JPH06167322A

JPH06167322A - 立体電極外観検査装置

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Publication number: JPH06167322A
Application number: JP3701593A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Tsukahara; 博之塚原; Takashi Fuse; 貴史布施; Yoshiaki Goto; 善朗後藤; Yoji Nishiyama; 陽二西山; Fumiyuki Takahashi; 文之高橋; Moritoshi Ando; 護俊安藤; Yoshitaka Oshima; 美隆大嶋
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1992-09-29
Filing date: 1993-02-25
Publication date: 1994-06-14
Anticipated expiration: 2016-03-12
Also published as: JP3144661B2

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は基板上に形成されたバンプ電極の形
状を検査する立体電極外観検査装置に関し、バンプ電極
の高さ、寸法、表面光沢を自動的かつ高速に高精度で検
査することを目的とする。【構成】バンプ電極１２が形成されたＬＳＩチップ１
１上に、ポリゴンミラー４５等によってライン状のレー
ザ光を照射し、その反射光をＰＳＤ５０により受光す
る。そして、高さ検査手段５１において、バンプ高さを
算出し、位置補正を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、基板上に形成されたバ
ンプ電極の形状を検査する立体電極外観検査装置に関す
る。

【０００２】近年、ＬＳＩの大規模化により、チップの
Ｉ／Ｏ（入出力）数が増加すると共に、実装密度が増加
しており、Ｉ／Ｏ手段としてチップ面上にバンプ電極を
複数形成し、フリップチップにより接続することが行わ
れている。そのため、多数形成されるバンプ電極の欠陥
検査を自動的かつ短時間で行うことが望まれている。

【０００３】

【従来の技術】図１８に、検査対象を説明するための図
を示す。図１８（Ａ）は、ＬＳＩチップ１１の表面に
形成されたパッド（図示せず）上にバンプ電極１２がそ
れぞれ形成されたものである。ここでは、ＬＳＩチップ
１１の全面に形成されたバンプ電極１２の総てをエリア
バンプと称する。例えば、ＬＳＩチップ１１の一辺が１
０ｍｍ以上で、バンプ電極１２の径が１００μｍ、数は
ＬＳＩチップ１１上で数千個形成される。

【０００４】また、図１８（Ｂ）は、図１８（Ａ）のＬ
ＳＩチップ１１のエリアバンプが一枚の配線基板１３上
に複数フェイスダウンでボンディングされたものであ
る。図１８（Ｂ）に示すように、一枚の配線基板１３に
複数のＬＳＩチップ１１を実装する方式は、マルチチッ
プモジュールといわれ、高性能計算機等に用いられてい
るものである。

【０００５】そこで、図１９に、バンプ欠陥を説明する
ための図を示す。図１９（Ａ）は、形状が大き過ぎる欠
陥バンプ１２ａと、小さ過ぎる欠陥バンプ１２ｂを示し
ている。

【０００６】これは、バンプ電極１２の形状寸法が異な
ると、配線基板１３にボンディングするときに、接合さ
れないバンプ電極１２が発生することになる。

【０００７】図１９（Ｂ）は、バンプ電極１２を形成す
る際のウェットバック工程（加熱して球状にする工程）
で隣同士が繋がったもので、ショートと呼ばれる欠陥バ
ンプ１２ｃを示したものである。

【０００８】また、図１９（Ｃ）は、バンプ電極１２の
表面が酸化した欠陥バンプ１２ｄを示したものである。
これは、ソルダバンプに発生し易く、酸化することによ
ってその部分で基板１３と接合できなくなるものであ
る。

【０００９】従って、上述のような欠陥バンプ１２ａ〜
１２ｄを除去する必要があり、そのためにはバンプ電極
１２の高さ、寸法、表面光沢を計測しなければならな
い。

【００１０】そこで、図２０に、従来のバンプ高さ計測
装置の構成図を示す。図２０におけるバンプ高さ計測装
置２１は、２軸ステージ２２上にバンプ電極１２ａが形
成されたＬＳＩチップ１１が載置される。

【００１１】ＬＤ（レーザーダイオード）２３から発す
るレーザー光をバンプ電極１２に当て、その反射光を結
像レンズ２４で、検出器２５に集光する。検出器２５の
出力に基づいて、高さ演算回路２６で高さを求め、情報
処理装置２７に蓄えられる。１点分の高さを計測する
と、情報処理装置２７は、ステージコントローラ２８を
介して、２軸ステージ２２（主走査ステージ２２ａ、副
走査ステージ２２ｂ）を移動し、更に、高さを計測す
る。

【００１２】これらを繰り返し、全バンプ電極１２の高
さを計測して、情報処理装置２７で表示等の結果出力が
行われるものである。この方式は、一度に１点（１バン
プには、数点以上必要）しか計測できないために、２軸
ステージ２３で、全面移動（主走査、副走査）するもの
で、１バンプ当たりの高さ計測時間は、数分必要であ
る。

【００１３】なお、高さ演算回路２６における高さ計算
は、一般に用いられている三角測量の原理に基づいて行
われる。すなわち、検出器２５の受光した長さの信号
Ａ，Ｂにより、後続レンズ２４の倍率、レーザ光の照射
角度より、高さが、高さ演算回路２６により求められる
ものである。

【００１４】また、別の方法として、図示しないが、顕
微鏡のオートフォーカスを用いて、合焦した時点の顕微
鏡の対物レンズの位置により高さを計測するものがあ
る。

【００１５】次に、図２１に、従来のバンプ寸法計測装
置の構成図を示す。図２１のバンプ寸法計測装置３１
は、２軸ステージ２２上に載置したＬＳＩチップ１１の
バンプ電極１２に、ハロゲンランプ等の光源３２からの
照明光を、ハーフミラー３３、結像レンズ３４を介して
真下に照明する同軸落射照明を行うものである。そし
て、バンプ電極１２をＣＣＤ（電荷結合素子）カメラ３
５に撮像し、撮像画像よりバンプ寸法を計測するもので
ある。この場合、２軸ステージ２２によりＸＹ移動させ
て全バンプ電極１２をＣＣＤカメラ３５の視野ごとに撮
像していくものである。

【００１６】また、バンプ電極１２の表面光沢の計測
は、自動的に行うものではなく、専ら作業者の目視によ
って行われている。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図２０による
高さ計測は、バンプ電極１２の一個当りに要する時間が
数秒であることから、一つのＬＳＩチップ１１上に２０
００個のバンプ電極１２が形成されている場合には１時
間以上要することとなり、製造工程において使用するこ
とができないという問題がある。

