JPS5931982B2 - 半導体測定装置 - Google Patents
半導体測定装置Info
- Publication number
- JPS5931982B2 JPS5931982B2 JP7782277A JP7782277A JPS5931982B2 JP S5931982 B2 JPS5931982 B2 JP S5931982B2 JP 7782277 A JP7782277 A JP 7782277A JP 7782277 A JP7782277 A JP 7782277A JP S5931982 B2 JPS5931982 B2 JP S5931982B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- wafer stage
- semiconductor
- needle
- pad
- Prior art date
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- Expired
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体測定装置にかゝり、特にウェハステー
ジの上方に測定針の取着針の取着けリングを定位するた
めの支柱の改良構造に関する。
ジの上方に測定針の取着針の取着けリングを定位するた
めの支柱の改良構造に関する。
半導体素子の製造において、接合が形成された半導体ウ
ェハに対しＢＴ（ＢｌａｓａｎｄＴｅｍｐｅｒａｔｕｒ
ｅ）テストを施す工程がある。これは被測定半導体ウェ
ハ（以降ウェハと称する）の主面に設けられた電極導出
用のバッド（Ａｕ、Ａｌ等にてなる１００μ口の膜）に
測定用マニピュレータ付き針（以降測定針と略称する）
を衝接した状態でウェハを一例の３００℃に昇温しＶｔ
ｈ（スレシヨホルド電圧値）を測定する。上記測定に用
いられる装置は第１図に側面図示する如く、基台１にウ
ェハステージ２を定位し、このウェハステージ２の上面
はウェハ３の設置面に形成されている。また４は基台１
の上面に垂直に取着けられた支柱で、ウェハ主面の電極
導出用のバッド（図示略）に測定針を衝接し接続する如
くこの取着けリング５を定位取着ける。また前記ウェハ
ステージ２にはウェハ３を昇温させるためのヒータを内
装する。図における２ａはヒータ用電源コードである。
上記の如くなる半導体測定装置においては、加熱前に測
定針をウェハのパッドに衝接せしめ所定の測定を施した
のち、ウェハステージに内装されたヒータに通電しウェ
ハを昇温するが、ウェハステージも昇温し基台面からの
高さが未加熱時の（Ｈｏ）から（Ｈ）に変化する。
ェハに対しＢＴ（ＢｌａｓａｎｄＴｅｍｐｅｒａｔｕｒ
ｅ）テストを施す工程がある。これは被測定半導体ウェ
ハ（以降ウェハと称する）の主面に設けられた電極導出
用のバッド（Ａｕ、Ａｌ等にてなる１００μ口の膜）に
測定用マニピュレータ付き針（以降測定針と略称する）
を衝接した状態でウェハを一例の３００℃に昇温しＶｔ
ｈ（スレシヨホルド電圧値）を測定する。上記測定に用
いられる装置は第１図に側面図示する如く、基台１にウ
ェハステージ２を定位し、このウェハステージ２の上面
はウェハ３の設置面に形成されている。また４は基台１
の上面に垂直に取着けられた支柱で、ウェハ主面の電極
導出用のバッド（図示略）に測定針を衝接し接続する如
くこの取着けリング５を定位取着ける。また前記ウェハ
ステージ２にはウェハ３を昇温させるためのヒータを内
装する。図における２ａはヒータ用電源コードである。
上記の如くなる半導体測定装置においては、加熱前に測
定針をウェハのパッドに衝接せしめ所定の測定を施した
のち、ウェハステージに内装されたヒータに通電しウェ
ハを昇温するが、ウェハステージも昇温し基台面からの
高さが未加熱時の（Ｈｏ）から（Ｈ）に変化する。
この熱膨張係数に基づく△Ｈ（△Ｈ＝Ｈ−Ｈ０）によつ
て測定針がバッドから離脱するという欠点がある。この
発明は上記従来の測定装置の欠点を改良するためのもの
で、接合が形成されたウェハをウェハステージに載置し
て加熱を施すとともに、ウェハのバッドに測定針を衝接
させて測定を行なう半導体の測定装置において、測定針
の定位支持のための支柱をウェハステージの上部に取着
けしたことを特徴とする。
て測定針がバッドから離脱するという欠点がある。この
発明は上記従来の測定装置の欠点を改良するためのもの
で、接合が形成されたウェハをウェハステージに載置し
て加熱を施すとともに、ウェハのバッドに測定針を衝接
させて測定を行なう半導体の測定装置において、測定針
の定位支持のための支柱をウェハステージの上部に取着
けしたことを特徴とする。
次にこの発明を一実施例の半導体の測定装置につき図面
を参照して詳細に説明する。
を参照して詳細に説明する。
この発明の一実施例を正面図で示す第２図において、１
を基台でこれにウェハステージ１２を定位し、この側面
の上部に支柱１４を固着する。そしてこの支柱の垂直部
に測定針の取着けリング５を取着け、この取着けリング
にセットされた測定針（図示省略）をウェハ３の電極導
出用バッド（図示省略）に衝接しＶｔ虐の測定を行なう
。またウェハステージにはヒータを内装し、これに通電
してウェハを昇温する如くなる。図における１２ａはヒ
ータ用電源コードを示す。次に上記支柱のウエハステー
ジへの取着は第３図に例示する如く、支柱に設けたフラ
ンジ２４をもつてウエハステージ１２に取着するもの（
図ａ、斜視図）、支柱またはウエハステージに設けたタ
ツプ３４によるもの（図ｂ、断面図）、溶接またはろう
接によるもの（図ｃ、一部の断面図にて４４は溶接また
