JPH06171904A - 水素ガス精製装置 - Google Patents
水素ガス精製装置Info
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- JPH06171904A JPH06171904A JP33294792A JP33294792A JPH06171904A JP H06171904 A JPH06171904 A JP H06171904A JP 33294792 A JP33294792 A JP 33294792A JP 33294792 A JP33294792 A JP 33294792A JP H06171904 A JPH06171904 A JP H06171904A
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- hydrogen
- gas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製造プロセスなどに使用される精製水
素ガスで、各不純物含有量が１ｐｐｂ以下、更には０．
１ｐｐｂ以下のような超高純度の精製水素ガスを得る。 【構成】 パラジウム合金水素透過膜を用いた水素ガス
精製装置の二次側で、高温の精製水素ガスと接する部分
の表面にクロムの皮膜を形成せしめる。
素ガスで、各不純物含有量が１ｐｐｂ以下、更には０．
１ｐｐｂ以下のような超高純度の精製水素ガスを得る。 【構成】 パラジウム合金水素透過膜を用いた水素ガス
精製装置の二次側で、高温の精製水素ガスと接する部分
の表面にクロムの皮膜を形成せしめる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパラジウム合金膜の水素
透過膜を用いた水素ガス精製装置に関し、さらに詳細に
は、パラジウム合金膜を透過した高温の精製水素ガスと
接触する部分に不純物の脱着を防止するための表面皮膜
が形成された水素ガス精製装置に関する。水素ガスは近
年目覚ましく発展しつつある半導体製造工業で、各種工
程中の雰囲気ガスとして盛んに用いられている。そして
半導体の集積度の向上とともに水素ガスの純度向上への
要求は益々強くなっている。このため、水素ガス中にｐ
ｐｍオーダーで存在する窒素、炭化水素、一酸化炭素、
二酸化炭素、酸素、および水分などの不純物を除去して
ｐｐｂオーダーまたはそれ以下のようなレベルの高純度
に精製することが望まれている。
透過膜を用いた水素ガス精製装置に関し、さらに詳細に
は、パラジウム合金膜を透過した高温の精製水素ガスと
接触する部分に不純物の脱着を防止するための表面皮膜
が形成された水素ガス精製装置に関する。水素ガスは近
年目覚ましく発展しつつある半導体製造工業で、各種工
程中の雰囲気ガスとして盛んに用いられている。そして
半導体の集積度の向上とともに水素ガスの純度向上への
要求は益々強くなっている。このため、水素ガス中にｐ
ｐｍオーダーで存在する窒素、炭化水素、一酸化炭素、
二酸化炭素、酸素、および水分などの不純物を除去して
ｐｐｂオーダーまたはそれ以下のようなレベルの高純度
に精製することが望まれている。
【０００２】
【従来の技術】水素ガスの精製方法としては、加熱下で
のパラジウム合金膜の水素選択透過性を利用した精製方
法、金属触媒による化学反応と吸着材による物理吸着性
とを組み合わせて常温で精製する常温吸着精製方法、液
体窒素を冷熱源として極低温下に設置した吸着材の物理
吸着性を利用した深冷吸着型精製方法などが知られてい
る。
のパラジウム合金膜の水素選択透過性を利用した精製方
法、金属触媒による化学反応と吸着材による物理吸着性
とを組み合わせて常温で精製する常温吸着精製方法、液
体窒素を冷熱源として極低温下に設置した吸着材の物理
吸着性を利用した深冷吸着型精製方法などが知られてい
る。
【０００３】これらのうちでもパラジウムまたはパラジ
ウムと銀、金などからなるパラジウム合金は水素ガスの
みを選択的に透過することから、この特性を利用して高
純度水素ガスを得るための水素ガス精製装置が改めて注
目され、多用されている。この水素ガス精製装置は例え
ば、パラジウム合金水素透過器本体、冷却管、接続配
管、バルブおよび継手などから構成されている。水素透
過器には種々の形態のものが知られているが、最近では
一端が封じられ、内部にコイルスプリングが挿入された
複数本のパラジウム合金細管が開口端で管板に固定され
されて、筒状の容器内に収納され、このパラジウム合金
および管板によって内部が二つの空間に仕切られ、パラ
ジウム合金細管の外側が一次側、内側が二次側とされた
ものが主流となっている。これらの装置の材質はパラジ
ウム合金細管を除いて、通常は大部分がステンレス鋼に
よって構成されている。
ウムと銀、金などからなるパラジウム合金は水素ガスの
みを選択的に透過することから、この特性を利用して高
純度水素ガスを得るための水素ガス精製装置が改めて注
目され、多用されている。この水素ガス精製装置は例え
ば、パラジウム合金水素透過器本体、冷却管、接続配
管、バルブおよび継手などから構成されている。水素透
過器には種々の形態のものが知られているが、最近では
一端が封じられ、内部にコイルスプリングが挿入された
複数本のパラジウム合金細管が開口端で管板に固定され
されて、筒状の容器内に収納され、このパラジウム合金
および管板によって内部が二つの空間に仕切られ、パラ
ジウム合金細管の外側が一次側、内側が二次側とされた
ものが主流となっている。これらの装置の材質はパラジ
ウム合金細管を除いて、通常は大部分がステンレス鋼に
よって構成されている。
【０００４】水素ガスの精製時には水素透過器を３００
〜５００℃に加熱しながら、原料水素ガスが加圧状態で
一次側に供給され、水素ガスのみがパラジウム合金細管
の外側（一次側）から内側（二次側）へと選択的に透過
され、細管内部に挿入されいてるコイルスプリングの流
路の空隙および透過器の二次側空間、冷却管などを経由
して精製ガスの出口に達する。パラジウム合金細管は十
分に脱ガス処理されたパラジウム合金膜を使用すること
により、不純物ガスの漏れは全く無く、透過時点におけ
る水素ガスの純度は実質的に１００％であるとされてい
る。
〜５００℃に加熱しながら、原料水素ガスが加圧状態で
一次側に供給され、水素ガスのみがパラジウム合金細管
の外側（一次側）から内側（二次側）へと選択的に透過
され、細管内部に挿入されいてるコイルスプリングの流
路の空隙および透過器の二次側空間、冷却管などを経由
して精製ガスの出口に達する。パラジウム合金細管は十
分に脱ガス処理されたパラジウム合金膜を使用すること
により、不純物ガスの漏れは全く無く、透過時点におけ
る水素ガスの純度は実質的に１００％であるとされてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、パラジ
ウム合金膜を透過した時点では極めて高純度の水素ガス
であっても、透過器本体の二次側から冷却管、バルブ、
配管継手などを経由して精製装置の出口に達したときに
は、微量ではあるがこれらの表面に吸着されていたと考
えられる窒素、炭化水素、一酸化炭素、二酸化炭素、酸
素および水分などの不純物が混入するため、特に、最近
の超高純度化の要望に対しては必ずしも十分とはいえな
い面があった。このため、透過器本体、配管、バルブに
は内面が研磨加工されたものを使用したり、装置の使用
に際してこれらを加熱しながら内面をベーキングするこ
とにより、吸着していた不純物を脱着させ、事前に不純
物を系外に追い出すことによって、水分を除く不純物に
ついてはほぼ完全に除去されるようになった。
ウム合金膜を透過した時点では極めて高純度の水素ガス
であっても、透過器本体の二次側から冷却管、バルブ、
配管継手などを経由して精製装置の出口に達したときに
は、微量ではあるがこれらの表面に吸着されていたと考
えられる窒素、炭化水素、一酸化炭素、二酸化炭素、酸
素および水分などの不純物が混入するため、特に、最近
の超高純度化の要望に対しては必ずしも十分とはいえな
い面があった。このため、透過器本体、配管、バルブに
は内面が研磨加工されたものを使用したり、装置の使用
に際してこれらを加熱しながら内面をベーキングするこ
とにより、吸着していた不純物を脱着させ、事前に不純
物を系外に追い出すことによって、水分を除く不純物に
ついてはほぼ完全に除去されるようになった。
【０００６】しかしながら、このような種々な処置を構
じても水分に関しては混入を完全に防止することができ
ず、これらの技術改良が不純物濃度でｐｐｂレベル以下
のような超高純度の精製水素ガスを安定して得るための
重要な課題となっている。
じても水分に関しては混入を完全に防止することができ
ず、これらの技術改良が不純物濃度でｐｐｂレベル以下
のような超高純度の精製水素ガスを安定して得るための
重要な課題となっている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、脱着など
による水分の混入をも確実に防止し、もって極めて高純
度の精製水素ガスを得るべく研究に着手し、他の不純物
に対しては有効であった表面研磨やベーキング処理など
が水分に関しては必ずしも十分な効果が見られない事実
を把握するとともに、この事実に対してさらに鋭意研究
を重ねた結果、パラジウム合金膜を透過した高温の精製
水素ガスと接触する部品の接ガス部の表面をクロム皮膜
形成処理することによって目的を達成しうることを見い
だし、本発明を完成した。
による水分の混入をも確実に防止し、もって極めて高純
度の精製水素ガスを得るべく研究に着手し、他の不純物
に対しては有効であった表面研磨やベーキング処理など
が水分に関しては必ずしも十分な効果が見られない事実
を把握するとともに、この事実に対してさらに鋭意研究
を重ねた結果、パラジウム合金膜を透過した高温の精製
水素ガスと接触する部品の接ガス部の表面をクロム皮膜
形成処理することによって目的を達成しうることを見い
だし、本発明を完成した。
【０００８】すなわち本発明は、加熱下でのパラジウム
合金膜の水素選択透過性を利用した水素ガス精製装置に
おいて、該精製装置のパラジウム合金膜を透過した二次
側であって、少なくとも高温の精製水素ガスが接触する
部品の接ガス部の表面にクロム皮膜が形成せしめられて
なることを特徴とする水素ガス精製装置である。本発明
においてクロム皮膜が形成される部品はパラジウム合金
膜を除き、透過器本体、冷却管、バルブ、接続配管およ
びパラジウム合金細管内に挿入されるスプリングなど高
温で精製水素ガスと接触する部分に使用される金属製の
部品であり、その材質は通常はステンレス鋼が主体で一
部にニッケル鋼などが使用されたものである。
合金膜の水素選択透過性を利用した水素ガス精製装置に
おいて、該精製装置のパラジウム合金膜を透過した二次
側であって、少なくとも高温の精製水素ガスが接触する
部品の接ガス部の表面にクロム皮膜が形成せしめられて
なることを特徴とする水素ガス精製装置である。本発明
においてクロム皮膜が形成される部品はパラジウム合金
膜を除き、透過器本体、冷却管、バルブ、接続配管およ
びパラジウム合金細管内に挿入されるスプリングなど高
温で精製水素ガスと接触する部分に使用される金属製の
部品であり、その材質は通常はステンレス鋼が主体で一
部にニッケル鋼などが使用されたものである。
【０００９】クロム皮膜を形成させる方法には特に制限
はなく、気相法では、例えば真空蒸着を含む蒸着法やＣ
ＶＤ法、液相法では、例えば電気メッキ、溶融メッキな
どが代表的な方法である。これらのうちでも一般的に広
く用いられているハードクロムメッキ処理などが好適で
ある。形成させるクロム皮膜層の厚さとしては、通常は
０．０１μｍ〜１００μｍであり、好ましくは０．１μ
ｍ〜３０μｍである。これよりも薄い場合には条件によ
っては均一な皮膜層の形成が困難となり、充分な効果が
得られず、また、これよりも厚い場合には、メッキ層の
ひび割れや剥離が生じ易く、安定した効果が得難くな
る。
はなく、気相法では、例えば真空蒸着を含む蒸着法やＣ
ＶＤ法、液相法では、例えば電気メッキ、溶融メッキな
どが代表的な方法である。これらのうちでも一般的に広
く用いられているハードクロムメッキ処理などが好適で
ある。形成させるクロム皮膜層の厚さとしては、通常は
０．０１μｍ〜１００μｍであり、好ましくは０．１μ
ｍ〜３０μｍである。これよりも薄い場合には条件によ
っては均一な皮膜層の形成が困難となり、充分な効果が
得られず、また、これよりも厚い場合には、メッキ層の
ひび割れや剥離が生じ易く、安定した効果が得難くな
る。
【００１０】次に本発明を図面により例示し、さらに具
体的に説明する。図１は本発明の希ガスの精製装置のフ
ローシートである。図１において、透過器１は、圧力に
よる変形を防止するためのスプリング２が挿入され、か
つ、一端を封止した複数本の細管状のパラジウム合金膜
３と、これを固着した管板４とにより、原料水素ガス室
５（一次側）と精製水素ガス室（二次側）６とが仕切ら
れた構造になっている。原料水素ガス室５には、原料水
素ガスの入口７と原料水素ガス弁８を有する原料水素ガ
ス配管９と、置換用の窒素ガスの入口１０と窒素ガス弁
１１を有する窒素ガス配管１２と、精製時は不純物が濃
縮された水素ガスを、また置換時は窒素ガスを適量排出
するための排気管であって、排気ガス入口１３と流量調
節弁１４と排気ガス出口１５を有する排気管１６とが接
続されている。精製水素ガス室６には冷却管１７が接続
されており、その下流には精製水素ガス弁１８と精製水
素ガス出口１９を有する精製水素ガス配管２０が接続さ
れている。
体的に説明する。図１は本発明の希ガスの精製装置のフ
ローシートである。図１において、透過器１は、圧力に
よる変形を防止するためのスプリング２が挿入され、か
つ、一端を封止した複数本の細管状のパラジウム合金膜
３と、これを固着した管板４とにより、原料水素ガス室
５（一次側）と精製水素ガス室（二次側）６とが仕切ら
れた構造になっている。原料水素ガス室５には、原料水
素ガスの入口７と原料水素ガス弁８を有する原料水素ガ
ス配管９と、置換用の窒素ガスの入口１０と窒素ガス弁
１１を有する窒素ガス配管１２と、精製時は不純物が濃
縮された水素ガスを、また置換時は窒素ガスを適量排出
するための排気管であって、排気ガス入口１３と流量調
節弁１４と排気ガス出口１５を有する排気管１６とが接
続されている。精製水素ガス室６には冷却管１７が接続
されており、その下流には精製水素ガス弁１８と精製水
素ガス出口１９を有する精製水素ガス配管２０が接続さ
れている。
【００１１】
【図１】
【００１２】ここでパラジウム合金膜を除いて高温の水
素ガスと接触する部品は、スプリング２、管板４、透過
器１の精製水素ガス室６、冷却管１７であり、これらの
接ガス部の表面にはクロムメッキ処理による皮膜が形成
せしめられている。透過器１は温度調節器を介したヒー
ター２１によって３５０〜５００℃に加熱された状態で
原料水素ガスが供給され、パラジウム合金膜を透過した
高温の精製水素ガスは冷却管１７を通過することにより
室温まで冷やされた後に精製ガス出口１９を経由して抜
き出され、半導体製造プロセスなどに供給される。
素ガスと接触する部品は、スプリング２、管板４、透過
器１の精製水素ガス室６、冷却管１７であり、これらの
接ガス部の表面にはクロムメッキ処理による皮膜が形成
せしめられている。透過器１は温度調節器を介したヒー
ター２１によって３５０〜５００℃に加熱された状態で
原料水素ガスが供給され、パラジウム合金膜を透過した
高温の精製水素ガスは冷却管１７を通過することにより
室温まで冷やされた後に精製ガス出口１９を経由して抜
き出され、半導体製造プロセスなどに供給される。
【００１３】
実施例１ 図１で示したと同様の構成の水素ガスの精製装置であっ
て、直径０．２５ｍｍのＳＵＳ３１６Ｌ鋼製の線材をピ
ッチ０．７５ｍｍ、コイル径１．３ｍｍ、長さ２４０ｍ
ｍに成形した後、厚さ３μｍのハードクロムメッキ処理
を施したスプリングを、外径１．６ｍｍ、内径１．４５
ｍｍ、長さ２４５ｍｍで先端を溶封処理した金、銀、パ
ラジウムよりなるパラジウム三元合金細管内に挿入した
もの７８本を製作した。次に、直径４８．６ｍｍ、厚さ
５ｍｍの円盤状で周縁部を除く平板部分に均等に直径
１．６ｍｍの貫通孔を７８個設けたニッケル製の管板に
厚さ５μｍのハードクロムメッキ処理を施したのち、溶
接部となる周縁部と貫通孔の周壁部のメッキ層を削り落
として、前記のパラジウム合金管７８本を貫通孔に挿入
し、それぞれを管板に溶接して固着し、一体化した。
て、直径０．２５ｍｍのＳＵＳ３１６Ｌ鋼製の線材をピ
ッチ０．７５ｍｍ、コイル径１．３ｍｍ、長さ２４０ｍ
ｍに成形した後、厚さ３μｍのハードクロムメッキ処理
を施したスプリングを、外径１．６ｍｍ、内径１．４５
ｍｍ、長さ２４５ｍｍで先端を溶封処理した金、銀、パ
ラジウムよりなるパラジウム三元合金細管内に挿入した
もの７８本を製作した。次に、直径４８．６ｍｍ、厚さ
５ｍｍの円盤状で周縁部を除く平板部分に均等に直径
１．６ｍｍの貫通孔を７８個設けたニッケル製の管板に
厚さ５μｍのハードクロムメッキ処理を施したのち、溶
接部となる周縁部と貫通孔の周壁部のメッキ層を削り落
として、前記のパラジウム合金管７８本を貫通孔に挿入
し、それぞれを管板に溶接して固着し、一体化した。
【００１４】外径４８．６ｍｍのＳＵＳ３１６Ｌ鋼製の
パイプと外径４８．６ｍｍのＳＵＳ３１６Ｌ鋼製のキャ
ップを溶接し、原料水素ガス配管と置換用の窒素ガス配
管と外径４０ｍｍのＳＵＳ３１６Ｌ鋼製のパイプと円板
より製作した排気ガス入口を備えた排気管を溶接して取
り付け、原料水素ガス室（一次側）とした。一方、内面
に厚さ２μｍのハードクロムメッキを施した外径１２．
７ｍｍで長さが１ｍのＳＵＳ３１６Ｌ鋼製のパイプ４本
と、内面に厚さ３μｍのハードクロムメッキ処理した外
径１２．７ｍｍのＳＵＳ３１６Ｌ鋼製溶接用エルボ継手
８個を溶接して製作した冷却管と、内面に厚さ３μｍの
ハードクロムメッキを施した外径４８．６ｍｍのＳＵＳ
３１６Ｌ鋼製キャップとを溶接することにより精製水素
ガス室（二次側）を製作した。引続き、パラジウム合金
管と一体となった管板と原料水素ガス室と精製水素ガス
室とを溶接して一体とし透過器を得た。透過器の外部に
は加熱用のヒーターを取り付けて水素ガス精製装置を完
成した。
パイプと外径４８．６ｍｍのＳＵＳ３１６Ｌ鋼製のキャ
ップを溶接し、原料水素ガス配管と置換用の窒素ガス配
管と外径４０ｍｍのＳＵＳ３１６Ｌ鋼製のパイプと円板
より製作した排気ガス入口を備えた排気管を溶接して取
り付け、原料水素ガス室（一次側）とした。一方、内面
に厚さ２μｍのハードクロムメッキを施した外径１２．
７ｍｍで長さが１ｍのＳＵＳ３１６Ｌ鋼製のパイプ４本
と、内面に厚さ３μｍのハードクロムメッキ処理した外
径１２．７ｍｍのＳＵＳ３１６Ｌ鋼製溶接用エルボ継手
８個を溶接して製作した冷却管と、内面に厚さ３μｍの
ハードクロムメッキを施した外径４８．６ｍｍのＳＵＳ
３１６Ｌ鋼製キャップとを溶接することにより精製水素
ガス室（二次側）を製作した。引続き、パラジウム合金
管と一体となった管板と原料水素ガス室と精製水素ガス
室とを溶接して一体とし透過器を得た。透過器の外部に
は加熱用のヒーターを取り付けて水素ガス精製装置を完
成した。
【００１５】水素ガスの精製は次のようにしておこなっ
た。通常の立ち上げ操作により、透過器の温度を４２０
℃、原料水素ガスのゲージ圧力６ｋｇｆ／ｃｍ2 とし
て、ゲージ圧力２ｋｇｆ／ｃｍ2 の精製水素ガスを８Ｎ
Ｌ／ｍｉｎで取り出しながら、１００℃以下の部分の精
製ガス配管および冷却管にヒーターを巻き付けて１００
℃で５時間のベーキング処理をおこなった後、そのまま
水素ガスを流しながら精製を開始した。精製ガスの一部
を１ＮＬ／ｍｉｎの流量で大気圧イオン化質量分析計
（日立東京エレクトロニクス社製）に導入して水分量を
測定した結果、５時間の連続測定時間中を通じて水分は
０．１ｐｐｂ以下であった。また、その他の各不純物に
ついてもいずれも０．１ｐｐｂ以下であった。
た。通常の立ち上げ操作により、透過器の温度を４２０
℃、原料水素ガスのゲージ圧力６ｋｇｆ／ｃｍ2 とし
て、ゲージ圧力２ｋｇｆ／ｃｍ2 の精製水素ガスを８Ｎ
Ｌ／ｍｉｎで取り出しながら、１００℃以下の部分の精
製ガス配管および冷却管にヒーターを巻き付けて１００
℃で５時間のベーキング処理をおこなった後、そのまま
水素ガスを流しながら精製を開始した。精製ガスの一部
を１ＮＬ／ｍｉｎの流量で大気圧イオン化質量分析計
（日立東京エレクトロニクス社製）に導入して水分量を
測定した結果、５時間の連続測定時間中を通じて水分は
０．１ｐｐｂ以下であった。また、その他の各不純物に
ついてもいずれも０．１ｐｐｂ以下であった。
【００１６】比較例１ スプリング、管板、精製水素ガス室、冷却管にクロムメ
ッキを施さなかった装置を用いた他は、実施例１と同様
にしてテストした結果、他の各不純物はいずれも０．１