【００１８】また、顕微鏡のオートフォーカスによる場
合も、バンプ電極１２の一個当りの計測時間が数秒を要
するという問題がある。

【００１９】さらに、反射光による高さ計測が外光の影
響を受け易いという問題もある。

【００２０】一方、図２１による寸法計測では、バンプ
電極１２を一つごとではないが、ＣＣＤカメラ３５の視
野ごとにステージ移動して撮像することから、計測に長
時間を要するという問題がある。

【００２１】また、表面光沢の計測は、作業者の目視に
より行うことから、個人差により計測結果にバラツキを
生じるという問題がある。

【００２２】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、バンプ電極の高さ、寸法、表面光沢を自動的か
つ高速に高精度で検査する立体電極外観検査装置を提供
することを目的とする。

【００２３】

【課題を解決するための手段】上記課題は、基板上に形
成された二次元配列のバンプ電極に光を照射し、その反
射光を受光して該バンプ電極の外観を検査する立体電極
外観検査装置において、バンプ高さの検査にあっては、
光源より出射された光を、前記基板に対して走査する光
走査手段と、該走査光による該基板における前記バンプ
電極からの反射光を受光する検知手段と、該検知手段か
らの検知信号により該バンプ電極の高さを算出すると共
に、前記光走査手段による照射タイミングより位置補正
してバンプ高さの検査を行う高さ検査手段と、を有する
構成とすることにより解決される。

【００２４】また、前記高さ検査手段は、前記検知手段
からの検知信号より前記バンプ電極の明るさを算出する
明るさ演算回路と、該明るさ演算回路からの明るさデー
タより該バンプ電極の頂点付近を限定するマスク処理部
とを備え、前記バンプ高さ検査回路において、該マスク
処理部からの頂点付近の明るさデータと、前記高さデー
タメモリからの高さデータとにより、該バンプ電極の頂
点付近の高さデータを得てバンプ高さの検査を行うこと
により解決される。

【００２５】さらに、高さ計測にあたって、基板上に形
成された二次元配列のバンプ電極に光を照射し、その反
射光を受光して該バンプ電極の外観を検査する立体電極
外観検査装置において、所定のビーム径及び波長の光を
照射する第１の光源と、該第１の光源からの光とビーム
径及び波長の異なる光を照射する第２の光源と、該第１
及び第２の光源からの２種類の光を、前記基板に対して
一方向状に走査して照射する光走査手段と、該走査光に
よる該基板における前記バンプ電極からの反射光を、該
第１及び第２の光源からの光に応じて受光する検知手段
と、該検知手段からの２種類の検知信号から求めた複数
の高さデータより、該バンプ電極の高さを計測して検査
する高さ検査手段とで構成することにより解決される。

【００２６】一方、寸法、表面光沢の検査にあっては、
前記基板上の二次元配列の前記バンプ電極に対して同軸
落射照明を行う第１の照明手段と、該バンプ電極に対し
てドーム状照明を行う第２の照明手段と、該第１及び第
２の照明手段による照明下で、該バンプ電極をそれぞれ
個別に撮像する撮像手段と、該撮像手段を、前記基板上
で撮像範囲ごとに移動させる移動手段と、前記第１の照
明手段による撮像データに基づいて該バンプ電極の寸法
を検査し、前記第２の照明手段による撮像データに基づ
いて該バンプ電極部分の明るさの階調値より表面光沢を
検査する寸法・光沢検査手段と、を有する構成とするこ
とにより解決される。

【００２７】

【作用】上記のように、バンプ高さの検査にあたって
は、光走査手段によりスポット光で基板全面を光走査す
ることにより、バンプを含む基板上の全面の高さデータ
を入力し、バンプ電極頂点の高さと基板面との高さとか
らバンプ高さを算出するとともに、光走査手段による照
射タイミングより位置補正してバンプの高さの検査を行
う。

【００２８】すなわち、光走査手段によるスポット光が
バンプ頂点付近に照射されたときのバンプ頂点の高さ
と、基板の高さとの差よりバンプ電極の高さの検査を行
なうものである。

【００２９】したがって、光走査により基板全面の高さ
を入力して、バンプ電極の検査を行なうことから、高精
度かつ高速に高さ検査を行なうことが可能となる。

【００３０】また、高さ検査手段で、明るさデータを求
め、この明るさデータから高さデータにおけるバンプ電
極の頂点部分を限定することにより、外光の影響を防止
してより高精度にバンプ高さを計測することが可能とな
る。

【００３１】さらに、基板上に照明する光をビーム径、
波長の異なる複数のものとし、一の光で基板の高さを検
出し、他の光でバンプ電極の高さを検出して、基板の高
さを除いた真のバンプ電極の高さを計測することによ
り、より高精度にバンプ高さを計測することが可能とな
る。

【００３２】一方、バンプ電極の寸法、表面光沢の検査
にあっては第１の照明手段の同軸落射照明でバンプ電極
の寸法を検査し、第２の照明手段のドーム状照明によっ
てバンプ電極部分の明るさの階調値より表面光沢を検査
する。

【００３３】すなわち、寸法検査と表面光沢検査を同一
装置で行い、しかも表面光沢検査の自動化が図られるこ
とから、バンプ電極の寸法、表面光沢を自動的かつ高速
に検査することが可能になるものである。

【００３４】

【実施例】図１に、本発明の第１実施例の構成図を示
す。図１は、立体電極外観検査装置としてのバンプ外観
検査装置４１の高さ検知系を示したものである。なお、
検査対象については図１８と同一の符号を付す。

【００３５】図１において、バンプ電極１２が二次元配
列で形成された基板であるＬＳＩチップ１１が１軸ステ
ージ４２上に載置され、矢印方向に移動される。

【００３６】ＬＳＩチップ１１の上方には、光源として
半導体レーザ光源４３が配設され、半導体レーザ光源４
３から出射されたレーザ光がコリメータレンズ４４を介
してポリゴンミラー４５に入射する。ポリゴンミラー４
５が回転することによりｆ・θレンズ４６には振られた
レーザ光が入射し、光路変更ミラー４７によりＬＳＩチ
ップ１１上に、レーザ走査光が照射される。なお、４８
はホトダイオードであり、ポリゴンミラー４５のポリゴ
ン面を検出するものである。これらポリゴンミラー４
５、ｆ・θレンズ４６、光路変更ミラー４７及びホトダ
イオード４８により光走査手段を構成する。

