JPH06180330A - プローブカード及びその製造方法 - Google Patents
プローブカード及びその製造方法Info
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- JPH06180330A JPH06180330A JP4354070A JP35407092A JPH06180330A JP H06180330 A JPH06180330 A JP H06180330A JP 4354070 A JP4354070 A JP 4354070A JP 35407092 A JP35407092 A JP 35407092A JP H06180330 A JPH06180330 A JP H06180330A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 被試験基板を加熱または冷却してプローブカ
ードにより電気的を行うにあたって、プローブカードの
熱変位を小さくすること。 【構成】 第1のリング部材4の外周部の上に内周部が
重なるように、2つの段差部3a、3bを有する第2の
リング部材5をスペーサ31を介してネジ32により固
定すると共に、第1のリング部材4の中央の穴33に針
固定台21を装着する。そして第1のリング部材4にお
いて、第2のリング部材5の重なり部の内方側近傍に、
孔部をなす円弧状の長穴51を設け、更にその内方側に
も長穴52を設ける。プローブカードの加熱または冷却
時に熱変形するが、この熱変形は長穴51、52により
弾性変形として吸収され、プローブカードの熱変位が小
さくなる。また第1のリング部材4の上面に溝を形成し
たり、熱膨張の大きな材質を下面側に埋め込むことによ
りプローブカードを反らせて熱変位を小さくするように
してもよい。
ードにより電気的を行うにあたって、プローブカードの
熱変位を小さくすること。 【構成】 第1のリング部材4の外周部の上に内周部が
重なるように、2つの段差部3a、3bを有する第2の
リング部材5をスペーサ31を介してネジ32により固
定すると共に、第1のリング部材4の中央の穴33に針
固定台21を装着する。そして第1のリング部材4にお
いて、第2のリング部材5の重なり部の内方側近傍に、
孔部をなす円弧状の長穴51を設け、更にその内方側に
も長穴52を設ける。プローブカードの加熱または冷却
時に熱変形するが、この熱変形は長穴51、52により
弾性変形として吸収され、プローブカードの熱変位が小
さくなる。また第1のリング部材4の上面に溝を形成し
たり、熱膨張の大きな材質を下面側に埋め込むことによ
りプローブカードを反らせて熱変位を小さくするように
してもよい。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はプローブカード及びその
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては、
ウエハプロセスが終了してウエハ内にICチップが完成
した後、電極パターンのショート、オープンやICチッ
プの入出力特性などを調べるためにプローブテストと呼
ばれる電気的測定が行われ、半導体ウエハ(以下「ウエ
ハ」という。)の状態でICチップの良否が判別され
る。その後ウエハはICチップに分断され、良品のIC
チップについてパッケージングされてから例えば所定の
プローブテストを行って最終製品の良否が判定される。
ウエハプロセスが終了してウエハ内にICチップが完成
した後、電極パターンのショート、オープンやICチッ
プの入出力特性などを調べるためにプローブテストと呼
ばれる電気的測定が行われ、半導体ウエハ(以下「ウエ
ハ」という。)の状態でICチップの良否が判別され
る。その後ウエハはICチップに分断され、良品のIC
チップについてパッケージングされてから例えば所定の
プローブテストを行って最終製品の良否が判定される。
【0003】ここでウエハ状態でプローブテストを行う
場合、載置台上に載置されたウエハ上のICチップの電
極パッドに、プローブカードのプローブ針を接触させる
と共に、このプローブカードをコンタクトリングを介し
てテストヘッドに接続し、これによりテストヘッドとI
Cチップとを電気的に接続するようにしている。そして
前記プローブカードは、例えば図25、図26に示すよ
うに同心円状に3つの段差部1a、1b、1cが形成さ
れると共に中心部に穴11が形成された保持部(ホルダ
ー)1と、この保持部1の外側から2段目の保持面12
に保持されたプリント基板2と、このプリント基板2の
下面側に取り付けられると共に、前記保持部1の穴11
に挿入された状態で最も中央側の保持面13に保持され
た針固定台21と、この針固定台21内に垂直に固定さ
れると共に基端側が折曲されてプリント基板2に電気的
に接続されたプローブ針(垂直針)22とを備えてお
り、ウエハを載置するための載置台23に対向して設け
られている。
場合、載置台上に載置されたウエハ上のICチップの電
極パッドに、プローブカードのプローブ針を接触させる
と共に、このプローブカードをコンタクトリングを介し
てテストヘッドに接続し、これによりテストヘッドとI
Cチップとを電気的に接続するようにしている。そして
前記プローブカードは、例えば図25、図26に示すよ
うに同心円状に3つの段差部1a、1b、1cが形成さ
れると共に中心部に穴11が形成された保持部(ホルダ
ー)1と、この保持部1の外側から2段目の保持面12
に保持されたプリント基板2と、このプリント基板2の
下面側に取り付けられると共に、前記保持部1の穴11
に挿入された状態で最も中央側の保持面13に保持され
た針固定台21と、この針固定台21内に垂直に固定さ
れると共に基端側が折曲されてプリント基板2に電気的
に接続されたプローブ針(垂直針)22とを備えてお
り、ウエハを載置するための載置台23に対向して設け
られている。
【0004】このようなプローブカードを用いてウエハ
Wの電気的測定を行う場合、ウエハWの表面とプローブ
針22の針先との間が例えば約100μmとなる位置に
載置台23を停止させ、次いで載置台23を上昇させて
プローブ針22とウエハW上の例えば複数チップの電極
パッドとを接触させ、更に例えば80μm上昇させるこ
とによりオーバドライブをかけてプローブ針22とウエ
ハW上の電極パッドとが確実に接触するようにしてい
る。
Wの電気的測定を行う場合、ウエハWの表面とプローブ
針22の針先との間が例えば約100μmとなる位置に
載置台23を停止させ、次いで載置台23を上昇させて
プローブ針22とウエハW上の例えば複数チップの電極
パッドとを接触させ、更に例えば80μm上昇させるこ
とによりオーバドライブをかけてプローブ針22とウエ
ハW上の電極パッドとが確実に接触するようにしてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで最近において
は、各チップに分断される前にウエハの状態で、載置台
23に内蔵されているヒータ23aによってウエハWを
例えば60℃〜150℃前後の温度に加熱し、高温状態
でウエハW上のICチップについて電気的測定を行う方
法も実施されつつある。
