JPH06160429A - 半導体加速度センサの自己診断方法並びに装置及びそれに用いられる半導体加速度センサ - Google Patents

半導体加速度センサの自己診断方法並びに装置及びそれに用いられる半導体加速度センサ

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JPH06160429A
JPH06160429A JP4328942A JP32894292A JPH06160429A JP H06160429 A JPH06160429 A JP H06160429A JP 4328942 A JP4328942 A JP 4328942A JP 32894292 A JP32894292 A JP 32894292A JP H06160429 A JPH06160429 A JP H06160429A
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acceleration sensor
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semiconductor acceleration
voltage
electrode
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JP4328942A
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Koichi Hikasa
浩一 日笠
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Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/0825Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 判断が容易かつ確実に行える半導体加速度セ
ンサの自己診断装置を提供すること 【構成】 加速度センサ15の可動電極12に対し、積
分器23の出力(ランプ電圧)を印加する。そして可動
電極が固定電極13に接触した時のセンサの出力電圧V
1′の値を判定回路26にて判断し、所定の範囲以下の
場合には、出力V7がHとなり、OR素子27から異常
信号Hが発する。所定の範囲内であれば出力V6がHと
なり、信号変換処理回路17に動作開始信号を送り、通
常の加速度検知状態に移る。所定の範囲を越えても両電
極が接触しない時には、比較器28の出力がHとなり、
OR素子から異常信号が発する。このように、ある電圧
印加時に両電極が導通したか否かにより、センサの診断
が行え、診断終了後は、スイッチ24が開きセンサへの
電圧印加が解除され、両電極は離反する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体加速度センサの
自己診断方法並びに装置及びそれに用いられる半導体加
速度センサに関するものである。
【0002】
【発明の背景】自動車のアクティブサスペンションやエ
アバックシステム等においては、加速度センサは重要な
部品の一つであり、加速度センサが正常に動作すること
が必須となり、仮に故障などが生じた場合には速やかに
交換する必要がある。そこで、係る加速度センサの異常
の有無を検出する必要があり、かかる診断機構を付与し
た半導体加速度センサの開発が要求されている。
【0003】ここで、係る自己診断機能付の半導体セン
サの一例を示すと、図5に示すように半導体基板である
シリコン板1の中央に梁部2を介して重り体3を一体的
に形成し、またシリコン板1の上下両面にガラス板4を
配置する。この時、重り体3の上下両面と、ガラス板4
の対向面との間には、所定の空隙が形成され、重り体3
の揺動を許容している。そして重り体3の上下両面をそ
れぞれ診断用可動電極5,検出用可動電極6とし、この
両可動電極5,6に対向するガラス板4の内面所定位置
にアルミ蒸着等により診断用固定電極7,検出用固定電
極8を形成する。
【0004】ところで、このセンサに加速度が加わると
梁部2が撓み、対向する両電極6,8間の距離が変化
し、この距離の変化により両電極6,8間に生じている
静電容量も変動するのであるが、このように加速度が加
わる都度梁部2に撓みが生じてストレスが加わるため、
特にこの梁部2にクラックを生じたり、さらには切断・
破損してしまうおそれがある。係る場合には、梁部2の
強度(弾性力)が変化し、ある所定の加速度が加わった
時に生じる重り体3の変動距離が異なり、正確に加速度
を検出することができなくなる。
【0005】そこで、上記構成の診断用可動,固定電極
5,7間に図示省略の電源から所定の電圧を印加し、吸
引力を発生させ重り体3を上昇させる。この上昇時に検
出用可動,固定電極6,8間に生じる静電容量の変化を
検出し、正常か否かを判断するようにしている。
【0006】しかし、係る構成のものでは、変化の状況
を検出することにより正常か否かを判断していたため、
その判断が煩雑となり、正確に行えない。しかも、上下
両ガラス板4,4に固定電極7,8を設ける必要があ
り、作成プロセスが複雑化する。しかも、診断用の可動
