JP2007171095A - 液晶基板検査装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】プローバフレームの温度上昇を抑制し、また、基板加熱により生じる基板の加熱温度を下げることなく、プローブピンと電極とのコンタクトを安定なものとする。
【解決手段】液晶基板検査装置内にプローバフレームを冷却する冷却機構を備え、加熱されたプローバフレームを適宜冷却することで、プローバフレームの過熱を抑制する。液晶基板検査装置1は、荷電粒子ビームを液晶基板上で二次元的に走査させて得られる走査画像に基づいて基板検査を行う液晶基板検査装置であり、液晶基板10に検査信号を供給するプローバフレーム2aと、液晶基板を加熱する加熱機構3と、プローバフレーム2aとの接触によってプローバフレーム2aを冷却する冷却機構4とを備える。
【選択図】図2

Description

本発明は、液晶ディスプレイや有機ELディスブレイなどに使われる液晶基板の検査に使用する液晶基板検査装置に関し、特に、基板検査に用いる液晶基板検査用プローバが備えるプローバフレームの熱による影響を軽減する構成に関する。
液晶基板や薄膜トランジスタアレイ基板(TFTアレイ基板)は、ガラス基板等の基板上に薄膜トランジスタ(TFT)がマトリックス状に配置されてなるTFTアレイと、この薄膜トランジスタに駆動信号を供給する信号電極とを備え、薄膜トランジスタは走査信号電極端子,映像信号電極端子からの信号により駆動される。
基板に形成されるTFTアレイや液晶基板を検査する装置としてTFTアレイ検査装置や液晶基板検査装置等の基板検査装置が知られている。基板検査装置は、走査信号電極端子,映像信号電極端子と電気的に接続する検査用プローバと検査回路を備える。検査回路は、所定の電圧を検査用プローバに印加し、印加により流れる電流を検出して、ゲート−ソース間の短絡、点欠陥、断線等を調べる。
液晶基板上に形成されるTFTアレイは様々なサイズや仕様があり、それぞれレイアウトが異なり、液晶基板上に形成される駆動用電極もレイアウト毎に異なる。
そのため、液晶基板を検査する基板検査装置においても、TFTアレイのレイアウトに応じて検査用プローバ電極の電極位置を設定したものを用意しておき、検査する液晶基板に応じて交換し、検査を行っている。
液晶基板を検査する際には、液晶基板の上方あるいは下方からプローバフレームを重ね、プローバフレームに設けたプローブピンを液晶基板の電極に接触させ、このプローブピンと電極との接触によって液晶基板とプローバとに間の電気的接続を行っている。
液晶基板の検査において、液晶基板を室温等の通常の検査温度よりも高い温度で検査を行うことで、通常の温度では検査が困難な欠陥を検出することが提案されている。
この高温による基板検査は、液晶基板を基板加熱機構によって所定温度の加熱することによって液晶基板を高い温度状態とする。
基板加熱機構によって液晶基板を加熱して基板検査を行う場合には、基板加熱機構は液晶基板の他にプローバフレームも加熱することになる。このとき、フレームを構成するフレーム素材の熱膨張によってプローバフレームに変形が生じ、これによりプローバフレームに設けたプローブピンの位置が変化する。
また、フレーム素材の熱膨張率と液晶基板を構成するガラス素材の熱膨張率との差により、プローバフレーム側のプローブピンと液晶基板側の電極の位置関係にずれが生じ、プローブピンと電極とのコンタクトが困難となる可能性がある。
図6は熱膨張によるプローブピンと電極との接触不良を説明するための図である。図6において、液晶基板10には電極12が設けられ、プローバフレーム側のプローブピン13の接点13aと接触させることによってTFTアレイ(図示していない)と外部装置との電気的な接続を行う。
図6(a)はプローブピン13が電極12と接触した状態を示し、図6(b)はプローブピン13の位置が変化することで電極12との接触が不良となった状態を示している。図6(b)に示すように、プローバフレーム2と液晶基板10のガラス基板の熱膨張率が異なるため、加熱によって熱膨張すると両者の変位量に差が生じ、プローブピン13と電極12とのコンタクトが困難となる。
このような液晶基板の熱膨張によって生じるプローブピンと電極との位置ずれの問題を解決するために、従来では、基板加熱によってプローバフレームが変形しない程度まで、基板加熱の最高温度を下げている。そのため、基板加熱による温度上昇が抑えられることになり、より高温に液晶基板を加熱することで検出できた欠陥を見逃すおそれがあるという問題を有している。
