JPH06163483A - 化学気相成長装置 - Google Patents
化学気相成長装置Info
- Publication number
- JPH06163483A JPH06163483A JP30554492A JP30554492A JPH06163483A JP H06163483 A JPH06163483 A JP H06163483A JP 30554492 A JP30554492 A JP 30554492A JP 30554492 A JP30554492 A JP 30554492A JP H06163483 A JPH06163483 A JP H06163483A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- self
- chemical vapor
- vapor deposition
- vacuum chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、プラズマ・ＴＥＯＳ・デポとセル
フクリーニングとの繰り返しによりシャワー電極４のガ
ス噴出孔に針状生成物が付着するのを防止し、これによ
りデポレートの低下や膜厚均一性の悪化を防止すること
を目的とするものである。 【構成】 サセプタ２のシャワー電極４との対向面を、
石英やセラミックからなる絶縁材で覆い、セルフクリー
ニング時にフッ素ラジカルや酸素ラジカルのアタックに
よりサセプタ２からＡｌＦ等が飛び出すのを防止した。
フクリーニングとの繰り返しによりシャワー電極４のガ
ス噴出孔に針状生成物が付着するのを防止し、これによ
りデポレートの低下や膜厚均一性の悪化を防止すること
を目的とするものである。 【構成】 サセプタ２のシャワー電極４との対向面を、
石英やセラミックからなる絶縁材で覆い、セルフクリー
ニング時にフッ素ラジカルや酸素ラジカルのアタックに
よりサセプタ２からＡｌＦ等が飛び出すのを防止した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばプラズマ・Ｔ
ＥＯＳ・ＣＶＤ装置などの化学気相成長装置に関し、特
にプラズマを用いたセルフクリーニング機能を有する化
学気相成長装置に関するものである。
ＥＯＳ・ＣＶＤ装置などの化学気相成長装置に関し、特
にプラズマを用いたセルフクリーニング機能を有する化
学気相成長装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の化学気相成長装置の一例を
示す断面図であり、プラズマでＴＥＯＳ（テトラエトキ
シオルソシラン）・ＣＶＤ膜を生成するための装置であ
る。図において、１は真空チャンバであり、図示しない
排気装置に接続されて真空状態にされている。２は真空
チャンバ１内に収容されているサセプタ（ウエハ支持
板）であり、例えばＡｌやＡｌ2Ｏ3からなっている。３
はサセプタ２上に支持されているウエハである。
示す断面図であり、プラズマでＴＥＯＳ（テトラエトキ
シオルソシラン）・ＣＶＤ膜を生成するための装置であ
る。図において、１は真空チャンバであり、図示しない
排気装置に接続されて真空状態にされている。２は真空
チャンバ１内に収容されているサセプタ（ウエハ支持
板）であり、例えばＡｌやＡｌ2Ｏ3からなっている。３
はサセプタ２上に支持されているウエハである。
【０００３】４は真空チャンバ１の上部にサセプタ２に
対向して設けられているシャワー電極、５は真空チャン
バ１内にＴＥＯＳガス及びＯ2ガスを導入するガスイン
ジェクタ部（導入管）、６は真空チャンバ１の下部に設
けられ真空チャンバ１内を加熱するためのランプ、７は
真空チャンバ１のランプ取付部を密閉している石英板で
ある。
対向して設けられているシャワー電極、５は真空チャン
バ１内にＴＥＯＳガス及びＯ2ガスを導入するガスイン
ジェクタ部（導入管）、６は真空チャンバ１の下部に設
けられ真空チャンバ１内を加熱するためのランプ、７は
真空チャンバ１のランプ取付部を密閉している石英板で
ある。
【０００４】次に、動作について説明する。ガスインジ
ェクタ部５で混合（プリミックス）されながら導入され
たＴＥＯＳ及びＯ2は、多数のガス噴出孔を有するシャ
ワー電極４を通して真空チャンバ１内に噴出され拡散す
る。このとき、ランプ６による加熱を行うとともに、シ
ャワー電極４とサセプタ２とでＲＦプラズマ放電を行う
