JPH06152047A - 面発光型半導体レーザ装置 - Google Patents
面発光型半導体レーザ装置Info
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- JPH06152047A JPH06152047A JP4294301A JP29430192A JPH06152047A JP H06152047 A JPH06152047 A JP H06152047A JP 4294301 A JP4294301 A JP 4294301A JP 29430192 A JP29430192 A JP 29430192A JP H06152047 A JPH06152047 A JP H06152047A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/1071—Ring-lasers
- H01S5/1075—Disk lasers with special modes, e.g. whispering gallery lasers
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 歩溜りの悪いＤＢＲを必要とせず、しかも微
小サイズ化が期待できる面発光型半導体レーザ装置を提
供する。 【構成】 円形もしくは多角形状のヘテロ接合を形成す
る活性層８と、該活性層８の上下に設けられた円形もし
くは多角形状の上部クラッド層７及び下部クラッド層９
とを有し、前記上部クラッド層７の周辺部に沿って光共
振器が形成されている半導体レーザ装置において、前記
上部クラッド層７の表面に該上部クラッド層７の周辺部
に対して垂直な方向に２次の回折格子２を形成すること
により、基板３に対して垂直な方向にレーザ光を出射可
能とする。
小サイズ化が期待できる面発光型半導体レーザ装置を提
供する。 【構成】 円形もしくは多角形状のヘテロ接合を形成す
る活性層８と、該活性層８の上下に設けられた円形もし
くは多角形状の上部クラッド層７及び下部クラッド層９
とを有し、前記上部クラッド層７の周辺部に沿って光共
振器が形成されている半導体レーザ装置において、前記
上部クラッド層７の表面に該上部クラッド層７の周辺部
に対して垂直な方向に２次の回折格子２を形成すること
により、基板３に対して垂直な方向にレーザ光を出射可
能とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板に対して垂直な方
向にレーザ光を出射する面発光型半導体レーザ装置に関
するものである。
向にレーザ光を出射する面発光型半導体レーザ装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の面発光型半導体レーザ装置として
は、数μｍ径の円柱構造で半導体の積層方向に共振器が
形成されたＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）形
面発光レーザが報告されている。この構造のレーザでは
共振器長が波長オーダで構成されるため、反射鏡に１０
０％に近い高反射率が要求される。従って、半導体層を
λ／４ｎ（ｎは屈折率、λは波長）の厚さで交互に繰り
返した構造のＤＢＲは、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓを使用した
場合、基板側のＤＢＲで２０〜４０ペア、空気側で１０
〜２５ペア必要となる。この時の各領域の層厚としては
１．５〜６μｍであり、一方、活性層の層厚は〜６０ｎ
ｍ程度であるため、素子長はほとんどＤＢＲの長さで決
まる。
は、数μｍ径の円柱構造で半導体の積層方向に共振器が
形成されたＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）形
面発光レーザが報告されている。この構造のレーザでは
共振器長が波長オーダで構成されるため、反射鏡に１０
０％に近い高反射率が要求される。従って、半導体層を
λ／４ｎ（ｎは屈折率、λは波長）の厚さで交互に繰り
返した構造のＤＢＲは、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓを使用した
場合、基板側のＤＢＲで２０〜４０ペア、空気側で１０
〜２５ペア必要となる。この時の各領域の層厚としては
１．５〜６μｍであり、一方、活性層の層厚は〜６０ｎ
ｍ程度であるため、素子長はほとんどＤＢＲの長さで決
まる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＭＯＣＶＤ成長による
成長速度は、０．２〜２．０μｍ／Ｈであるため、片側
のＤＢＲ領域を形成するためにも４〜５時間が必要とな
る。ＤＢＲを構成する各半導体層の層厚、組成の変動
