JPH06177024A - 電子ビーム描画装置 - Google Patents
電子ビーム描画装置Info
- Publication number
- JPH06177024A JPH06177024A JP4323962A JP32396292A JPH06177024A JP H06177024 A JPH06177024 A JP H06177024A JP 4323962 A JP4323962 A JP 4323962A JP 32396292 A JP32396292 A JP 32396292A JP H06177024 A JPH06177024 A JP H06177024A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- positioning mark
- mark
- substrate
- detecting
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子ビーム描画装置において、描画基板の位
置決め用マーク検出のための電子ビーム走査範囲を小さ
くして、本パターン描画範囲を広げる。 【構成】 位置決め用マークを検出するＣＣＤカメラ９
を設け、ＣＣＤカメラ９によって検出された位置情報
（粗調）に基づいて電子ビーム１３による位置決め用マ
ーク位置の検出（微調）のための電子ビーム走査範囲を
狭めて、位置決め用マークの直ぐ近傍まで本パターンを
描画できるようにし、本パターン描画範囲を広げる。
置決め用マーク検出のための電子ビーム走査範囲を小さ
くして、本パターン描画範囲を広げる。 【構成】 位置決め用マークを検出するＣＣＤカメラ９
を設け、ＣＣＤカメラ９によって検出された位置情報
（粗調）に基づいて電子ビーム１３による位置決め用マ
ーク位置の検出（微調）のための電子ビーム走査範囲を
狭めて、位置決め用マークの直ぐ近傍まで本パターンを
描画できるようにし、本パターン描画範囲を広げる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビーム描画装置に
関し、特に、半導体デバイスパターンを描画する際の位
置決め用マークの検出手段を備えた電子ビーム描画装置
に関する。
関し、特に、半導体デバイスパターンを描画する際の位
置決め用マークの検出手段を備えた電子ビーム描画装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路等の高性能化、高
集積度化への要求は一層増大している。そのため、従来
の紫外線を用いたフォトリソグラフィーに代わって、電
子線、軟Ｘ線、イオンビーム等を用いるリソグラフィー
により、超微細パターン加工技術を確立する努力が払わ
れている。特に、フォトマスクの製造においては、すで
に電子線リソグラフィーが工業的に実用化されており、
ウェーハ基板への電子線の直接描画も試みられている。
集積度化への要求は一層増大している。そのため、従来
の紫外線を用いたフォトリソグラフィーに代わって、電
子線、軟Ｘ線、イオンビーム等を用いるリソグラフィー
により、超微細パターン加工技術を確立する努力が払わ
れている。特に、フォトマスクの製造においては、すで
に電子線リソグラフィーが工業的に実用化されており、
ウェーハ基板への電子線の直接描画も試みられている。
【０００３】一方、このような超微細リソグラフィー技
術を可能とするために使用されるレジスト材料も、それ
に応える特性を有するものでなければならないし、レジ
ストプロセスも非常に重要となり、また、露光装置に要
求される描画精度も非常に厳しくなってくる。
術を可能とするために使用されるレジスト材料も、それ
に応える特性を有するものでなければならないし、レジ
ストプロセスも非常に重要となり、また、露光装置に要
求される描画精度も非常に厳しくなってくる。
【０００４】電子ビーム描画装置は、例えば、図２に模
式的に示すような構成になっている。この例の場合、電
子銃２４は陰極２１、ウェーネルト２２及び陽極２３か
ら構成されており、電子銃２４から放出された電子ビー
ムは、アライメントコイル２５によりビーム中心が光軸
に調節され、第１アパーチャ２６で周辺のボケ部分がカ
ットされ、縮小レンズ系２７を経てビーム径が縮小さ
れ、第２アパーチャ２８によりビーム成形され、対物レ
ンズ２９により描画面３０上に集束されて描画する。な
お、図示しない偏向電極が、第２アパーチャ２８と描画
面３０の間に設けられている。
式的に示すような構成になっている。この例の場合、電