電極5並びに固定電極7は、通常の加速度検出時には使
用しないため、診断専用の部品(電極)を必要とし、利
用効率も悪い。
【0007】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、判断(診断)が容易
かつ確実に行え、しかも作成プロセスが簡単で、自己診
断専用の電極を必要とせず利用効率の良い半導体加速度
センサの自己診断方法並びに装置及びそれに用いられる
半導体加速度センサを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明に係る半導体加速度センサの自己診断方
法では、静電容量型の半導体加速度センサの可動電極と
固定電極との間に所定の電圧を印加し、両電極間に静電
引力を発生させ、両電極が接触して導通したか否かを検
出することにより正常に動作するか否かを判断するよう
にした。
【0009】また、係る方法を実施するための診断装置
としては、半導体加速度センサの可動電極と固定電極間
に電圧を印加する手段と、前記可動電極と固定電極とが
導通状態にあるか否かを検知するとともに、前記印加す
る手段より与えられる出力信号から、前記半導体加速度
センサが正常に動作しているか否かを判断する手段とを
備えた。
【0010】さらに、係る自己診断方法並びに装置に適
用される半導体加速度センサとしては例えば、前記可動
電極または前記固定電極の少なくとも一方に突起部を形
成し、その突起部を介して前記導通状態を得るようにす
ることである。
【0011】
【作用】半導体加速度センサの可動電極と固定電極との
間に所定の電圧を印加する。すると、両電極間に発生す
る静電引力により、可動電極が固定電極側に引き寄せら
れる。そして、その電圧値がある一定以上を越えると、
両電極が接触し、導通状態となる。したがって、導通し
たときの電圧値が所定の範囲内にあるか否かを判断し、
範囲内におさまっていれば、正常であると判断される。
すなわち、導通したか否か検出するだけで判断が行える
ので、機械による自動検査により簡単かつ確実に行われ
る。
【0012】
【実施例】以下、本発明に係る半導体加速度センサの自
己診断方法並びに装置及びそれに用いられる半導体加速
度センサの好適な実施例を添付図面を参照にして詳述す
る。図1は、本発明に用いられる半導体センサの一例の
要部を示している。すなわち、この例では半導体基板で
構成され図示省略の枠体に梁部10を介して揺動自在に
片持ち支持状に一体に連結された重り部11の下面が可
動電極12となり、その可動電極12に対向して図示省
略のガラス板上にアルミ蒸着などにより配置された固定
電極13とを有している。そして、ガラス板と半導体基
板が層状に配置され一体化される。
【0013】ここで本発明では、重り部11の下面先
端、すなわち可動電極12の先端側に、下側に突出する
一条の突出部14を形成している。これにより、後述す
る自己診断時に、可動電極12と固定電極13とが接触
しやすく、かつそれが確実に行えるようにしている。な
お、具体的な図示は省略するが、固定電極13側に上記
のような突出部14を設けてももちろん良く、その形状
ならびに設置位置は任意で、両側に設けてももちろん良
い。
【0014】そして、上記構成の半導体加速度センサ1
5は、図2に示すように、その両電極12,13が、信
号変換処理回路17に接続され、両電極12,13間に
生じる静電容量を電圧に変換して出力するようになって
いる。
【0015】さらに、その半導体加速度センサ15に、
本発明に係る自己診断装置20が接続されている。この
本実施例における自己診断装置20は、両電極12,1
3に対してランプ状に上昇する直流電圧を印加し、両電
極12,13が接触(導通)した時の電圧値V1が所定
の範囲内(Vth2 <V1≦Vth1 )であるか否かを検出
することにより、正常か否かを判断するようにし、さら
に本例では、正常であれば、信号変換処理回路17に対
して作動命令を発し、加速度検知を行えるようにしてい
る。そして、具体的な構成は、下記の通りである。
【0016】まず、電圧印加手段としては、第1のNO
R素子22の出力を積分器23に入力することにより構
成される。すなわち、電源投入時は、後述するごとく第
1のNOR素子22の2つの入力はともにLであるた
め、その出力はHとなる。よって積分器23の出力は、
ランプ状に上昇していく。そして、その出力電圧が、ス
イッチ24を介して、半導体加速度センサ15の可動電
極12に印加される。なお、上記のスイッチ24は、第
2のNOR素子25の出力により開閉制御され、その出
力がHの時に閉状態となる。そして電源投入時は、第2
のNOR素子25の2つの入力がともにLであるため、
出力はHとなり、スイッチ24が閉状態となる。
【0017】そして、その電圧値が大きくなるほど、両
電極12,13間に生じる静電引力が上昇し、可動電極
12が固定電極13側に引き寄せられて両者間の距離が
徐々に狭まり、ついには接触して導通、すなわち、積分
器23の出力が、固定電極13、さらには、その固定電
極13に接続された判定回路26にその電圧が印加され
るようになる。なお、導通状態の半導体加速度センサ1