は、両方のＤＢＲで形成されるファブリペロー共振器の
特性として敏感に反映されるため、装置性能に近い変動
でもレーザ特性は大きく劣化する。このため、高性能な
ＤＢＲ形面発光レーザの作製には、長時間に渡って均一
性良くかつ安定に動作する成長方法の確立が不可欠であ
り、現状では良好な素子の作製歩留りは必ずしも充分と
いえなかった。
成長速度は、０．２〜２．０μｍ／Ｈであるため、片側
のＤＢＲ領域を形成するためにも４〜５時間が必要とな
る。ＤＢＲを構成する各半導体層の層厚、組成の変動
は、両方のＤＢＲで形成されるファブリペロー共振器の
特性として敏感に反映されるため、装置性能に近い変動
でもレーザ特性は大きく劣化する。このため、高性能な
ＤＢＲ形面発光レーザの作製には、長時間に渡って均一
性良くかつ安定に動作する成長方法の確立が不可欠であ
り、現状では良好な素子の作製歩留りは必ずしも充分と
いえなかった。
【０００４】本発明は前記従来の問題点に鑑み、歩溜り
の悪いＤＢＲを必要とせず、しかも微小サイズ化が期待
できる面発光型半導体レーザ装置を提供することを目的
とする。
の悪いＤＢＲを必要とせず、しかも微小サイズ化が期待
できる面発光型半導体レーザ装置を提供することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明では前記目的を達
成するため、請求項１では、円形もしくは多角形状のヘ
テロ接合を形成する活性層と、該活性層の上下に設けら
れた円形もしくは多角形状の上部クラッド層及び下部ク
ラッド層とを有し、前記上部クラッド層の周辺部に沿っ
て光共振器が形成されている半導体レーザ装置におい
て、前記上部クラッド層の表面に該上部クラッド層の周
辺部に対して垂直な方向に２次の回折格子を形成した面
発光型半導体レーザ装置、また、請求項２では、２次の
回折格子の少なくとも一部に周期性の異なる構造を有す
る請求項１記載の面発光型半導体レーザ装置を提案す
る。
成するため、請求項１では、円形もしくは多角形状のヘ
テロ接合を形成する活性層と、該活性層の上下に設けら
れた円形もしくは多角形状の上部クラッド層及び下部ク
ラッド層とを有し、前記上部クラッド層の周辺部に沿っ
て光共振器が形成されている半導体レーザ装置におい
て、前記上部クラッド層の表面に該上部クラッド層の周
辺部に対して垂直な方向に２次の回折格子を形成した面
発光型半導体レーザ装置、また、請求項２では、２次の
回折格子の少なくとも一部に周期性の異なる構造を有す
る請求項１記載の面発光型半導体レーザ装置を提案す
る。
【０００６】
【作用】半導体薄膜が低屈折率媒質中に置かれ、その薄
膜中を光が伝搬する時は、該半導体薄膜の周辺部に沿っ
た伝搬モード、即ちwhispering-galleryモードが存在す
る（Electronics Lett. vol.28, 17, 1992）。半導体薄
膜として活性層及びクラッド層からなる半導体積層体を
用いて、光励起あるいは電流注入等の方法で活性層中に
キャリアを生成すると、左右に旋回するwhispering-gal
leryモードによる光波が発生する。本発明は、半導体積
層体のクラッド層の表面に、半導体積層体と低屈折率媒
質との境界に対して垂直な方向に溝を有する凹凸溝を設
けて回折格子とし、これらの周期を２次の次数となるよ
うに設定し、ＤＦＢ（DistributedFeedback）効果によ
って半導体積層体の表面に対して垂直な方向に出射する
レーザ光を得るようにしたものである。
膜中を光が伝搬する時は、該半導体薄膜の周辺部に沿っ
た伝搬モード、即ちwhispering-galleryモードが存在す
る（Electronics Lett. vol.28, 17, 1992）。半導体薄
膜として活性層及びクラッド層からなる半導体積層体を
用いて、光励起あるいは電流注入等の方法で活性層中に
キャリアを生成すると、左右に旋回するwhispering-gal
leryモードによる光波が発生する。本発明は、半導体積
層体のクラッド層の表面に、半導体積層体と低屈折率媒
質との境界に対して垂直な方向に溝を有する凹凸溝を設
けて回折格子とし、これらの周期を２次の次数となるよ
うに設定し、ＤＦＢ（DistributedFeedback）効果によ
って半導体積層体の表面に対して垂直な方向に出射する
レーザ光を得るようにしたものである。
【０００７】本発明のような周回形レーザの場合、回折
格子の周期性が周辺部に渡って完全に保たれている時に
は反射面がない。発振モードは左右に旋回する光波が互
いに逆位相で伝搬し、光結合の結果として互いが打ち消
し合うモードとなる。このため、半導体積層体の表面に
対して垂直な方向への光出力は非常に小さくなる。そこ
で、請求項２の発明では、規則正しく配置された回折格
子の列の中に、周期性から予想される形状とは異なる仕