子銃２４は陰極２１、ウェーネルト２２及び陽極２３か
ら構成されており、電子銃２４から放出された電子ビー
ムは、アライメントコイル２５によりビーム中心が光軸
に調節され、第１アパーチャ２６で周辺のボケ部分がカ
ットされ、縮小レンズ系２７を経てビーム径が縮小さ
れ、第２アパーチャ２８によりビーム成形され、対物レ
ンズ２９により描画面３０上に集束されて描画する。な
お、図示しない偏向電極が、第２アパーチャ２８と描画
面３０の間に設けられている。
【０００５】ところで、従来、正確に描画するために、
例えばウェーハ基板１０には、図４に示すように、位置
決め用マーク１７が複数個配置されており、このマーク
１７を電子ビーム描画装置の電子ビームで走査して検出
し、その検出位置に応じて基板１０の所定位置に所定の
描画を行っている。図５に従来の電子ビーム描画装置の
全体の概略の構成を示す。真空室に移動可能に配置され
たステージ１２上にホルダー１１に取り付けられた描画
する基板１０が載置され、その位置はステッピングモー
タ１６により制御される。電子ビーム描画装置本体から
の走査電子ビーム１３は偏向器１４により位置制御さ
れ、基板１０のマーク１７（図４）上を走査する。マー
ク１７から反射された電子は反射電子検出器１５により
検出され、その検出信号はＣＰＵ１９入力される。ま
た、ステージ１２にはミラー８が取り付けられており、
このミラー８は干渉計７の移動ミラーを構成しており、
レーザ光源５からのレーザ光６が干渉計７に入射し、そ
こで分割された光の一方がこのミラー８に入射し、ミラ
ー８での反射光は再び干渉計７に入射し、分割された別
の光と干渉され、受光器４でこの干渉縞が検出され、そ
の信号を信号処理器３に入力し、ステージ１２の位置が
計測されるようになっている。ＣＰＵ１９には、マーク
１７の位置を表す反射電子検出器１５からの信号と、ス
テージ１２の位置を表す信号処理器３からの信号が入力
し、また、ＣＰＵ１９はこれらの検出信号に基づいて、
偏向器１４を駆動する偏向アンプ２とステッピングモー
タ１６を制御している。なお、描画するパターンデータ
１は偏向アンプ２に入力される。
例えばウェーハ基板１０には、図４に示すように、位置
決め用マーク１７が複数個配置されており、このマーク
１７を電子ビーム描画装置の電子ビームで走査して検出
し、その検出位置に応じて基板１０の所定位置に所定の
描画を行っている。図５に従来の電子ビーム描画装置の
全体の概略の構成を示す。真空室に移動可能に配置され
たステージ１２上にホルダー１１に取り付けられた描画
する基板１０が載置され、その位置はステッピングモー
タ１６により制御される。電子ビーム描画装置本体から
の走査電子ビーム１３は偏向器１４により位置制御さ
れ、基板１０のマーク１７（図４）上を走査する。マー
ク１７から反射された電子は反射電子検出器１５により
検出され、その検出信号はＣＰＵ１９入力される。ま
た、ステージ１２にはミラー８が取り付けられており、
このミラー８は干渉計７の移動ミラーを構成しており、
レーザ光源５からのレーザ光６が干渉計７に入射し、そ
こで分割された光の一方がこのミラー８に入射し、ミラ
ー８での反射光は再び干渉計７に入射し、分割された別
の光と干渉され、受光器４でこの干渉縞が検出され、そ
の信号を信号処理器３に入力し、ステージ１２の位置が
計測されるようになっている。ＣＰＵ１９には、マーク
１７の位置を表す反射電子検出器１５からの信号と、ス
テージ１２の位置を表す信号処理器３からの信号が入力
し、また、ＣＰＵ１９はこれらの検出信号に基づいて、
偏向器１４を駆動する偏向アンプ２とステッピングモー
タ１６を制御している。なお、描画するパターンデータ
１は偏向アンプ２に入力される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように電子ビーム
描画装置の電子ビーム１３により基板１０上の位置決め
用マーク１７の位置を検出する際、パターンを形成する
ために基板１０上に塗布されているレジストは、位置検
出用に走査される電子ビーム１３によって感光してしま
う。一方、電子ビーム１３によってマーク１７を検出す
るためには、基板１０上のマーク１７のありそうな比較
的広い領域をビーム走査しなければならないため、マー
ク１７近傍のレジストは感光してしまい、その領域に半
導体デバイスを作製するための本パターンを形成するこ
とはできない。その様子を図４に示す。図示のように、
マーク１７近傍の比較的広い領域を除いたパターン領域
