JP2008004675A - プローバのウエハチャック - Google Patents

プローバのウエハチャック Download PDF

Info

Publication number
JP2008004675A
JP2008004675A JP2006171296A JP2006171296A JP2008004675A JP 2008004675 A JP2008004675 A JP 2008004675A JP 2006171296 A JP2006171296 A JP 2006171296A JP 2006171296 A JP2006171296 A JP 2006171296A JP 2008004675 A JP2008004675 A JP 2008004675A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
chuck
wafer chuck
prober
heater
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006171296A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyotaka Chiba
清隆 千葉
Fumio Mase
文雄 間瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority to JP2006171296A priority Critical patent/JP2008004675A/ja
Publication of JP2008004675A publication Critical patent/JP2008004675A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】高温ウエハチャックの加熱時のウエハチャック表面の熱変形を抑えて、ウエハチャック表面の平面度を確保する。
【解決手段】ウエハ上に形成されたダイの動作を電気的に検査するため、半導体テスタの各端子をダイの電極にプローブニードルを介して接続するプローバのウエハチャック16であって、ヒータ5を内蔵してダイを高温状態で検査できる高温ウエハチャック16において、ウエハチャック16の本体4を構成するセラミック部材の底面に、熱膨張率の高い金属材料であるアルミやステンレスで構成された金属板50を貼り付けた高温ウエハチャック16である。ウエハの高温検査時にヒータ5を動作させると、金属板50の熱膨張によりウエハチャック16の本体4の底面側が伸長し、ウエハチャック16の本体4の上下の伸長度の差が小さくなるので、ウエハチャック表面の平面度が確保される。
【選択図】図6