様の格子を配置し、この領域を通過する左右の旋回光の
間に位相差を生じさせて反射を起こさせる。このように
規則性を擾乱させる領域を実効的な反射面とすること
で、ＤＦＢによる光結合の結果として、半導体積層体に
対して垂直な方向に効率良くレーザ出力を得ることがで
きるようにしたものである。
格子の周期性が周辺部に渡って完全に保たれている時に
は反射面がない。発振モードは左右に旋回する光波が互
いに逆位相で伝搬し、光結合の結果として互いが打ち消
し合うモードとなる。このため、半導体積層体の表面に
対して垂直な方向への光出力は非常に小さくなる。そこ
で、請求項２の発明では、規則正しく配置された回折格
子の列の中に、周期性から予想される形状とは異なる仕
様の格子を配置し、この領域を通過する左右の旋回光の
間に位相差を生じさせて反射を起こさせる。このように
規則性を擾乱させる領域を実効的な反射面とすること
で、ＤＦＢによる光結合の結果として、半導体積層体に
対して垂直な方向に効率良くレーザ出力を得ることがで
きるようにしたものである。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の面発光型半導体レーザ装置の
一実施例を示すもので、図中、１は半導体積層体、２は
回折格子、３は基板、４はｐ側電極、５はｎ側電極、６
はバッファ層である。
一実施例を示すもので、図中、１は半導体積層体、２は
回折格子、３は基板、４はｐ側電極、５はｎ側電極、６
はバッファ層である。
【０００９】半導体積層体１は、外径１０μｍφの円盤
形状をなした、ノンドープの上部クラッド層７、活性層
８及び下部クラッド層９からなっており、それぞれの詳
細は以下の通りである。
形状をなした、ノンドープの上部クラッド層７、活性層
８及び下部クラッド層９からなっており、それぞれの詳
細は以下の通りである。
【００１０】
【表１】 図２はｐ側電極４を取り除いた状態の平面図、図３は斜
視図であり、回折格子２は上部クラッド層７上に形成さ
れた、外径１０μｍφ、内径８μｍφ、中心角７度の扇
形のＩｎＧａＡｓＰ層領域１０、中心角７度の扇形のＩ
ｎＧａＡｓＰ層除去領域１１及び中心角１７度の反射面
形成領域１２からなっている。なお、中央のＩｎＧａＡ
ｓＰ層領域（外径６μｍφ）はｐ側電極４に対する接触
抵抗を低減するコンタクト層１３として機能している。
前記回折格子２及びコンタクト層１３を構成するＩｎＧ
ａＡｓＰ層としては、層厚０．０２μｍ、キャリア密度
ｐ＝２×１０10ｃｍ-3の１．５μｍ組成のＩｎＧａＡｓ
Ｐ層が用いられる。
視図であり、回折格子２は上部クラッド層７上に形成さ
れた、外径１０μｍφ、内径８μｍφ、中心角７度の扇
形のＩｎＧａＡｓＰ層領域１０、中心角７度の扇形のＩ
ｎＧａＡｓＰ層除去領域１１及び中心角１７度の反射面
形成領域１２からなっている。なお、中央のＩｎＧａＡ
ｓＰ層領域（外径６μｍφ）はｐ側電極４に対する接触
抵抗を低減するコンタクト層１３として機能している。
前記回折格子２及びコンタクト層１３を構成するＩｎＧ
ａＡｓＰ層としては、層厚０．０２μｍ、キャリア密度
ｐ＝２×１０10ｃｍ-3の１．５μｍ組成のＩｎＧａＡｓ
Ｐ層が用いられる。
【００１１】基板３はキャリア密度ｎ＝３×１０10ｃｍ
-3のＩｎＰ基板からなっている。また、ｐ側基板４及び
ｎ側基板５はそれぞれＣｒ／Ａｕ及びＡｕＧｅＮｉから
なっている。また、バッファ層６は層厚０．５μｍ、キ
ャリア密度ｎ＝２×１０10ｃｍ-3のＩｎＰ層からなって
いる。
-3のＩｎＰ基板からなっている。また、ｐ側基板４及び
ｎ側基板５はそれぞれＣｒ／Ａｕ及びＡｕＧｅＮｉから
なっている。また、バッファ層６は層厚０．５μｍ、キ
ャリア密度ｎ＝２×１０10ｃｍ-3のＩｎＰ層からなって
いる。
【００１２】前述した上部クラッド層７、活性層８及び
下部クラッド層９からなる半導体積層体１は、回折格子
２及びコンタクト層１３を構成するＩｎＧａＡｓＰ層並
びにバッファ層６とともに、基板３上に１１層構造の結
晶としてＭＯＣＶＤ成長法により形成される。
下部クラッド層９からなる半導体積層体１は、回折格子
２及びコンタクト層１３を構成するＩｎＧａＡｓＰ層並
びにバッファ層６とともに、基板３上に１１層構造の結
晶としてＭＯＣＶＤ成長法により形成される。
【００１３】前記面発光型半導体レーザ装置の作製手順
は、前記結晶に対し、まず、（１）ｎ側電極５を形成
し、（２）回折格子２を作製し、（３）ｐ側電極４を形
成し、（４）活性領域を形成し、最後に（５）ＩｎＰ領
域を選択エッチングする、である。
は、前記結晶に対し、まず、（１）ｎ側電極５を形成
し、（２）回折格子２を作製し、（３）ｐ側電極４を形
成し、（４）活性領域を形成し、最後に（５）ＩｎＰ領
域を選択エッチングする、である。
【００１４】具体的には、ｎ側電極５は基板３を研磨し