１８にしか本パターンを描画できず、それ以外の基板領
域は無駄になってしまい、作製効率が低下してしまう。
描画装置の電子ビーム１３により基板１０上の位置決め
用マーク１７の位置を検出する際、パターンを形成する
ために基板１０上に塗布されているレジストは、位置検
出用に走査される電子ビーム１３によって感光してしま
う。一方、電子ビーム１３によってマーク１７を検出す
るためには、基板１０上のマーク１７のありそうな比較
的広い領域をビーム走査しなければならないため、マー
ク１７近傍のレジストは感光してしまい、その領域に半
導体デバイスを作製するための本パターンを形成するこ
とはできない。その様子を図４に示す。図示のように、
マーク１７近傍の比較的広い領域を除いたパターン領域
１８にしか本パターンを描画できず、それ以外の基板領
域は無駄になってしまい、作製効率が低下してしまう。
【０００７】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、電子ビーム描画装置におい
て、描画基板の位置決め用マーク検出のための電子ビー
ム走査範囲を小さくして、本パターン描画範囲を広げる
ことである。
ものであり、その目的は、電子ビーム描画装置におい
て、描画基板の位置決め用マーク検出のための電子ビー
ム走査範囲を小さくして、本パターン描画範囲を広げる
ことである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の電子ビーム描画装置は、基板上に形成された位置決
め用マークの位置を電子ビームを走査して検出し、その
位置に基づいて基板上に電子ビームによる描画を行う電
子ビーム描画装置において、前記位置決め用マークを光
学的又は光電的に検出する手段を設け、前記手段によっ
て検出された位置情報に基づいて電子ビームによる位置
決め用マーク位置の検出のための電子ビーム走査範囲を
決めるようにしたことを特徴とするものである。
明の電子ビーム描画装置は、基板上に形成された位置決
め用マークの位置を電子ビームを走査して検出し、その
位置に基づいて基板上に電子ビームによる描画を行う電
子ビーム描画装置において、前記位置決め用マークを光
学的又は光電的に検出する手段を設け、前記手段によっ
て検出された位置情報に基づいて電子ビームによる位置
決め用マーク位置の検出のための電子ビーム走査範囲を
決めるようにしたことを特徴とするものである。
【０００９】この場合、位置決め用マークを光学的又は
光電的に検出する手段として、例えばテレビカメラを用
いることができる。
光電的に検出する手段として、例えばテレビカメラを用
いることができる。
【００１０】
【作用】本発明においては、位置決め用マークを光学的
又は光電的に検出する手段を設け、この手段によって検
出された位置情報に基づいて電子ビームによる位置決め
用マーク位置の検出のための電子ビーム走査範囲を決め
るようにしたので、位置決め用マークの検出のための電
子ビーム走査範囲が最小限ですみ、位置決め用マークの
直ぐ近傍まで本パターンを描画することができ、本パタ
ーン描画範囲を広げることができる。
又は光電的に検出する手段を設け、この手段によって検
出された位置情報に基づいて電子ビームによる位置決め
用マーク位置の検出のための電子ビーム走査範囲を決め
るようにしたので、位置決め用マークの検出のための電
子ビーム走査範囲が最小限ですみ、位置決め用マークの
直ぐ近傍まで本パターンを描画することができ、本パタ
ーン描画範囲を広げることができる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の電子ビーム描画装置を実施例
に基づいて説明する。図１は、本発明の１実施例の電子
ビーム描画装置の全体の概略の構成を示す図である。従
来の装置と同様、真空室に移動可能に配置されたステー
ジ１２上にホルダー１１に取り付けられた描画する基板
１０が載置され、その位置はステッピングモータ１６に
より制御される。図２に例示したような電子ビーム描画
装置本体からの走査電子ビーム１３は、偏向器１４によ
り位置制御され、基板１０上に本パターン描画のために
走査されると共に、後記するＣＣＤカメラ９により基板
１０上の位置決め用マーク１７（図３）が読み取られた
後に、マーク１７の位置を正確に検出するためにマーク
１７近傍の狭い領域を走査される。マーク１７から反射
された電子は反射電子検出器１５により検出され、その
検出信号はＣＰＵ１９に入力される。また、ステージ１
２にはミラー８が取り付けられており、このミラー８は