【００３７】一方、光路変更ミラー４７によりＬＳＩチ
ップ１１上照射されたレーザ走査光の正反射位置に対向
して結像レンズ４９が配置され、その光路上に光検出器
としてＰＳＤ（Position Sensitiue Detector)５０が配
置される。この結像レンズ４９及びＰＳＤ５０により検
知手段を構成する。また、ＰＳＤ５０からの検知信号は
高さ検査手段５１に送出される。

【００３８】高さ検査手段５１は、ＰＳＤ５０の検知信
号よりバンプ電極の高さを算出すると共に、ポリゴンミ
ラー４５による照射タイミングより位置補正を行うもの
である（図２において詳述する）。

【００３９】ところで、主走査を光走査とし、副走査を
１軸ステージ４２の１軸移動とした場合、副走査の１ピ
ッチは主走査ライン分の時間であることから低速でもよ
いが、主走査は高速に行われなければならない。また、
ＰＳＤ５０の電極長さＬは、光走査幅Ｗに結像レンズ４
９の倍率Ｍを乗じた以上となるように設定される（Ｌ≧
Ｍ・Ｗ）。

【００４０】ここで、図２に図１の処理を説明するため
のブロック図を示し、図３に、図１の高さ検査の原理を
説明するための図を示す。なお、図２は高さ検査手段５
１の処理ブロック図である。

【００４１】図２及び図３において、ＰＳＤ電極Ａ，Ｂ
の電流値をそれぞれＩＡ，ＩＢとすると、高さ演算回路
５２でＰＳＤ５０上に結像された位置Ｌが出力される。
高さ演算回路５２では、入力したＩＡ，ＩＢを電流−電
圧変換して、ｖ_A，ｖ_Bとし、プリアンプで増幅してそ
れぞれＶＡ，ＶＢとする。それぞれの電圧値は、差，和
をとり（ＶＡ−ＶＢ），（ＶＡ＋ＶＢ）とすると、高さ
ｈ＝（ＶＡ−ＶＢ）／（ＶＡ＋ＶＢ）を算出し、出力す
る。

【００４２】一方、ホトダイオード４８の出力から、ク
ロック発生回路５３により、ライン・クロックとドット
・クロックが生成される。そして、高さ補正回路５４で
は、バンプの高さｈと補正位置ｂを求める。

【００４３】図３に示すように、高さｈをｆ（ｘ＋ｂ，
ｙ）の関数とした場合、ｈ＝ｆ（ｘ＋ｂ，ｙ）＝Ｌ・si
n θ／sin αで表わされ、補正位置ｂはｂ＝Ｌ・cos θ
／sin αで表わされる。なお、α＝１８０°−２θであ
る。

【００４４】そして、高さ補正回路５４では、ラインク
ロック、ドットクロックより補正したアドレス（バンプ
電極１２の頂点付近のアドレス）とバンプ高さｈを高さ
データメモリ５５に格納する。

【００４５】これをＬＳＩチップ１１上の全ラインにつ
いて行い、高さデータメモリ５５に格納されたデータに
基づいて、バンプ高さ検査回路５６において総てのバン
プ電極１２の各高さが一致しているか否かを求めるもの
である。

【００４６】次に、図４に、本発明の寸法、表面光沢計
測の構成図を示す。図４は、バンプ外観検査装置４１に
おける寸法、表面光沢計測のための光学系を示したもの
である。

【００４７】図４において、バンプ電極１２が二次元配
列で形成されたＬＳＩチップ１１の上方に、ハロゲンラ
ンプ６１及びハーフミラー６２により構成された同軸落
射照明の第１の照明手段６３が配置されると共に、ハロ
ゲンランプ６４、光ファイバ束６５及びドーム状投光部
６６ａより構成されたドーム状照明の第２の照明手段６
７が配置される。

【００４８】この場合、同軸落射照明の光軸と、ドーム
状投光部６６ａの中心及び後述する結像レンズ６８の光
軸は同一直線上に設けられる。

【００４９】また、ハーフミラー６２の上方には結像レ
ンズ６８が配置され、その上方に、移動手段である１軸
ステージ６９に搭載された撮像手段であるラインセンサ
７０が配置される。そして、ラインセンサ７０の検出信
号は、寸法・光沢検査手段７１に送出される。この寸法
・光沢検査手段７１は、第１の照明手段６３による撮像
データに基づいてバンプ電極１２の寸法を検査し、第２
の照明手段６７による撮像データに基づいて表面光沢を
検査する。なお、１軸ステージ６９及びラインセンサ７
０に代えてＣＣＤが二次元配列されたＣＣＤカメラを用
いてもよい。この場合、バンプ電極１２はその表面が比
較的光拡散性の高いものが使用される。まず、寸法検査
においては、第１の照明手段６３のみを使用する。同軸
落射照明によるライン状のバンプ電極１２からの反射光
がハーフミラー６２及び結像レンズ６８を介してライン
センサ７０により撮像される。ラインセンサ７０は１軸
ステージ６９により移動されて、ＬＳＩチップ１１の全
ラインの総てのバンプ電極１２が撮像される。

【００５０】この場合、バンプ電極１２は球状のために
反射光が結像レンズ６８に殆ど入射せず、ＬＳＩチップ
１１の表面が明るく、バンプ電極１２部分が暗いシルエ
ット像として撮像される。

【００５１】寸法・光沢検査手段７１では、撮像データ
よりバンプ電極１２部分を２値化し、２値化データより
当該バンプ電極１２の径が求められる。径が求められる
と重心が求められ、これによりバンプ電極１２の大きさ
が求められる。そして、前述の高さｈと大きさにより各
バンプ電極１２の体積（寸法）が求められるものであ
る。

【００５２】一方、表面光沢検査においては、第２の照
明手段６７のみを使用してドーム状照明を行う。ドーム
状照明による反射光は、上述と同様にハーフミラー６２
及び結像レンズ６８を介してラインセンサ７０により、
全領域で撮像される。そして、寸法・光沢検査手段７１
では、撮像データよりバンプ電極１２部分の明るさの階
調値における平均値、総和、標準偏差の少くともいずれ
かの統計量、又は最大値及び半値幅と、良品の基準値と
を比較することにより、表面光沢の良否を検査するもの
である。

【００５３】また、図５に、図４の他の構成図を示す。
図５は、バンプ電極１２の表面の鏡面度が高い場合であ
り、図４のドーム状投光部６６ａに代えて、リング状投
光部６６ｂとしたもので、他は図４と同様である。

