JPS6345819A - 投影露光装置におけるステ−ジ誤差測定装置 - Google Patents
投影露光装置におけるステ−ジ誤差測定装置Info
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- JPS6345819A JPS6345819A JP61190063A JP19006386A JPS6345819A JP S6345819 A JPS6345819 A JP S6345819A JP 61190063 A JP61190063 A JP 61190063A JP 19006386 A JP19006386 A JP 19006386A JP S6345819 A JPS6345819 A JP S6345819A
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 title abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、投影露光装置におけるステージ誤差補正装置
に関する。
に関する。
投影露光装置の概略を第３図に示す、水銀ランプ１から
の光２は、コンデンサレンズ３により集光され、ホトマ
スク４を透過したのち縮小レンズ５を通してウェハー６
上にホトマスク４の縮小像を投影露光する。第４図にス
テージの概略を示す。
の光２は、コンデンサレンズ３により集光され、ホトマ
スク４を透過したのち縮小レンズ５を通してウェハー６
上にホトマスク４の縮小像を投影露光する。第４図にス
テージの概略を示す。
ステージ１０はその下部にＶ字状案内溝１１を有し、■
案内１２と係合して移動する。
案内１２と係合して移動する。
一方ステージの位置は、レーザー測長器７で精確に計測
される。Ｌ字形ミラー８は、レーザー測長器７の基準ミ
ラーであり、テーブル１０上に固定される。Ｌ字形ミラ
ー８は、その面精度がλ／１０以下に加工された超精密
ミラーである。
される。Ｌ字形ミラー８は、レーザー測長器７の基準ミ
ラーであり、テーブル１０上に固定される。Ｌ字形ミラ
ー８は、その面精度がλ／１０以下に加工された超精密
ミラーである。
上記装置において、■案内１２が正しく真直に加工され
ている場合は、投影像２０がウェハー６上に第６図に示
すごとく正しく配列されるが、第５図に示すごとく、■
案内１２が真直に加工されていない場合には、その投影
像２０は、第７図に示すごとく乱れた配列となる。半導
体素子の製造には、一般に複数回の露光工程が必要であ
る。夫々の工程は、同一機種で露光されるとも限らず。
ている場合は、投影像２０がウェハー６上に第６図に示
すごとく正しく配列されるが、第５図に示すごとく、■
案内１２が真直に加工されていない場合には、その投影
像２０は、第７図に示すごとく乱れた配列となる。半導
体素子の製造には、一般に複数回の露光工程が必要であ
る。夫々の工程は、同一機種で露光されるとも限らず。
複数台にまたがって露光される場合が往々にしてある、
この場合、ヨーイングが装置によりばらつくので複数台
にまたがって露光する場合、例えば。
この場合、ヨーイングが装置によりばらつくので複数台
にまたがって露光する場合、例えば。
第６図と第７図を重ね合わせた場合、正しい重ね合わせ
が得られないことは明白である。
が得られないことは明白である。
したがって、従来、ヨーイングを極力小さくするため、
■案内１２の製作に長時間を必要とし原価高となってい
た。一方、■案内の真直度の向上には限界があり、その
加工限界はＩ Ｘ １０−’ｒａｄ。
■案内１２の製作に長時間を必要とし原価高となってい
た。一方、■案内の真直度の向上には限界があり、その
加工限界はＩ Ｘ １０−’ｒａｄ。
程度である。この程度に加工された面であっても。
重ね合わせ精度は、１５０■ウエハーの場合、最悪０．
３μｍの誤差が生ずる。超大規模集積回路においては、
重ね合わせ精度は０．１μｍ以下が要求され、上記誤差
は、受は入れない数値となる。
３μｍの誤差が生ずる。超大規模集積回路においては、
重ね合わせ精度は０．１μｍ以下が要求され、上記誤差
は、受は入れない数値となる。
本発明の目的は、■案内１２の加工精度に依存すること
なく半導体素子を高精度で製作することのできる投影露
光装置におけるステージ誤差補正装置を提供するにある
。
なく半導体素子を高精度で製作することのできる投影露
光装置におけるステージ誤差補正装置を提供するにある
。
このような目的を達成するために、本発明は。
ＸおよびＹ方向にそれぞれ独立して移動するＸ−Ｙステ
ージ上に半導体ウェーハを載置し、ステップアンドリピ
ート動作により、フォトマスク像を前記半導体ウェーハ
面に投影露光させる投影露光装置において、前記Ｘ−Ｙ
ステージの位置を計測する位置計測器と、この位置計測
器からの出力によって前記フォトマスク像を微少回動さ
せる手段とを備えてなるものである。
ージ上に半導体ウェーハを載置し、ステップアンドリピ
ート動作により、フォトマスク像を前記半導体ウェーハ
面に投影露光させる投影露光装置において、前記Ｘ−Ｙ
ステージの位置を計測する位置計測器と、この位置計測
器からの出力によって前記フォトマスク像を微少回動さ
せる手段とを備えてなるものである。
以下１本発明による投影露光装置におけるステージ誤差
補正装置の一実施例を第１図、第２図により説明する。
補正装置の一実施例を第１図、第２図により説明する。
レーザー測長器７からのビームは第１ビームスプリツタ
３１によりＸ、Ｙ両軸に分割されるようになっている。
３１によりＸ、Ｙ両軸に分割されるようになっている。
Ｙ軸方向に分割されたＹビーム３２は第２ビームスプリ
ツタ３３により、距離測長用ビーム３４とヨーイング測
定用ビーム３５に分割されるようになっている。距離測
長用ビーム３４およびヨーイング測定用ビーム３５は夫
々Ｌ字形ミラー８に入射し、ステージ１０の移動量を０
．０１μｍの精度で計測するようになっている。ステー
ジ１０がＹ方向にヨーイングを生ずることなく正確に移
動するときは、距離測長用ビーム３４とヨーイング明室
用ビーム３５が夫々計測するテーブルの移動量に対する