は、各チップに分断される前にウエハの状態で、載置台
23に内蔵されているヒータ23aによってウエハWを
例えば60℃〜150℃前後の温度に加熱し、高温状態
でウエハW上のICチップについて電気的測定を行う方
法も実施されつつある。
【0006】このような高温状態で測定を行う場合に
は、ウエハよりの輻射熱や針先からの熱伝導によってプ
ローブカードが熱膨張し、このためプローブ針22の針
先レベル(プローブ針の針先の高さ位置)が常温時に比
べて低くなってくる。従ってプローブカードの温度が、
加熱されたウエハWの温度に対して安定する前に、即ち
プローブ針22の針先レベルが安定する前にプローブ針
22と電極パッドとを接触させると、接触後のウエハW
よりの伝熱によってプローブカードが熱膨張して、プロ
ーブ針22の針先がウエハ表面に強い力で押し付けられ
る。
は、ウエハよりの輻射熱や針先からの熱伝導によってプ
ローブカードが熱膨張し、このためプローブ針22の針
先レベル(プローブ針の針先の高さ位置)が常温時に比
べて低くなってくる。従ってプローブカードの温度が、
加熱されたウエハWの温度に対して安定する前に、即ち
プローブ針22の針先レベルが安定する前にプローブ針
22と電極パッドとを接触させると、接触後のウエハW
よりの伝熱によってプローブカードが熱膨張して、プロ
ーブ針22の針先がウエハ表面に強い力で押し付けられ
る。
【0007】一方最近ではICチップの高集積化に伴い
電極パッドの数が増えてきており、またスループットの
向上を図るために一度にプローブ針22を接触させるI
Cチップの数が多くなる傾向にあることから、プローブ
針22の数が例えば1500本にもなる場合がある。従
ってプローブ針22がウエハに所定の荷重よりも強い力
で押し付けられると、プローブ針22の全体から載置台
23に加わる荷重が相当大きくなり、載置台23の駆動
機構の中のベアリングが変形して載置台23が傾き、こ
の結果プローブ針22群の一部において電極パッドと接
触が不十分になり、正確な測定が行えないことがある。
またこのような問題の他、プローブ針22が撓んで無理
に変形し、これによりプローブ針22が損傷するおそれ
があるし、あるいは過剰なオーバドライブによりICチ
ップが損傷するおそれもある。
電極パッドの数が増えてきており、またスループットの
向上を図るために一度にプローブ針22を接触させるI
Cチップの数が多くなる傾向にあることから、プローブ
針22の数が例えば1500本にもなる場合がある。従
ってプローブ針22がウエハに所定の荷重よりも強い力
で押し付けられると、プローブ針22の全体から載置台
23に加わる荷重が相当大きくなり、載置台23の駆動
機構の中のベアリングが変形して載置台23が傾き、こ
の結果プローブ針22群の一部において電極パッドと接
触が不十分になり、正確な測定が行えないことがある。
またこのような問題の他、プローブ針22が撓んで無理
に変形し、これによりプローブ針22が損傷するおそれ
があるし、あるいは過剰なオーバドライブによりICチ
ップが損傷するおそれもある。
【0008】本発明はこのような事情のもとになされた
ものであり、その目的は、被試験基板を加熱または冷却
した状態でプローブテストを行うにあたって、プローブ
カードの熱変位を小さくすることのできるプローブ装置
を提供することにある。
ものであり、その目的は、被試験基板を加熱または冷却
した状態でプローブテストを行うにあたって、プローブ
カードの熱変位を小さくすることのできるプローブ装置
を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、プロ
ーブカードを加熱または冷却したときに応力が集中する
個所の内方側近傍に、プローブカードの周方向に沿って
孔部を設け、この孔部における弾性変形により応力集中
を緩和するように構成したことを特徴とする。
ーブカードを加熱または冷却したときに応力が集中する
個所の内方側近傍に、プローブカードの周方向に沿って
孔部を設け、この孔部における弾性変形により応力集中
を緩和するように構成したことを特徴とする。
【0010】請求項2の発明は、プローブカードを加熱
または冷却したときにプローブカードの熱変位を打ち消
す方向に反らせるように、プローブカードの表面または
裏面に周方向に沿って溝部を形成したことを特徴とす
る。
または冷却したときにプローブカードの熱変位を打ち消
す方向に反らせるように、プローブカードの表面または
裏面に周方向に沿って溝部を形成したことを特徴とす
る。
【0011】請求項3の発明は、プローブカードを加熱
または冷却したときにプローブカードの熱変位を打ち消
す方向に変形させるように熱膨張率の異なる材質を組み
合わせて構成したことを特徴とする。
または冷却したときにプローブカードの熱変位を打ち消
す方向に変形させるように熱膨張率の異なる材質を組み
合わせて構成したことを特徴とする。
【0012】請求項4の発明は、プローブカードを、被
試験基板を載置する載置台に対向して設ける工程と、前
記プローブカードを前記載置台により所定の時間、所定
の温度で加熱または冷却する工程と、この工程により発
生したプローブカードの熱変位を計測する工程と、この
工程により計測したプローブカードの熱変位が所定の変
位以内に入るように、プローブカードの構造及び/また
は構成部品の材質の組み合せを変更する工程と、を含む
ことを特徴とする。
試験基板を載置する載置台に対向して設ける工程と、前
記プローブカードを前記載置台により所定の時間、所定
の温度で加熱または冷却する工程と、この工程により発
生したプローブカードの熱変位を計測する工程と、この
工程により計測したプローブカードの熱変位が所定の変
位以内に入るように、プローブカードの構造及び/また
は構成部品の材質の組み合せを変更する工程と、を含む
ことを特徴とする。
【0013】
【作用】被試験基板を載置台に載せて所定の温度に加熱
あるいは冷却し、この被試験基板に、プローブカードの
プローブ針などの接触手段を接触させてテスタにより電
気的測定を行う。プローブカードは載置台により加熱あ
るいは冷却され、熱変形を起こす。このためプローブカ
ードの段差部や、外部装置との取り付け部分に応力が集
中してプローブカードに熱変位が生じ、接触手段が上側
あるいは下側(プローブカードが垂直に向いている装置
では左側あるいは右側)に変位する。ここで請求項1の
発明では熱膨張あるいは熱収縮によって起こる熱変形が
孔部にて弾性変形に変わり、応力集中が孔部にて吸収さ
れることとなり、従ってプローブカードの熱変位が小さ
くなる。
あるいは冷却し、この被試験基板に、プローブカードの
プローブ針などの接触手段を接触させてテスタにより電
気的測定を行う。プローブカードは載置台により加熱あ
るいは冷却され、熱変形を起こす。このためプローブカ
ードの段差部や、外部装置との取り付け部分に応力が集
中してプローブカードに熱変位が生じ、接触手段が上側
あるいは下側(プローブカードが垂直に向いている装置
では左側あるいは右側)に変位する。ここで請求項1の
発明では熱膨張あるいは熱収縮によって起こる熱変形が
孔部にて弾性変形に変わり、応力集中が孔部にて吸収さ
れることとなり、従ってプローブカードの熱変位が小さ
くなる。