【００５４】そこで、図６に、図５の光沢計測を説明す
るための図を示す。図６（Ａ）において、バンプ電極１
２の表面の鏡面度が高い場合、撮像画像は、暗部１２_A
の中のドーナツ状の明部１２_Bが表われる。これを明る
さの階調値でプロファイルすると、光沢度があるものに
ついては図６（Ｂ）のグラフに示すように、幅Ｗ₁の明
るさＢ₁として示される。また、表面酸化等で光沢度の
ないものについては図６（Ｃ）のグラフに示すように、
幅Ｗ₂の明るさＢ₂として示される。

【００５５】すなわち、幅Ｗと明るさＢとが基準値を越
えた場合には良品とし、基準値以下の場合は欠陥とする
検査を行うものである。

【００５６】次に、図７に第１実施例の一適用例の構成
図を示し、図８に図７の処理系のブロック図を示す。

【００５７】図７のバンプ外観検査装置４１は、図１及
び図４の光学系を組み合わせたものである。この場合、
検査対象は、バンプ電極が二次元配列で形成されたＬＳ
Ｉチップ１１が分離される前の原基板であるウェハ１１
ａとする。

【００５８】図７及び図８において、ウェハ１１ａは２
軸ステージ７２に搬送される前に、搬送手段である搬送
装置７３ａにより送られるプレアライメントステージ７
４でウェハ１１ａのオリフラ合わせが行われる。そし
て、搬送装置７３ｂにより２軸ステージ７２に送られ、
２軸ステージ７２上でバンプの検査を各ＬＳＩチップ１
１ごとに行う。

【００５９】まず、同軸落射照明手段（６１，６２）下
で、ラインセンサ７０を１軸ステージ６９により走査
し、１個のＬＳＩチップ１１全体を撮像する。ラインセ
ンサ７０の出力は、画像入力回路７５でＡ／Ｄ変換され
た後、画像メモリ７６に格納される。格納された画像
は、予め登録していたＬＳＩチップ１１上の特徴パター
ンと画像相関回路７７で例えばテンプレートマッチング
により位置合わせされる。画像相関回路７７は位置合わ
せにより、検出したＬＳＩチップ１１の位置から、検査
すべき全バンプの位置を寸法・光沢計測回路７８に出力
する。寸法・光沢計測回路７８は、画像メモリ７６の同
軸落射照明下のバンプ画像を読出し、バンプ電極１２の
最大径を計測する。

【００６０】なお、画像入力回路７５、画像メモリ７
６、画像相関回路７７、寸法・光沢計測回路７８によ
り、図４の寸法・光沢手段７１が構成される。

【００６１】一方、制御処理手段である制御処理回路７
９では、例えば全バンプ最大径の標準変化を算出すると
共に、高さ、寸法表面光沢の計測量より工程能力指数
（Ｃｐ：高さ、寸法、表面光沢のバラツキの大きさによ
りフィードバックをかけるときの指数）等の生産管理統
計量を算出してバンプ電極１２の良、不良を判定する。
判定結果は表示部８０により表示され、出力部８１より
出力され、通信等が行われる。

【００６２】続いて、２軸ステージ７２を移動し、レー
ザ光照射位置に対象ＬＳＩチップ１１を搬送する。前述
のように、ＰＳＤ５０出力は高さ演算回路５２より、Ｐ
ＳＤ５０面上にバンプ電極１２の反射光が結像した位置
Ｌを求める。ポリゴンミラー４５面信号からクロック発
生回路５３により発生したドット・クロック、ライン・
クロックより、高さ補正回路５４が、補正したアドレス
とバンプ高さ値を高さメモリ５５に格納する。このデー
タを用いてバンプ高さ検査回路５６が、バンプ電極１２
の高さを求め、制御処理回路７９に出力する。制御処理
回路７９は、ＬＳＩチップ１１上の全バンプ電極１２の
高さから、平均値、標準偏差等を算出し、例えば、工程
能力指数や、そのＬＳＩチップ１１上のバンプ電極１２
の良、不良を検査する。

【００６３】ウェハ１１ａの全ＬＳＩチップ１１上のバ
ンプ電極１２の検査が終了すると、搬送装置７３ｃによ
りウェハ１１ａを２軸ステージ７２から排出する。これ
らを次のウェハ１１ａについても繰り返し行うものであ
る。

【００６４】次に、図９に、第１実施例の他の実施例の
構成図を示す。図９は、第１実施例における図２に示す
バンプ高さ検査回路５６に、新たに明るさ演算回路８
２，明るさメモリ８３，マスク処理部８４を設けたもの
である。

【００６５】図９において、ＰＳＤ５０からの出力信号
より明るさ演算回路８２で各バンプ電極１２の明るさデ
ータが求められて明るさメモリ８３に格納され、この明
るさデータがマスク処理部８４に送られる。マスク処理
部８４は、収縮処理回路８５及び膨脹処理回路８６によ
り各バンプ電極１２の明るさデータを加工し、これによ
り頂点検出回路８７において当該バンプ電極１２の頂点
を検出する。そして、頂点検出データをマスクメモリ８
８に格納し、これをバンプ高さ検査回路５６に送る。バ
ンプ高さ検査回路５６は、高さデータメモリ５５からの
高さデータを、マスクメモリ８８からの頂点検出データ
によりマスキングして、バンプ電極１２の頂点付近だけ
の高さを検査するものである。

【００６６】ここで、図１０に、図９の検査原理の説明
図を示す。図１０（Ａ）に示すように、バンプ電極１２
が形成されたＬＳＩチップ１１に照明光を照射し、その
反射光がＰＳＤ５０で受光されると、その出力信号Ｖ
Ａ，ＶＢより明るさ演算回路８２において、前述のよう
に（ＶＡ＋ＶＢ）から明るさデータが得られる。この明
るさデータが図１０（Ｂ）に示される。

【００６７】また、高さデータメモリ５５には、前述の
ように（ＶＡ−ＶＢ）／（ＶＡ＋ＶＢ）で得られた高さ
を補正位置ｂで補正した高さデータｈとアドレスが格納
され、この場合の高さデータが図１０（Ｃ）に示され
る。

【００６８】すなわち、図１０（Ｂ）の明るさデータか
ら頂点検出データを作成し、これを図１０（Ｃ）の高さ
データにマスキングしてバンプ電極１２の頂点付近だけ
の高さ情報を得るものである。