測長量は同一であり、２つのビーム間に差が生じないこ
とになる。
ツタ３３により、距離測長用ビーム３４とヨーイング測
定用ビーム３５に分割されるようになっている。距離測
長用ビーム３４およびヨーイング測定用ビーム３５は夫
々Ｌ字形ミラー８に入射し、ステージ１０の移動量を０
．０１μｍの精度で計測するようになっている。ステー
ジ１０がＹ方向にヨーイングを生ずることなく正確に移
動するときは、距離測長用ビーム３４とヨーイング明室
用ビーム３５が夫々計測するテーブルの移動量に対する
測長量は同一であり、２つのビーム間に差が生じないこ
とになる。
一方、ステージ１０がヨーイング運動しながら移動する
場合には、距離測長用ビーム３４とヨーイング測定用ビ
ーム３５の測長量に差を生ずることになる。
場合には、距離測長用ビーム３４とヨーイング測定用ビ
ーム３５の測長量に差を生ずることになる。
距離測長用ビーム３４とヨーイング測定用ビーム３５の
間隔を仮に５０ｍとすると、前述のごとくレーザー測長
器の計測精度は０．０１μｍであり、角度に直すと２×
１０″″’ｒａｄ、となり極めて正確にヨーイングを計
測できる。
間隔を仮に５０ｍとすると、前述のごとくレーザー測長
器の計測精度は０．０１μｍであり、角度に直すと２×
１０″″’ｒａｄ、となり極めて正確にヨーイングを計
測できる。
ステージ１０にヨーイングが生ずるとウニ八−６上には
、回転した素子が転写される。これを防ぐため露光直前
にステージのヨーイング量に相当する角度だけホトマス
クを回転させて補正すればよいことになる。
、回転した素子が転写される。これを防ぐため露光直前
にステージのヨーイング量に相当する角度だけホトマス
クを回転させて補正すればよいことになる。
ホトマスクの回転は以下に示すようになっている。ホト
マスク４を開口部３６を有する円板３７上に載置する６
円板３７とホトマスク３６の中心は一致させである。ま
た円板３７は、その外周部を３個の溝付きローラ３８で
支えられている。溝付きローラ３８の一個所は、ステッ
ピングモータ３９によって円板３７を回転させる。今ス
テージ１０↓ニョーイングが生ずると、ヨーイングはレ
ーザー測長器が計測し、このデータにしたがってステッ
ピングモータが回転する。この動作は、ステージ１０が
移動する度毎に行われる。
マスク４を開口部３６を有する円板３７上に載置する６
円板３７とホトマスク３６の中心は一致させである。ま
た円板３７は、その外周部を３個の溝付きローラ３８で
支えられている。溝付きローラ３８の一個所は、ステッ
ピングモータ３９によって円板３７を回転させる。今ス
テージ１０↓ニョーイングが生ずると、ヨーイングはレ
ーザー測長器が計測し、このデータにしたがってステッ
ピングモータが回転する。この動作は、ステージ１０が
移動する度毎に行われる。
以上の説明は、ホトマスクが円板３７上で回転する場合
について述べたが、第２図に示すごとくホトマスク４を
角形テーブル４０上に乗せて、支点４１を回転中心とし
て回転させても、円板上に乗せた場合と同様の補正が可
能である。
について述べたが、第２図に示すごとくホトマスク４を
角形テーブル４０上に乗せて、支点４１を回転中心とし
て回転させても、円板上に乗せた場合と同様の補正が可
能である。
以上の説明はステージのヨーイングを露光地点でその都
度測定し補正を行うものであったが、これに限定される
ものでなく、ステージ１０のヨーイング量は、各位置で
再現があるのでこれを前もって測っておき、露光直前に
このデータでホトマスフを補正させることもできる。
度測定し補正を行うものであったが、これに限定される
ものでなく、ステージ１０のヨーイング量は、各位置で
再現があるのでこれを前もって測っておき、露光直前に
このデータでホトマスフを補正させることもできる。
以上説明したことから明らかなように、本発明による投
影露光装置におけるステージ誤差測定装置によれば、ｘ
−ＹステージのＶ案内の加工精度に依存することなく半
導体素子を高精度で製作することができる。
影露光装置におけるステージ誤差測定装置によれば、ｘ
−ＹステージのＶ案内の加工精度に依存することなく半
導体素子を高精度で製作することができる。
第１図は本発明による投影露光装置におけるステージ誤
差補正装置の一実施例を示す構成図、第２図は本発明の
他の実施例を示す構成図、第３図は従来の投影露光装置
の一例を示す構成図、第４図ないし第７図は従来の装置
において配慮されていない部分を説明する図である。 １・・・水銀ランプ、４・・・ホトマスク、５・・・縮
小レンズ、６・・・ウェハー、７・・・レーザー測長器
、１０・・・ステージ、１１・・・Ｖ字状案内溝、１２
・・・Ｖ案内、３７・・・円板、３９・・・ステッピン
グモータ、４０・・・角形テーブル。
差補正装置の一実施例を示す構成図、第２図は本発明の
他の実施例を示す構成図、第３図は従来の投影露光装置
の一例を示す構成図、第４図ないし第７図は従来の装置
において配慮されていない部分を説明する図である。 １・・・水銀ランプ、４・・・ホトマスク、５・・・縮
小レンズ、６・・・ウェハー、７・・・レーザー測長器
、１０・・・ステージ、１１・・・Ｖ字状案内溝、１２
・・・Ｖ案内、３７・・・円板、３９・・・ステッピン
グモータ、４０・・・角形テーブル。
Claims (1)
- １、ＸおよびＹ方向にそれぞれ独立して移動するＸ−Ｙ
ステージ上に半導体ウェーハを載置し、ステップアンド
リピート動作により、フォトマスク像を前記半導体ウェ
ーハ面に投影露光させる投影露光装置において、前記Ｘ
−Ｙステージの位置を計測する位置計測器と、この位置
計測器からの出力によつて前記フォトマスク像を微少回
動させる手段とを備えたことを特徴とする投影露光装置