はろう接部）などのいずれも好適する。
を基台でこれにウェハステージ１２を定位し、この側面
の上部に支柱１４を固着する。そしてこの支柱の垂直部
に測定針の取着けリング５を取着け、この取着けリング
にセットされた測定針（図示省略）をウェハ３の電極導
出用バッド（図示省略）に衝接しＶｔ虐の測定を行なう
。またウェハステージにはヒータを内装し、これに通電
してウェハを昇温する如くなる。図における１２ａはヒ
ータ用電源コードを示す。次に上記支柱のウエハステー
ジへの取着は第３図に例示する如く、支柱に設けたフラ
ンジ２４をもつてウエハステージ１２に取着するもの（
図ａ、斜視図）、支柱またはウエハステージに設けたタ
ツプ３４によるもの（図ｂ、断面図）、溶接またはろう
接によるもの（図ｃ、一部の断面図にて４４は溶接また
はろう接部）などのいずれも好適する。
上記の如くなる本発明の半導体測定装置によれば、測定
針をウエハのパツドに衝接させて渭淀を施し、さらにウ
エハを加熱した状態にて測定を施す一例のＢＴテストに
対し ウエハステージの昇温による膨張にてウエハ載置
面の高さに変動を生じても、沖淀針とウエハのパツドと
の相対位置は変動しない。
針をウエハのパツドに衝接させて渭淀を施し、さらにウ
エハを加熱した状態にて測定を施す一例のＢＴテストに
対し ウエハステージの昇温による膨張にてウエハ載置
面の高さに変動を生じても、沖淀針とウエハのパツドと
の相対位置は変動しない。
このため沖淀が連続して実施できるとともにウエハまた
はウエハのパツドを損傷することもないという顕著な利
点がある〇
はウエハのパツドを損傷することもないという顕著な利
点がある〇
第１図は従来の半導体測定装置の要部を示す正面図、第
２図は本発明の１実施例の半導体測定装置の要部を示す
正面図、第３図は第２図の一部に関し支柱のウエハステ
ージへの取着を説明するもので図ａは斜視図、図ｂ、図
ｃはいずれも断面図である。 なお図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すもの
とする。３・・・・・・ウエハ、５・・・・・・測定針
の取着けリング、１２・・・・・・ウエハステージ、１
４・・・・・・支柱。
２図は本発明の１実施例の半導体測定装置の要部を示す
正面図、第３図は第２図の一部に関し支柱のウエハステ
ージへの取着を説明するもので図ａは斜視図、図ｂ、図
ｃはいずれも断面図である。 なお図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すもの
とする。３・・・・・・ウエハ、５・・・・・・測定針
の取着けリング、１２・・・・・・ウエハステージ、１
４・・・・・・支柱。
Claims (1)
- １ 基台に定位され上面に被測定用ウェハの設置面に有
するウェハステージと、前記ウェハを加熱するためウェ
ハステージに内装された加熱手段と、前記ウェハステー
ジの上方にウェハの昇温に対しても測定針の取着リング
を定位させるためウェハステージの上部に取着された測
定針の取着リングの支柱とを具備した半導体測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7782277A JPS5931982B2 (ja) | 1977-07-01 | 1977-07-01 | 半導体測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7782277A JPS5931982B2 (ja) | 1977-07-01 | 1977-07-01 | 半導体測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5413272A JPS5413272A (en) | 1979-01-31 |
| JPS5931982B2 true JPS5931982B2 (ja) | 1984-08-06 |
Family
ID=13644721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7782277A Expired JPS5931982B2 (ja) | 1977-07-01 | 1977-07-01 | 半導体測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5931982B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992012004A1 (en) * | 1991-01-07 | 1992-07-23 | Multiform Desiccants, Inc. | Oxygen-absorbing label |
| US5667863A (en) * | 1991-01-07 | 1997-09-16 | Multisorb Technologies, Inc. | Oxygen-absorbing label |
| US5686161A (en) * | 1991-01-07 | 1997-11-11 | Multisorb Technologies, Inc. | Moisture-sensitive label |
-
1977
- 1977-07-01 JP JP7782277A patent/JPS5931982B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5413272A (en) | 1979-01-31 |
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