【００６９】そこで、図１１及び図１２に、図９の動作
説明図を示す。まず、明るさ演算回路８２で求められ、
明るさメモリ８３に格納された明るさデータ（図１１
（Ａ））は、マスク処理部８４の収縮処理回路８５に画
像データとして送られる。

【００７０】収縮処理回路８５では、明るさデータの画
像を画像処理により明るさを全面的に暗くさせつつ収縮
させ（図１１（Ｂ））、さらに頂点部分の明るさが平坦
になるまで収縮させる（図１１（Ｃ））。そして、頂点
部分の明るさが平坦になった画像データが膨脹処理回路
８６に送られる。

【００７１】膨脹処理回路８６では、逆に、頂点部分の
明るさが平坦になった画像データを前面的に明るくさせ
つつ膨脹させ（図１１（Ｄ））、バンプ電極１２の外側
が当初の明るさデータ（図１１（Ａ））と同じになるま
で膨脹させる（図１１（Ｅ））。この明るさデータ（図
１１（Ｅ））が頂点検出回路８７に送られる。

【００７２】頂点検出回路８７では、図１２において、
図１１（Ａ）の明るさデータと、図１１（Ｅ）の明るさ
データから、バンプ電極１２の頂点部分のみの明るさデ
ータを取り出し（図１２（Ｆ））、所定の明るさしきい
値ＴＨで２値化する。２値化された明るさデータは、図
１２（Ｇ）に示すように、バンプ電極１２の頂点付近で
の値が「１」となり、他の値が「０」となる。この２値
化データ（図１２（Ｇ））がマスクメモリ８８に頂点検
出データとして格納される。マスクメモリ８８はこの頂
点検出データをバンプ高さ検査回路５６に送る。

【００７３】バンプ高さ検査回路５６では、マスクメモ
リ８８からの頂点検出データと、高さデータメモリ５５
から送られた高さデータ（図１２（Ｇ））とを比較し、
２値化データが「０」である位置に高さデータを「０」
とすることにより、バンプ電極１２の頂点部分だけの高
さ情報を得る（図１２（Ｉ））。

【００７４】このように、ＰＳＤ５０から得た明るさ情
報に基づいて、バンプ電極１２の頂点付近を限定するこ
とにより、多重反射等の影響を除外することができ、高
精度に高さ計測を行うことができるものである。

【００７５】上記実施例は、図７及び図８の適用例に適
用てきることは勿論である。

【００７６】なお、第１実施例において、ＰＳＤ５０の
前方に波長選択フィルタを設けて、より外光の影響を防
止することもできるものである。

【００７７】次に、図１３に、本発明の第２実施例の構
成図を示す。図１３において、バンプ外観検査装置４１
_Aは、第１の光源９１ａより照射されるＡｒレーザが、
第１のビームエクスパンダ９２ａにより、ビーム径φ₁
のＡｒレーザとして照射され、光合成部であるビームス
プリッタ９３に入射される。一方、第２の光源９２ｂよ
り照射されるＨｅ−Ｎｅレーザが第２のビームエクスパ
ンダ９２ｂにより、ビーム径φ₂のＨｅ−Ｎｅレーザと
して照射され、ビームスプリッタ９３に入射される。

【００７８】ビームスプリッタ９３では、φ₁径のＡｒ
レーザとφ₂径のＨｅ−Ｎｅレーザとが合成されて出力
され、前述の光走査手段を構成するポリゴンミラー４
５，ｆ・θレンズ４６（規定値の入射ビーム径φ₁）及
び光路変更ミラー４７を介して、１軸ステージ４２上に
載置されたＬＳＩチップ１１上のバンプ電極１２の一ラ
イン上に照射される（図１４において説明する）。バン
プ電極１２（ＬＳＩチップ１１）からの反射光は、結像
レンズ４９を介して光分離部であるビームスプリッタ９
４に入射される。

【００７９】ビームスプリッタ９４の一面９４ａにはＡ
ｒレーザ光のみを透過する膜が形成されており、ここか
らＡｒレーザ光が出射して検知部であるＰＳＤ５０ａに
入射される。また、他面９４ｂにはＨｅ−Ｎｅレーザ光
のみを透過する膜が形成されており、ここからＨｅ−Ｎ
ｅレーザ光が出射して検知部であるＰＳＤ５０ｂに入射
する。これら、結像レンズ４９，ビームスプリッタ９４
及びＰＳＤ５０ａ，５０ｂより検知手段を構成する。

【００８０】このＰＳＤ５０ａ，５０ｂそれぞれの出力
が高さ検査手段５１_Aに送られ、バンプ電極１２の高さ
を計測する（図１５，図１６において説明する）。

【００８１】ここで、図１４に、図１３のビーム径の説
明図を示す。図１４は、ビームスプリッタ９３から出射
されるレーザ光（Ａｒレーザ光、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光）
のビーム径（μm ）とビームウエスト（レーザのスポッ
トサイズが最小となる光軸上の点）からの距離（μm ）
との関係を示したものである。

【００８２】図１４において、曲線Ａは径φ₁のＡｒレ
ーザ光のものであり、Ａ₁点のビームウエストではｆ・
θレンズ４６の回折限界までビーム径が小さくなってい
る。このビームウエスト（Ａ₁）をＬＳＩチップ１１の
面に合わせたとき、該ビームウエスト（Ａ₁）から１０
０μm 離れたバンプ電極１２の頂点付近に相当する位置
ではビーム径が拡がり、その差（Ｄ₁−Ｄ₂間）がΔω
₁となる。

【００８３】一方、曲線ＢはＨｅ−Ｎｅレーザ光のもの
であり、ｆ・θレンズ４６の入射規定値のビーム径（φ
₁）より細いビーム径（φ₂）で該ポリゴンミラー４５
に入射させたときのものである。この場合、ビームウエ
スト（Ｂ₁点）位置でのビーム径は曲線Ａより太いが、
Ｂ₁点から離れてもビーム径はそれ程拡がらない。そこ
で、Ｄ₃点をＬＳＩチップ１１の表面に合わせると、バ
ンプ電極１２の頂点位置Ｄ₄点間のビーム径の変位Δω
₂は上述のΔω₁に比べて小さい。

【００８４】そして、曲線ＡでＬＳＩチップ１１面の高
さを計測し、曲線Ｂでバンプ電極１２の頂点の高さを計
測することにより、ＬＳＩチップ１１表面の正確な高さ
データと、バンプ電極１２の頂点の正確な高さデータと
が得られ、その差により、バンプ電極１２の高さが計測
されるものである。