ことにより、ウエハ３上にはＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜が生成
される。
ェクタ部５で混合（プリミックス）されながら導入され
たＴＥＯＳ及びＯ2は、多数のガス噴出孔を有するシャ
ワー電極４を通して真空チャンバ１内に噴出され拡散す
る。このとき、ランプ６による加熱を行うとともに、シ
ャワー電極４とサセプタ２とでＲＦプラズマ放電を行う
ことにより、ウエハ３上にはＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜が生成
される。
【０００５】このようなＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜は、殆どが
ウエハ３上に成膜されるが、真空チャンバ１の内壁部な
ど、ウエハ３以外の部分にもある程度付着してしまう。
このため、ウエハ３上への成膜後、ウエハ３を真空チャ
ンバ１外へ取り出して、真空チャンバ１内のセルフクリ
ーニングを行う。即ち、ＮＦ3やＯ2等のクリーニング用
ガスを、ガスインジェクタ部５から導入し、シャワー電
極４を通して真空チャンバ１内に噴出・拡散させるとと
もに、シャワー電極４とサセプタ２とでＲＦプラズマ放
電を行う。これにより、真空チャンバ１内にはフッ素ラ
ジカル（Ｆ＊）や酸素ラジカル（Ｏ＊）が発生し、これ
らの衝突により真空チャンバ１の内壁部等に付着した膜
が剥がされ排気される。
ウエハ３上に成膜されるが、真空チャンバ１の内壁部な
ど、ウエハ３以外の部分にもある程度付着してしまう。
このため、ウエハ３上への成膜後、ウエハ３を真空チャ
ンバ１外へ取り出して、真空チャンバ１内のセルフクリ
ーニングを行う。即ち、ＮＦ3やＯ2等のクリーニング用
ガスを、ガスインジェクタ部５から導入し、シャワー電
極４を通して真空チャンバ１内に噴出・拡散させるとと
もに、シャワー電極４とサセプタ２とでＲＦプラズマ放
電を行う。これにより、真空チャンバ１内にはフッ素ラ
ジカル（Ｆ＊）や酸素ラジカル（Ｏ＊）が発生し、これ
らの衝突により真空チャンバ１の内壁部等に付着した膜
が剥がされ排気される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た従来の化学気相成長装置においては、セルフクリーニ
ング時に、フッ素ラジカルや酸素ラジカルがサセプタ２
に衝突することにより、図３に示すように、成分Ａｌ−
Ｆ−Ｏなる針状生成物８がシャワー電極４のガス噴出孔
に付着してしまう。このような針状生成物８は、プラズ
マ・ＴＥＯＳ・デポとセルフクリーニングとを繰り返す
ことで厚くなり、ＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜のデポレート（堆
積速度）の低下や膜厚均一性の悪化を引き起こすという
問題点があった。また、フッ素ラジカルや酸素ラジカル
によるアタックのためにサセプタ２の劣化が激しいとい
う問題点もあった。
た従来の化学気相成長装置においては、セルフクリーニ
ング時に、フッ素ラジカルや酸素ラジカルがサセプタ２
に衝突することにより、図３に示すように、成分Ａｌ−
Ｆ−Ｏなる針状生成物８がシャワー電極４のガス噴出孔
に付着してしまう。このような針状生成物８は、プラズ
マ・ＴＥＯＳ・デポとセルフクリーニングとを繰り返す
ことで厚くなり、ＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜のデポレート（堆
積速度）の低下や膜厚均一性の悪化を引き起こすという
問題点があった。また、フッ素ラジカルや酸素ラジカル
によるアタックのためにサセプタ２の劣化が激しいとい
う問題点もあった。
【０００７】この発明は、上記のような問題点を解決す
ることを課題としてなされたものであり、成膜とセルフ
クリーニングとの繰り返しにより針状生成物がシャワー
電極に付着するのを防止することができ、これによりデ
ポレートの低下や膜厚均一性の悪化を防止することがで
きる化学気相成長装置を得ることを目的とする。
ることを課題としてなされたものであり、成膜とセルフ
クリーニングとの繰り返しにより針状生成物がシャワー
電極に付着するのを防止することができ、これによりデ
ポレートの低下や膜厚均一性の悪化を防止することがで
きる化学気相成長装置を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る化学気相
成長装置は、サセプタの表面の少なくとも一部を絶縁材
