JPH06172024A - 透光性スピネル焼結体の製造方法 - Google Patents
透光性スピネル焼結体の製造方法Info
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- JPH06172024A JPH06172024A JP4352372A JP35237292A JPH06172024A JP H06172024 A JPH06172024 A JP H06172024A JP 4352372 A JP4352372 A JP 4352372A JP 35237292 A JP35237292 A JP 35237292A JP H06172024 A JPH06172024 A JP H06172024A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 常圧焼成とＨＩＰ処理とを併用し、焼成助剤
無添加で効率よく安定的に高透光性スピネル焼結体を製
造する方法の提供。 【構成】 純度９９％以上、比表面積（ＢＥＴ値）２０
ｍ2 ／ｇ以上のスピネル粉末を、成形密度０．８ｇ／ｃ
ｍ3 以上、２．０ｇ／ｃｍ3 未満の成形体に成形する成
形工程、該成形体を温度１５００〜１８００℃で焼成し
て相対密度９５％以上の焼成体とする焼成工程、及び、
該焼成体をＨＩＰ処理して透光性スピネル焼結体とする
ＨＩＰ処理工程からなることを特徴とする透光性スピネ
ル焼結体の製造方法。
無添加で効率よく安定的に高透光性スピネル焼結体を製
造する方法の提供。 【構成】 純度９９％以上、比表面積（ＢＥＴ値）２０
ｍ2 ／ｇ以上のスピネル粉末を、成形密度０．８ｇ／ｃ
ｍ3 以上、２．０ｇ／ｃｍ3 未満の成形体に成形する成
形工程、該成形体を温度１５００〜１８００℃で焼成し
て相対密度９５％以上の焼成体とする焼成工程、及び、
該焼成体をＨＩＰ処理して透光性スピネル焼結体とする
ＨＩＰ処理工程からなることを特徴とする透光性スピネ
ル焼結体の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、可視光線から赤外線ま
での範囲にある光線透過率に優れる透光性スピネル焼結
体の製造方法に関する。
での範囲にある光線透過率に優れる透光性スピネル焼結
体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】スピネル（アルミン酸マグネシウムＭｇ
Ａｌ2 Ｏ4 ）粉末を用いて得られるスピネル焼結体は透
光性を有し、各種透光性部材として用いられている。従
来、透光性スピネル焼結体を得る方法としては、主に
（１）常圧焼結法、（２）真空ホットプレス法、（３）
真空ホットプレス後，更にホットアイソスタチクプレス
（ＨＩＰ）する方法、（４）常圧焼結後、更にＨＩＰす
る方法が挙げられる。上記（１）及び（４）の方法の常
圧焼結では、空孔やクラックを防止するため、通常、各
種の焼結助剤が添加されている（特開昭５９−１２１１
５８号公報）が、得られる焼結体の組織が均質でなくな
り、光が散乱され透光性が悪化する等の不都合がある。
そのため、上記（４）の方法において、焼結助剤を添加
することなく、原料スピネル粉末、成形法、成形体性状
等、特に、比表面積を１０ｍ2／ｇ以上の原料スピネル
粉末を用い、成形比重（密度）を２．０以上に成形する
ことにより、透光性のよいスピネル焼結体とする製造方
法も提案されている（特開平１−２３０４６４号公報及
び同１−２３０４６５号公報）。
Ａｌ2 Ｏ4 ）粉末を用いて得られるスピネル焼結体は透
光性を有し、各種透光性部材として用いられている。従
来、透光性スピネル焼結体を得る方法としては、主に
（１）常圧焼結法、（２）真空ホットプレス法、（３）
真空ホットプレス後，更にホットアイソスタチクプレス
（ＨＩＰ）する方法、（４）常圧焼結後、更にＨＩＰす
る方法が挙げられる。上記（１）及び（４）の方法の常
圧焼結では、空孔やクラックを防止するため、通常、各
種の焼結助剤が添加されている（特開昭５９−１２１１
５８号公報）が、得られる焼結体の組織が均質でなくな
り、光が散乱され透光性が悪化する等の不都合がある。
そのため、上記（４）の方法において、焼結助剤を添加
することなく、原料スピネル粉末、成形法、成形体性状
等、特に、比表面積を１０ｍ2／ｇ以上の原料スピネル
粉末を用い、成形比重（密度）を２．０以上に成形する
ことにより、透光性のよいスピネル焼結体とする製造方
法も提案されている（特開平１−２３０４６４号公報及
び同１−２３０４６５号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記焼結助剤
無添加で常圧焼結とＨＩＰ処理を併用する方法で提案さ
れる１０ｍ2 ／ｇ以上の比表面積の大きなスピネル粉
末、即ち、サブミクロンオーダーの超微細スピネル粉末
では、粒子径が微細になればなるほど焼結性がよくなる
が、成形における成形密度は、ある範囲内では原料粉末
の比表面積の増大に伴い上昇するものの、その高密度化
には限界がある。その限界を超えて成形密度を高めるた
めに、例えば、２０ｍ2 ／ｇ以上の比表面積を有するス
ピネル粉末を用い、成形圧を高めて成形密度を２．０ｇ
／ｃｍ3 以上の高密度に形成しても、焼成して得られる
焼結体内にはラミネーションやクラックが発生し、かえ
って透光性を低下させることになる。本発明は、上記問
題点を知見した結果、焼結助剤無添加で常圧焼結とＨＩ
Ｐ処理を併用する方法において、高透光性スピネル焼結
体を、確実に、且つ、再現性よく、効率的に得ることが
できる実用性に富む透光性スピネル焼結体の製造方法を
提供することを目的とする。
無添加で常圧焼結とＨＩＰ処理を併用する方法で提案さ
れる１０ｍ2 ／ｇ以上の比表面積の大きなスピネル粉
末、即ち、サブミクロンオーダーの超微細スピネル粉末
では、粒子径が微細になればなるほど焼結性がよくなる
が、成形における成形密度は、ある範囲内では原料粉末
の比表面積の増大に伴い上昇するものの、その高密度化
には限界がある。その限界を超えて成形密度を高めるた
めに、例えば、２０ｍ2 ／ｇ以上の比表面積を有するス
ピネル粉末を用い、成形圧を高めて成形密度を２．０ｇ
／ｃｍ3 以上の高密度に形成しても、焼成して得られる
焼結体内にはラミネーションやクラックが発生し、かえ
って透光性を低下させることになる。本発明は、上記問
題点を知見した結果、焼結助剤無添加で常圧焼結とＨＩ
Ｐ処理を併用する方法において、高透光性スピネル焼結
体を、確実に、且つ、再現性よく、効率的に得ることが
できる実用性に富む透光性スピネル焼結体の製造方法を
提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、純度９
９％以上、比表面積（ＢＥＴ値）２０ｍ2 ／ｇ以上のス
ピネル粉末を、成形密度０．８ｇ／ｃｍ3 以上、２．０
ｇ／ｃｍ3 未満の成形体に成形する成形工程、該成形体
を温度１５００〜１８００℃で焼成して相対密度９５％
以上の焼成体とする焼成工程、及び、該焼成体をＨＩＰ
処理して透光性スピネル焼結体とするＨＩＰ処理工程か
らなることを特徴とする透光性スピネル焼結体の製造方
法が提供される。
９％以上、比表面積（ＢＥＴ値）２０ｍ2 ／ｇ以上のス
ピネル粉末を、成形密度０．８ｇ／ｃｍ3 以上、２．０
ｇ／ｃｍ3 未満の成形体に成形する成形工程、該成形体
を温度１５００〜１８００℃で焼成して相対密度９５％
以上の焼成体とする焼成工程、及び、該焼成体をＨＩＰ
処理して透光性スピネル焼結体とするＨＩＰ処理工程か
らなることを特徴とする透光性スピネル焼結体の製造方
法が提供される。
【０００５】
【作用】本発明は上記のように構成され、比表面積（Ｂ
ＥＴ値）２０ｍ2 ／ｇ以上の超微細の原料スピネル粉末
を用いて、成形密度を０．８ｇ／ｃｍ3 以上、２．０ｇ
／ｃｍ3 未満に制御して成形することにより、得られる
スピネル焼結体は、空孔やクラックを有することなく、
極めて透光性に優れるものとなる。また、２０ｍ2 ／ｇ
以上の比表面積を有するスピネル粉末は、高活性であ
り、高焼結性が得られるため、常圧の焼成工程における
雰囲気は、特に制限をされることがなく、大気、酸素ガ
ス等の酸素含有ガス雰囲気やアルゴン等の不活性ガス雰
囲気で焼成することができる。そのため、水素ガスや真
空等の雰囲気焼成とは異なり、特に、複雑な焼成炉を用
いる必要がない。
ＥＴ値）２０ｍ2 ／ｇ以上の超微細の原料スピネル粉末
を用いて、成形密度を０．８ｇ／ｃｍ3 以上、２．０ｇ
／ｃｍ3 未満に制御して成形することにより、得られる
スピネル焼結体は、空孔やクラックを有することなく、
極めて透光性に優れるものとなる。また、２０ｍ2 ／ｇ
以上の比表面積を有するスピネル粉末は、高活性であ
り、高焼結性が得られるため、常圧の焼成工程における
雰囲気は、特に制限をされることがなく、大気、酸素ガ
ス等の酸素含有ガス雰囲気やアルゴン等の不活性ガス雰
囲気で焼成することができる。そのため、水素ガスや真
空等の雰囲気焼成とは異なり、特に、複雑な焼成炉を用
いる必要がない。
【０００６】本発明の原料スピネル粉末としては、純度
９９％以上、好ましくは９９．５％以上であって、ＢＥ
Ｔ値で比表面積が２０ｍ2 ／ｇ以上、通常、２０〜３０
ｍ2／ｇの微細粉末を用いる。純度は、高ければ高いほ
どよい。純度が９９％より低い場合は、不純物が多く焼
結体の透光性が低下するためである。特に、マグネシウ
ムミョウバン等の硫酸化合物を熱分解して製造したスピ
ネル粉末の場合は、粉末中の硫黄分を１００ｐｐｍ以下
にして、透光性を更に高めることができる。原料スピネ
ル粉末の比表面積が２０ｍ2 ／ｇ未満であると、本発明
の成形密度０．８ｇ／ｃｍ3 以上、２．０ｇ／ｃｍ3 未
満の範囲に成形しても、目的の高透光性焼結体を得るこ
とができない。また、残留硫黄酸化物除去のための加熱
処理時に成長したスピネル粒子は、粉砕により平均粒径
を１μｍ未満のサブミクロンとすることができる。
９９％以上、好ましくは９９．５％以上であって、ＢＥ
Ｔ値で比表面積が２０ｍ2 ／ｇ以上、通常、２０〜３０
ｍ2／ｇの微細粉末を用いる。純度は、高ければ高いほ
どよい。純度が９９％より低い場合は、不純物が多く焼
結体の透光性が低下するためである。特に、マグネシウ
ムミョウバン等の硫酸化合物を熱分解して製造したスピ
ネル粉末の場合は、粉末中の硫黄分を１００ｐｐｍ以下
にして、透光性を更に高めることができる。原料スピネ
ル粉末の比表面積が２０ｍ2 ／ｇ未満であると、本発明
の成形密度０．８ｇ／ｃｍ3 以上、２．０ｇ／ｃｍ3 未
満の範囲に成形しても、目的の高透光性焼結体を得るこ
とができない。また、残留硫黄酸化物除去のための加熱
処理時に成長したスピネル粒子は、粉砕により平均粒径
を１μｍ未満のサブミクロンとすることができる。
【０００７】本発明の成形工程において、上記原料スピ
ネル粉末を、成形密度０．８ｇ／ｃｍ3 以上、２．０ｇ
／ｃｍ3 未満に成形する。成形方法は、静水圧成形、金
型成形等の加圧成形法、スリップキャスト法等の公知の
成形方法を適宜選択して用いることができ、通常、金型
加圧成形が用いられる。成形密度が０．８ｇ／ｃｍ3 未
満であると、焼成工程での焼成体の相対密度が９５％よ
り低く、ＨＩＰ処理して得られる焼結体の透光性が低下
する。また、焼成工程で収縮率が大きくなり、焼成体に
亀裂が発生する等の不都合が生じるため好ましくない。
一方、本発明の２０ｍ2 ／ｇ以上の比表面積を有するス
ピネル粉末を、成形密度２．０ｇ／ｃｍ3 以上に成形す
ることは極めて困難であり、強いて２．０ｇ／ｃｍ3 以
上の成形密度に成形した場合は、成形体内に粉末ブリッ
ジや、成形圧に対するスプリングバックによるラミネー
ションやクラックが発生し、焼成して得られる焼成体の
微細構造が不均一となり均質でなくなる。そのため、Ｈ
ＩＰ処理して得られる焼結体の透光性が悪化し、好まし
くない。
ネル粉末を、成形密度０．８ｇ／ｃｍ3 以上、２．０ｇ
／ｃｍ3 未満に成形する。成形方法は、静水圧成形、金
型成形等の加圧成形法、スリップキャスト法等の公知の
成形方法を適宜選択して用いることができ、通常、金型
加圧成形が用いられる。成形密度が０．８ｇ／ｃｍ3 未
満であると、焼成工程での焼成体の相対密度が９５％よ
り低く、ＨＩＰ処理して得られる焼結体の透光性が低下
する。また、焼成工程で収縮率が大きくなり、焼成体に
亀裂が発生する等の不都合が生じるため好ましくない。
一方、本発明の２０ｍ2 ／ｇ以上の比表面積を有するス
ピネル粉末を、成形密度２．０ｇ／ｃｍ3 以上に成形す
ることは極めて困難であり、強いて２．０ｇ／ｃｍ3 以
上の成形密度に成形した場合は、成形体内に粉末ブリッ
ジや、成形圧に対するスプリングバックによるラミネー
ションやクラックが発生し、焼成して得られる焼成体の
微細構造が不均一となり均質でなくなる。そのため、Ｈ
ＩＰ処理して得られる焼結体の透光性が悪化し、好まし
くない。
【０００８】本発明の焼成工程においては、上記成形工
程で得られた成形密度０．８ｇ／ｃｍ3 以上、２．０ｇ
／ｃｍ3 未満の成形体を、１５００〜１８００℃で、得
られる焼成体の相対密度が９５％以上になるまで、通
常、１〜２４時間、常圧で焼成する。相対密度が９５％
未満であると、焼成体に開気孔が形成存在し、後のＨＩ
Ｐ処理工程での高密度化が達成されず、高透光性が得ら
れない。焼成雰囲気は、特に制限されるものでなく、大
気、酸素ガス等酸素含有ガス、水素ガス等の還元ガス、
アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスまたは真空中のいず
れでも行うことができる。特に、本発明においては、従
来の常圧焼成では、緻密化阻害のため回避されていた大
気等の酸素含有ガス雰囲気中での焼成ができる。従来法
の殆どの常圧焼成で採用されている真空や還元ガス雰囲
気下で焼成する場合は、焼成炉を密閉式構造としなけれ
ばならないため設備費が嵩むことや、また、バッチ式焼
成を余儀無くされた等の問題もあったが、本発明では条
件に応じ焼成雰囲気を適宜選択し、連続的操作もするこ
とができ、工業上有益である。
程で得られた成形密度０．８ｇ／ｃｍ3 以上、２．０ｇ
／ｃｍ3 未満の成形体を、１５００〜１８００℃で、得
られる焼成体の相対密度が９５％以上になるまで、通
常、１〜２４時間、常圧で焼成する。相対密度が９５％
未満であると、焼成体に開気孔が形成存在し、後のＨＩ
Ｐ処理工程での高密度化が達成されず、高透光性が得ら
れない。焼成雰囲気は、特に制限されるものでなく、大
気、酸素ガス等酸素含有ガス、水素ガス等の還元ガス、
アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスまたは真空中のいず
れでも行うことができる。特に、本発明においては、従
来の常圧焼成では、緻密化阻害のため回避されていた大
気等の酸素含有ガス雰囲気中での焼成ができる。従来法
の殆どの常圧焼成で採用されている真空や還元ガス雰囲
気下で焼成する場合は、焼成炉を密閉式構造としなけれ
ばならないため設備費が嵩むことや、また、バッチ式焼
成を余儀無くされた等の問題もあったが、本発明では条
件に応じ焼成雰囲気を適宜選択し、連続的操作もするこ
とができ、工業上有益である。
【０００９】本発明のＨＩＰ処理工程は、公知のＨＩＰ
処理を適宜適用することができる。例えば、アルゴン、
ヘリウム、窒素ガス等の不活性ガスを用い、焼成工程か
らの焼成体を、例えば、２００〜５００ｋｇ／ｃｍ2 の
圧力、１３００〜１８００℃で、０．５〜１０時間処理
して、透光性スピネル焼結体を得ることができる。
処理を適宜適用することができる。例えば、アルゴン、
ヘリウム、窒素ガス等の不活性ガスを用い、焼成工程か
らの焼成体を、例えば、２００〜５００ｋｇ／ｃｍ2 の
圧力、１３００〜１８００℃で、０．５〜１０時間処理
して、透光性スピネル焼結体を得ることができる。
【００１０】本発明は、純度９９％以上、比表面積（Ｂ
ＥＴ値）２０ｍ2 ／ｇ以上の原料スピネル粉末を、上記
成形工程、焼成工程、ＨＩＰ処理工程からなる一連の工
程で処理することにより、光直線透過率が約８０％以上
の高透光性のスピネル焼結体を得ることができる。
ＥＴ値）２０ｍ2 ／ｇ以上の原料スピネル粉末を、上記
成形工程、焼成工程、ＨＩＰ処理工程からなる一連の工
程で処理することにより、光直線透過率が約８０％以上
の高透光性のスピネル焼結体を得ることができる。
【００１１】
【実施例】本発明について実施例に基づき、更に詳細に
説明する。但し、本発明は、下記の実施例に制限される
ものでない。 実施例１ 比表面積（ＢＥＴ値）２９ｍ2 ／ｇの微細スピネル粉末
を、平板形状の金型を用い１００ｋｇ／ｃｍ2 で金型成
形した後、更に冷間静圧（ＣＩＰ）処理して、成形密度
１．５ｇ／ｃｍ3 の厚さ３ｍｍの平板成形体を得た。次
いで、得られた成形体を、スピネル粉末を充填したスピ
ネル詰粉内に埋め込み、大気中、１６５０℃で６時間焼
成した。得られた焼成体の密度は、３．４７ｇ／ｃｍ3
であって、相対密度９７％であった。上記の焼成体を、
アルゴンガスの１ｔ／ｃｍ2 圧で、３時間ＨＩＰ処理
し、透光性スピネル焼結体を得た。得られた焼結体の光
直線透過率を、通常の方法で測定したところ、透過率８
０％であった。上記の結果を表１に示した。
説明する。但し、本発明は、下記の実施例に制限される
ものでない。 実施例１ 比表面積（ＢＥＴ値）２９ｍ2 ／ｇの微細スピネル粉末
を、平板形状の金型を用い１００ｋｇ／ｃｍ2 で金型成
形した後、更に冷間静圧（ＣＩＰ）処理して、成形密度
１．５ｇ／ｃｍ3 の厚さ３ｍｍの平板成形体を得た。次
いで、得られた成形体を、スピネル粉末を充填したスピ
ネル詰粉内に埋め込み、大気中、１６５０℃で６時間焼
成した。得られた焼成体の密度は、３．４７ｇ／ｃｍ3
であって、相対密度９７％であった。上記の焼成体を、
アルゴンガスの１ｔ／ｃｍ2 圧で、３時間ＨＩＰ処理
し、透光性スピネル焼結体を得た。得られた焼結体の光
直線透過率を、通常の方法で測定したところ、透過率８
０％であった。上記の結果を表１に示した。
【００１２】実施例２〜６ 金型成形とＣＩＰ処理の圧力を変化させて、表１に示し
たような成形密度の成形体を得て、表１に示した焼成雰
囲気とした以外は、実施例１と同様にして透光性スピネ
ル焼結体を得た。得られた各焼結体の光直線透過率を、
実施例１と同様に測定し、その結果を表１に示した。
たような成形密度の成形体を得て、表１に示した焼成雰
囲気とした以外は、実施例１と同様にして透光性スピネ
ル焼結体を得た。得られた各焼結体の光直線透過率を、
実施例１と同様に測定し、その結果を表１に示した。
【００１３】
【表１】
【００１４】比較例１〜４ 金型成形とＣＩＰ処理の圧力を変化させて、表２に示し
たような成形密度の成形体を得て、表２に示した焼成雰
囲気とした以外は、実施例１と同様にして透光性スピネ
ル焼結体を得た。得られた各焼結体の光直線透過率を、
実施例１と同様に測定し、その結果を表２に示した。
たような成形密度の成形体を得て、表２に示した焼成雰
囲気とした以外は、実施例１と同様にして透光性スピネ
ル焼結体を得た。得られた各焼結体の光直線透過率を、
実施例１と同様に測定し、その結果を表２に示した。
【００１５】
【表２】
【００１６】比較例５ 比表面積（ＢＥＴ値）１７ｍ2 ／ｇの微細スピネル粉末
を、実施例１と同様に金型成形した後、更にＣＩＰ処理
して、成形密度１．８ｇ／ｃｍ3 の厚さ３ｍｍの平板成
形体を得た。得られた成形体を、実施例１と同様にして
密度３．４７ｇ／ｃｍ3 、相対密度９７％の焼成体を得
た。得られた焼成体を、実施例１と同様に処理して透光
性スピネル焼結体を得た。得られた焼結体の光直線透過
率は、透過率４０％であった。上記の結果を表２に示し