【００８５】そこで、図１５に図１４のビーム照射の説
明図を示し、図１６に図１５の高さ計測の説明用グラフ
を示す。

【００８６】図１５は、ＬＳＩチップ１１上に、配線パ
ターン１１ｂ及びバンプ電極１２が形成された場合を示
しており、図１４で説明したように該ＬＳＩチップ１１
に走査光９５（曲線Ａの走査光９５ａ，曲線Ｂの走査光
９５ｂ）が照射された軌跡Ｘ−Ｙ間について示したもの
である。

【００８７】そこで、図１６（Ａ）〜（Ｄ）において、
図１６（Ａ）のグラフは、図１４の曲線Ａ，すなわち回
折限界までレーザビームを絞った走査光９５ａで検知し
た高さのグラフである。これによれば、走査光９５ａの
ビームウエスト（Ａ₁）をＬＳＩチップ１１の表面に合
わせていることから、配線パターン１１ｂの高さが明確
に検知される。一方、バンプ電極１２の頂点付近は、走
査光９５ａのビーム径が拡がり、バンプ電極１２の高さ
の検知は明確さに欠ける。

【００８８】また、図１６（Ｂ）のグラフは、図１４の
曲線Ｂ，すなわちあまり絞らない状態の走査光９５ｂで
検知した高さのグラフである。走査光９５ｂが太いこと
から、ＬＳＩチップ１１上の配線パターン１１ｂの高さ
検知は明確さに欠けるが、全体的にビーム径の拡がりが
少ないことから、バンプ電極１２の高さが明確に検知さ
れる。

【００８９】ところで、図１６（Ｃ）のグラフは、図１
６（Ａ）のグラフの高さの軌跡をフィルタリングしたも
のである。フィルタは、走査光９５ａのビーム径に依存
させるように、すなわちビーム径が太いほど高周波成分
が少なくなるように構成される。

【００９０】そこで、図１６（Ｃ）のグラフを、図１６
（Ｂ）のグラフに重ね合わせる。この場合、ＬＳＩチッ
プ１１表面を一致させると、図１６（Ｃ）のバンプ電極
１２の高さと、図１６（Ｂ）のバンプ電極１２の高さと
のレベル差（ここではΔＤとする）が求められる。

【００９１】そして、図１６（Ｄ）のグラフは、図１６
（Ａ）と図１６（Ｂ）とを合成したものである。すなわ
ち、図１６（Ａ）のバンプ電極１２の高さから上述のΔ
Ｄの位置に、図１６（Ｂ）のバンプ電極１２の高さを合
わせる。そこで、図１６（Ａ）のＬＳＩチップ１１表面
の配線パターン１１ｂ部分と、図１６（Ｂ）のバンプ電
極１２の頂点部分とを合成することで図１６（Ｄ）のグ
ラフが得られるものである。

【００９２】この図１６（Ｄ）のグラフより、ＬＳＩチ
ップ１１上の配線パターン１１ｂの高さと、バンプ電極
１２の高さとの差を求めることにより、バンプ電極１２
高さが正確に計測できるものである。

【００９３】次に、図１７に、第２実施例の一適用例の
構成図を示す。なお、図７と同一の構成部分は同一の符
号を付す。この場合の検査対象は、図７と同様にバンプ
電極１２が二次元配列で形成されたＬＳＩチップ１１が
分離される前の原基板であるウエハ１１ａとする。

【００９４】図１７において、ウエハ１１ａは２軸ステ
ージ７２に搬送される前に、搬送手段である搬送装置７
３ａにより送られるプレアライメントステージ７４でウ
エハ１１ａのオリフラ合わせが行われる。そして、搬送
装置７３ｂにより２軸ステージ７２に送られ、２軸ステ
ージ７２上でバンプ電極の検査を各ＬＳＩチップ１１ご
とに行う。

【００９５】まず、ウエハ１１ａにおけるＬＳＩチップ
１１上に走査光９５（９５ａ，９５ｂ）が照射され、そ
の反射光が結像レンズ４９，ビームスプリッタ９４を介
してＰＳＤ５０ａ，５０ｂ上にそれぞれ結像される。Ｐ
ＳＤ５０ａ，５０ｂの出力はそれぞれ高さ検査手段５１
_Aに入力される。

【００９６】高さ検査手段５１_Aでは、ＰＳＤ５０ａの
出力が第１の高さ演算回路１０１に入力され、ＰＳＤ５
０ｂの出力が第２の高さ演算回路１０２に入力されてそ
れぞれ高さデータに換算される。この高さデータが図１
６（Ａ），（Ｂ）である。

【００９７】第１の高さ演算回路１０１の出力は、平滑
化フィルタ１０３に入力されると共に、高さデータ合成
回路１０４に入力される。また、第２の高さ演算回路１
０２の出力は、高さ合わせ回路１０５に入力されると共
に、高さデータ合成回路１０４に入力される。そして、
平滑化フィルタ１０３の出力が高さ合わせ回路１０５に
入力される。

【００９８】平滑化フィルタ１０３では、図１６（Ａ）
の高さデータを平滑化処理して図１６（Ｃ）の高さデー
タを得る。高さ合わせ回路１０５では、第２の高さ演算
回路１０２の出力における図１６（Ｂ）の高さデータと
平滑化処理した図１６（Ｃ）の高さデータとによりレベ
ルの高さを合わせ、上述のレベル差を求める。

【００９９】そして、高さデータ合成回路１０４では、
レベル差に基づいて、第１の高さ演算回路１０１からの
高さデータ（図１６（Ａ））と、第２の高さ演算回路１
０２からの高さデータ（図１６（Ｂ））とを合成して図
１６（Ｄ）の全体の高さデータを得る。

【０１００】高さデータ合成回路１０４から出力される
図１６（Ｄ）の高さデータは高さ計測回路１０６に送ら
れ、配線パターン１１ｂの高さを除いた真のバンプ電極
１２の高さが計測される。この高さ計測をＬＳＩチップ
１１上に形成された総てのバンプ電極１２について行
う。高さ計測回路１０６からの各バンプ電極１２の計測
結果は良否判定回路１０７に送られる。

【０１０１】良否判定回路１０７では、計測結果より総
てのバンプ電極１２について良否判定を行うもので、例
えば所定の高さ範囲内にあるバンプ電極１２を良、それ
意外を不良として、その結果を表示装置や警報器等の結
果出力装置１０８に送られる。