で覆ったものである。
成長装置は、サセプタの表面の少なくとも一部を絶縁材
で覆ったものである。
【０００９】
【作用】この発明においては、サセプタの表面を絶縁材
でカバーすることで、サセプタの構成材料がセルフクリ
ーニングにより飛び出すのを防止する。
でカバーすることで、サセプタの構成材料がセルフクリ
ーニングにより飛び出すのを防止する。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図１はこの発明の一実施例による化学気相成長装置
の断面図であり、図２と同一又は相当部分には同一符号
を付し、その説明を省略する。図において、１１はサセ
プタ２のシャワー電極４に対向する面を全面覆っている
絶縁材であり、この絶縁材１１は、例えば石英又はセラ
ミックからなっている。また、絶縁材１１は、厚くなり
過ぎるとプラズマ放電が不可能になるので、成膜可能な
範囲でできるだけ薄くするのが好ましい。例えば、石英
又はセラミックの絶縁材１１では、０ｍｍ＜厚さ≦１０
ｍｍ程度の範囲が適当である。
る。図１はこの発明の一実施例による化学気相成長装置
の断面図であり、図２と同一又は相当部分には同一符号
を付し、その説明を省略する。図において、１１はサセ
プタ２のシャワー電極４に対向する面を全面覆っている
絶縁材であり、この絶縁材１１は、例えば石英又はセラ
ミックからなっている。また、絶縁材１１は、厚くなり
過ぎるとプラズマ放電が不可能になるので、成膜可能な
範囲でできるだけ薄くするのが好ましい。例えば、石英
又はセラミックの絶縁材１１では、０ｍｍ＜厚さ≦１０
ｍｍ程度の範囲が適当である。
【００１１】上記のような化学気相成長装置は、従来例
と同様に、プラズマを用いてＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜をウエ
ハ３上に成膜するものであり、セルフクリーニングも従
来例と同様に行われる。しかし、サセプタ２の表面に絶
縁材１１が設けられているため、セルフクリーニング時
にフッ素ラジカルや酸素ラジカルでサセプタ２がアタッ
クされても、ＡｌＦ等が飛び出さない。従って、プラズ
マ・ＴＥＯＳ・デポとセルフクリーニングとを繰り返し
ても、シャワー電極４のガス噴出孔内に針状生成物が付
着するようなことはない。このため、ＴＥＯＳ・ＣＶＤ
膜のデポレートの低下や膜厚均一性の悪化が防止され、
かつサセプタ２の劣化が防止される。
と同様に、プラズマを用いてＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜をウエ
ハ３上に成膜するものであり、セルフクリーニングも従
来例と同様に行われる。しかし、サセプタ２の表面に絶
縁材１１が設けられているため、セルフクリーニング時
にフッ素ラジカルや酸素ラジカルでサセプタ２がアタッ
クされても、ＡｌＦ等が飛び出さない。従って、プラズ
マ・ＴＥＯＳ・デポとセルフクリーニングとを繰り返し
ても、シャワー電極４のガス噴出孔内に針状生成物が付
着するようなことはない。このため、ＴＥＯＳ・ＣＶＤ
膜のデポレートの低下や膜厚均一性の悪化が防止され、
かつサセプタ２の劣化が防止される。
【００１２】なお、上記実施例ではクリーニング用ガス
としてＮＦ3とＯ2とを用いてセルフクリーニングを行う
例を示したが、クリーニング用ガスはこれらに限定され
るものではなく、例えばＣ2Ｆ6とＯ2とによるセルフク
リーニングでもよい。また、上記実施例ではＡｌ又はＡ
ｌ2Ｏ3からなるサセプタ２を示したが、サセプタ２の材
料はこれらに限定されるものではない。
としてＮＦ3とＯ2とを用いてセルフクリーニングを行う
例を示したが、クリーニング用ガスはこれらに限定され
るものではなく、例えばＣ2Ｆ6とＯ2とによるセルフク
リーニングでもよい。また、上記実施例ではＡｌ又はＡ
ｌ2Ｏ3からなるサセプタ２を示したが、サセプタ２の材
料はこれらに限定されるものではない。
【００１３】さらに、上記実施例ではプラズマＴＥＯＳ
デポの例を示したが、Ｏ3−ＴＥＯＳデポであってもよ
い。また、ＴＥＯＳ・ＣＶＤ装置に限らず、例えばタン
グステンＣＶＤ装置などであってもよく、このような熱
ＣＶＤ装置では、セルフクリーニング時のみプラズマを
発生させればよい。
デポの例を示したが、Ｏ3−ＴＥＯＳデポであってもよ
い。また、ＴＥＯＳ・ＣＶＤ装置に限らず、例えばタン
グステンＣＶＤ装置などであってもよく、このような熱
ＣＶＤ装置では、セルフクリーニング時のみプラズマを
発生させればよい。
【００１４】さらにまた、上記実施例ではサセプタ２の
シャワー電極４側の面のみに絶縁材１１を設けたが、サ
セプタ２の側面や下面に絶縁材１１を設けてもよい。
シャワー電極４側の面のみに絶縁材１１を設けたが、サ
セプタ２の側面や下面に絶縁材１１を設けてもよい。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の化学気
相成長装置は、サセプタの表面の少なくとも一部を絶縁
材で覆ったので、セルフクリーニング時にクリーニング
用ガスのラジカルのアタックによりサセプタの構成材料
が飛び出すのが防止され、従って成膜とセルフクリーニ
ングとの繰り返しによりシャワー電極に針状生成物が付
着するのを防止することができ、この結果デポレートの
低下や膜厚均一性の悪化を防止することができるなどの
効果を奏する。また、サセプタ自体の劣化を防止して、
その寿命を長くすることができるという効果も奏する。
相成長装置は、サセプタの表面の少なくとも一部を絶縁
材で覆ったので、セルフクリーニング時にクリーニング
用ガスのラジカルのアタックによりサセプタの構成材料
が飛び出すのが防止され、従って成膜とセルフクリーニ
ングとの繰り返しによりシャワー電極に針状生成物が付
着するのを防止することができ、この結果デポレートの
低下や膜厚均一性の悪化を防止することができるなどの
効果を奏する。また、サセプタ自体の劣化を防止して、
その寿命を長くすることができるという効果も奏する。
【図１】この発明の一実施例による化学気相成長装置の
断面図である。
断面図である。
【図２】従来の化学気相成長装置の一例を示す断面図で
ある。
ある。
【図３】図２の要部拡大図である。
１ 真空チャンバ ２ サセプタ ４ シャワー電極 １１ 絶縁材
Claims (1)
- 【請求項１】 真空チャンバ内にクリーニング用ガスを
導入するとともに、上記真空チャンバ内のサセプタとシ
ャワー電極との間にプラズマを発生させることにより、
上記真空チャンバ内のセルフクリーニングを行う化学気
相成長装置において、上記サセプタの表面の少なくとも
一部が絶縁材で覆われていることを特徴とする化学気相
成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30554492A JPH06163483A (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | 化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30554492A JPH06163483A (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | 化学気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163483A true JPH06163483A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=17946441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30554492A Pending JPH06163483A (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | 化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163483A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5988104A (en) * | 1996-07-30 | 1999-11-23 | Nec Corporation | Plasma treatment system |
-
1992
- 1992-11-16 JP JP30554492A patent/JPH06163483A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5988104A (en) * | 1996-07-30 | 1999-11-23 | Nec Corporation | Plasma treatment system |
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