【0014】また請求項2の発明では、プローブカード
が加熱される場合例えば溝部をプローブカードの表面
(上面)に周方向に形成することによって、溝部の開口
部が狭くなるように、即ちプローブカードの中心部が上
に持ち上がるように反り返り、このため熱変形による下
向きの熱変位分が少なくなる。また溝部に代えて、請求
項3の発明のように例えばプローブカードの上面側に周
方向に熱膨張の大きな材質を埋め込むなどしてバイメタ
ルの作用を利用することによりプローブカードを反らせ
ても同様の効果がある。
が加熱される場合例えば溝部をプローブカードの表面
(上面)に周方向に形成することによって、溝部の開口
部が狭くなるように、即ちプローブカードの中心部が上
に持ち上がるように反り返り、このため熱変形による下
向きの熱変位分が少なくなる。また溝部に代えて、請求
項3の発明のように例えばプローブカードの上面側に周
方向に熱膨張の大きな材質を埋め込むなどしてバイメタ
ルの作用を利用することによりプローブカードを反らせ
ても同様の効果がある。
【0015】請求項4の発明では、プローブカードを加
熱または冷却して熱変位を計測し、その熱変位が所定の
変位以内に入るように改良を加えてプローブカードが製
造されるので、プローブ針などの接触手段を所定の荷重
で被試験基板に接触させることができる。
熱または冷却して熱変位を計測し、その熱変位が所定の
変位以内に入るように改良を加えてプローブカードが製
造されるので、プローブ針などの接触手段を所定の荷重
で被試験基板に接触させることができる。
【0016】
【実施例】先ず本発明の実施例に係るプローブカードに
ついて図1〜図3を参照しながら説明すると、このプロ
ーブカード30は、例えばステンレスよりなる平面形状
がリング状の保持部3と、この保持部3に保持されたプ
リント基板2と、このプリント基板2の下面側に取り付
けられた針固定台21とを有してなる。なお図2は、プ
ローブカード30を下から見た底面図であり、図2中の
小さな白丸と黒丸は後述の温度測定点である。また図3
ではプリント基板2を省略してある。
ついて図1〜図3を参照しながら説明すると、このプロ
ーブカード30は、例えばステンレスよりなる平面形状
がリング状の保持部3と、この保持部3に保持されたプ
リント基板2と、このプリント基板2の下面側に取り付
けられた針固定台21とを有してなる。なお図2は、プ
ローブカード30を下から見た底面図であり、図2中の
小さな白丸と黒丸は後述の温度測定点である。また図3
ではプリント基板2を省略してある。
【0017】前記保持部3は、第1のリング部材4の外
周部の上に第2のリング部材5を内周部が重なるように
設け、その間に例えばステンレスよりなる厚さ約1mm
のスペーサ31を介して、例えば等間隔な6ヶ所でネジ
32によりこれらリング部材4、5を互に固定して構成
されており、第2のリング部材5の内端面が段差部3a
を形成している。前記第2のリング部材5には、段差部
3aと同心円状に段差部3bが形成されており、外側に
位置する高い方の面51は、プローブカード30をプロ
ーブ装置本体に取り付ける場合の基準面であり、内側に
位置する低い方の面52はプリント基板2の保持面であ
る。またこの第2のリング部材5の外周部には、プロー
ブ装置本体に係合してプローブカード30と着脱自在に
取り付けるための係合突起53が形成されている。
周部の上に第2のリング部材5を内周部が重なるように
設け、その間に例えばステンレスよりなる厚さ約1mm
のスペーサ31を介して、例えば等間隔な6ヶ所でネジ
32によりこれらリング部材4、5を互に固定して構成
されており、第2のリング部材5の内端面が段差部3a
を形成している。前記第2のリング部材5には、段差部
3aと同心円状に段差部3bが形成されており、外側に
位置する高い方の面51は、プローブカード30をプロ
ーブ装置本体に取り付ける場合の基準面であり、内側に
位置する低い方の面52はプリント基板2の保持面であ
る。またこの第2のリング部材5の外周部には、プロー
ブ装置本体に係合してプローブカード30と着脱自在に
取り付けるための係合突起53が形成されている。
【0018】前記第2のリング部材5の低い方の面52
上にはプリント基板2が保持されており、このプリント
基板2の下面側には針固定台21が取り付けられてい
る。この針固定台21は、保持部3の中央の穴33の中
に挿入された状態で第1のリング部材4の内周部表面に
例えばステンレスよりなる厚さ約1mmのスペーサ41
を介して保持固定されている。前記針固定台21内に
は、接触手段である例えば線径約70μmのプローブ針
22が垂直に固定され、その基端側が折曲されてプリン
ト基板2の表面の電極に電気的に接続されている。この
プローブ針22は、例えばV、Pd−Ag、あるいはB
e−CuあるいはAu−Cuなどからなる芯線に、真鍮
よりなる良導体層例えば真鍮のチュ−ブ22aを用いて
良導体層を形成し、この真鍮チュ−ブの表面を電気的絶
縁層としてポリパラキシレンを形成して構成している。
4における段差部3aの内方側(半径方向内方側)近傍
には、周方向に沿って孔部、例えば円弧状の長穴61が
間隔をおいて、ネジ止め位置の内側に位置するように6
個形成され更にこれら長穴61の内方側に2つの円弧状
の長穴62が針固定台21を介して対向して形成されて
いる。
上にはプリント基板2が保持されており、このプリント
基板2の下面側には針固定台21が取り付けられてい
る。この針固定台21は、保持部3の中央の穴33の中
に挿入された状態で第1のリング部材4の内周部表面に
例えばステンレスよりなる厚さ約1mmのスペーサ41
を介して保持固定されている。前記針固定台21内に
は、接触手段である例えば線径約70μmのプローブ針
22が垂直に固定され、その基端側が折曲されてプリン
ト基板2の表面の電極に電気的に接続されている。この
プローブ針22は、例えばV、Pd−Ag、あるいはB
e−CuあるいはAu−Cuなどからなる芯線に、真鍮
よりなる良導体層例えば真鍮のチュ−ブ22aを用いて
良導体層を形成し、この真鍮チュ−ブの表面を電気的絶
縁層としてポリパラキシレンを形成して構成している。
4における段差部3aの内方側(半径方向内方側)近傍
には、周方向に沿って孔部、例えば円弧状の長穴61が
間隔をおいて、ネジ止め位置の内側に位置するように6
個形成され更にこれら長穴61の内方側に2つの円弧状
の長穴62が針固定台21を介して対向して形成されて
いる。
【0019】このような構成のプローブカード30を用
いたプローブ装置の全体構成例を図4に示すと、プロー
ブカード30は、筐体20の上部に前記係合突起53を
係合させることにより取り付けられており、このプロー
ブカード30の下方側には、駆動機構24によりX、
Y、Z、θ方向に駆動されると共に図示しないヒータ2
3aを備えた、ウエハWの載置台23が配設されてい
る。またプローブカード30の上面側にはコンタクトリ
ング25を挟んでテストヘッド26が設けられており、
コンタクトリング25のポゴピンによってプローブカー
ド30とテストヘッド26とが電気的に接続される。
いたプローブ装置の全体構成例を図4に示すと、プロー
ブカード30は、筐体20の上部に前記係合突起53を
係合させることにより取り付けられており、このプロー