た。
を、実施例１と同様に金型成形した後、更にＣＩＰ処理
して、成形密度１．８ｇ／ｃｍ3 の厚さ３ｍｍの平板成
形体を得た。得られた成形体を、実施例１と同様にして
密度３．４７ｇ／ｃｍ3 、相対密度９７％の焼成体を得
た。得られた焼成体を、実施例１と同様に処理して透光
性スピネル焼結体を得た。得られた焼結体の光直線透過
率は、透過率４０％であった。上記の結果を表２に示し
た。
【００１７】実施例６〜８ 金型成形とＣＩＰ処理の圧力を変化させて、表２に示し
たような成形密度の成形体を得て、表２に示した焼成雰
囲気とした以外は、比較例５と同様にして透光性スピネ
ル焼結体を得た。得られた各焼結体の光直線透過率を、
実施例１と同様に測定し、その結果を表２に示した。
たような成形密度の成形体を得て、表２に示した焼成雰
囲気とした以外は、比較例５と同様にして透光性スピネ
ル焼結体を得た。得られた各焼結体の光直線透過率を、
実施例１と同様に測定し、その結果を表２に示した。
【００１８】上記の実施例及び比較例より明らかなよう
に、成形密度が０．８ｇ／ｃｍ2 未満の成形体では、焼
成して得られる焼成体の相対密度が９５％に至らず、一
部に亀裂が発生し、ＨＩＰ処理することができない。一
方、成形密度が２．０ｇ／ｃｍ2 以上の成形体では、焼
成して得られる焼成体の相対密度は９５％以上となる
が、ＨＩＰ処理して得られた焼結体の光直線透過率が低
くなることが分かる。また、これらの透過率の低い焼結
体の微細組織構造を、光学顕微鏡により観察した結果、
成形時に発生したラミネーションやクラックが焼結体中
に残存していることが、透光性悪化の原因であることが
分かった。また、比表面積が２０ｍ2 ／ｇより小さい粗
いスピネル粉末を使用した場合は、成形密度を２．０ｇ
／ｃｍ2 より小さく成形しても焼成体中に白濁を生じ透
光性が悪化する。
に、成形密度が０．８ｇ／ｃｍ2 未満の成形体では、焼
成して得られる焼成体の相対密度が９５％に至らず、一
部に亀裂が発生し、ＨＩＰ処理することができない。一
方、成形密度が２．０ｇ／ｃｍ2 以上の成形体では、焼
成して得られる焼成体の相対密度は９５％以上となる
が、ＨＩＰ処理して得られた焼結体の光直線透過率が低
くなることが分かる。また、これらの透過率の低い焼結
体の微細組織構造を、光学顕微鏡により観察した結果、
成形時に発生したラミネーションやクラックが焼結体中
に残存していることが、透光性悪化の原因であることが
分かった。また、比表面積が２０ｍ2 ／ｇより小さい粗
いスピネル粉末を使用した場合は、成形密度を２．０ｇ
／ｃｍ2 より小さく成形しても焼成体中に白濁を生じ透
光性が悪化する。
【００１９】
【発明の効果】本発明は、高純度、高比表面積のスピネ
ル微細粉末を用い、成形密度を２．０ｇ／ｃｍ2 未満と
することにより、成形時に生じ易い欠陥を発生させるこ
となく、透過率の高い高透光性のスピネル焼結体を得る
ことができる。また、成形体の焼成処理の雰囲気が特に
制限されず、大気中でも焼成体に欠陥を導入することが
なく、簡便な焼成炉で焼成が可能であるため、連続的操
作もできる。
ル微細粉末を用い、成形密度を２．０ｇ／ｃｍ2 未満と
することにより、成形時に生じ易い欠陥を発生させるこ
となく、透過率の高い高透光性のスピネル焼結体を得る
ことができる。また、成形体の焼成処理の雰囲気が特に
制限されず、大気中でも焼成体に欠陥を導入することが
なく、簡便な焼成炉で焼成が可能であるため、連続的操
作もできる。
Claims (1)
- 【請求項１】 純度９９％以上、比表面積（ＢＥＴ値）
２０ｍ2 ／ｇ以上のスピネル粉末を、成形密度０．８ｇ
／ｃｍ3 以上、２．０ｇ／ｃｍ3 未満の成形体に成形す
る成形工程、該成形体を温度１５００〜１８００℃で焼
成して相対密度９５％以上の焼成体とする焼成工程、及
び、該焼成体をＨＩＰ処理して透光性スピネル焼結体と
するＨＩＰ処理工程からなることを特徴とする透光性ス