干渉計７の移動ミラーを構成しており、レーザ光源５か
らのレーザ光６が干渉計７に入射し、そこで分割された
光の一方がこのミラー８に入射し、ミラー８での反射光
は再び干渉計７に入射し、分割された別の光と干渉さ
れ、受光器４でこの干渉縞が検出され、その信号を信号
処理器３に入力し、ステージ１２の位置が光学干渉によ
り計測されるようになっている。さらに、本発明によ
り、図２のような電子ビーム描画装置本体から離れた位
置であって、ステージ１２を一方の移動端近傍に移動さ
せた時にホルダー１１に取り付けられた基板１０を撮像
できる位置にＣＣＤカメラ９が配置されており、また、
基板１０に塗布した電子線レジストが感光しない照明光
源（図示せず）が設けられており、このＣＣＤカメラ９
によって基板１０上のマーク１７の位置が拡大検出でき
るようになっている。ＣＰＵ１９には、マーク１７の概
略の位置を表すＣＣＤカメラ９からの位置信号と、マー
ク１７の正確な位置を表す反射電子検出器１５からの信
号と、ステージ１２の位置を表す信号処理器３からの信
号が入力し、また、ＣＰＵ１９はこれらの検出信号に基
づいて、偏向器１４を駆動する偏向アンプ２とステッピ
ングモータ１６を制御している。描画パターンデータ１
は偏向アンプ２に入力される。
に基づいて説明する。図１は、本発明の１実施例の電子
ビーム描画装置の全体の概略の構成を示す図である。従
来の装置と同様、真空室に移動可能に配置されたステー
ジ１２上にホルダー１１に取り付けられた描画する基板
１０が載置され、その位置はステッピングモータ１６に
より制御される。図２に例示したような電子ビーム描画
装置本体からの走査電子ビーム１３は、偏向器１４によ
り位置制御され、基板１０上に本パターン描画のために
走査されると共に、後記するＣＣＤカメラ９により基板
１０上の位置決め用マーク１７（図３）が読み取られた
後に、マーク１７の位置を正確に検出するためにマーク
１７近傍の狭い領域を走査される。マーク１７から反射
された電子は反射電子検出器１５により検出され、その
検出信号はＣＰＵ１９に入力される。また、ステージ１
２にはミラー８が取り付けられており、このミラー８は
干渉計７の移動ミラーを構成しており、レーザ光源５か
らのレーザ光６が干渉計７に入射し、そこで分割された
光の一方がこのミラー８に入射し、ミラー８での反射光
は再び干渉計７に入射し、分割された別の光と干渉さ
れ、受光器４でこの干渉縞が検出され、その信号を信号
処理器３に入力し、ステージ１２の位置が光学干渉によ
り計測されるようになっている。さらに、本発明によ
り、図２のような電子ビーム描画装置本体から離れた位
置であって、ステージ１２を一方の移動端近傍に移動さ
せた時にホルダー１１に取り付けられた基板１０を撮像
できる位置にＣＣＤカメラ９が配置されており、また、
基板１０に塗布した電子線レジストが感光しない照明光
源（図示せず）が設けられており、このＣＣＤカメラ９
によって基板１０上のマーク１７の位置が拡大検出でき
るようになっている。ＣＰＵ１９には、マーク１７の概
略の位置を表すＣＣＤカメラ９からの位置信号と、マー
ク１７の正確な位置を表す反射電子検出器１５からの信
号と、ステージ１２の位置を表す信号処理器３からの信
号が入力し、また、ＣＰＵ１９はこれらの検出信号に基
づいて、偏向器１４を駆動する偏向アンプ２とステッピ
ングモータ１６を制御している。描画パターンデータ１
は偏向アンプ２に入力される。
【００１２】このような構成において、ホルダー１１に
取り付けられた基板１０を真空中でステージ１２の上に
載せ、信号処理器３からの信号に基づいてステージ１２
の位置を制御して、基板１０をＣＣＤカメラ９の直下へ
移動させる。この位置で、ＣＣＤカメラ９により基板１
０のマーク１７の概略の位置（光学的に検出できる精度
の位置）が検出される。その時のマーク１７中心の位置
は、干渉計７を利用して検出される。次に、ステッピン
グモータ１６を制御して、ＣＣＤカメラ９と電子ビーム
描画装置本体の光軸と間の距離だけステージ１２を移動
し、マーク１７を電子ビーム描画装置本体の直下へ移動
させる。次に、偏向器１４を制御して、電子ビーム１３
をマーク１７領域のみで走査し、マーク１７から反射さ
れた電子を反射電子検出器１５により検出してその正確
な位置を検出する。検出された正確な位置に基づいて正
確なデバイスパターン（本パターン）を基板上に描画す
る。
取り付けられた基板１０を真空中でステージ１２の上に
載せ、信号処理器３からの信号に基づいてステージ１２
の位置を制御して、基板１０をＣＣＤカメラ９の直下へ