そこで、本発明は前記した従来の問題点を解決し、プローバフレームの温度上昇を抑制することを目的とし、また、基板加熱により生じる基板の加熱温度を下げることなく、プローブピンと電極とのコンタクトを安定なものとすることを目的とする。
本発明は、液晶基板検査装置内にプローバフレームを冷却する冷却機構を備え、加熱されたプローバフレームを適宜冷却することで、プローバフレームの過熱を抑制する。
本発明の液晶基板検査装置は、荷電粒子ビームを液晶基板上で二次元的に走査させて得られる走査画像に基づいて基板検査を行う液晶基板検査装置であり、液晶基板に検査信号を供給するプローバフレームと、液晶基板を加熱する加熱機構と、プローバフレームとの接触によって当該プローバフレームを冷却する冷却機構とを備える。
液晶基板検査装置は、基板検査状態において加熱機構によって液晶基板を加熱することによって、高温状態の液晶基板を検査する。本発明の液晶基板検査装置は冷却機構を備える。この冷却機構は、プローバフレームと接触することによってプローバフレームを冷却する。
本発明の冷却機構は、放熱板と、プローバフレームを駆動するプローバフレーム駆動機構とを備える。このプローバフレーム駆動機構は、液晶基板と放熱板との間においてプローバフレームを往復移動させ、プローバフレームを放熱板に移動させて接触させることによって、プローバフレームの熱を放熱板を介して放熱させ冷却する。
加熱機構は、液晶基板を支持すると共に二次元的に走査させるステージ機構内に設けられ、ステージ上に載置された液晶基板を加熱する。
プローバフレーム駆動機構は、プローバフレームを保持及び開放を自在とするアーム部と、このアーム部を放熱板とステージとの間で往復移動させる駆動部とを備える。
アーム部は、ステージ上の液晶基板に載置されたプローバフレームを保持し、駆動部は保持したプローバフレームを放熱板側に移動し、プローバフレームを放熱板に接触させ、プローバフレームを冷却する。
また、駆動部は、冷却されたプローバフレームをステージ側に移動し、プローバフレームを液晶基板上に載置し、基板検査が可能な状態とする。
プローバフレーム駆動機構は、プローバフレームを放熱板とステージとの間で往復移動させることによって、プローバフレームの冷却と高温状態での検査とを繰り返すことができる。
本発明の液晶基板検査装置が備える放熱板は冷却用配管を備え、この冷却用配管内に水や液体窒素等の冷却媒体を流すことによって冷却を行う。この冷却用配管を設けることで、接触したプローバフレームの冷却時間を、輻射のみによる場合よりも短縮することができる。
本発明によれば、プローバフレームの温度上昇を抑制することができる。
また、本発明によれば、基板加熱により生じる基板の加熱温度を下げることなく、プローブピンと電極とのコンタクトを安定なものとすることができる。
以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。
図1は本発明の液晶基板検査装置の一部を説明するために各構成部分を分離して示した概略図である。ここでは、液晶基板検査装置が備えるプローバフレームについて示している。
液晶基板検査装置は、検査対象である液晶基板に荷電粒子ビームを照射する荷電粒子源、この荷電粒子の照射によって液晶基板から放出される二次電子を検出する検出器、検査対象の液晶基板を支持すると共に二次元的に走査させるステージ等の各部分を備え、検出器で得られる走査画像に基づいて基板検査を行う。
液晶基板10はガラス基板10a上にTFTアレイ10cが形成されている。この液晶基板10に形成されるTFTアレイ10cのレイアウト、電極、配線パターン等は液晶パネルのサイズや仕様に応じて種々に設定される。液晶基板10上のTFTアレイ10cには薄膜トランジスタがマトリックス状に形成され、各薄膜トランジスタを駆動する信号電極端子(例えば、走査信号電極端子,映像信号電極端子)が形成されている。また、液晶基板10のアレイ10cの外側には、液晶基板の外部と電気的に接続するための電極10bが形成される。
また、液晶基板検査装置は、液晶基板10に検査信号を供給するプローブ2を備える。 プローバ2は、液晶基板10の電極10bと電気的に接続し検査を行うためにプローバフレーム2aを備え、液晶基板10の電極10bと電気的に接続するプローブピン2bを備える。プローバフレーム2aは、アルミニウムやSUS等の金属材料で形成することができる。