ブカード30の下方側には、駆動機構24によりX、
Y、Z、θ方向に駆動されると共に図示しないヒータ2
3aを備えた、ウエハWの載置台23が配設されてい
る。またプローブカード30の上面側にはコンタクトリ
ング25を挟んでテストヘッド26が設けられており、
コンタクトリング25のポゴピンによってプローブカー
ド30とテストヘッド26とが電気的に接続される。
【0020】次に上述実施例の作用について述べる。先
ずウエハWを載置台23上に載置し、載置台23に内蔵
されたヒータ23aにより所定の温度例えば100℃前
後に加熱すると共にウエハWとプローブ針22とのX、
Y、θ方向の位置合わせを行った後、載置台23を上昇
させてプローブ針22をウエハW上の例えば8個のIC
チップの電極パッドに同時に接触させ、更に例えば80
μmだけ上昇させてオーバドライブをかける。しかる後
テストヘッド26によりICチップについて所定の電気
的特性が測定される。この測定には例えば約3分間要
し、約数百msecで次のICチップに移動する。
ずウエハWを載置台23上に載置し、載置台23に内蔵
されたヒータ23aにより所定の温度例えば100℃前
後に加熱すると共にウエハWとプローブ針22とのX、
Y、θ方向の位置合わせを行った後、載置台23を上昇
させてプローブ針22をウエハW上の例えば8個のIC
チップの電極パッドに同時に接触させ、更に例えば80
μmだけ上昇させてオーバドライブをかける。しかる後
テストヘッド26によりICチップについて所定の電気
的特性が測定される。この測定には例えば約3分間要
し、約数百msecで次のICチップに移動する。
【0021】ここでプローブカード30は、ウエハWか
らプローブ針22を介した熱伝導や対流によって熱が伝
わり、熱変形するが、第1のリング部材4のネジ止め個
所の内方側近傍に長穴61を設け更にその内方側に長穴
62を設けているため、後で詳述するようにこの長穴6
1、62にてプローブカード30の熱変形を弾性変形に
変えて応力集中を緩和し、このためプロ−ブカ−ドの熱
変位即ちプローブ針22の針先の下がり方(Z方向変位
量)が非常に小さい。従って載置台23に無理な大きな
力が加わらないので載置台23の傾きを抑えることがで
き、またプローブ針22やICチップを損傷させるおそ
れもない。
らプローブ針22を介した熱伝導や対流によって熱が伝
わり、熱変形するが、第1のリング部材4のネジ止め個
所の内方側近傍に長穴61を設け更にその内方側に長穴
62を設けているため、後で詳述するようにこの長穴6
1、62にてプローブカード30の熱変形を弾性変形に
変えて応力集中を緩和し、このためプロ−ブカ−ドの熱
変位即ちプローブ針22の針先の下がり方(Z方向変位
量)が非常に小さい。従って載置台23に無理な大きな
力が加わらないので載置台23の傾きを抑えることがで
き、またプローブ針22やICチップを損傷させるおそ
れもない。
【0022】次に上述実施例のプローブカード30を製
造するに至るまでの工程について述べると、先ず従来技
術である図25、図26に示すプローブカードをウエハ
の載置台に対向して設け、このプローブカードを載置台
により加熱してそのときのプローブカードの熱変位即ち
プローブ針の針先のZ方向変位を計測すると共にプロー
ブカードの熱変形を解析し、その結果にもとずいてプロ
ーブカードの構造を変更して上述実施例のプローブカー
ドを製作している。以下この工程について詳述する。
造するに至るまでの工程について述べると、先ず従来技
術である図25、図26に示すプローブカードをウエハ
の載置台に対向して設け、このプローブカードを載置台
により加熱してそのときのプローブカードの熱変位即ち
プローブ針の針先のZ方向変位を計測すると共にプロー
ブカードの熱変形を解析し、その結果にもとずいてプロ
ーブカードの構造を変更して上述実施例のプローブカー
ドを製作している。以下この工程について詳述する。
【0023】従来のプローブカードの保持部1の変形状
況を知るために、熱電対を使って保持部1の表面温度を
測定した。測定位置は図5(底面図)、図6(平面図)
に示すように保持部1の上面にA方向、B方向、C方向
のそれぞれに3点ずつ計9点、下面も同様に9点を測定
した。この他にプローブ装置内温度、プローブカード上
部の温度及び室温を測定した。ただし図5、図6中白丸
及びこれに対応して付された番号は、夫々熱電対による
温度測定点及びその番号である。この測定結果を図7に
示す。測定時間は150分間である。測定開始より約2
0分間で急激に温度上昇し、60分後にはほぼ横ばいと
なるが、150分までわずかながら上昇し続ける。室温
は測定している間ほぼ27℃で安定している。なおこの
測定に用いたプローブカードホルダは外径が320mm
であり、このプロ−ブカ−ドホルダ−に保持されるプロ
−ブカ−ド外形は250mmである。そして保持部1の
材質はステンレス303であり針固定台22の材質は黄
銅BsBmである。
況を知るために、熱電対を使って保持部1の表面温度を
測定した。測定位置は図5(底面図)、図6(平面図)
に示すように保持部1の上面にA方向、B方向、C方向
のそれぞれに3点ずつ計9点、下面も同様に9点を測定
した。この他にプローブ装置内温度、プローブカード上
部の温度及び室温を測定した。ただし図5、図6中白丸
及びこれに対応して付された番号は、夫々熱電対による
温度測定点及びその番号である。この測定結果を図7に
示す。測定時間は150分間である。測定開始より約2
0分間で急激に温度上昇し、60分後にはほぼ横ばいと
なるが、150分までわずかながら上昇し続ける。室温
は測定している間ほぼ27℃で安定している。なおこの
測定に用いたプローブカードホルダは外径が320mm
であり、このプロ−ブカ−ドホルダ−に保持されるプロ
−ブカ−ド外形は250mmである。そして保持部1の
材質はステンレス303であり針固定台22の材質は黄
銅BsBmである。
【0024】温度測定と同時に熱変位の測定も行った。
測定方法は最初に載置台23を87℃に加熱してこの載
置台23(ただしウエハの代りに金属板が載置されてい
る。)を上昇させて針固定台21の針先に接触したこと
を電流により検出してその位置を記録し、加熱開始後、
4分間隔で載置台23を上下して針先位置を記録する。
最初の針先位置との相対位置の差をZ変位として図8に
示す。この図からわかるように測定開始から約20分間
で針先は急激に下がり、30分後に最大変位155μm
となる。それから80分後まで少し上昇し145μmと
なり以後は変化しなくなる。載置台23の上下可動精度
は±5μm程度である。
測定方法は最初に載置台23を87℃に加熱してこの載
置台23(ただしウエハの代りに金属板が載置されてい
る。)を上昇させて針固定台21の針先に接触したこと
を電流により検出してその位置を記録し、加熱開始後、
4分間隔で載置台23を上下して針先位置を記録する。
最初の針先位置との相対位置の差をZ変位として図8に
示す。この図からわかるように測定開始から約20分間
で針先は急激に下がり、30分後に最大変位155μm
となる。それから80分後まで少し上昇し145μmと
なり以後は変化しなくなる。載置台23の上下可動精度
は±5μm程度である。