た後、ＡｕＧｅＮｉを蒸着して形成する。回折格子２は
１．５μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰ層の表面に、前述した
ようなパターンを形成した後、充分に冷却した硫酸系エ
ッチャントを用いて、上部クラッド層７を構成する１．
３μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰ層との組成によるエッチン
グレート差を利用して、１．５μｍ組成のＩｎＧａＡｓ
Ｐ層だけを選択的にエッチングして形成する。ｐ側電極
４はＣｒ／Ａｕを用いて、２層レジストによるリフトオ
フ法でマッシュルーム形状に形成する。なお、上部の電
極領域は約８μｍφとした。活性領域はレジストをマス
クとして、塩素系のＲＩＥを用いて基板３に達する深さ
までドライ加工して形成する。ＩｎＰ領域のエッチング
は塩素系エッチャントを用いて、ＩｎＰ領域だけを選択
的に除去することにより砲台形に形成する。
た後、ＡｕＧｅＮｉを蒸着して形成する。回折格子２は
１．５μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰ層の表面に、前述した
ようなパターンを形成した後、充分に冷却した硫酸系エ
ッチャントを用いて、上部クラッド層７を構成する１．
３μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰ層との組成によるエッチン
グレート差を利用して、１．５μｍ組成のＩｎＧａＡｓ
Ｐ層だけを選択的にエッチングして形成する。ｐ側電極
４はＣｒ／Ａｕを用いて、２層レジストによるリフトオ
フ法でマッシュルーム形状に形成する。なお、上部の電
極領域は約８μｍφとした。活性領域はレジストをマス
クとして、塩素系のＲＩＥを用いて基板３に達する深さ
までドライ加工して形成する。ＩｎＰ領域のエッチング
は塩素系エッチャントを用いて、ＩｎＰ領域だけを選択
的に除去することにより砲台形に形成する。
【００１５】前記構成において、回折格子２の凸部に相
当する１．５μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰ層がある領域１
０の等価屈折率は２．９４５、一方、凹部に相当する領
域１１の等価屈折率は２．９０３である。前述したよう
に外径１０μｍφ、中心角７度の扇形で、屈折率が僅か
に異なる領域が交互に配置されたリング状の導波路を波
長１．５５μｍの光が伝搬する時、２次の回折が起こ
る。本実施例の結合定数κは周囲が空気（ｎ＝１）であ
るため、約０．０２μｍの深さの回折格子で約９５０ｃ
ｍ-1であり、円盤周辺部に沿った結合強度κＬとしては
約２．７と見積られ、ＤＦＢ（Distributed Feedback）
レーザとして充分に期待できる。また、中心角１７度の
扇形の反射面形成領域１２を形成することにより、この
領域を左右に旋回する光が通過する時に位相差が生じ、
反射面として機能して垂直方向にレーザ光が得られた。
当する１．５μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰ層がある領域１
０の等価屈折率は２．９４５、一方、凹部に相当する領
域１１の等価屈折率は２．９０３である。前述したよう
に外径１０μｍφ、中心角７度の扇形で、屈折率が僅か
に異なる領域が交互に配置されたリング状の導波路を波
長１．５５μｍの光が伝搬する時、２次の回折が起こ
る。本実施例の結合定数κは周囲が空気（ｎ＝１）であ
るため、約０．０２μｍの深さの回折格子で約９５０ｃ
ｍ-1であり、円盤周辺部に沿った結合強度κＬとしては
約２．７と見積られ、ＤＦＢ（Distributed Feedback）
レーザとして充分に期待できる。また、中心角１７度の
扇形の反射面形成領域１２を形成することにより、この
領域を左右に旋回する光が通過する時に位相差が生じ、
反射面として機能して垂直方向にレーザ光が得られた。
【００１６】前記実施例の装置を室温中でデューティ比
１０００：１のパルス入力で駆動させた時、レーザ発振
が得られた。しきい電流は５ｍＡであった。最高ピーク
光出力は約１ｍＷであり、微分量子効率は１２％であっ
た。発振スペクトルは中心波長が１．５５０μｍで、単
一モードであった。遠視野像から求めたビームの半値全
幅は約１０度であった。
１０００：１のパルス入力で駆動させた時、レーザ発振
が得られた。しきい電流は５ｍＡであった。最高ピーク
光出力は約１ｍＷであり、微分量子効率は１２％であっ
た。発振スペクトルは中心波長が１．５５０μｍで、単
一モードであった。遠視野像から求めたビームの半値全
幅は約１０度であった。
【００１７】なお、前記実施例では回折格子２の周期性
をくずして効率を上げているが、周期性をくずさなくて