液晶基板10の検査を行うには、パレット上あるいはステージ(共に図示していない)上に液晶基板10を配置し、さらに液晶基板10にプローバフレーム2aを配置する。液晶基板10とプローバフレーム2aとの間は、電極10bとプローブピン2bが接触することによって電気的な接続が行われ、プローブピン2bと電極10bとの接続を通してTFTアレイに検査信号を供給する。また、プローバフレーム2aとパレットあるいはステージとの間の接続は、プローバフレーム2a、及びパレットあるいはステージに設けたコネクタ(図示していない)により行われる。
パレットを用いる液晶基板検査装置では、パレットをステージ(図示してない)上に載置して移動自在とすることができる。パレットとステージの間の電気的な接続は、パレット側に設けたパレット側コネクタとステージ側に設けたステージ側コネクタとにより行われる。
以下、図2〜図5を用いて、本発明の液晶基板検査装置、特にプローバフレームを冷却する冷却機構について説明する。なお、図2〜図4は、本発明の冷却機構の構成および冷却動作を示している。
図2は、本発明の液晶基板検査装置の一部分の断面構造を示している。図2(a)は液晶基板のステージ上に搬入状態を示し、図2(b)は液晶基板の検査状態を示している。
図2において、液晶基板検査装置1は、搬入された液晶基板10を載置して支持するステージ7と、ステージ7上に載置された液晶基板10に検査信号を供給するプローバフレーム2aと、検査中の液晶基板10を加熱する加熱機構3と、プローバフレーム2aを冷却する冷却機構4を備える。
ステージ7はステージ機構8を備え、これによってステージ7上に載置した液晶基板10を2次元的に走査させる。ステージ機構8は、例えば、スプライン駆動軸8aと、このスプライン駆動軸8aに沿って移動する駆動部8bと、スプライン駆動軸8aを回転駆動する駆動モータ8cを備える。なお、上記した構成は一例であり、他の構成としてもよい。
プローバフレーム2aは、プローブピン(図示していない)を液晶基板10の電極(図示していない)に接触させることによって、液晶基板10に検査信号を供給する。プローバフレーム2aと液晶基板との接離は、図示しない機構によって行われる。
加熱機構3は、検査中の液晶基板を加熱する機構であり、抵抗線や加熱ランプ等により構成することができる。加熱機構3は、例えばステージ7内に内蔵させる構成とすることができ、これによって、ステージ7上に載置した液晶基板10を加熱する。
また、冷却機構4は、プローバフレーム2aと接触してプローバフレーム2aの熱を放熱板することで冷却を行う放熱板5と、プローバフレーム2aをステージ7と放熱板5との間で往復移動させるプローバフレーム駆動機構6を備える。
放熱板5は、良好な熱伝導率を有する素材により、プローバフレーム2aの面と接触する接触面を有し、例えばステージ7の上方の位置に設置する。液晶基板の検査状態では、プローバフレーム2aはステージ7上に載置された液晶基板10上に置かれ、放熱板5からは分離した位置にある。
加熱機構3によって液晶基板10が加熱されると、プローバフレーム2aも加熱される。プローバフレーム2aは、加熱による熱膨張によって変形し、プローブピンと電極との接触が不良となるおそれがある。本発明の液晶基板検査装置は、プローブピンと電極との接触が不良となるほどまで加熱されることを防ぐために、加熱されたプローバフレーム2aを放熱板5に接触させることで冷却する。放熱板5は、プローバフレーム2aの熱を放熱することで、プローバフレーム2aの変形を低減する。
ステージ7と放熱板5とは分離して配置されているため、プローバフレーム2aが液晶基板10上に配置された状態では、プローバフレーム2aを放熱板5に接触させることはできない。そこで、本発明のプローバフレーム駆動機構6は、プローバフレーム2aをステージ7と放熱板5との間で往復移動自在とし、プローバフレーム2aを冷却させる場合には、プローバフレーム2aを液晶基板10から離し、ステージ7側から放熱板5側に移動させて放熱板5に接触させる。
このために、プローバフレーム2aを保持及び開放を自在とするアーム部6aと、このアーム部6aを放熱板5とステージ7との間で往復移動させる駆動部6b及び駆動モータ6cを備える。
アーム部6aは、ステージ7上の液晶基板10に載置されたプローバフレーム2aを保持し、駆動部6bはアーム部6aを駆動して、アーム部6aが保持するプローバフレーム2aを放熱板側に移動し、プローバフレーム2aを放熱板5に接触させ、プローバフレーム2aを冷却する。
また冷却後において、駆動部6bは、冷却されたプローバフレーム2aをステージ7側に移動し、プローバフレーム2aを液晶基板10上に載置し、基板検査が可能な状態とする。
図2(a)では、図示しない搬送装置によって搬入された液晶基板10を、ステージ7上に配置する。このとき、プローバフレーム2aは、ステージ7から離れた位置に保持されている。