【0025】保持部1への熱の流れは、図9に示すよう
に載置台23から針固定台21を通ってくる熱伝導と載
置台23によって暖められた空気の熱対流による熱伝達
が考えられる。また、流入した熱の一部は雰囲気中へ放
熱され、残りは保持部1を支える外部装置へ伝導すると
考えられる。そこでモデルを簡単にするために熱伝導の
みを考え、載置台23から針固定台21を伝わって来た
熱は全て外部装置へ流れるものとした。これにより熱の
境界条件は境界温度のみとなる。そして図10に示すよ
うに、モデル形状を保持部1の形状の対称性により中心
軸に対して90度の角度で切られる4分の1形状を使っ
て計算する。即ち保持部1の実測温度を境界温度として
熱変形した形状をコンピュータによりシミュレーション
した。境界温度は針固定台21と接触する箇所に51
℃、外周に35℃を設定する。これは図7で示した実測
温度より決められる。計算に必要な物理定数として ステンレス(303) 黄銅(BsBm) 熱伝導率(J/(msec℃)) 15.49 83.7 ヤング率(kg/mm2 ) 20800 9600 ポアソン比 0.32 0.35 線膨脹率 (10-6) 14.8 18.7 を選んだ。これらの条件を使った熱変形計算の結果を図
11、図12に示す。
に載置台23から針固定台21を通ってくる熱伝導と載
置台23によって暖められた空気の熱対流による熱伝達
が考えられる。また、流入した熱の一部は雰囲気中へ放
熱され、残りは保持部1を支える外部装置へ伝導すると
考えられる。そこでモデルを簡単にするために熱伝導の
みを考え、載置台23から針固定台21を伝わって来た
熱は全て外部装置へ流れるものとした。これにより熱の
境界条件は境界温度のみとなる。そして図10に示すよ
うに、モデル形状を保持部1の形状の対称性により中心
軸に対して90度の角度で切られる4分の1形状を使っ
て計算する。即ち保持部1の実測温度を境界温度として
熱変形した形状をコンピュータによりシミュレーション
した。境界温度は針固定台21と接触する箇所に51
℃、外周に35℃を設定する。これは図7で示した実測
温度より決められる。計算に必要な物理定数として ステンレス(303) 黄銅(BsBm) 熱伝導率(J/(msec℃)) 15.49 83.7 ヤング率(kg/mm2 ) 20800 9600 ポアソン比 0.32 0.35 線膨脹率 (10-6) 14.8 18.7 を選んだ。これらの条件を使った熱変形計算の結果を図
11、図12に示す。
【0026】図11に数値計算より求めた温度分布の概
略図を示す。中心部で51℃で同心円状に温度が下がり
外周部で35℃となっている。上下面での温度差はな
い。この温度分布を熱荷重として熱変形を計算した結果
が図12である。この計算から変形は外周から中心に向
かって大きくなって行き、最大変位は126μmであ
る。ただし図12に示す変位量は計算値の600倍に拡
大されている。またこのときの応力分布を調べたとこ
ろ、図13に示す段差部1bの内側領域fに大きな応力
が働いていることがわかった。ただし針固定台21の材
質である黄銅(BsBm)は、保持部1の材質であるス
テンレスより線膨脹率が大きいために保持部1の上面を
上に持ち上げると同時に自分自身も反り上がる。このこ
とによってZ変位の最大値は123.5μmと多少少な
くなる。
略図を示す。中心部で51℃で同心円状に温度が下がり
外周部で35℃となっている。上下面での温度差はな
い。この温度分布を熱荷重として熱変形を計算した結果
が図12である。この計算から変形は外周から中心に向
かって大きくなって行き、最大変位は126μmであ
る。ただし図12に示す変位量は計算値の600倍に拡
大されている。またこのときの応力分布を調べたとこ
ろ、図13に示す段差部1bの内側領域fに大きな応力
が働いていることがわかった。ただし針固定台21の材
質である黄銅(BsBm)は、保持部1の材質であるス
テンレスより線膨脹率が大きいために保持部1の上面を
上に持ち上げると同時に自分自身も反り上がる。このこ
とによってZ変位の最大値は123.5μmと多少少な
くなる。
【0027】次にこのような熱変形が生じる理由につい
て考察すると、上記の結果より熱膨張は図14、図15
に示す矢印の様に保持部1の中心から外周方向に等方的
に起こる。そして、保持部1には、中心から外周に向か
って厚くなる段差があるので図14に示すように、段差
の高い面は内側の低い面に外側へ押され、(矢印の方
向)、押される面は歪むが、押されない面は歪まないこ
とによって、高い側面は下を向く。これによって内側の
面は下がることになる。ここで、段部1bの内側で応力
集中が起きているのは、温度分布において中心が高く外
周に向かって低くなることによると考えられる。
て考察すると、上記の結果より熱膨張は図14、図15
に示す矢印の様に保持部1の中心から外周方向に等方的
に起こる。そして、保持部1には、中心から外周に向か
って厚くなる段差があるので図14に示すように、段差
の高い面は内側の低い面に外側へ押され、(矢印の方
向)、押される面は歪むが、押されない面は歪まないこ
とによって、高い側面は下を向く。これによって内側の
面は下がることになる。ここで、段部1bの内側で応力
集中が起きているのは、温度分布において中心が高く外
周に向かって低くなることによると考えられる。
【0028】また、図16に温度分布の数値計算と実測
値の比較を示す。図の中の二点斜線と点線は数値計算か
ら得られた値であり、それぞれB方向、C方向に沿った
温度分布である。その他の値は図5、図6で示した熱電
対によって測定された150分後の定常状態での温度分
布である。この図から温度分布は測定値と計算値はほぼ
一致していることが解る。ただし、測定値は上面と下面
で1〜2℃の温度差がある。
値の比較を示す。図の中の二点斜線と点線は数値計算か
ら得られた値であり、それぞれB方向、C方向に沿った
温度分布である。その他の値は図5、図6で示した熱電
対によって測定された150分後の定常状態での温度分
布である。この図から温度分布は測定値と計算値はほぼ
一致していることが解る。ただし、測定値は上面と下面
で1〜2℃の温度差がある。
【0029】以上のことから理解されるように保持部1
は、内側が高温であり、外側に向うにつれて低温になる
温度分布を有し、このため外側に向けて等方的に熱膨張
するので図14を参照しながら述べたように段差部にて
応力が集中し、この結果中心部が下がってZ変位が起こ
ることになる。従って上述実施例のプローブカードのよ
うに保持部3の段差部の数を従来のものよりも1つ減ら
して3段構造にすることにより応力集中個所を減らして
下方側へのZ変位を小さくすると共に、リング部材4、
5のネジ止め部分の内方側近傍に長穴61、62を設け
ているため、これら長穴61、62にて熱膨張が弾性変
形として吸収され、この結果段差部3aの側面の傾きが
抑えられるのでプローブ針22の下方側へのZ変位が相
当小さくなる。図17及び図18は、夫々上述実施例の
プローブカードが熱変形する様子及び応力分布をコンピ
ュータにより求めた図であり、図17では変形率を20
0倍拡大して表示してある。また図18では斜線領域
a、b、cの応力が夫々−2.12〜−0.06、0.
