JPH061540B2

JPH061540B2 - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH061540B2
Application number: JP59176169A
Authority: JP
Inventors: 龍司白幡; 正安永; 芳博荒井; 達治北本
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1984-08-24
Filing date: 1984-08-24
Publication date: 1994-01-05
Anticipated expiration: 2009-01-05
Also published as: JPS6154026A

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は磁気記録媒体に関し、より詳細にはビデオテー
プ等として使用される非バインダー型の磁気記録媒体に
関するものである。

（従来技術）従来より磁気記録媒体としては、有機バインダー中に分
散させた粉末磁性材料を非磁性基体上に塗布し乾燥させ
てなる塗布型のものが広く使用されてきている。しかし
ながら、従来の塗布型磁気記録媒体は、磁性材料として
強磁性金属よりも飽和磁化の小さい金属酸化物を主とし
て用いているため高密度記録には適しておらず、また製
造工程が複雑であり、溶剤回収あるいは公害防止のため
に大規模な附帯設備を有するという欠点を有している。

これに対し、近年高密度記録への要求の高まりと共に真
空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等のベ
ーパーデポジション法あるいは電気メッキ、無電解メッ
キ等のメッキ法により形成される強磁性薄膜を磁気記録
層とする、バインダーを使用しない、いわゆる非バイン
ダー型磁気記録媒体が実用化されるに到った。非バイン
ダー型磁気記録媒体においては塗布型磁気記録媒体に使
用される金属酸化物よりも飽和磁化の大きな強磁性金属
をバインダーのごとき非磁性物質を含有しない状態で薄
膜として形成させることが可能であるため、塗布型と比
較して高保磁力化および薄層化が達成でき、しかも製造
工程が簡略化され、有機溶媒による公害も防止されると
いう利点を有している。特に非バインダー型磁気記録媒
体記録層はその厚さを塗布型よりも一桁小さな値とする
ことが可能であるため、高密度記録用磁気記録媒体とし
て注目されている。

しかしながら、非バインダー型磁気記録媒体の磁性薄膜
は腐蝕されやすいため、該記録媒体は塗布型磁気記録媒
体と比較して耐候性および耐錆性が劣っている。特にビ
デオテープ等として使用される磁気記録媒体は記録・再
生時に該媒体表面が磁気ヘッドで擦られるため、極めて
軽度であっても錆が該媒体表面上に存在しているとヘッ
ドに目詰りが生じ、この結果、媒体およびヘッドが傷つ
くことになる。さらに錆の程度が甚しくなると磁性薄膜
が剥離して、記録されていた情報の消失を招くこともあ
る。

さらに、非バインダー型磁気記録媒体に係る問題として
耐久性がある。すなわち、ＶＩＲにおけるスチル耐久性
等において非バインダー型磁気記録媒体は塗布型磁気記
録媒体に劣っているため、その改良が実用上切望されて
いる。

こうした非バインダー型磁気記録媒体の耐候性、耐久性
を改良する方法として、イオンプレーテングにより表面
窒化処理を施す方法（特開昭50-33806号）、スパッタに
より窒化珪素膜を設ける方法（特開昭53-30304号）、磁
性膜を窒素ガス等の雰囲気中での放電にさらして非磁性
表面層を形成する方法（特開昭53-85403号）、磁性金属
薄膜上に窒化された金属薄膜を設ける方法（特開昭54-1
43111号）等が知られているが耐候性、耐久性の改良が
不十分で効果を得るには膜厚を大きくせねばならぬ等の
欠点があった。非磁性保護膜は膜厚が大きいと電磁変換
特性上劣化が著しく非バインダー型磁気記録媒体の特徴
が失われてしまう。さらに耐候性にすぐれた非バインダ
ー型磁気記録媒体の一つとして、ヨーロッパ特許8328号
あるいは特開昭59-87809号に開示されているような窒化
鉄あるいは鉄および窒化鉄よりなる磁性薄膜があるが磁
気特性が不十分であり、耐久性についても改良が望まれ
ている。

（発明の目的）本発明の目的は上記従来技術の問題点に鑑み、優れた耐
候性、耐久性および電磁変換特性を有する磁気記録媒体
を提供することにある。

（発明の構成）本発明による磁気記録媒体は非磁性基体上にコバルトを
主成分とする第１の磁性薄膜を設け、さらにその上に窒
化鉄を主成分とし、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，ＴｉおよびＶか
らなる群より選ばれた少なくとも１種の元素を含有する
第２の磁性薄膜を設けてなり、第１の磁性薄膜と第２の
磁性薄膜との厚さの比が１／３〜３の範囲にあるもので
ある。

本発明の磁気記録媒体においてコバルトを主成分とする
第１の磁性薄膜を構成する磁性金属材料としては、Ｃｏ
の他、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃ
ｏ−Ｓｎ、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ａｕ，Ｃｏ−Ｙ、Ｃｏ−
Ｌａ、Ｃｏ−Ｐｒ、Ｃｏ−Ｇｄ、Ｃｏ−Ｓｍ、Ｃｏ−Ｐ
ｔ、Ｃｏ−Ｐ、Ｃｏ−Ｖ、Ｃｏ−Ｍｎ、Ｃｏ−Ｗ、Ｃｏ
−Ｎｂ、Ｃｏ−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｔａ、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ等の強磁性合金があげられるが、特に好ましいものは
Ｃｏを70重量％以上含有するような合金である。

また、窒化鉄を主成分とする第２の磁性薄膜は５〜40at
omic％の窒素原子を含有することが好ましい。また、Ａ
ｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖからなる群より選ばれた元素
は第２の磁性薄膜中に0.1〜10重量％含有されているこ
とが好ましい。さらに、主成分である窒化鉄および上記
の元素群に含まれる元素の他に例えばコバルト、ニッケ
ル、酸素等を含むものとすることもできる。

本発明において第１磁性薄膜として好ましいのは、斜方
入射蒸着法により形成されるＣｏを主成分とするおそれ
があり、第２磁性薄膜として好ましいのは斜方入射イオ
ンプレーティング法により形成される前記異種元素を含
有する窒化鉄のそれである。

上記斜方入射蒸着法および斜方入射イオンプレーティン
グ法とは、基体表面の法線に対し、膜形成金属材料の蒸
気流をある入射角θで入射させ基体表面上に蒸着薄膜を
形成させる方法である。

本発明における蒸着とは、米国特許第3342632号等に記
載されている通常の真空蒸着の他、電界・磁界あるいは
電子ビーム照射等により蒸気流のイオン化・加速化等を
行なって蒸発分子の平均自由行程の大きい雰囲気にて支
持体上に薄膜を形成させる方法を含むものである。例え
ば特開昭51-149008号明細書に示されているような電界
蒸着法、特公昭43-11525号、特公昭46-20484号、特公昭
49-45439号、特開昭49-34483号公報に示されているイオ
ン化蒸着法も本発明に用いられる。

斜方入射蒸着法においては、高入射角θmaxにて蒸着を
開始し、基体の移動とともに入射角θを連続的に減少さ
せ、θminにて析出を停止させる。上記の蒸着を酸素の
ごとき反応性ガスを含む雰囲気中で行なってもよい。

本発明におけるイオンプレーティングとは、真空中ある
いは不活性ガス雰囲気中で蒸発源から蒸発させた非磁性
金属材料の一部をプラス（＋）にイオン化させ、マイナ
ス（−）に保持された基板へと加速して該基板上に薄膜
として析出させる方法を指す。Ｄ．Ｍ．Ｍattox（特公
昭44-8328号）により創始された、０．０１〜０．１Ｔo
rrの希ガス雰囲気中で蒸発源をプラスに、基板をマイナ
スに印加してグロー放電を発生させ、このグロー放電中
にて蒸発源より金属を蒸発させて基板上に薄膜を形成さ
せるＤＣイオンプレーティング法を含むのみならず、10
^-4〜10^-3Ｔorrのガス雰囲気中においてプラスに保持さ
れた蒸発源とマイナスに保持された基板の間にコイル状
電極を配置し、このコイルに高周波電力を供給すること
によって高周波電領域を形成させて蒸発粒子をイオン化
させる高周波励起式イオンプレーティング法（特開昭49
-113733号）、あるいは、真空室内プラスに保持された
蒸発源とマイナスに保持されたイオン引出し電極を配置
し、蒸発源の小孔から噴射する物質蒸気に電子ビームを
照射してクラスターイオンとし、マイナスの引出し電極
電圧によって加速された蒸発粒子をマイナスに保持れた
基板へさしむけ基板上に薄膜を形成させるクラスターイ
オン式イオンプレーティング法（特開昭49-33890号）も
含まれるものである。さらに特公昭43-11525号、特開昭
49-34483号、特公昭49-47910号等に開示されているよう
な、蒸発物質流を電子ビーム中を通すことによってイオ
ン化して基板に入射させるイオンプレーティング法をも
含むものである。窒化鉄あるいは窒化鉄および鉄のイオ
ンプレーティングにより磁性薄膜の形成には、蒸発源よ
り鉄を蒸発せしめると共に反応ガスとして窒素ガス、ア
ンモニアガス等の窒素を含むガスを導入することにより
行なう。前記磁性薄膜形成の際の入射角は25゜以上好ま
しくは30゜以上である。

本発明の磁気記録媒体における磁性薄膜の総厚さは、磁
気記録媒体として充分な出力を与え得る厚さおよび高密
度記録の充分行なえるような薄さを必要とすることから
一般には0.02μｍから2.0μｍ、好ましくは0.05μｍか
ら1.0μｍである。第１の磁性薄膜と第２の磁性薄膜と
の厚み比は１／３〜３とする。この比が１／３に満たな
い（すなわち、窒化鉄を主成分とする第２の磁性薄膜が
厚すぎる）と変調ノイズが増大し、また、３を超える
（すなわち、コバルトを主成分とする第１の磁性薄膜が
厚すぎる）と耐候性の改良が充分に図れなくなり、本発
明の目的を充分に達成できなくなる。

本発明に用いられる非磁性支持体としてはポリエチレン
テレフタレート、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、三酢酸
セルロース、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレ
ート、ポリアラミド、ポリフェニレンサルファイドのよ
うなプラスチックベースの基体あるいはＡｌ，黄銅，ス
テンレス鋼のような金属乃至合金基体があげられる。

本発明における磁性薄膜上に潤滑剤層を用いてもよく、
潤滑剤としては、炭素数12〜18個の脂肪酸（Ｒ_１ＣＯＯ
Ｈ、Ｒ_１は炭素数11〜17のアルキルまたはアルケニル
基）；前記脂肪酸の金属塩；シリコンオイル；炭素数２
〜20個の一塩基性脂肪酸と炭素枢着３〜12個の一価のア
ルコールから成る脂肪酸エステル類から選ばれた少なく
とも１種を含有するもの等が使用される。上記潤滑剤は
磁性膜上に0.5〜20mg／m²存在せしめるのがよく、潤滑
剤の塗布は必要に応じて磁性膜上、あるいは支持体裏面
に塗布して潤滑剤を磁性膜上へ転写させるようにしても
良い。

本発明の磁気記録媒体においては、必要に応じ支持体裏
面にいわゆるバック層を設けてもよい。

また、磁性金属蒸着膜と支持体との間に有機あるいは無
機物からなる層を設けてもよい。

（実施例）以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。

第１図は本発明の一実施例による磁気記録媒体を示す略
断面図である。本図面に示す磁気記録媒体は非磁性基体
11と、その上に設けられたコバルトを主成分とする第１
の磁性薄膜12と、その上に設けられた窒化鉄を主成分と
し、前記元素群から選ばれた少なくとも１種の元素を含
有する第２の磁性薄膜13とからなるものである。本実施
例では第１の磁性薄膜12および第２の磁性薄膜13をそれ
ぞれ単層構造としているが、それぞれ多層構造とするこ
ともできる。

実施例１第２図に示す装置を用いて12.5μｍ厚のポリイミドフィ
ルム上に磁性薄膜を形成させて磁気テープを作成した。

第２図において、真空槽21内は送出し巻取り室22、斜方
入射蒸着室23、斜方入射イオンプレーテング室24の三室
に隔壁25,26,27で分割されており、それぞれ排気口28,2
9,30により独立に真空排気される。非磁性支持体31はロ
ール32から冷却キャン33に沿って蒸着室23、イオンプレ
ーテング室24を経た後ロール34に巻取られる。非磁性支
持体31は正逆搬送可でロール34からロール32へと搬送す
ることもできる。蒸着室23、イオンプレーテング室24内
の冷却キャン33の下方にはそれぞれルツボ35,36が配設
されており、電子銃37,38からの電子ビームにより所望
蒸発材料39,40を加熱し蒸発させるようになっている。
材料39,40の蒸発流が冷却キャン33上の非磁性支持体31
に斜めに入射するようにそれぞれ斜方マスク41,42が設
けられており、マスク41,42の先端近傍にはガス導入口4
3,44が配設されている。イオンプレーテング室24にはさ
らにイオン化電極45と熱電子放出フィラメント46が設け
られている。

本実施例においては、材料39としてＣｏ，材料40として
ＦｅおよびＡｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖから選ばれた１
種以上の元素をチャージし、マスク41,42の設定はそれ
ぞれ最小入射角が40゜,60゜となるようにした。ガス導入
口44からは窒素ガスをイオンプレーテング室24の圧力が
８×10^-4Ｔorrとなるよう導入し、熱電子放出フィラメ
ント46を加熱して熱電子を溶出せしめつつイオン化電極
45に60Ｖ印加し、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ等を含有
する窒化鉄を形成させた。ポリイミドフィルムをロール
32から送出し蒸着室23の真空度を６×10^-5Ｔorrとして
Ｃｏ斜方入射蒸着膜を形成後、イオンプレーテング室24
で窒化鉄膜を形成しロール34に巻取った。形成した磁性
薄膜の総厚を0.18μｍとし、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔｉ，
Ｖ等含有窒化鉄膜／Ｃｏ蒸着磁性膜の厚さの比を１／１
とし、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖをそれぞれ１wt％含
有させたサンプル（それぞれNo.１〜No.５）を作成し
た。さらにＡｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖをそれぞれ１wt
％含有した窒化鉄膜のみ（No.６〜10）、Ｃｏ蒸着磁性
膜のみ（No.11）を形成したサンプルも比較のために作
成した。

このようにして得られたサンプルの耐候性、耐久性およ
び変調ノイズを測定した。耐候性は発露型ウェザーメー
ター（山崎精機研究所Ｅ−12ＷＧ型）に３日間保存後の
錆の発生状況を５段階評価により測定した。耐久性につ
いては30℃、10％相対湿度の環境条件下でＶＨＳ型ＶＴ
Ｒにてサンプルを10分間スチルモードでかけた後、磁性
薄膜面のヘッド傷発生状況を顕微鏡観察し、これも５段
階評価により判定した。変調ノイズについてはＶＨＳ型
ＶＲＴＲを半速化した装置にて測定した。これらの結果
は下表のようであった。