Description

本発明は、半導体ウエハ上に形成された複数の半導体チップ(以後ダイという)の電気的特性の検査を行うために、半導体テスタ(以後単にテスタという)の端子をダイの電極パッドに接続するウエハプロービングマシン(以後プローバという)に用いられるウエハチャック関するものであり、特に、ウエハを高温でプロービングする場合のウエハチャックの変形を防止する構造を備えたプローバのウエハチャックに関するものである。
半導体製造工程では、薄い円板状の半導体ウエハに各種の処理が施されて、半導体装置(デバイス)をそれぞれ有する複数のダイが形成される。各ダイは電気的特性が検査され、その後ダイサーで各個に切り離された後、リードフレーム等に固定されて組み立てられる。このような各ダイの電気的特性の検査は、プローバとテスタを組み合わせたウエハテストシステムで行われる。
プローバは、搭載したプローブカードを経由してテスタに接続され、ウエハチップにプローブニードルを当てることによって各ダイの電気的特性の試験を行うように構成されている。ウエハはウエハチャックに固定され、各ダイの電極パッドにプローブニードルが接触させられる。テスタからは、プローブニードルに接続される端子に、電源および各種の試験信号が供給され、ダイの電極に出力される信号がテスタによって検出され、テスタ側でこの信号が解析されて各ダイが正常に動作するかが確認される。
図1は、ウエハテストシステム100の概略構成を示す図である。ウエハテストシステム100は、プローバ10とテスタ30とで構成される。図示のように、プローバ10は、ウエハチャック16、Z軸移動・回転部15、プローブニードル位置検出カメラ18、カメラ移動機構17、X軸移動ステージ14、Y軸移動ステージ13、移動ベース12、基台11、支柱19と20、ヘッドステージ21、ウエハアライメントカメラ22、カードホルダ23、及びプローブカード24を有する。
ウエハチャック16は、複数のダイが形成されたウエハWを保持するものであり、このウエハチャック16は、Z軸移動・回転部15によりZ軸方向に移動すると共に、Z軸を中心として回転する。プローブニードル位置検出カメラ18は、プローブニードル25の位置を検出するものであり、カメラ移動機構17の上に取り付けられている。カメラ移動機構17は、プローブニードル位置検出カメラ18をZ軸方向に移動するものである。Z軸移動・回転部15とカメラ移動機構17はX軸移動ステージ14の上に取り付けられており、X軸移動ステージ14はこれらを支持してX軸方向に移動する。
X軸移動ステージ14は、これを支持してY軸方向に移動するY軸移動ステージ13の上に設けられており、Y軸移動ステージ13は移動ベース12の上に支持されている。更に、移動ベース12は基台11の上に設置されている。そして、基台11の上に設けられた支柱19及び20により、ウエハチャック16の上方にヘッドステージ21が支持されている。このヘッドステージ21には、プローブカード24を有するカードホルダ23が取り付けられている。なお、ウエハアライメントカメラ22は、図示していない支柱に支持されており、ウエハWの上面を撮影する。
なお、以上のように構成された移動・回転機構の動作については広く知られているので、ここではその説明を省略する。プローブカード24は、検査するデバイス(ダイ)の電極配置に応じて配置されたプローブニードル25を有しており、検査するデバイスに応じて交換される。プローブニードル位置検出カメラ18はプローブニードル25の配置及び高さ位置を検出し、ウエハアライメントカメラ22はウエハW上のダイの電極パッドの位置を撮影して検出する。
テスタ30は、テストヘッド31と、テストヘッド31に設けられたコンタクトリング32とを備えている。プローブカード25には、各プローブに接続される端子が設けられており、コンタクトリング32はこの端子に接触するように配置されたスプリングプローブを有する。テストヘッド31は、図示していない支持機構により、プローバ10に対して保持される。
図2は、図1のプローバ10の基台11の上にある主要部の斜視図であり、図1と同じ構成部材には同じ符合が付されている。移動ベース12の上には平行に2本のガイドレール1が設けられており、Y軸移動ステージ13はこのガイドレール1の上を移動可能になっている。移動ベース12の上の2本のガイドレール1の間の部分には、駆動モータ29とこの駆動モータ29によって回転するボールネジ27が設けられている。ボールネジ27はY軸移動ステージ13の底面に係合しており、ボールネジ27の回転により、Y軸移動ステージ13がガイドレール1の上を摺動する。
Y軸移動ステージ13の上には、平面視すると前述の2本のガイドレール1に直交する2本の平行なガイドレール2が設けられており、X軸移動ステージ14はこのガイドレール2の上を移動可能になっている。Y軸移動ステージ13の上の2本のガイドレール2の間の部分には、駆動モータ28とこの駆動モータ28によって回転するボールネジ26が設けられている。ボールネジ26はX軸移動ステージ14の底面に係合しており、ボールネジ26の回転により、X軸移動ステージ14がガイドレール2の上を摺動する。
ここで、ウエハテストシステム100によるダイの検査について簡単に説明する。ダイの検査を行う場合には、図1に示したプローブニードル位置検出カメラ18がプローブニードル25の下に位置するように、X軸移動ステージ14が移動させられ、カメラ移動機構17でプローブニードル位置検出カメラ18がZ軸方向に移動して焦点を合わされ、プローブニードル位置検出カメラ18でプローブニードル25の先端位置が検出される。プローブニードル25の先端の水平面内の位置(X及びY座標)はカメラの座標により検出され、垂直方向の位置はカメラの焦点位置で検出される。
このプローブニードル25の先端位置の検出は、プローブカード24を交換した時には必ず行う必要があり、プローブカード24を交換しない時でも所定個数のダイを測定する毎に適宜行われる事もある。なお、プローブカード24には、一般に数本から数千本以上ものプローブニードル25が設けられており、数が多い場合は、全てのプローブニードル25の先端位置は検出されずに、通常は特定のプローブの先端位置が検出される。