【０１０２】また、良否判定回路１０７は、全バンプ電
極１２の高さから、平均値、標準偏差等を算出し、例え
ば、工程能力指数や、そのＬＳＩチップ１１上のバンプ
電極１２の良・不良を検査する。

【０１０３】ウエハ１１ａの全ＬＳＩチップ１１上のバ
ンプ電極１２を検査し終わると、搬送装置７３ｃにより
ウエハ１１ａを２軸ステージ７２から払いだす。次に、
プレ・アライメントステージ７４でウエハ１１ａのオリ
フラ合わせの行われたウエハ１１ａを搬送装置７３ｂに
より２軸ステージ７２に搬送し、同様の検査を行う。

【０１０４】このように、ＬＳＩチップ面の微細なパタ
ーンの高さ、バンプ電極頂点部の高さを同時に計測する
ことが可能であることから、バンプ電極の高さが正確、
かつ高速に検査できる。これにより、欠陥バンプを基板
にボンディングすることを未然に防ぎ生産性の向上、あ
るいは生産管理統計処理が自動的に行うことができ、製
造工程の品質管理を向上させることができるものであ
る。

【０１０５】上述の第１及び第２実施例のように、バン
プ電極の高さ、寸法、表面光沢が自動的かつ高速に高精
度で検査することができ、欠陥バンプを配線基板上にホ
ンディングすることを未然に防止して生産性の向上を図
ることができると共に、生産管理統計処理をも自動的に
行うことができるものである。

【０１０６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、バンプ電
極が形成された基板状にライン状の光を照射することで
バンプ高さを検査し、第１及び第２の照明手段上で個別
に照明を行って寸法、表面光沢を検査することにより、
バンプ電極の高さ、寸法、表面光沢を自動的かつ高速に
高精度で検査することができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の構成図である。

【図２】図１の処理を説明するためのブロック図であ
る。

【図３】図１の高さ検査の原理を説明するための図であ
る。

【図４】本発明の寸法表面光沢計測の構成図である。

【図５】図４の他の構成図である。

【図６】図５の光沢計測を説明するための図である。

【図７】第１実施例の一適用例の構成図である。

【図８】図７の処理系のブロック図である。

【図９】第１実施例の他の実施例の構成図である。

【図１０】図９の動作原理の説明図である。

【図１１】図９の動作説明図（１）である。

【図１２】図９の動作説明図（２）である。

【図１３】本発明の第２実施例の構成図である。

【図１４】図１３のビーム径の説明図である。

【図１５】図１４のビーム照射の説明図である。

【図１６】図１５の高さ計測の説明用グラフである。

【図１７】第２実施例の一適用例の構成図である。

【図１８】検査対象を説明するための図である。

【図１９】バンプ欠陥を説明するための図である。

【図２０】従来のバンプ高さ計測装置の構成図である。

【図２１】従来のバンプ寸法計測装置の構成図である。

【符号の説明】

１１ＬＳＩチップ１１ａウェハ１２バンプ電極１３配線基板４１，４１_A，４１_B バンプ外観検査装置４２１軸ステージ４３半導体レーザ光源４４コリメータレンズ４５ポリゴンミラー４６ｆ・θレンズ４７光路変更ミラー４８ホトダイオード４９結像レンズ５０，５０ａ，５０ｂＰＳＤ５１，５１_A，５１_B 高さ検査手段５２高さ演算回路５３クロック発生回路５４高さ補正回路５５高さデータメモリ５６バンプ高さ検査回路６１，６４ハロゲンランプ６２ハーフミラー６３第１の照明手段６５光ファイバ束６６ａドーム状投光部６６ｂリング状投光部６７第２の照明手段６８結像レンズ６９１軸ステージ７０ラインセンサ７１寸法・光沢検査手段８２明るさ演算回路８３明るさメモリ８４マスク処理部８５収縮処理回路８６膨脹処理回路８７頂点検出回路８８マスクメモリ９１ａ第１の光源９１ｂ第２の光源９２ａ，９２ｂビームエクスパンダ９３，９４ビームスプリッタ９５走査光