06〜2.68、−2.12〜−0.06でありその他
の領域は−0.06〜0.06であった。図17、図1
8からわかるように長穴61、62の部分にて弾性変形
が起こり、これにより段差部3a(図3参照)付近の応
力が緩和されていることがわかる。
は、内側が高温であり、外側に向うにつれて低温になる
温度分布を有し、このため外側に向けて等方的に熱膨張
するので図14を参照しながら述べたように段差部にて
応力が集中し、この結果中心部が下がってZ変位が起こ
ることになる。従って上述実施例のプローブカードのよ
うに保持部3の段差部の数を従来のものよりも1つ減ら
して3段構造にすることにより応力集中個所を減らして
下方側へのZ変位を小さくすると共に、リング部材4、
5のネジ止め部分の内方側近傍に長穴61、62を設け
ているため、これら長穴61、62にて熱膨張が弾性変
形として吸収され、この結果段差部3aの側面の傾きが
抑えられるのでプローブ針22の下方側へのZ変位が相
当小さくなる。図17及び図18は、夫々上述実施例の
プローブカードが熱変形する様子及び応力分布をコンピ
ュータにより求めた図であり、図17では変形率を20
0倍拡大して表示してある。また図18では斜線領域
a、b、cの応力が夫々−2.12〜−0.06、0.
06〜2.68、−2.12〜−0.06でありその他
の領域は−0.06〜0.06であった。図17、図1
8からわかるように長穴61、62の部分にて弾性変形
が起こり、これにより段差部3a(図3参照)付近の応
力が緩和されていることがわかる。
【0030】なおこの場合用いたプロ−ブカ−ドホルダ
の外径は320mm、リング部材4、5の間の段差部3
aの内径は186mmである。また長穴61,62の幅
は、夫々10mm、10mmである。
の外径は320mm、リング部材4、5の間の段差部3
aの内径は186mmである。また長穴61,62の幅
は、夫々10mm、10mmである。
【0031】本実施例の構造のプローブカードを用いて
プローブ針22のZ変位を、従来のプローブカードの場
合と同様に測定したところ図19に示す結果が得られ
た。保持部3としてステンレス製のものを用いた場合二
度の再現実験に対して最大変位15μmであり、従来の
プローブカードでは図8に示すように最大変位が155
μmであることから上述実施例のものは、Z変位が従来
のものと比較して格段に小さくなっている。保持部3と
してアルミニウム製のものを用いた場合は±5μm以内
の変位で測定限界を越えた。なお、本実施例のように3
段構造にすれば好ましいが、3段構造であっても長穴6
1、62を形成しない場合には80μm程度と従来の半
分程度にしかなり得ず、実質的な効果を得るためには長
穴61、62が必要である。
プローブ針22のZ変位を、従来のプローブカードの場
合と同様に測定したところ図19に示す結果が得られ
た。保持部3としてステンレス製のものを用いた場合二
度の再現実験に対して最大変位15μmであり、従来の
プローブカードでは図8に示すように最大変位が155
μmであることから上述実施例のものは、Z変位が従来
のものと比較して格段に小さくなっている。保持部3と
してアルミニウム製のものを用いた場合は±5μm以内
の変位で測定限界を越えた。なお、本実施例のように3
段構造にすれば好ましいが、3段構造であっても長穴6
1、62を形成しない場合には80μm程度と従来の半
分程度にしかなり得ず、実質的な効果を得るためには長
穴61、62が必要である。
【0032】また保持部3に設ける孔部としては上述の
ような長穴に限らず円形や四角形などの穴を多数周方向
に配列したり、更にはそれらの穴群を同心円状に二重以
上形成してもよい。そしてまた2つのリング部材4、5
はネジ止めする代りに、例えば図20に示すように相互
の間に隙間71を形成すると共に金属ブロック部72に
より一体的に固定するようにしてもよい。図中63は長
穴である。なお保持部3は段差を持たない1枚の板材で
あってもよく、この場合は保持部3の外周部と外部装置
との固定部分が応力集中個所になるので、その内方側近
傍に孔部を形成すればよい。
ような長穴に限らず円形や四角形などの穴を多数周方向
に配列したり、更にはそれらの穴群を同心円状に二重以
上形成してもよい。そしてまた2つのリング部材4、5
はネジ止めする代りに、例えば図20に示すように相互
の間に隙間71を形成すると共に金属ブロック部72に
より一体的に固定するようにしてもよい。図中63は長
穴である。なお保持部3は段差を持たない1枚の板材で
あってもよく、この場合は保持部3の外周部と外部装置
との固定部分が応力集中個所になるので、その内方側近
傍に孔部を形成すればよい。
【0033】以上において本発明では、図21、図22
に示すようにプローブカード30を加熱したときに、保
持部3が鎖線の如く上側に反るように、第1のリング部
材4の表面に、上からみた形状が周方向に沿った円弧状
の溝部7を周方向に間隔をおいて複数形成してもよく、
このように構成すれば、針固定台21が保持部3の反り
によって上側に押し上げられるので、プローブカード3
0の熱変形に伴うプローブ針22の下方側へのZ変位が
一部打ち消され、この結果Z変位が小さくなる。この場
合溝部73は全周に形成してもよいし、あるいは同心円
状に二重以上形成してもよい。
に示すようにプローブカード30を加熱したときに、保
持部3が鎖線の如く上側に反るように、第1のリング部
材4の表面に、上からみた形状が周方向に沿った円弧状
の溝部7を周方向に間隔をおいて複数形成してもよく、
このように構成すれば、針固定台21が保持部3の反り
によって上側に押し上げられるので、プローブカード3
0の熱変形に伴うプローブ針22の下方側へのZ変位が
一部打ち消され、この結果Z変位が小さくなる。この場
合溝部73は全周に形成してもよいし、あるいは同心円
状に二重以上形成してもよい。
【0034】そしてまた本発明では、図23に示すよう
に例えばステンレスよりなる第1のリング部材4の下面
側に、ステンレスよりも熱膨張の大きい例えば銅(C
u)あるいは黄銅よりなる、リング状の変形調整部材8
を外周部にてネジ32により固定して片持支持させるよ
うにしてもよく、この場合プローブカードの加熱時にバ
イメタルの作用によって下側の変形調整部材8が上側に
反るため、プローブ針の下方側へのZ変位を小さくする
ことができる。このように材質を変えてZ変位を抑える
他の例としては、図24に示すように例えばステンレス
よりなる第1のリング部材4の下面側に、ステンレスよ
りも熱膨張の小さい、リング部材4と同心円状の複数の
変形調整部材81、例えばニッケル(Ni)、鉄(F
e)、コバルト(Co)よりなる合金を埋設するように
してもよいし、あるいはまた針固定台21、第1のリン
グ部材4及び第2のリング部材5の材質を、この順に熱
膨張が大きくなるように選定して構成してもよく、この
場合にもプローブカード全体が、中心部が押し上げられ
る方向に反るため同様の効果が得られる。なお前記変形
調整部材8、81はリング状に設ける代りに周方向に間
隔をおいて円弧状に設けてもよい。
に例えばステンレスよりなる第1のリング部材4の下面
側に、ステンレスよりも熱膨張の大きい例えば銅(C
u)あるいは黄銅よりなる、リング状の変形調整部材8
を外周部にてネジ32により固定して片持支持させるよ
うにしてもよく、この場合プローブカードの加熱時にバ
イメタルの作用によって下側の変形調整部材8が上側に
反るため、プローブ針の下方側へのZ変位を小さくする
ことができる。このように材質を変えてZ変位を抑える
他の例としては、図24に示すように例えばステンレス
よりなる第1のリング部材4の下面側に、ステンレスよ
りも熱膨張の小さい、リング部材4と同心円状の複数の
変形調整部材81、例えばニッケル(Ni)、鉄(F
e)、コバルト(Co)よりなる合金を埋設するように
してもよいし、あるいはまた針固定台21、第1のリン
グ部材4及び第2のリング部材5の材質を、この順に熱
膨張が大きくなるように選定して構成してもよく、この
場合にもプローブカード全体が、中心部が押し上げられ
る方向に反るため同様の効果が得られる。なお前記変形
調整部材8、81はリング状に設ける代りに周方向に間
隔をおいて円弧状に設けてもよい。
【0035】そしてまた本発明はプローブカードを加熱
する場合に限られず冷却する場合にも適用することがで
きる。この場合には熱変形(冷却時の変形)によりプロ
ーブ針は上方側に変位することとなるが、例えば孔部を
設けることによって弾性変形により熱変形が緩和され、
また溝部を形成したりバイメタルを利用した上述の実施
例においてプローブカードの反りが加熱のときとは逆に
中心部が押し下がるように反るので、同様にプローブ針
のZ変位が小さくなる。この場合孔部や溝は、熱変形の
程度に応じて設計すればよい。
する場合に限られず冷却する場合にも適用することがで
きる。この場合には熱変形(冷却時の変形)によりプロ
ーブ針は上方側に変位することとなるが、例えば孔部を
設けることによって弾性変形により熱変形が緩和され、
また溝部を形成したりバイメタルを利用した上述の実施
例においてプローブカードの反りが加熱のときとは逆に
中心部が押し下がるように反るので、同様にプローブ針
のZ変位が小さくなる。この場合孔部や溝は、熱変形の
程度に応じて設計すればよい。
【0036】なお本発明のプローブカードは上述実施例
のような垂直針(プローブ針22)を備えたものに限ら
ずいわゆる横針、即ちプローブカードの裏面側にて斜め
に伸びる構造のプローブ針についても適用することがで
きるし、被試験基板はLCD基板などであってもよい。
のような垂直針(プローブ針22)を備えたものに限ら
ずいわゆる横針、即ちプローブカードの裏面側にて斜め
に伸びる構造のプローブ針についても適用することがで