次に、X軸移動ステージ14が図1に破線で示す位置に移動させられ、ウエハチャック16に検査するウエハWが保持された状態で、ウエハWがウエハアライメントカメラ22の下に位置する。この状態で、ウエハW上のダイの電極パッドの位置がウエハアライメントカメラ22によって検出される。1つのダイの全ての電極パッドの位置が検出される必要はなく、いくつかの電極パッドの位置が検出されれば良い。また、ウエハW上の全てのダイの電極パッドが検出される必要もなく、いくつかのダイの電極パッドの位置が検出されれば良い。
前述のようにして、プローブニードル25の配列、及び電極パッドの配列が検出されると、この検出結果に基づき、プローブニードル25の配列方向と電極パッドの配列方向が一致するように、Z軸移動・回転部15によりウエハチャック16が回転する。この後、検査するダイの電極パッドがプローブニードル25の下に位置するように、ウエハチャック16がX軸移動ステージ14及びY軸移動ステージ13により移動する。そして、ウエハチャック16の移動完了後に、Z軸移動・回転部15によりウエハチャック16がZ軸方向に上昇し、電極パッドがプローブニードル25に接触した状態で上昇が停止する。この状態でテスタ30から電源及び信号が供給されて検査が行われる。
プローバについては、特許文献1等に記載されており、広く知られているので、これ以上の説明は省略する。
ところで、ウエハテストシステム100によるダイの検査は、ダイが使用される環境に応じて高温状態のダイの検査、及び低温状態のダイの検査が行われる事が多い。この場合、ダイの加熱及び冷却は、ダイが形成されたウエハを保持するウエハチャックによって行われる。即ち、ウエハチャックの加熱は、ウエハチャック内に設けられているヒータによって行われ、ウエハチャックの冷却は、ウエハチャック内に設けられている冷媒通路に冷媒を循環させて行うようになっている。ウエハチャックの加熱、冷却に、熱電効果を利用したペルチェ素子やチラー等が用いられることもある。
特開2004−039752号公報(全体)
ところが、ダイの加熱のためにヒータが内蔵された高温ウエハチャックを用いる場合、高温ウエハチャックとしては、常温近辺から200°C程度の高温になるウエハチャックを使用するが、ウエハチャックを高温にした場合、常温に比べてウエハチャックのウエハを載置する面の平面度・平行度が悪化し易いという問題点があった。
この問題点について、図3を用いて更に詳しく説明する。図3(a)は、図1、2に示したプローバ10のウエハチャック16が高温ウエハチャックである場合の、従来の高温ウエハチャック16の内部構造、及びこの高温ウエハチャック16をZ軸移動・回転部15に取り付ける取付部40の構造を示すものである。14は第1の移動ステージであるX軸移動ステージである。
従来の高温ウエハチャック16は、セラミック部材で構成された円柱状のチャック本体4と、このチャック本体4の上に重ねて設けられる高温チャック表面部材3と、チャック本体4の高温チャック表面部材3を載せる面に設けられた環状溝6と、この環状溝6の中に位置し、高温チャック表面部材3の裏面に貼り付けられるシート状のヒータ5、及び高温チャック表面部材3の内部に埋め込まれた温度センサ9とから構成される。シート状のヒータ5は、図3(b)に示すようにリング状をしている。また、チャック本体4の底面には環状溝6に連通する引き出し孔7が設けられており、温度センサ9の信号線Sと、ヒータ5への通電線Hはこの引き出し孔7を通じて高温ウエハチャック16の外部に引き出され、制御回路8に接続される。制御回路8は温度センサ9の検出出力に応じてヒータ5を加熱して高温チャック表面部材3の温度を上昇させる。
取付部40は、台座41、V溝43を有する取付軸42、軸受44、及び固定ネジ45から構成される。取付軸42は、図4に示すように、高温ウエハチャック16のチャック本体4の底面に設けられた円板状の台座41に突設され、取付軸42の外周面には1条のV溝43が形成されている。この取付軸42は、図3に示すように、Z軸移動・回転部15に突設された軸受44に挿入され、軸受44の側面から固定ネジ45で固定される。通常、固定ネジ45は軸受45の周囲の3ケ所に設けられており、固定ネジ45のテーパ状の先端部を取付軸42のV溝43に係合させることにより、高温ウエハチャック16を強固に軸受44に固定することができる。
このような構成の従来の高温ウエハチャック16において、制御回路8によりヒータ5に通電が行われ、高温チャック表面部材3の温度が上昇すると、ヒータ5に隣接するチャック本体4の上部は高温になって膨張する。ところが、チャック本体4が断熱、絶縁性に優れるセラミック部材で構成されているために、チャック本体4の下部にはヒータ5の熱が伝わり難く、チャック本体4の下部は低温のままであるので膨張しない。このため、チャック本体4が、上下の温度差によって生じるバイメタル効果によって上に凸に湾曲することになり、高温チャック表面部材3の平面度、平行度が変化するという問題点があった。
本発明は、このような問題点を解決するものであり、簡単な構成を高温ウエハチャックに付加するだけで、高温ウエハチャックを加熱する場合のチャック本体のバイメタル効果を低減させ、高温チャック表面部材3の平面度、平行度の変化を抑えることができるプローバのウエハチャックを提供することを目的としている。
前記目的を達成する本発明のプローバのウエハチャックは、ウエハ上に形成された半導体装置の動作を、半導体テスタを用いて電気的に検査するために、ウエハを3次元方向に移動させることができる移動ステージを備えるプローバに設けられてウエハを保持するためのウエハチャックであって、ウエハを保持する表面部材と、表面部材を保持するセラミック部材で構成されたチャック本体と、チャック本体の表面部材との接合面に設けられた溝と、溝に重なる表面部材の裏面に設けられたヒータと、チャック本体の裏面に固着され、セラミック部材よりも熱膨張率の大きな金属で構成された金属板とから構成されることを特徴としている。
