JPH0618166B2 - 投影露光装置 - Google Patents

投影露光装置

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JPH0618166B2
JPH0618166B2 JP61091698A JP9169886A JPH0618166B2 JP H0618166 B2 JPH0618166 B2 JP H0618166B2 JP 61091698 A JP61091698 A JP 61091698A JP 9169886 A JP9169886 A JP 9169886A JP H0618166 B2 JPH0618166 B2 JP H0618166B2
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JP
Japan
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reticle
wafer
optical system
glass plate
projection
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JP61091698A
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JPS62248225A (ja
Inventor
範行 見留
章義 鈴木
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は半導体素子製造用の露光装置に使用する投影露
光装置に関し、特に電子回路パターンが形成されている
レチクルと電子回路パターンを投影するウエハとの微少
なアライメント所謂位置合わせを高精度に行うことので
きる簡易な構成の投影露光装置に関するものである。
(従来の技術) 最近の半導体製造装置には半導体集積技術の発展に伴つ
て高解像力でしかも高スループツトである露光装置が要
求されている。これらの露光装置では投影光学系を用い
てレチクル面上の電子回路の微細パターンをウエハ面上
に縮少投影し、ステツプ的に焼付けていく所謂ステツパ
ーが最近多く用いられている。
このステツパーは比較的高い解像力が容易に得られ、又
ウエハ面上を部分的に分割して露光していく為にウエハ
の歪の影響を少なくすることが出来、更にレチクル面上
の塵挨の影響を受けにくい等の特長を有している。
しかしながらステツパーにおいて高解像力を得る為には
レチクルとウエハとの位置整合を高精度で行うことが必
要となつてくる。
このうち投影光学系を介して各シヨツト毎にレチクルと
ウエハとの位置整合を行う所謂TTL,ダイ・バイ・ダイ
アライメント方法は多少スループツトは低下するが高精
度の位置合わせが可能である為、現在多くの露光装置で
用いられている。
従来より位置合わせを行う際にはレチクルとウエハのX
方向、Y方向そしてθ(回転)方向の調整を各シヨツト
毎にレチクルステージとウエハステージの双方を若しく
は一方を駆動させて行つている。しかしながらこれらの
方法でレチクルとウエハの微少調整を行う場合には機構
的に大変困難であつた。又これらの方法のうち例えばレ
チクルステージを駆動させる方法はレチクルがある基準
点に対して整合されている場合には基準点のずれとなつ
てあらわれてしまい又ウエハステージを駆動させる方法
はレチクル側の様に投影光学系の投影倍率がかかつてこ
ないので高精度でしかも素早い駆動が要求される場合、
これを満足させるのが技術的に大変困難であつた。
又X方向、Y方向の駆動に伴いθ方向の成分誤差が生じ
てしまう等の欠点があつた。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明はレチクルとウエハの微少な位置整合をX方向、
Y方向に関してレチクルステージ若しくはウエハステー
ジを駆動させることなく、簡易な構成により容易にしか
も高精度に行うことのできる半導体製造用の露光装置に
好適な投影露光装置の提供を目的とする。
(問題点を解決するための手段) レチクル面上のパターンを投影光学系を介し所定倍率で
ウエハ面上に投影露光する投影露光装置において、前記
レチクルと前記ウエハとの間で前記パターンからの光の
光路中に配置された透明の平行平面のガラス板と、前記
投影光学系の光軸に対する前記ガラス板の傾きを調整す
る手段とを有することである。
この他本発明の特徴は実施例において記載されている。
(実施例) 第1図は本発明の一実施例の光学系の一部分の概略図で
ある。
図中1は電子回路パターンが形成されているレチクルで
あり、不図示の照明系により均一に照明されている。3
は投影光学系、4はウエハ、2は平行平面の透明なガラ
ス板でありレチクル1と投影光学系3との間の光路中に
回動可能に取り付けられている。特に本実施例ではガラ