5では、所定の電圧降下があるため、導通後に判定回路
26に印加される電圧V1′は、積分器23の出力電圧
V1よりも低い値となっている。
【0018】ここで、判定回路26の具体的な回路構成
は、図3に示すように、第1〜第4の比較器26a〜2
6dと、第1,第2のAND素子26e,26fとが適
宜接続されることにより構成されている。
【0019】すなわち、第1の比較器26aの反転入力
端子に、電圧印加手段たる積分器23からの出力信号で
ある上記の半導体加速度センサ15からの出力電圧V
1′(なお、両電極12,13が非導通状態では0
[V]となる)が入力され、また、その非反転入力端子
には、第1の基準電圧Vth1 ′(上記正常範囲の上限電
圧Vth1 から、半導体加速度センサ15等における電圧
降下分を減じた電圧)が入力される。
【0020】また、第2の比較器26bの非反転入力端
子並びに第3の比較器26cの反転入力端子にも、上記
出力電圧V1′が入力され、さらに両比較器26b,2
6cの他の入力端子には、第2の基準電圧Vth2 ′(上
記正常範囲の下限電圧Vth2から、半導体加速度センサ
15等における電圧降下分を減じた電圧)が入力され
る。さらに、第4の比較器26dの非反転入力端子に、
出力電圧Vth1 ′が入力されるとともに、反転入力端子
はアースに接続されている。
【0021】そして、上記第1,第2の比較器26a,
26bの出力が第1のAND素子26eに入力され、そ
の第1のAND素子26eの出力が、上記第1のNOR
素子22の一方の入力端子並びに、信号変換処理回路1
7に接続されている。そして、第1のNOR素子22の
出力がHとなった時に信号変換処理回路17が動作開始
するようになる。さらには、第1のAND素子26eの
出力は、上記した第2のNOR素子25の入力端子にも
接続している。
【0022】また、第3,第4の比較器26c,26d
の出力は、第2のAND素子26fに入力され、その第
2のAND素子26の出力が上記第1のNOR素子22
の他方の入力端子に接続されている。さらに、その出力
は、異常信号を発生するためのOR素子27に入力され
ている。
【0023】さらにまた、上記したランプ状の電圧を発
生させるための積分器23の出力は、比較器28の非反
転入力端子にも入力され、比較器28の反転入力端子に
入力された第1の基準電圧Vth1 と比較し、その比較結
果を上記OR素子27の他方の入力端子に入力するよう
になっている。そして、OR素子27の出力は、通常は
Lで、自己診断した結果、半導体加速度センサ15が異
常・故障を生じていた場合にHとなり、それが図外の警
報装置などに接続され使用者等に知らせるようになって
いる。すなわち本例では判定回路26や比較器28等が
判断をする手段を構成している。
【0024】次に上記した実施例の動作、すなわち、自
己診断方法の発明の一実施例について説明する。上記し
たごとく積分器23の出力電圧を半導体加速度センサ1
5の両電極12,13に印加する。そして、両電極1
2,13が接触する前(非導通状態)の判定回路26へ
の入力電圧は0[V]であるため、判定回路26からの
2つの出力はともにLとなる(図4参照)。よって、第
1のNOR素子22の出力はHとなり、積分器23の出
力電圧は徐々に上昇していくとともに、スイッチ24も
閉状態を維持する。これにより、両電極12,13間に
印加される電圧、すなわち、発生する静電引力が上昇し
両者間の距離が狭くなる。
【0025】そして、半導体加速度センサ15に印加さ
せる電圧値がある一定以上となり両電極12,13が接
触(導通)すると、その積分器23の出力電圧がセンサ
15にて所定の電圧降下した後、判定回路26にその時
の電圧値V1′が入力される。そして、その電圧値V
1′に対する判定回路26を構成する各素子の出力電圧
をV2〜V7の状態を図4に示し、その図等を参考に判
定処理の内容を説明する。
【0026】まず、V1′が所定の電圧以下(0<V
1′≦Vth2 ′)の場合は、第1のAND素子26eの
出力V6はLであるが、第2のAND素子26fの出力
V7がHとなるため、OR素子27の一方の入力がHと
なり、その出力V8もHに変わり、異常を知らせる。そ
して、OR素子27の出力V8がHになることから第2
のNOR素子25の一方の入力がH(他方の入力は判定
回路26からの出力V6のL)となり、その第2のNO
R素子25の出力V10がLに変わりスイッチ24が開
き、半導体加速度センサ15への入力を停止する。な
お、それと同時に、第1のNOR素子22の一方の入力
端子がHになり、その出力V9はLに変わる。これによ
り、積分器23の出力は徐々に減少する。これにより、
自己診断が終了する。
【0027】また、両電極12,13が導通した時の電
圧V1′が正常電圧範囲(Vth2 ′<V1′≦Vth1
′)の場合は、第1のAND素子26eの出力V6が
Hとなり、信号変換処理回路17に、動作開始命令を送
る。また、第2のNOR素子25の一方の入力である判
定回路26側からの出力V6がHとなるため、やはりそ
の第2のNOR素子25の出力V10がLに変わりスイ
ッチ24が開き、半導体加速度センサ15への入力を停
止する。これにより、両電極12,13は離反し、定常
状態に復帰する。さらに、それと同時に、第1のNOR
素子22の一方の入力端子がHになり、その出力V9は
Lに変わる。これにより、積分器23の出力は徐々に減
少する。これにより、自己診断が終了し、通常の加速度
検知に移る。すなわち、本例では、電源投入後自動的に
自己診断が行われ、半導体加速度センサ15が正常であ
ることが確認されたなら、自動的に通常の加速度検出モ
ードに移行することができる。
【0028】なお、積分器23の出力はVth1 よりも小
さいため、比較器28の出力V11はLのままとなり、
さらに上記したごとく判定回路26の第2のAND素子
26fの出力V7もLのため、異常信号であるOR素子
27の出力V8はLのままとなり、異常信号を発するこ
ともない。
【0029】さらに、積分器23の出力V1がVth1 を
越えた場合には、比較器28の出力V11がHとなり、
OR素子27の出力V8もHとなり異常信号を発する。
またこの出力V8が第2のNOR素子25に入力される
ことによりスイッチ24も閉状態となる。これにより自
己診断処理が終了する。
【0030】このように本例では、発見の困難な梁部1
0のひびや、可動電極12と固定電極13との間等に混
入した異物による異常等を容易に発見できる。しかも、
正常範囲を決定する第1,第2の基準電圧を適宜設定す
ることにより、梁部10の弾性係数や、両電極12,1
3間の間隔が許容範囲内にあるかを容易に判定でき、要
求にあったセンサの選定が容易に行え、品質の均一化を
図ることができる。しかも、実際の加速度検出に用いる
電極間に電圧を印加するようにしたため、自己診断用の
電極が不要で、構成が簡易となる。
【0031】なお、自己診断装置の回路構成は、上記し
た実施例に限らないのはいうまでもなく、要は、所定の
電圧を印加した時に可動電極と固定電極とが導通するか
否かを検出(或いは、所望の電圧以外で導通しないかど
うかを検出)できるようになっていれば良い。
【0032】さらに、本発明に係る自己診断方法並びに
装置が適用される半導体加速度センサとしては、上記し
た実施例のように、少なくとも一方の電極に突出部を形
成すること無く、通常の平坦な電極を有するものなど、
その半導体加速度センサの構造は任意である。
【0033】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体加速
度センサの自己診断方法並びに装置及びそれに用いられ
る半導体加速度センサでは、自己診断用の特別の電極が
不要となり、構成が簡略化ならびに構成部材の有効利用
が図れる。そして、その自己診断も可動電極と固定電極
とが導通するか否かを検出するだけで良く、簡単に行え
る。しかも、電極の少なくとも一方に突出部を設ける場
合には、より小さな静電引力、すなわち、印加電圧でも
って導通の有無をチェックできる。その結果、電源電圧
の大きさに制約のある箇所での利用に適する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体加速度センサの好適な一実
施例を示す要部斜視図である。
【図2】本発明に係る半導体加速度センサ用自己診断装
置並びにその使用態様の一例を示す図である。
【図3】その要部である判定回路の具体的な回路構成を
示す図である。
【図4】判定回路を構成する各素子の出力の状態を示す
図である。
【図5】従来例を示す図である。
【符号の説明】
12 可動電極 13 固定電極 14 突出部 15 半導体加速度センサ 20 自己診断装置 22 第1のNOR素子 23 積分器 26 判定回路 28 比較器

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 静電容量型の半導体加速度センサの可動
    電極と固定電極との間に所定の電圧を印加し、両電極間
    に静電引力を発生させ、両電極が接触して導通したか否
    かを検出することにより正常に動作するか否かを判断す
    るようにした半導体加速度センサの自己診断方法。
  2. 【請求項2】 半導体基板に一体的に揺動可能に形成し
    た重り体の少なくとも片面を可動電極とし、その可動電
    極に対向して所定の間隙をおいて固定電極を配置し、前
    記間隙が変化した際に、前記可動電極と前記固定電極と
    の間で生じる静電容量の変化から加速度を検出する半導
    体加速度センサに接続される自己診断装置であって、 前記可動電極と固定電極間に電圧を印加する手段と、 前記可動電極と固定電極とが導通状態にあるか否かを検
    知するとともに、前記印加する手段より直接または間接
    的に与えられる出力信号から、前記半導体加速度センサ
    が正常に動作しているか否かを判断する手段とを備えた
    半導体加速度センサ用自己診断装置。
  3. 【請求項3】 請求項1または2を実施するための半導
    体加速度センサであって、前記可動電極または前記固定
    電極の少なくとも一方に突起部を形成し、その突起部を
    介して前記導通状態を得るようにした半導体加速度セン
    サ。
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