本発明によれば、従来の構成に簡単な機構を付加するだけで、ウエハチャックを加熱する場合のバイメタル効果が低減し、高温チャック表面部材3の平面度、平行度の変化を抑えることができる。
以下、添付図面を用いて本発明の実施の形態を、具体的な実施例に基づいて詳細に説明する。なお、図1〜3で説明した構成部材と同じ構成部材については、同じ符合を付して説明する。
図5は、取付部40を備えた本発明の高温ウエハチャック16の構成を示しており、図4に示した従来の高温ウエハチャック16と同じ底面方向から見た斜視図である。また、図6は、図5に示した本発明の高温ウエハチャック16の内部構造、及びZ軸移動・回転部15への取り付けを示す断面図である。
図5に示すように、本発明の高温ウエハチャック16は、従来例と同様に、高温チャック表面部材3とセラミック部材で構成されたチャック本体4とを備えているが、チャック本体4の裏面側に金属板50が固着されている点が従来例と異なる。取付部40は、本発明ではこの金属板50に取り付けられており、台座41、V溝43を有する取付軸42、軸受44、及び固定ネジ45から構成される。
取付軸42は、図6に示すように、高温ウエハチャック16のチャック本体4の底面に設けられた円板状の台座41に突設され、取付軸42の外周面には1条のV溝43が形成されている。この取付軸42は、Z軸移動・回転部15に突設された軸受44に挿入され、軸受44の側面から固定ネジ45で固定される。通常、固定ネジ45は軸受45の周囲の3ケ所に設けられており、固定ネジ45のテーパ状の先端部を取付軸42のV溝43に係合させることにより、高温ウエハチャック16を強固に軸受44に固定することができる。この構成は従来例と変わりは無い。14は第1の移動ステージであるX軸移動ステージである。
図6に示すように、本発明の高温ウエハチャック16は、セラミック部材で構成された円柱状のチャック本体4と、このチャック本体4の上に重ねて設けられる高温チャック表面部材3と、チャック本体4の高温チャック表面部材3を載せる面に設けられた環状溝6と、この環状溝6の中に位置し、高温チャック表面部材3の裏面に貼り付けられるシート状のヒータ5、チャック本体4の底面に強固に固着される金属板50、及び高温チャック表面部材3の内部に埋め込まれた温度センサ9とから構成される。シート状のヒータ5の形状は、図3(b)に示した従来例と同じで良い。
チャック本体4の底面には環状溝6に連通する引き出し孔7が設けられており、チャック本体4の底面に重ねて固着される金属板50にも、この引き出し孔7に重なる引き出し孔57が設けられている。温度センサ9の信号線Sと、ヒータ5への通電線Hは、これらの引き出し孔7、57を通じて高温ウエハチャック16の外部に引き出され、制御回路8に接続される。制御回路8はウエハを高温でプロービングする時に、温度センサ9の検出出力に応じてヒータ5を加熱して高温チャック表面部材3の温度を上昇させる。
チャック本体4の底面に重ねて固着する金属板50には、セラミック部材に比べて熱膨張率の大きな金属を使用する。例えば、熱膨張率の大きなアルミニウムで構成された金属板や、ステンレスで構成された金属板を本発明の金属板50として、チャック本体4の底面に重ねて固着することが可能である。
このような構成の本発明の高温ウエハチャック16において、制御回路8によりヒータ5に通電が行われ、高温チャック表面部材3の温度が上昇すると、ヒータ5に直接加熱される高温チャック表面部材3と、ヒータ5に隣接するチャック本体4の上部は高温になって、矢印Nで示す方向に膨張する。ところが、チャック本体4が断熱、絶縁性に優れるセラミック部材で構成されているために、チャック本体4の下部にはヒータ5の熱が伝わり難く、チャック本体4の下部は低温のままであるので膨張しない。
しかしながら、本発明では、チャック本体4の底面に熱膨張率の大きな金属板50が、チャック本体4に強固に取り付けてあり、金属板50は僅かな熱でも膨張する。このために、チャック本体4の底面側は膨張しなくても、金属板50が図6に矢印Eで示す方向に膨張し、この金属板50に強固に固着されたチャック本体4の底面側も破線Fで示す方向に伸長する。
チャック本体4の底面に接合する金属板50の厚さや、金属の種類は、ウエハを高温でプロービングする時における高温チャック表面部材3の膨張度と、チャック本体4の上部の膨張度を、シミュレーションや実験データから算出し、高温テスト環境において、チャック本体4の上部のN方向へ伸び量と、チャック本体4の底面のE方向へ伸び量とが略一致するように設定すれば良い。
この結果、本発明のプローブのウエハチャックでは、ウエハを高温でプロービングする時に、金属板50の作用によって、チャック本体4の上部のN方向へ伸び量と、チャック本体4の底面のE方向へ伸び量とが略一致するので、チャック本体4の変形が抑えられ、高温チャック表面部材3の平面度、平行度が確保される。
本発明は、高温検査が可能なプローバの高温ウエハチャックに適用可能である。
プローバとテスタでウエハ上のチップを検査するウエハテストシステムの基本構成を示す側面図である。 図1に示したプローバの要部の概略構成を示す斜視図である。 (a)は図1、2に示したプローバのウエハチャックが高温ウエハチャックである場合の、従来のウエハチャックの内部構造、及びZ軸移動・回転部への取り付けを示す断面図であり、(b)は(a)のヒータの平面図である。 図3に示した従来の高温ウエハチャックとその取付部を、底面側から見た斜視図である。 本発明の高温ウエハチャックとの取付部を、底面側から見た斜視図である。 図5に示した本発明の高温ウエハチャックの内部構造、及びZ軸移動・回転部への取り付けを示す断面図である。
符号の説明
3 高温チャック表面部材
4 チャック本体
5 ヒータ
6 環状溝
7 引き出し孔
9 温度センサ
10 プローバ
12 移動ベース
13 Y軸移動ステージ(第2の移動ステージ)
14 X軸移動ステージ(第1の移動ステージ)
15 Z軸移動・回転部
16 ウエハチャック
40 取付部
50 金属板