図2(b)において、液晶基板10をステージ7上に載置した後、プローバフレーム2aを液晶基板10上に配置し、プローバフレーム2aのプローブピン(図示していない)を液晶基板10の電極に接触させて液晶基板10に検査信号を供給し、液晶基板10上に荷電粒子ビームを走査させて基板検査を行う。なお、荷電粒子ビームの走査は、ステージ7の駆動と、荷電粒子ビームの偏向によって行うことができる。
このとき、加熱機構3によって液晶基板10を加熱することで、高温状態で基板検査を行うことができる。
加熱機構3は、液晶基板10と共にプローバフレーム2aを加熱するため、長時間加熱するとプローバフレーム2aは熱膨張によって変形する。本発明の冷却機構4は、プローバフレーム駆動機構6によって、プローバフレーム2aを放熱板3aに接触させて冷却する。
プローバフレーム駆動機構6は、図3(a)において、駆動部6bによってアーム部6aをステージ7側に下降させ、図3(b)において、アーム部6aによってプローバフレーム2aを保持させる。
その後、図4(a)において、駆動部6bによってアーム部6aをステージ7側から放熱板3a側に上昇させ、アーム部6aで保持しているプローバフレーム2aを放熱板3aに接触させる。このプローバフレーム2aと放熱板3aとの接触によって、プローバフレーム2aは冷却される。
冷却後は、図4(b)において、駆動部6bによってアーム部6aをステージ7側に下降させ、アーム部6aで保持しているプローバフレーム2aを液晶基板10上に配置し、再び基板検査を行う。
上記したプローバフレームの冷却動作は、所定のサイクルで繰り返して行うことができる。所定サイクルは、予め定めておいた所定の工程を行う毎、一定時間間隔毎、予め定めておいた検査枚数毎等とすることができる。
放熱板3aは、熱伝導率が良好な素材で構成する他に、内部に冷却用の媒体を流す配管を設ける構成としてもよい。図5は、配管を備える放熱板の一例を示している。図5において、放熱板3aは、内部に配管3bを引き回して配設し、この配管3bに水や液体窒素等の冷媒を流すことによって冷却することができる。
本発明の液晶基板検査装置は、液晶基板検査装置に限らず、熱加熱等によってプローバフレームが熱膨張して電極との間で生じる位置ずれによる接触不良に適用することができる。
本発明の液晶基板検査装置の一部を説明するための概略図である。 本発明の液晶基板検査装置の一部分の断面構造を示す図である。 本発明の冷却機構の冷却動作を説明するための図である。 本発明の冷却機構の冷却動作を説明するための図である。 本発明の冷却機構の冷却動作を説明するための図である。 熱膨張によるプローブピンと電極との接触不良を説明するための図である。
符号の説明
1…液晶基板検査装置、2…プローブ、2a…プローバフレーム、2b…プローブピン、3…加熱機構、3a…放熱板、3b…配管、4…冷却機構、5…放熱板、6…プローバフレーム駆動機構、6a…アーム部、6b…駆動部、6c…駆動モータ、7…ステージ、8…ステージ駆動機構、8a…スプライン駆動軸、8b…駆動部、8c…駆動モータ、10…液晶基板、10a…ガラス基板、10b…電極、10c…TFTアレイ。

Claims (4)

  1. 荷電粒子ビームを液晶基板上で二次元的に走査させて得られる走査画像に基づいて基板検査を行う液晶基板検査装置において、
    液晶基板に検査信号を供給するプローバフレームと、
    基板検査状態において液晶基板を加熱する加熱機構と、
    前記プローバフレームとの接触によって当該プローバフレームを冷却する冷却機構とを備えることを特徴とする液晶基板検査装置。
  2. 前記冷却機構は、
    放熱板と、プローバフレームを駆動するプローバフレーム駆動機構とを備え、
    前記プローバフレーム駆動機構は、液晶基板と放熱板との間においてプローバフレームを往復移動させることを特徴とする、請求項1に記載の液晶基板検査装置。
  3. 前記加熱機構を、液晶基板を支持すると共に二次元的に走査させるステージ機構内に備え、
    前記プローバフレーム駆動機構は、プローバフレームを保持及び開放を自在とするアーム部と、前記アーム部を放熱板とステージとの間で往復移動させる駆動部とを備えることを特徴とする、請求項2に記載の液晶基板検査装置。
  4. 前記放熱板は、内部に冷却媒体を流すための冷却用配管を備えることを特徴とする、請求項2又は3に記載の液晶基板検査装置。
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