ｐｐｂ以下であったが、水分のみは５時間の連続測定時
間中を通じて常に７ｐｐｂ以上であった。
ッキを施さなかった装置を用いた他は、実施例１と同様
にしてテストした結果、他の各不純物はいずれも０．１
ｐｐｂ以下であったが、水分のみは５時間の連続測定時
間中を通じて常に７ｐｐｂ以上であった。
【００１７】
【発明の効果】本発明によって、高温の精製水素ガスと
パラジウム合金膜以降の配管材料との接触により発生す
る数ｐｐｂの水分が精製ガス中へ混入するという従来技
術の欠点が防止され、水分など全ての不純物濃度が１ｐ
ｐｂ以下、更には０．１ｐｐｂ以下のような超高純度精
製水素ガスを確実に得ることが可能となった。
パラジウム合金膜以降の配管材料との接触により発生す
る数ｐｐｂの水分が精製ガス中へ混入するという従来技
術の欠点が防止され、水分など全ての不純物濃度が１ｐ
ｐｂ以下、更には０．１ｐｐｂ以下のような超高純度精
製水素ガスを確実に得ることが可能となった。
【００１８】
【図１】水素ガスの精製装置のフローシート。
１ 透過器 ２ スプリング ３ パラジウム合金膜 ４ 管板 ５ 原料水素ガス室 ６ 精製水素ガス室 ７ 原料水素ガス入口 ８ 原料水素ガス弁 ９ 原料水素ガス配管 １０ 置換用窒素ガス入口 １１ 窒素ガス弁 １２ 窒素ガス配管 １３ 排気ガス入口 １４ 流量調節弁 １５ 排気ガス出口 １６ 排気管 １７ 冷却管 １８ 精製水素ガス弁 １９ 精製水素ガス出口 ２０ 精製水素ガス配管 ２１ ヒーター
Claims (3)
- 【請求項１】加熱下でのパラジウム合金膜の水素選択透
過性を利用した水素ガス精製装置において、該精製装置
のパラジウム合金膜を透過した二次側であって、少なく
とも高温の精製水素ガスが接触する部品の接ガス部の表
面にクロム皮膜が形成せしめられてなることを特徴とす
る水素ガス精製装置。 - 【請求項２】接ガス部の表面に形成されるクロム皮膜の
厚さが０．０１μｍ〜１００μｍである請求項１に記載
の精製装置。 - 【請求項３】接ガス部の表面にクロム皮膜が形成される
部品が透過器本体の少なくとも二次側室、パラジウム合
金細管中のスプリング、冷却管、接続配管、配管継手で
ある請求項１に記載の精製装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33294792A JP3273641B2 (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 水素ガス精製装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33294792A JP3273641B2 (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 水素ガス精製装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06171904A true JPH06171904A (ja) | 1994-06-21 |
| JP3273641B2 JP3273641B2 (ja) | 2002-04-08 |
Family
ID=18260594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33294792A Expired - Fee Related JP3273641B2 (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 水素ガス精製装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3273641B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002308605A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-23 | Japan Pionics Co Ltd | 水素ガスの精製方法 |
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