実施例２第２図の装置において、材料39としてはＣｏＮｉ（Ｎｉ
20重量％）、材料40としてはＦｅおよびＡｌ，Ｃｒ，Ｍ
ｏ，Ｔｉ，Ｖから選ばれた１種以上の元素をチャージ
し、マスク41,42の設定はそれぞれ最小入射角が35゜,55゜
となるようにした。9.5μｍ厚のポリエチレンテレフタ
レートフィルムをロール32から送出して斜方入射蒸着膜
を形成後ロール34に巻取り、しかる後、ロール34から送
出してＡｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ等を含有する窒化鉄
膜を形成しロール32で巻取った。イオンプレーテング室
24には圧力が５×10^-4Ｔorrとなるよう窒素ガスを導入
し、蒸着室23にはガス導入口43から酸素ガスを導入し、
圧力が２×10^-4Ｔorrになるようにした。形成した磁性
薄膜の総厚を0.12μｍとし、Ａｌ（２wt％）含有窒化鉄
膜／蒸着磁性薄膜の厚さの比を１／３（サンプルNo.1
2）、１／１（No.13）、３／１（No.14）としたものに
加えてＡｌ（２wt％）含有窒化鉄膜のみ（No.15）を形
成したサンプルも作成した。これと同様Ｃｒ（２wt％）
含有窒化鉄膜についても一連のサンプル（No.16〜19）
を作成し、蒸着磁性薄膜のみを形成した（No.20）も比
較のため作成した。このようにして得られたサンプルの
耐候性、耐久性、変調ノイズを実施例１と同様にして測
定したところ下表のようであった。

比較例第１の磁性薄膜および第２の磁性薄膜の厚さを表３のよ
うに変えた以外は実施例２と同一の条件でサンプルNo.2
1〜24を作成した。このようにして得られたサンプルの
耐候性、耐久性、変調ノイズを実施例１と同様にして測
定したところ、表３の通りであった。

第１の磁性薄膜と第２の磁性薄膜との厚さの比が１／３
〜３の範囲外であると耐候性、耐久性および変調ノイズ
が共に優れたものにはならないことが認められた。

これらの実施例の結果から、本発明の磁気記録媒体は他
のサンプルと比較して、耐候性、耐久性および変調ノイ
ズ特性において優れた特性を示すことが認められた。

（発明の効果）本発明は、コバルトを主成分とする第１の磁性薄膜を形
成することにより、磁気特性の優れた磁性薄膜を得、ま
た、窒化鉄を主成分とし、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔｉおよ
びＶからなる少なくとも１種の元素を含有する第２の磁
性薄膜を形成することにより、その磁気特性が良好であ
り、かつ耐候性に優れた磁気記録媒体を得たもので、そ
の産業上の利点には大きなものがある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による磁気記録媒体の構成を示す略断面
図、第２図は本発明の実施例で使用された装置を示す略図で
ある。 11…非磁性基体 12…第１の磁性薄膜 13…第２の磁性薄膜 21…真空槽 22…送出し巻取り室 23…斜方入射蒸着室 24…斜方入射イオンプレーテング室 25,26,27…隔壁 28,29,30…排気孔 31…非磁性支持体 32…ロール 33…冷却キャン 34…ロール 35,36…ルツボ 37,38…電子銃 39,40…蒸発材料 41,42…斜方マスク 43,44…ガス導入口 45…イオン化電極 46…熱電子放出フィラメント

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者北本達治神奈川県小田原市扇町２丁目12番１号富士写真フイルム株式会社内 (56)参考文献特開昭54−143111（ＪＰ，Ａ)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基体と、該基体上に形成されたコバ
ルトを主成分とする第１の磁性薄膜と、該第１の磁性薄
膜上に形成された窒化鉄を主成分とし、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍ
ｏ，ＴｉおよびＶからなる群より選ばれた少なくとも１
種の元素を含有する第２の磁性薄膜とからなり、前記第
１の磁性薄膜と第２の磁性薄膜との厚さの比が１／３〜
３の範囲にあることを特徴とする磁気記録媒体。