移動させる。この位置で、ＣＣＤカメラ９により基板１
０のマーク１７の概略の位置（光学的に検出できる精度
の位置）が検出される。その時のマーク１７中心の位置
は、干渉計７を利用して検出される。次に、ステッピン
グモータ１６を制御して、ＣＣＤカメラ９と電子ビーム
描画装置本体の光軸と間の距離だけステージ１２を移動
し、マーク１７を電子ビーム描画装置本体の直下へ移動
させる。次に、偏向器１４を制御して、電子ビーム１３
をマーク１７領域のみで走査し、マーク１７から反射さ
れた電子を反射電子検出器１５により検出してその正確
な位置を検出する。検出された正確な位置に基づいて正
確なデバイスパターン（本パターン）を基板上に描画す
る。
【００１３】このような電子ビーム描画装置を用いる
と、図３に示すように、基板１０上の位置決め用マーク
１７の極近傍の狭い領域を除いた比較的広いパターン領
域１８にデバイスパターンを描画することができ、１枚
の基板（ウェーハ）１０からより多数の半導体素子を得
ることができる。
と、図３に示すように、基板１０上の位置決め用マーク
１７の極近傍の狭い領域を除いた比較的広いパターン領
域１８にデバイスパターンを描画することができ、１枚
の基板（ウェーハ）１０からより多数の半導体素子を得
ることができる。
【００１４】以上、本発明の電子ビーム描画装置を実施
例に基づいて説明してきたが、本発明はこれら実施例に
限定されず種々の変形が可能である。
例に基づいて説明してきたが、本発明はこれら実施例に
限定されず種々の変形が可能である。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の電子ビーム描画装置によると、位置決め用マークを光
学的又は光電的に検出する手段を設け、この手段によっ
て検出された位置情報に基づいて電子ビームによる位置
決め用マーク位置の検出のための電子ビーム走査範囲を
決めるようにしたので、位置決め用マークの検出のため
の電子ビーム走査範囲が最小限ですみ、位置決め用マー
クの直ぐ近傍まで本パターンを描画することができ、本
パターン描画範囲を広げることができる。
の電子ビーム描画装置によると、位置決め用マークを光
学的又は光電的に検出する手段を設け、この手段によっ
て検出された位置情報に基づいて電子ビームによる位置
決め用マーク位置の検出のための電子ビーム走査範囲を
決めるようにしたので、位置決め用マークの検出のため
の電子ビーム走査範囲が最小限ですみ、位置決め用マー
クの直ぐ近傍まで本パターンを描画することができ、本
パターン描画範囲を広げることができる。
【００１６】そのため、従来は、マークは大きくまた本
パターン領域はマークからある程度離れた所でしか配置
できなかったが、本発明によると、マークは小さくかつ
本パターン領域はずっと広く配置できるようになり、基
板（ウェーハ）１枚からより多数の素子を得ることがで
きる。
パターン領域はマークからある程度離れた所でしか配置
できなかったが、本発明によると、マークは小さくかつ
本パターン領域はずっと広く配置できるようになり、基
板（ウェーハ）１枚からより多数の素子を得ることがで
きる。
【図１】本発明の１実施例の電子ビーム描画装置の全体
の概略の構成を示す図である。
の概略の構成を示す図である。
【図２】電子ビーム描画装置本体の１例の概略の構成を
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明による描画領域と位置決め用マークの位
置関係を示す図である。
置関係を示す図である。
【図４】従来の装置による描画領域と位置決め用マーク
の位置関係を示す図である。
の位置関係を示す図である。
【図５】従来の電子ビーム描画装置の全体の概略の構成
を示す図である。 １…描画パターンデータ ２…偏向アンプ ３…信号処理器 ４…受光器 ５…レーザ光源 ６…レーザ光 ７…干渉計 ８…ミラー ９…ＣＣＤカメラ １０…基板 １１…ホルダー １２…ステージ １３…電子ビーム １４…偏向器 １５…反射電子検出器 １６…ステッピングモータ １７…位置決め用マーク １８…パターン領域 １９…ＣＰＵ ２１…陰極 ２２…ウェーネルト ２３…陽極 ２４…電子銃 ２５…アライメントコイル ２６…第１アパーチャ ２７…縮小レンズ系 ２８…第２アパーチャ ２９…対物レンズ ３０…描画面