ピネル焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4352372A JPH06172024A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 透光性スピネル焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4352372A JPH06172024A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 透光性スピネル焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06172024A true JPH06172024A (ja) | 1994-06-21 |
Family
ID=18423619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4352372A Pending JPH06172024A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 透光性スピネル焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06172024A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008081377A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 透光性セラミックス |
| EP2112127A1 (en) * | 2007-01-23 | 2009-10-28 | World Lab. Co., Ltd. | Transparent spinal ceramics, method for production thereof, and optical material using the transparent spinal ceramics |
| JP2017526609A (ja) * | 2014-07-01 | 2017-09-14 | コーニング インコーポレイテッド | 透明スピネル物品及びそれを作製するためのテープ成形方法 |
-
1992
- 1992-12-11 JP JP4352372A patent/JPH06172024A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008081377A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 透光性セラミックス |
| EP2112127A1 (en) * | 2007-01-23 | 2009-10-28 | World Lab. Co., Ltd. | Transparent spinal ceramics, method for production thereof, and optical material using the transparent spinal ceramics |
| EP2112127A4 (en) * | 2007-01-23 | 2011-03-09 | World Lab Co Ltd | TRANSPARENT SPINELL CERAMICS, MANUFACTURING METHOD AND OPTICAL MATERIAL USING THE TRANSPARENT SPINELL CERAMICS |
| JP2017526609A (ja) * | 2014-07-01 | 2017-09-14 | コーニング インコーポレイテッド | 透明スピネル物品及びそれを作製するためのテープ成形方法 |
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