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者西山陽二神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者高橋文之神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者安藤護俊神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者大嶋美隆神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板（１１）上に形成された二次元配列
のバンプ電極（１２）に光源（４３）より光を照射し、
その反射光を受光して該バンプ電極（１２）の外観を検
査する立体電極外観検査装置において、前記光源（４３）より出射された光を、前記基板（１
１）に対してライン状に走査する光走査手段（４５〜４
７）と、該走査光による該基板（１１）における前記バンプ電極
（１２）からの反射光を受光する検知手段（４９，５
０）と、該検知手段（４９，５０）からの検知信号により該バン
プ電極（１２）の高さを算出すると共に、前記光走査手
段（４５〜４７）による照射タイミングより位置補正し
てバンプ高さの検査を行う高さ検査手段（５１）と、を有することを特徴とする立体電極外観検査装置。
【請求項２】前記高さ検査手段（５１）は、前記検知手段（４９，５０）からの検知信号より前記バ
ンプ電極（１２）の高さを算出する高さ演算回路（５
２）と、前記光走査手段（４５〜４７）による照射タイミングよ
り位置補正量を算出して、該高さ演算回路（５２）によ
る高さの位置補正を行う高さ補正回路（５４）と、該バンプ電極（１２）の位置及び高さより、バンプ高さ
の検査を行うバンプ高さ検査回路（５６）と、を含むことを特徴とする請求項１記載の立体電極外観検
査装置。
【請求項３】前記高さ検査手段（５１）は、前記検知手段（４９，５０）からの検知信号より前記バ
ンプ電極（１２）の明るさを算出する明るさ演算回路
（８２）と、該明るさ演算回路（８２）からの明るさデータより該バ
ンプ電極（１２）の頂点付近を限定するマスク処理部
（８４）とを備え、前記バンプ高さ検査回路（５６）において、該マスク処
理部（８４）からの頂点付近の明るさデータと、前記高
さデータメモリ（５５）からの高さデータとにより、該
バンプ電極（１２）の頂点付近の高さデータを得てバン
プ高さの検査を行うことを特徴とする請求項２記載の立
体電極外観検査装置。
【請求項４】前記マスク処理部（８４）は、前記明るさ演算回路（８２）からの明るさデータを、全
体的に暗くして前記バンプ電極（１２）の頂点付近の明
るさを平坦化させる収縮処理回路（８５）と、該収縮処理回路（８５）からの明るさデータを、該明る
さ演算回路（８２）からの明るさデータの外部が同じに
なるまで全体を明るくする膨脹処理回路（８６）と、該膨脹処理回路（８６）からの明るさデータと、該明る
さ演算回路（８２）からの明るさデータとから、該バン
プ電極（１２）の頂点付近のみの明るさデータを検出す
る頂点検出回路（８７）と、を含むことを特徴とする請求項３記載の立体電極外観検
査装置。
【請求項５】前記頂点検出回路（８７）は、前記バン
プ電極（１２）の頂点付近のみの明るさデータを、所定
しきい値で２値化することを特徴とする請求項４記載の
立体電極外観検査装置。
【請求項６】基板（１１）上に形成された二次元配列
のバンプ電極（１２）に光を照射し、その反射光を受光
して該バンプ電極（１２）の外観を検査する立体電極外
観検査装置において、前記基板（１１）上の二次元配列の前記バンプ電極（１
２）に対して同軸落射照明を行う第１の照明手段（６
３）と、該バンプ電極（１２）に対してドーム状照明を行う第２
の照明手段（６７）と、該第１及び第２の照明手段（６３，６７）による照明下
で、該バンプ電極（１２）をそれぞれ個別に撮像する撮
像手段（７０）と、該撮像手段（７０）を、前記基板（１１）上で撮像範囲
ごとに移動させる移動手段（６９）と、前記第１の照明手段（６３）による撮像データに基づい
て該バンプ電極（１２）の寸法を検査し、前記第２の照
明手段（６７）による撮像データに基づいて該バンプ電
極（１２）部分の明るさの階調値より表面光沢を検査す
る寸法・光沢検査手段（７１）と、を有することを特徴とする立体電極外観検査装置。
【請求項７】前記第２の照明手段（６７）は、ドーム
状照明に代えて、リング状照明を行うことを特徴とする
請求項６記載の立体電極外観検査装置。
【請求項８】前記寸法・光沢検査手段（７１）におけ
る表面光沢の検査は、前記バンプ電極（１２）部分の階
調値における平均値、総和、標準偏差の少くとも何れか
の統計量より行い、又は該階調値最大値及び半値幅より
行うことを特徴とする請求項６又は７記載の立体電極外
観検査装置。
【請求項９】前記バンプ電極（１２）の高さ、寸法、
表面光沢の計測量より生産管理統計量を算出し、該算出
値を出力、表示する制御処理手段（７９）を設けること
を特徴とする請求項１又は６記載の立体電極外観検査装
置。
【請求項１０】前記バンプ電極（１２）が二次元配列
で形成された前記基板（１１）、又は該基板（１１）が
複数個一体となっている原基板（１１ａ）を、前記光走
査手段（４５〜４７）の下方の検査位置に位置させ、排
出させる搬送手段（７３ａ〜７３ｃ）を設けると共に、
該検査位置で１軸方向に移動させるステージ（７２）を
設けることを特徴とする請求項１記載の立体電極外観検
査装置。
【請求項１１】前記バンプ電極（１２）が二次元配列
で形成された前記基板（１１）、又は該基板（１１）が
複数個一体となっている原基板（１１ａ）を、前記第１
及び第２の照明手段（６３，６７）の下方の検査位置に
位置させ、排出させる搬送手段（７３ａ〜７３ｃ）を設
けると共に、該検査位置で２軸方向に移動させるステー
ジ（７２）を設けることを特徴とする請求項６記載の立
体電極外観検査装置。
【請求項１２】基板（１１）上に形成された二次元配
列のバンプ電極（１２）に光を照射し、その反射光を受
光して該バンプ電極（１２）の外観を検査する立体電極
外観検査装置において、所定のビーム径及び波長の光を照射する第１の光源（９
１ａ，９２ａ）と、該第１の光源（９１ａ，９２ａ）からの光とビーム径及
び波長の異なる光を照射する第２の光源（９１ｂ，９２
ｂ）と、該第１及び第２の光源（９１ａ，９１ｂ，９２ａ，９２
ｂ）からの２種類の光を、前記基板（１１）に対して走
査して照射する光走査手段（４５〜４７）と、該走査
光による該基板（１１）における前記バンプ電極（１
２）からの反射光を、該第１及び第２の光源（９１ａ，
９１ｂ，９２ａ，９２ｂ）からの光に応じて受光する検
知手段（４９，５０ａ，５０ｂ，９４）と、該検知手段（４９，５０ａ，５０ｂ，９４）からの２種
類の検知信号から求めた複数の高さデータより、該バン
プ電極（１２）の高さを計測して検査する高さ検査手段
（５１_A）と、を有することを特徴とする立体電極外観検査装置。
【請求項１３】前記第１及び第２の光源（９１ａ，９
１ｂ，９２ａ，９２ｂ）からの光の少なくとも一の光の
ビーム径は、前記光走査手段（４５〜４７）への規定入
射径に合致されることを特徴とする請求項１２記載の立
体電極外観検査装置。
【請求項１４】前記光走査手段（４５〜４７）は、前
記第１及び第２の光源（９１ａ，９１ｂ，９２ａ，９２
ｂ）からの２種類の光を同時に走査させる光合成部（９
３）を有することを特徴とする請求項１２又は１３記載
の立体電極外観検査装置。
【請求項１５】前記検知手段は、前記第１及び第２の
光源（９１ａ，９１ｂ，９２ａ，９２ｂ）からの２種類
の光を分離する光分離部（９４）と、該光分離部（９
４）により分離された該２種類の光を受光する２つの検
知部（５０ａ，５０ｂ）とを有することを特徴とする請
求項１２乃至１４記載の立体電極外観検査装置。
【請求項１６】前記高さ検査手段（５１_A）は、前記検知部（５０ａ，５０ｂ）からの検知信号に基づい
て前記複数の高さデータを検出する第１及び第２の高さ
演算回路（１０１，１０２）と、該高さデータの一と、他の該高さデータの一であって平
滑化された該高さデータとの差を検出する高さ合わせ回
路（１０５）と、該高さ合わせ回路（１０５）からの差に基づいて、前記
複数の高さデータを合成する高さ合成回路（１０４）
と、該高さ合成回路（１０４）からの高さデータに基づい
て、前記バンプ電極（１２）の高さを計測する高さ計測
回路（１０６）と、を少なくとも備えることを特徴とする請求項１２乃至１
５記載の立体電極外観検査装置。