Claims (4)

  1. ウエハ上に形成された半導体装置の動作を、半導体テスタを用いて電気的に検査するために、前記ウエハを3次元方向に移動させることができる移動ステージを備えるプローバに設けられる前記ウエハを保持するためのウエハチャックであって、
    前記ウエハを保持する表面部材と、
    前記表面部材を保持するセラミック部材で構成されたチャック本体と、
    前記チャック本体の前記表面部材との接合面に設けられた溝と、
    前記溝に重なる前記表面部材の裏面に設けられたヒータと、
    前記チャック本体の裏面に固着され、前記セラミック部材よりも熱膨張率の大きな金属で構成された金属板とから構成されることを特徴とするプローバのウエハチャック。
  2. 請求項1に記載のプローバのウエハチャックであって、
    前記金属板が、前記チャック本体の裏面全体に強固に固着されていることを特徴とするプローバのウエハチャック。
  3. 請求項2に記載のプローバのウエハチャックであって、
    前記溝が所定深さを備えた環状溝であり、前記ヒータは環状のシート状をしており、前記ヒータを前記表面部材の裏面に取り付けた状態で、前記ヒータと前記溝の底部との間に空間が形成されることを特徴とするプローバのウエハチャック。
  4. 請求項1から3の何れか1項に記載のプローバのウエハチャックであって、
    前記金属板が、アルミ板又はステンレス板であることを特徴とするプローバのウエハチャック。
JP2006171296A 2006-06-21 2006-06-21 プローバのウエハチャック Pending JP2008004675A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006171296A JP2008004675A (ja) 2006-06-21 2006-06-21 プローバのウエハチャック