におけるステージ誤差測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61190063A JPS6345819A (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | 投影露光装置におけるステ−ジ誤差測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61190063A JPS6345819A (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | 投影露光装置におけるステ−ジ誤差測定装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10966595A Division JP2724979B2 (ja) | 1995-05-08 | 1995-05-08 | 投影露光装置および投影露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6345819A true JPS6345819A (ja) | 1988-02-26 |
| JPH0529130B2 JPH0529130B2 (ja) | 1993-04-28 |
Family
ID=16251727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61190063A Granted JPS6345819A (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | 投影露光装置におけるステ−ジ誤差測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6345819A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0438813A (ja) * | 1990-06-04 | 1992-02-10 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
| CN1066156C (zh) * | 1998-09-11 | 2001-05-23 | 化学工业部北京化工研究院 | 吸水树脂的制备方法及搅拌器 |
| WO2006134922A1 (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Fujifilm Corporation | 露光装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57201025A (en) * | 1981-06-03 | 1982-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | Stepping and repeating device |
| JPS5972135A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-24 | Hitachi Ltd | 超精密ｘｙ移動装置 |
| JPS60173550A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-06 | Canon Inc | 半導体焼付装置 |
| JPS60224225A (ja) * | 1984-04-23 | 1985-11-08 | Canon Inc | 半導体焼付装置 |
| JPS60249323A (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-10 | Hitachi Ltd | 縮小投影露光装置 |
| JPS6187330A (ja) * | 1984-10-01 | 1986-05-02 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
-
1986
- 1986-08-13 JP JP61190063A patent/JPS6345819A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57201025A (en) * | 1981-06-03 | 1982-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | Stepping and repeating device |
| JPS5972135A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-24 | Hitachi Ltd | 超精密ｘｙ移動装置 |
| JPS60173550A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-06 | Canon Inc | 半導体焼付装置 |
| JPS60224225A (ja) * | 1984-04-23 | 1985-11-08 | Canon Inc | 半導体焼付装置 |
| JPS60249323A (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-10 | Hitachi Ltd | 縮小投影露光装置 |
| JPS6187330A (ja) * | 1984-10-01 | 1986-05-02 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH0438813A (ja) * | 1990-06-04 | 1992-02-10 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
| CN1066156C (zh) * | 1998-09-11 | 2001-05-23 | 化学工业部北京化工研究院 | 吸水树脂的制备方法及搅拌器 |
| WO2006134922A1 (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Fujifilm Corporation | 露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0529130B2 (ja) | 1993-04-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |