有無を判定する信号処理手段とを
具備する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、異物検査装置に関
し、特に液晶表示素子等の製造の際に使用されるフォト
マスク等の基板や感光基板の表面上に付着した異物を検
出する異物検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示素子等を製造する際のフォトリ
ソグラフィ工程では、露光用の回路パターンが形成され
た基板(以下「フォトマスク」と称す)の像を投影光学
系を介して感光基板(以下「プレート」と称す)上に転
写する投影露光装置が使用される。この場合、許容でき
る大きさを超えたゴミ等の異物がフォトマスク上に付着
していると、その異物の像もプレートに転写され、この
結果、製造される液晶表示素子等の歩留りが低下する。
また、プレート上に異物が存在すると、配線のショー
ト、オープン等の不良にもつながる。そこで、露光直前
にフォトマスクやプレートを異物検査装置にて検査し、
それらが清浄であることを確認した後、露光が行われ
る。
【0003】異物検査の方法としては、様々な方式が提
案されており、例えば、特公昭63−64783号公報
に開示されている異物検査装置では、異物のみを検出す
るために、異物からの散乱光と露光用回路パターンから
の回折光との間の散乱特性の違い、即ち、回路パターン
からの回折光は極めて指向性が強いが、異物からの散乱
光はほぼ等方的に発生するということを利用している。
装置構成としては、被検査基板を検出用の光ビームで走
査する照明系と、被検査基板からの散乱光を受光するた
めの複数の光電変換器とを配置し、これら複数の光電変
換器の全てで同時に所定値以上の光電変換信号が発生し
た場合には、信号処理回路が、走査された被検査領域が
異物であると判断し、それら複数の光電変換器の中で1
つでも所定値以上の光電変換信号を発生しないものがあ
る場合には、信号処理回路は、走査された被検査領域が
回路パターンであると判断する。
【0004】ところで、近年、生産性向上のために液晶
ディスプレイの多面取り化が進み、プレートサイズが大
型化している。また、プレートの大型化に伴い、フォト
マスクの大型化も進んでいる。大型の被検査基板に対し
て上記の異物検査装置の構成を展開すると、以下のよう
な問題がある。第一に、被検査基板を検出用の光ビーム
で走査する際の走査範囲が非常に広くなるため、走査レ
ンズのレンズ径が大きくなり、この結果、その製造が困
難になると共に、コストが上昇する。第二に、被検査基
板からの散乱光を受光するための受光レンズも画角を大
きくする必要があるため、こちらもレンズ径が大きくな
り、走査レンズと同様な問題が生ずる。更に、このよう
な大きなレンズを搭載すると装置が大きくなり、それを
露光装置に搭載する場合にはスペース的に問題になる。
そこで、複数の走査光学系及び散乱光受光系を並列に並
べることにより、装置の小型化及び低コスト化を図るこ
とが提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】光学系を複数並べるこ
とにより、広範囲の検査が可能になる。しかしながら、
上述のようにして回路パターンと異物との弁別を行うべ
く複数の散乱光受光系を配置すると、非常に多くの受光
レンズ及び光電変換器が必要になり、これに伴い、信号
処理回路用基板の枚数も増えてしまう。特にレーザ走査
する異物検査装置では、微弱光の検知が可能であり且つ
応答が速いフォトマル(光電子増倍管)が光電変換器と
して使用されるため、散乱光受光系の数が多くなるとフ
ォトマルの使用本数も多くなり、コスト的に問題とな
る。
【0006】本発明は、このような従来の問題点に鑑み
てなされたもので、大型の被検査基板を検査する異物検
査装置であって低コスト化が可能なものを提供すること
を目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、被検査物上の異物を検査する異物
検査装置であって、m本の光ビームを被検査物上にそれ
ぞれ1次元走査するm個の光ビーム走査手段と、被検査
物上を1次元走査すべき光ビームをm本の光ビームから
択一的に選択する光ビーム選択手段と、各々が多数の光
ファイバで構成されているn個の光ファイバ束であっ
て、各光ファイバ束は一の端部におけるm個の分岐部と
他の端部における1個の基部とを有し、各光ファイバ束
のm個の分岐部はm本の光ビームにそれぞれ起因する被
検査物からのm種類の散乱光をそれぞれ受光する、もの
と、n個の光ファイバ束の基部側の端面にそれぞれ近接
するn個の光電変換手段であって、n個の光ファイバ束
の基部側の端面から出射する光をそれぞれ受光し、受光
した光の強度に応じた光電変換信号をそれぞれ出力する
ものと、光電変換手段から出力される光電変換信号に基
づいて異物の有無を判定する信号処理手段とを具備する
異物検査装置が提供される。この場合において、光ファ
イバ束の各分岐部を構成する多数の光ファイバは、光フ
ァイバ束の基部の横断面において均一に分布しているの
が好ましい。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。本発明に係る異物検査装置の一実施例の光
学系を示す図1を参照するに、露光用の回路パターンが
形成されているフォトマスク1が、載置台2上に載置さ
れている。載置台2は、送りネジ3を介して駆動モータ
4によりY方向(副走査方向)に移動させられ得るよう
に構成されており、載置台2のY方向の位置座標は、モ
ータのパルス数をカウントすることによって検出され
る。
【0009】図示省略されたレーザ光源から射出された
レーザビームLBは、光路切換手段5に入射する。光路
切換手段5は、レーザビームLBをレーザビームLBa
とレーザビームLBbとに分岐すると共に、分岐したレ
ーザビームLBa及びLBbを、それぞれの光路に、そ
れぞれの光路に設置されている不図示のシャッタを交互
に開閉することにより、交互に出射させる。レーザビー
ムLBをレーザビームLBaとレーザビームLBbとに
分岐する手段は、ハーフミラーやプリズム等で構成され
ている。また、レーザビームLBa及びLBbを交互に
出射させる方法としては、上述した方法の他、半円形の
遮光板を回転させてどちらか一方の光ビームを遮る方法
等がある。
【0010】ある時点において、光路切換手段5から、
レーザビームLBaが出射させられたとする。レーザビ
ームLBaは、スキャナ6aで反射され、fθレンズ7
aを介してスポット光としてフォトマスク1上をX方向
(主走査方向)に走査し、フォトマスク1の左側部分に
走査線S1を形成する。走査線S1は、フォトマスク1
の被検査領域15のX方向左側の端点S1Lからフォト
マスク1の中心線Cより右側の点S1Rまでよりも広く
なるようにその走査領域が確保されている。これによ
り、後述する走査線S2の走査領域との連携を通じ、フ
ォトマスク1の中央付近での検査もれを防止することが
できる。fθレンズ7aとフォトマスク1との間のレー
ザビームLBaの走査領域の端に、タイミング設定用の
光電変換素子12aが設置されており、光電変換素子1
2aが出力する光電変換信号のタイミングから、走査線
S1上でのレーザビームLBaのスポット光の位置が検
出される。
【0011】レーザビームLBaのスポット光によって
フォトマスク1上の被検査領域から生ずる散乱光は、受
光レンズ8a及び9aで受光され、それぞれ光ファイバ
束10及び11の第1分岐ファイバ部10a及び10b
の端面に導かれる。なお、分岐ファイバ部10a及び1
1aの直前に、スリット13a及び14aがそれぞれ設
置されている。これらのスリットは、フォトマスク1上
に形成される走査線S1の内の必要検査領域のX方向の
長さに相当する点S1Lから点S1Rまでの領域からの
散乱光のみを受光するためのものであり、走査線S1と
共役な位置に設けられている。
【0012】光ファイバ束10及び11の、第1分岐フ
ァイバ部10a及び11aとは反対側の端部には、図2
に示されているように、基部10c及び11cがそれぞ
れ形成されている。これらの基部10c及び11cには
光電変換素子18及び19がそれぞれ連設されており、
光電変換素子18及び19は、基部10c及び11cの
端面からそれぞれ出射する光をそれぞれ受光する。な
お、各分岐ファイバ部を構成する多数の光ファイバは、
光ファイバ束の基部の横断面において均一に分布してい
る。これにより、光電変換素子の受光面に感度分布があ
ったとしても、光電変換素子は、散乱光の光強度を正確
に測定することができる。そして、光電変換素子18及
び19は、受光した散乱光の光強度に応じた光電変換信
号を信号処理回路20にそれぞれ供給する。
【0013】レーザビームLBaが、点S1Rから点S
1Lへと走査し、往復動作で再び点S1Rへと戻り始め
ると、光路切換手段5は、レーザビームLBaを遮光
し、レーザビームLBbを出射させる(図4参照)。出
射させられたレーザビームLBbは、上述したレーザビ
ームLBaの場合と同様に、スキャナ6bで反射され、
fθレンズ7bを介してスポット光としてフォトマスク
1の右側部分に走査線S2を形成する。走査線S2は、
フォトマスク1の中心線Cより左側の点S2Rからフォ
トマスク1の被検査領域15のX方向右端の端点S2R
までよりも広くなるようにその走査領域が確保されてい
る。これにより、上述のように、走査線S1の走査領域
との連携を通じ、フォトマスク1の中央付近での検査も
れを防止することができる。走査線S2上でのレーザビ
ームLBbのスポット光の位置は、fθレンズ7bとフ
ォトマスク1との間のレーザビームLBbの走査領域の
端に設置されているタイミング設定用の光電変換素子1
2bが出力する光電変換信号のタイミングから検出され
る。
【0014】レーザビームLBbが、点S2Lから点S
2Rへと走査し、往復動作で再び点S2Lへと戻り始め
ると、光路切換手段5は、レーザビームLBbを遮光
し、再びレーザビームLBaを出射させ(図4参照)、
以後、フォトマスク1が送りネジ3を介して駆動モータ
4によってY方向(副走査方向)に移動させられ、走査
線S1及びS2がフォトマスク1の被検査領域15の全
域をカバーするまで上述の動作が繰り返され、もって、
全被検査領域が検査される。
【0015】上述の繰返し動作における、フォトマスク
1上のレーザビームLBa及びLBbのスポット光位置
と、光路切換手段5によるレーザビームLBa及びLB
bの出射・遮光のタイミングとの関係を、図4のタイミ
ングチャートに示す。時点T0において、レーザビーム
LBaが光路切換手段5から出射させられると同時に、
レーザビームLBbが遮光される。フォトマスク1上に
はレーザビームLBaのみが入射し、図4に示されてい
るように、レーザビームLBaは、スキャナ6aによっ
て時間の経過と共にフォトマスク1上の点S1Rから点
S1Lへと走査させられる。この間の、フォトマスク1
上の点S1Rから点S1Lまでの領域からの散乱光は、
上述の受光系で受光され、後述のように、信号処理回路
20(図2)によって信号処理される。
【0016】レーザビームLBaのスポット位置が点S
1Lを越えると、光路切換手段5は、時点T1におい
て、レーザビームLBaを遮光し、今度はレーザビーム
LBbを出射させる。光路切換手段5から出射したレー
ザビームLBbは、フォトマスク1上に入射し、スキャ
ナ6bによって時間の経過と共にフォトマスク1上の点
S2Lから点S2Rへと走査させられる。この間の、フ
ォトマスク1上の点S2Lから点S2Rまでの領域から
の散乱光は、上述の受光系で受光され、後述のように、
信号処理回路20によって信号処理される。以後、再び
レーザビームLBbを遮光し且つレーザビームLBaを
出射させるという動作を繰り返す。
【0017】以上のように、走査線S1及びS2は、光
路切換手段5により、フォトマスク1上に交互に形成さ
れる。従って、走査線S1の内の必要検査領域のX方向
の長さに相当する点S1Lと点S1Rとの間の領域から
の散乱光に係る光電変換信号の取込みと、走査線S2の
内の必要検査領域のX方向の長さに相当する点S2Lと
点S2Rとの間の領域からの散乱光に係る光電変換信号
の取込みとが、重なることはない。
【0018】そこで、本発明においては、複数の受光レ