もレーザ発振することは作用の項で述べた通りである。
をくずして効率を上げているが、周期性をくずさなくて
もレーザ発振することは作用の項で述べた通りである。
【００１８】前述したように、半導体積層体の表面に凹
凸溝を設け、周辺部に沿って２次の回折格子を形成する
と、whispering-galleryモードによる左右の旋回光が光
結合するＤＦＢによるレーザ発振が起こる。この時、こ
れらの回折格子の一部に、屈折率分布の周期性を乱す反
射面形成領域を設けることで、基板に対して垂直な方向
にレーザ光を出射する面発光型の半導体レーザが実現で
きる。
凸溝を設け、周辺部に沿って２次の回折格子を形成する
と、whispering-galleryモードによる左右の旋回光が光
結合するＤＦＢによるレーザ発振が起こる。この時、こ
れらの回折格子の一部に、屈折率分布の周期性を乱す反
射面形成領域を設けることで、基板に対して垂直な方向
にレーザ光を出射する面発光型の半導体レーザが実現で
きる。
【００１９】また、前記実施例では、半導体積層体が円
形の場合について説明したが、周回形の共振器が形成さ
れていれば、多角形でも同様な効果が得られる。この
時、凹凸溝は光路に対して垂直方向に形成すれば良い。
また、前記実施例では、中心角の異なる扇形を形成する
ことにより反射面を形成したが、凹凸部の層厚を変える
又は他の物資を表面に選択的に堆積させた領域を形成す
ることにより、反射面を形成しても同様な効果が得られ
る。また、前記実施例ではＩｎＰ基板を用いているが、
シリコン基板を用いた場合でもバッファ層の厚さを充分
大きくするだけで同様な効果が得られる。さらにまた、
前記実施例ではＩｎＰ系結晶について述べたが、ＧａＡ
ｓ系結晶でも半導体積層体の構成を工夫することによ
り、本発明の主旨は基本的に適用できる。
形の場合について説明したが、周回形の共振器が形成さ
れていれば、多角形でも同様な効果が得られる。この
時、凹凸溝は光路に対して垂直方向に形成すれば良い。
また、前記実施例では、中心角の異なる扇形を形成する
ことにより反射面を形成したが、凹凸部の層厚を変える
又は他の物資を表面に選択的に堆積させた領域を形成す
ることにより、反射面を形成しても同様な効果が得られ
る。また、前記実施例ではＩｎＰ基板を用いているが、
シリコン基板を用いた場合でもバッファ層の厚さを充分
大きくするだけで同様な効果が得られる。さらにまた、
前記実施例ではＩｎＰ系結晶について述べたが、ＧａＡ
ｓ系結晶でも半導体積層体の構成を工夫することによ
り、本発明の主旨は基本的に適用できる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、円
形もしくは多角形状のヘテロ接合を形成する活性層と、
該活性層の上下に設けられた円形もしくは多角形状の上
部クラッド層及び下部クラッド層とからなる半導体積層
体の上部クラッド層の表面に、該上部クラッド層の周辺
部に対して垂直な方向に２次の回折格子を形成するのみ
で良く、歩溜りの悪いＤＢＲを必要とせず、しかも微小
サイズ化が期待できる面発光型半導体レーザ装置を実現
できる。
形もしくは多角形状のヘテロ接合を形成する活性層と、
該活性層の上下に設けられた円形もしくは多角形状の上
部クラッド層及び下部クラッド層とからなる半導体積層
体の上部クラッド層の表面に、該上部クラッド層の周辺
部に対して垂直な方向に２次の回折格子を形成するのみ
で良く、歩溜りの悪いＤＢＲを必要とせず、しかも微小
サイズ化が期待できる面発光型半導体レーザ装置を実現
できる。
【図１】本発明の面発光型半導体レーザ装置の一実施例
を示す断面図
を示す断面図
【図２】図１の装置のｐ側電極を取り除いた状態の平面
図
図
【図３】図１の装置の斜視図
１…半導体積層体、２…回折格子、３…基板、４…ｐ側
電極、５…ｎ側電極、６…バッファ層、７…上部クラッ
ド層、８…活性層、９…下部クラッド層、１０…ＩｎＧ
ａＡｓＰ層領域、１１…ＩｎＧａＡｓＰ層除去領域、１
２…反射面形成領域、１３…コンタクト層。
電極、５…ｎ側電極、６…バッファ層、７…上部クラッ
ド層、８…活性層、９…下部クラッド層、１０…ＩｎＧ
ａＡｓＰ層領域、１１…ＩｎＧａＡｓＰ層除去領域、１
２…反射面形成領域、１３…コンタクト層。
Claims (2)
- 【請求項１】 円形もしくは多角形状のヘテロ接合を形
成する活性層と、該活性層の上下に設けられた円形もし
くは多角形状の上部クラッド層及び下部クラッド層とを
有し、前記上部クラッド層の周辺部に沿って光共振器が
形成されている半導体レーザ装置において、 前記上部クラッド層の表面に該上部クラッド層の周辺部
に対して垂直な方向に２次の回折格子を形成したことを
特徴とする面発光型半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 ２次の回折格子の少なくとも一部に周期