きるし、被試験基板はLCD基板などであってもよい。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように本発明によればプロ
ーブカードの熱変位が小さくなり、このためプローブカ
ードのプローブ針などの接触手段を所定の押圧力で被試
験基板に接触させることができるので、載置台の傾きや
被試験基板の損傷などを防止することができる。
ーブカードの熱変位が小さくなり、このためプローブカ
ードのプローブ針などの接触手段を所定の押圧力で被試
験基板に接触させることができるので、載置台の傾きや
被試験基板の損傷などを防止することができる。
【図1】本発明の実施例に係るプローブカードを示す縦
断側面図である。
断側面図である。
【図2】上記実施例に係るプローブカードを示す底面図
である。
である。
【図3】上記実施例に係るプローブカードの一部を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図4】上記プローブカードを用いたプローブ装置の全
体を示す縦断側面図である。
体を示す縦断側面図である。
【図5】従来のプローブカードの下面側の温度測定点を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図6】従来のプローブカードの上面側の温度測定点を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図7】従来のプローブカードの温度変化を示す特性図
である。
である。
【図8】従来のプローブカードのプローブ針の熱変位を
示す特性図である。
示す特性図である。
【図9】プローブカードの熱の流れを示す説明図であ
る。
る。
【図10】プローブカードのモデル化を示す説明図であ
る。
る。
【図11】従来のプローブカードの温度分布を示す説明
図である。
図である。
【図12】従来のプローブカードの熱変形を示す説明図
である。
である。
【図13】従来のプローブカードの応力集中個所を示す
説明図である。
説明図である。
【図14】従来のプローブカードの熱膨張と変形との関
係を示す説明図である。
係を示す説明図である。
【図15】従来のプローブカードの熱膨張の様子を示す
説明図である。
説明図である。
【図16】温度分布の数値計算と実測値との比較を示す
特性図である。
特性図である。
【図17】実施例に係るプローブカードの熱変形を示す
説明図である。
説明図である。
【図18】実施例に係るプローブカードの応力分布を示
す説明図である。
す説明図である。
【図19】実施例に係るプローブカードのプローブ針の
熱変位を示す説明図である。
熱変位を示す説明図である。
【図20】本発明の他の実施例を示す斜視図である。
【図21】本発明の更に他の実施例の要部を示す断面図
である。
である。
【図22】図21のプローブカードを示す平面図であ
る。
る。
【図23】本発明の更にまた他の実施例を示す断面図で
ある。
ある。
【図24】上記以外の実施例を示す断面図である。
【図25】従来例を示す縦断側面図である。
【図26】従来例を示す底面図である。
2 プリント基板 21 針固定台 22 プローブ針 23 載置台 3 保持部 30 プローブカード 4 第1のリング部材 5 第2のリング部材 61〜63 孔部としての長穴 7 溝部 8、81 補助部材
フロントページの続き (72)発明者 望月 智秋 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の1 東京エレクトロン山梨株式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】プローブカードを加熱または冷却したとき
に応力が集中する個所の内方側近傍に、プローブカード
の周方向に沿って孔部を設け、この孔部における弾性変
形により応力集中を緩和するように構成したことを特徴
とするプローブカード。 - 【請求項2】 プローブカードを加熱または冷却したと
きにプローブカードの熱変位を打ち消す方向に反らせる
ように、プローブカードの表面または裏面に周方向に沿
って溝部を形成したことを特徴とするプローブカード。 - 【請求項3】 プローブカードを加熱または冷却したと
きにプローブカードの熱変位を打ち消す方向に変形させ
るように熱膨張率の異なる材質を組み合わせて構成した
ことを特徴とするプローブカード。 - 【請求項4】 プローブカードを所定の時間、所定の温
度で加熱または冷却する工程と、 この工程により発生したプローブカードの熱変位を計測
する工程と、 この工程により計測したプローブカードの熱変位が所定
の変位以内に入るように、プローブカードの構造及び/
または構成部品の材質の組み合せを変更する工程と、 を含むことを特徴とするプローブカードの製造方法。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007171095A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Shimadzu Corp | 液晶基板検査装置 |
WO2007141867A1 (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | 電気的接続装置 |
JP2008046035A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Japan Electronic Materials Corp | プローブカード |
JP2008224688A (ja) * | 2001-11-02 | 2008-09-25 | Formfactor Inc | プローブカードの熱誘発動作を補償する方法およびシステム |
JP2011099841A (ja) * | 2009-11-04 | 2011-05-19 | Rino Kogyo Kk | 半導体チップ検査用ソケット |
KR102520860B1 (ko) * | 2022-11-08 | 2023-04-12 | 주식회사 유니밴스 | 열변형 개선 스티프너 프로브 카드 |
CN117554659A (zh) * | 2023-11-10 | 2024-02-13 | 华中科技大学 | 高温探针卡及用于组合式量热分析的量热装置 |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2930049B2 (ja) * | 1997-03-27 | 1999-08-03 | 日本電気株式会社 | ウエハー伸縮量のシミュレーション方法 |
KR100493223B1 (ko) * | 1997-12-10 | 2005-08-05 | 신에츠 포리마 가부시키가이샤 | 전자회로기판의검사프로브및검사방법 |
US6064215A (en) * | 1998-04-08 | 2000-05-16 | Probe Technology, Inc. | High temperature probe card for testing integrated circuits |
FR2780792B1 (fr) * | 1998-07-03 | 2000-09-22 | St Microelectronics Sa | Appareillage de test de puces electroniques |
US7247035B2 (en) | 2000-06-20 | 2007-07-24 | Nanonexus, Inc. | Enhanced stress metal spring contactor |
US7349223B2 (en) | 2000-05-23 | 2008-03-25 | Nanonexus, Inc. | Enhanced compliant probe card systems having improved planarity |
US6799976B1 (en) * | 1999-07-28 | 2004-10-05 | Nanonexus, Inc. | Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies |
US6812718B1 (en) * | 1999-05-27 | 2004-11-02 | Nanonexus, Inc. | Massively parallel interface for electronic circuits |
US6710609B2 (en) * | 2002-07-15 | 2004-03-23 | Nanonexus, Inc. | Mosaic decal probe |
US7382142B2 (en) | 2000-05-23 | 2008-06-03 | Nanonexus, Inc. | High density interconnect system having rapid fabrication cycle |
JP2001007165A (ja) * | 1999-06-21 | 2001-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | プローブカード装置 |
JP4376370B2 (ja) * | 1999-09-29 | 2009-12-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 高速測定対応プローブ装置 |
US7579848B2 (en) | 2000-05-23 | 2009-08-25 | Nanonexus, Inc. | High density interconnect system for IC packages and interconnect assemblies |
US7952373B2 (en) | 2000-05-23 | 2011-05-31 | Verigy (Singapore) Pte. Ltd. | Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies |
US20050068054A1 (en) * | 2000-05-23 | 2005-03-31 | Sammy Mok | Standardized layout patterns and routing structures for integrated circuit wafer probe card assemblies |
US6942151B2 (en) * | 2001-05-15 | 2005-09-13 | Welch Allyn Data Collection, Inc. | Optical reader having decoding and image capturing functionality |
US7111787B2 (en) | 2001-05-15 | 2006-09-26 | Hand Held Products, Inc. | Multimode image capturing and decoding optical reader |
US6972578B2 (en) * | 2001-11-02 | 2005-12-06 | Formfactor, Inc. | Method and system for compensating thermally induced motion of probe cards |
EP1496367B1 (en) * | 2002-04-16 | 2015-09-16 | NHK SPRING Co., Ltd. | Holder for conductive contact |
JP2004205487A (ja) | 2002-11-01 | 2004-07-22 | Tokyo Electron Ltd | プローブカードの固定機構 |
DE102004023987B4 (de) * | 2004-05-14 | 2008-06-19 | Feinmetall Gmbh | Elektrische Prüfeinrichtung |
JP4727948B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2011-07-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブカードに用いられる積層基板 |
KR100609652B1 (ko) * | 2006-02-16 | 2006-08-08 | 주식회사 파이컴 | 공간변형기와 상기 공간변형기의 제조방법 및 상기공간변형기를 갖는 프로브 카드 |
KR100790817B1 (ko) * | 2006-12-06 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조관리 시스템 |
US7541824B2 (en) * | 2006-12-14 | 2009-06-02 | Verigy (Singapore) Pte. Ltd. | Forced air cooling of components on a probecard |
US7884627B2 (en) * | 2006-12-29 | 2011-02-08 | Formfactor, Inc. | Stiffener assembly for use with testing devices |
CN101738575B (zh) * | 2008-11-11 | 2013-08-21 | 京元电子股份有限公司 | 可换用不同探针卡的ic测试机台 |
JP5535492B2 (ja) * | 2009-02-12 | 2014-07-02 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体集積回路の検査装置及び半導体集積回路の検査方法 |
KR101332588B1 (ko) * | 2013-06-25 | 2013-11-25 | 주식회사 프로이천 | 필름타입 프로브카드 |
US10295565B2 (en) | 2014-09-19 | 2019-05-21 | Celadon Systems, Inc. | Probe card with stress relieving feature |
TWI628449B (zh) * | 2017-05-05 | 2018-07-01 | 漢民科技股份有限公司 | 晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統及晶圓檢測方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3963985A (en) * | 1974-12-12 | 1976-06-15 | International Business Machines Corporation | Probe device having probe heads and method of adjusting distances between probe heads |
US5077523A (en) * | 1989-11-03 | 1991-12-31 | John H. Blanz Company, Inc. | Cryogenic probe station having movable chuck accomodating variable thickness probe cards |
US5198753A (en) * | 1990-06-29 | 1993-03-30 | Digital Equipment Corporation | Integrated circuit test fixture and method |
US5124639A (en) * | 1990-11-20 | 1992-06-23 | Motorola, Inc. | Probe card apparatus having a heating element and process for using the same |
-
1992
- 1992-12-14 JP JP4354070A patent/JP3066784B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-12-14 US US08/165,940 patent/US5521523A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-12-14 KR KR1019930027536A patent/KR100242531B1/ko active IP Right Grant
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008224688A (ja) * | 2001-11-02 | 2008-09-25 | Formfactor Inc | プローブカードの熱誘発動作を補償する方法およびシステム |
JP2007171095A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Shimadzu Corp | 液晶基板検査装置 |
WO2007141867A1 (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | 電気的接続装置 |
KR100984645B1 (ko) * | 2006-06-02 | 2010-10-04 | 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 | 전기적 접속장치 |
US7924034B2 (en) | 2006-06-02 | 2011-04-12 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Electric connecting apparatus |
JP4913138B2 (ja) * | 2006-06-02 | 2012-04-11 | 株式会社日本マイクロニクス | 電気的接続装置 |
JP2008046035A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Japan Electronic Materials Corp | プローブカード |
JP2011099841A (ja) * | 2009-11-04 | 2011-05-19 | Rino Kogyo Kk | 半導体チップ検査用ソケット |
TWI393293B (zh) * | 2009-11-04 | 2013-04-11 | Leeno Ind Inc | 半導體晶片測試插座 |
KR102520860B1 (ko) * | 2022-11-08 | 2023-04-12 | 주식회사 유니밴스 | 열변형 개선 스티프너 프로브 카드 |
CN117554659A (zh) * | 2023-11-10 | 2024-02-13 | 华中科技大学 | 高温探针卡及用于组合式量热分析的量热装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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KR940016978A (ko) | 1994-07-25 |
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