ンズ後のスリットの後にそれぞれの光電変換素子を設け
るのではなく、上述のように、光ファイバ束を用い、そ
れらの基部に近接して光電変換素子をそれぞれ設ける構
成にしている。即ち、本実施例では、多数の光ファイバ
からなる光ファイバ束10の第1分岐ファイバ部10a
が、受光レンズ8a後のスリット13aの後に配設され
ていると共に、光ファイバ束10の第2分岐ファイバ部
10bが、受光レンズ8b後のスリット13bの後に配
設されている。同様に、光ファイバ束11の第1分岐フ
ァイバ部11aが、受光レンズ9a後のスリット14a
の後に配設されていると共に、光ファイバ束11の第2
分岐ファイバ部11bが、受光レンズ9b後のスリット
14bの後に配設されている。このような構成にする
と、光電変換素子18,19は、走査線S1及びS2の
両方によって生ずる散乱光を結果的に受光することにな
るが、光路切換手段5の切換タイミングに同期して信号
処理回路20が信号処理することにより、走査線S1か
らの散乱光と走査線S2からの散乱光とを区別すること
ができる。
【0019】即ち、信号処理回路20は、図2に示され
ているように、光路切換手段5から供給される切換タイ
ミング信号に基づき、光電変換素子18及び19から供
給されている光電変換信号が走査線S1からの散乱光に
係るものであるか、あるいは走査線S2からの散乱光に
係るものであるかを区別する。そして、信号処理回路2
0は、供給される光電変換信号に基づき、被検査領域に
ついて回路パターンと異物との弁別を行い、その弁別結
果をディスプレイ21に表示させる。この場合におい
て、信号処理回路20は、光電変換素子18及び19が
共に所定値以上の光電変換信号を同時に発生した場合に
は、走査された被検査領域が異物であると判断する一
方、光電変換素子18及び19の少なくとも1つが所定
値以上の光電変換信号を発生しない場合には、走査され
た被検査領域が回路パターンであると判断する。
【0020】ところで、本実施例では、図3に示すよう
に、走査線S2は、走査線S1の走査位置に対してY方
向(副走査方向)に距離mだけずらされている。以下に
その理由を説明する。フォトマスク1上に形成される走
査線S1及びS2のX方向(主走査方向)の相対位置関
係が、フォトマスク1の中心線Cを挟んでオーバーラッ
プするように走査領域が確保されている(前述のよう
に、フォトマスク1の中央付近での検査もれを防止する
ため)ので、スリット13a,14aで見える範囲とス
リット13b,14bで見える範囲とが上記オーバーラ
ップ領域において重なる場合が生ずることがある。そし
て、走査線S1のY方向の位置と走査線S2のY方向の
位置とが重なった場合、オーバーラップした領域におい
ては、受光レンズ8a,9a,8b,9bの全てに散乱
光が入射するため、その領域においては、光電変換素子
に入射する光の光量が多くなり過ぎ、異物検出精度が低
下することになる。
【0021】そこで、本実施例では、フォトマスク1上
の走査線S1及びS2のY方向(副走査方向)の相対位
置関係、即ちレーザビームLBaが入射する面1a上の
位置P1とレーザビームLBbが入射する面1a上の位
置P2との間の距離をmとし、レーザビームLBaが入
射する面1a上の位置P1とレーザビームLBaがフォ
トマスク1の面1bで反射して再び面1aを照射する位
置P11との間の距離をdとすると、走査線S1及びS
2は、m≠dを満たすような位置関係をとっている。な
お、距離dは、レーザビームLBaのフォトマスク1に
対する入射角α、フォトマスク1の屈折率n、及びフォ
トマスク1の厚みtから、光学計算を行うことによって
簡単に求められる。このように、フォトマスク1での多
重反射を避ける位置関係を保って走査線S1及びS2の
Y方向の相対位置をずらしておけば、走査線と共役な位
置関係のスリットが設けられた受光系にのみ散乱光が入
射することになり、フォトマスク1の中心線Cを挟んで
オーバーラップするような走査領域を確保することがで
き、且つ高い異物検出精度を保つことができる。
【0022】上述した実施例においては、同一平面内の
検査を行う検査系について説明したが、本発明は、これ
に限られるものではなく、両面を検査すべく、面を挟ん
で対称的に受光系が配設される検査系にも適用すること
ができる。また、上述した実施例においては、2組の走
査光学系及び散乱光受光系を有する異物検査装置につい
て説明したが、本発明は、これに限られるものではな
く、3組以上の走査光学系及び/又は散乱光受光系を有
していてもよい。
【0023】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、必要な
光電変換素子数を減らすことができるので、大型の被検
査基板を検査する装置を低コストで実現することが可能
になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る異物検査装置の一実施例の光学系
を示す概略構成図である。
【図2】図1に示されている実施例の信号処理系を示す
概略ブロック図である。
【図3】レーザビームの入射位置関係を示す図である。
【図4】レーザビームのスポット光位置とシャッタの開
閉タイミングとの関係を示す図である。
【符号の説明】
1 フォトマスク 2 載置台 3 送りネジ 4 駆動モータ 5 光路切換手段 6 スキャナ 7 fθレンズ 8 受光レンズ 9 受光レンズ 10 光ファイバ束 11 光ファイバ束 12 光電変換素子 13 スリット 14 スリット 15 被検査領域 S 走査線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G01V 8/16 G01V 9/04 F

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被検査物上の異物を検査する異物検査装
    置であって、 m本の光ビームを前記被検査物上にそれぞれ1次元走査
    するm個の光ビーム走査手段と、 前記被検査物上を1次元走査すべき光ビームを前記m本
    の光ビームから択一的に選択する光ビーム選択手段と、 各々が多数の光ファイバで構成されているn個の光ファ
    イバ束であって、各光ファイバ束は一の端部におけるm
    個の分岐部と他の端部における1個の基部とを有し、各
    光ファイバ束の前記m個の分岐部は前記m本の光ビーム
    にそれぞれ起因する前記被検査物からのm種類の散乱光
    をそれぞれ受光する、ものと、 前記n個の光ファイバ束の基部側の端面にそれぞれ近接
    するn個の光電変換手段であって、前記n個の光ファイ
    バ束の基部側の端面から出射する光をそれぞれ受光し、
    受光した光の強度に応じた光電変換信号をそれぞれ出力
    するものと、 前記光電変換手段から出力される前記光電変換信号に基
    づいて異物の有無を判定する信号処理手段と、を具備す
    る異物検査装置。
  2. 【請求項2】 前記光ファイバ束の各前記分岐部を構成
    する多数の光ファイバが、前記光ファイバ束の前記基部
    の横断面において均一に分布している請求項1に記載の
    異物検査装置。
JP8151961A 1996-06-13 1996-06-13 異物検査装置 Pending JPH102864A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003502634A (ja) * 1999-06-10 2003-01-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 可変角度のデザインを用いた光検査の方法及び装置
CN100412707C (zh) * 2003-11-19 2008-08-20 佳能株式会社 调色剂盒、深色青调色剂、浅色青调色剂及图像形成方法
JP2013178129A (ja) * 2012-02-28 2013-09-09 Nec Computertechno Ltd 光電センサ及びこれを用いた被検出物の情報処理方法

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