ス板2を投影光学系3の光軸31と直交する2つの軸A,
Bの回わりに回動可能に取り付けている。同図では角度
μ傾けている場合を示している。
本実施例ではレチクル1面上の電子回路パターンを投影
光学系3により所定倍率で例えば1/5,1/10倍の縮少倍
率でウエハ4面上に投影し露光している。そしてウエハ
ステージを1シヨツト後一定量移動させた後、レチクル
1とウエハ4との位置整合を行い、双方のずれを不図示
の計測手段により求めている。そしてこのときのずれ量
をガラス板2を軸A及び軸Bの回わりに回動させること
により微少調整し補正している。これにより例えばレチ
クル1面上の一点11をウエハ4面上の点線で示す点41か
ら実線で示す点42へと移動させレチクル1とウエハ4と
の位置整合を行つている。
例えばガラス板として厚さ3mm、大きさ150×150mmのも
のを用い投影光学系3の投影倍率を1/5とした場合、ガ
ラス板を1′傾ければウエハ面上で0.06μmのずれ量を
得ることができる。
本実施例においてレチクルとウエハの位置整合の良否に
関しては例えば本出願人が先に特開昭55−34490号公報
や特開昭53−135653号公報で提案している方法により行
つている。
即ちレチクルとウエハ面上に各々位置整合用のアライメ
ントマークを設け、これらのアライメントマークの空間
的位置関係をレーザービームで走査し、アライメントマ
ークから生ずる散乱光束を光電変換して行つている。
本実施例の投影露光装置は特に光源としてエキシマレー
ザーを用いた半導体製造用の露光装置に良好に適用する
ことができる。
例えばエキシマレーザーのパルス発光を利用すればウエ
ハステージを静止させずに露光することのできる所謂on
the fly exposure systemに適用することができる。即
ちステージを定速移動させ各ショット間のステージ移動
の際中にレチクルとウエハの位置整合を行い双方の微少
のずれ量をガラス板を回転することにより容易にしかも
迅速に補正することが出来る。
同本実施例において1枚のガラス板ではずれ量が不十分
の場合は2枚以上の複数枚用いても良い。
又本実施例においてはガラス板を投影光学系とウエハと
の間の光路中に設けても良い。
(発明の効果) 本発明によればレチクルと投影光学系との間の光路中に
回動可能な平行平面の透明のガラス板を配置し、該ガラ
ス板を回動させることによりレチクルとウエハを容易
に、しかも高精度に位置整合することのできる投影露光
装置を達成することができる。
特にレチクルとウエハの微少な位置調整をステージを移
動させることなく単にガラス板を回転させることにより
迅速にしかも高精度に行うことのできる半導体製造用の
露光装置に好適な投影露光装置を達成することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の光学系の一部分の概略図で
ある。 図中1はレチクル、2はガラス板、3は投影光学系、4
はウエハ、31は光軸である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】レチクル面上のパターンを投影光学系を介
    し所定倍率でウエハ面上に投影露光する投影露光装置に
    おいて、前記レチクルと前記ウエハとの間で前記パター
    ンからの光の光路中に配置された透明の平行平面のガラ
    ス板と、前記投影光学系の光軸に対する前記ガラス板の
    傾きを調整する手段とを有することを特徴とする投影露
    光装置。
JP61091698A 1986-04-21 1986-04-21 投影露光装置 Expired - Lifetime JPH0618166B2 (ja)

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JPS62248225A JPS62248225A (ja) 1987-10-29
JPH0618166B2 true JPH0618166B2 (ja) 1994-03-09

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JPH04133414A (ja) * 1990-09-26 1992-05-07 Nec Yamaguchi Ltd 縮小投影露光装置
JP4211272B2 (ja) * 2002-04-12 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS492553A (ja) * 1972-04-19 1974-01-10

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JPS492553A (ja) * 1972-04-19 1974-01-10

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