を示す図である。 １…描画パターンデータ ２…偏向アンプ ３…信号処理器 ４…受光器 ５…レーザ光源 ６…レーザ光 ７…干渉計 ８…ミラー ９…ＣＣＤカメラ １０…基板 １１…ホルダー １２…ステージ １３…電子ビーム １４…偏向器 １５…反射電子検出器 １６…ステッピングモータ １７…位置決め用マーク １８…パターン領域 １９…ＣＰＵ ２１…陰極 ２２…ウェーネルト ２３…陽極 ２４…電子銃 ２５…アライメントコイル ２６…第１アパーチャ ２７…縮小レンズ系 ２８…第２アパーチャ ２９…対物レンズ ３０…描画面
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に形成された位置決め用マークの
位置を電子ビームを走査して検出し、その位置に基づい
て基板上に電子ビームによる描画を行う電子ビーム描画
装置において、前記位置決め用マークを光学的又は光電
的に検出する手段を設け、前記手段によって検出された
位置情報に基づいて電子ビームによる位置決め用マーク
位置の検出のための電子ビーム走査範囲を決めるように
したことを特徴とする電子ビーム描画装置。 - 【請求項２】 前記位置決め用マークを光学的又は光電
的に検出する手段がテレビカメラからなることを特徴と
する請求項１記載の電子ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4323962A JPH06177024A (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 電子ビーム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4323962A JPH06177024A (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 電子ビーム描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177024A true JPH06177024A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18160577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4323962A Pending JPH06177024A (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 電子ビーム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06177024A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1103860A1 (en) * | 1998-09-30 | 2001-05-30 | Advantest Corporation | Electron-beam lithography system and alignment method |
| JP2009300441A (ja) * | 2008-06-12 | 2009-12-24 | Steinbichler Optotechnik Gmbh | センサの位置を決定するための方法及び装置 |
| CN102386117A (zh) * | 2010-09-01 | 2012-03-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶圆位置的检测装置 |
-
1992
- 1992-12-03 JP JP4323962A patent/JPH06177024A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1103860A1 (en) * | 1998-09-30 | 2001-05-30 | Advantest Corporation | Electron-beam lithography system and alignment method |
| JP2009300441A (ja) * | 2008-06-12 | 2009-12-24 | Steinbichler Optotechnik Gmbh | センサの位置を決定するための方法及び装置 |
| CN102386117A (zh) * | 2010-09-01 | 2012-03-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶圆位置的检测装置 |
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