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006171296A JP2008004675A (ja) 2006-06-21 2006-06-21 プローバのウエハチャック

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008004675A true JP2008004675A (ja) 2008-01-10

Family

ID=39008837

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006171296A Pending JP2008004675A (ja) 2006-06-21 2006-06-21 プローバのウエハチャック

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008004675A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009231765A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Tokyo Electron Ltd プローブ装置、プローブ方法及びプローブ方法を記録したプログラム記録媒体
JP2012175046A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用ヒータユニット
KR20190028891A (ko) * 2017-09-11 2019-03-20 세메스 주식회사 척 모듈 및 이를 구비하는 반도체 검사 장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009231765A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Tokyo Electron Ltd プローブ装置、プローブ方法及びプローブ方法を記録したプログラム記録媒体
JP2012175046A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用ヒータユニット
KR20190028891A (ko) * 2017-09-11 2019-03-20 세메스 주식회사 척 모듈 및 이를 구비하는 반도체 검사 장치
KR102000080B1 (ko) * 2017-09-11 2019-07-17 세메스 주식회사 척 모듈 및 이를 구비하는 반도체 검사 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5737536B2 (ja) プローバ
JP4744382B2 (ja) プローバ及びプローブ接触方法
JPH0792479B2 (ja) プローブ装置の平行度調整方法
JP6821910B2 (ja) プローバ及びプローブ針の接触方法
JP6674103B2 (ja) プローバ
JP6209376B2 (ja) 電気的接続装置
JP6209375B2 (ja) 電気的接続装置
JP2008294292A (ja) プローバ、プローブ接触方法及びプログラム
JP3096197B2 (ja) プローブカード
JP2008004675A (ja) プローバのウエハチャック
JP6365953B1 (ja) プローバ
JP5546328B2 (ja) ウェーハテスト方法およびプローバ
JP4999775B2 (ja) プローバ
JP4906412B2 (ja) プローバ
JP2008053282A (ja) プローバ
JP4878919B2 (ja) プローバ及びプロービング方法
JP2008192861A (ja) 半導体検査装置および半導体検査方法
JP2008117968A (ja) プローバ
JP2005228788A (ja) ウエーハとプローブカードとの位置合わせ方法、プローブ検査方法及びプローブ検査装置
JPH07221144A (ja) プローブ装置
JP2015037136A (ja) プローブ装置及びプローブ方法
JP2007101345A (ja) カードホルダ及びプローバ
JP4936705B2 (ja) プローバ
JP4902986B2 (ja) プローバ、及び、プローバのウェハステージ加熱、又は、冷却方法
JP2007134545A (ja) プローバ