性の異なる構造を有することを特徴とする請求項１記載
の面発光型半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4294301A JPH06152047A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | 面発光型半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4294301A JPH06152047A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | 面発光型半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06152047A true JPH06152047A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17805930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4294301A Pending JPH06152047A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | 面発光型半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06152047A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08274407A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-10-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ |
| EP1544967A1 (en) * | 2003-12-17 | 2005-06-22 | Palo Alto Research Center Incorporated | Grating-outcoupled microcavity disk resonator |
| WO2009136244A1 (en) * | 2008-05-05 | 2009-11-12 | Scuola Normale Superiore | Thz quantum cascade laser with micro-disc resonator and vertical emission by a second-order grating |
| CN105591284A (zh) * | 2016-01-18 | 2016-05-18 | 华中科技大学 | 光栅辅助的微柱腔面发射激光器 |
-
1992
- 1992-11-02 JP JP4294301A patent/JPH06152047A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08274407A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-10-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ |
| EP1544967A1 (en) * | 2003-12-17 | 2005-06-22 | Palo Alto Research Center Incorporated | Grating-outcoupled microcavity disk resonator |
| JP2005183963A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Palo Alto Research Center Inc | 格子アウトカップル型マイクロキャビティ・ディスク共振器及びその製造方法 |
| US7242705B2 (en) | 2003-12-17 | 2007-07-10 | Palo Alto Research Center, Incorporated | Grating-outcoupled cavity resonator having uni-directional emission |
| WO2009136244A1 (en) * | 2008-05-05 | 2009-11-12 | Scuola Normale Superiore | Thz quantum cascade laser with micro-disc resonator and vertical emission by a second-order grating |
| CN105591284A (zh) * | 2016-01-18 | 2016-05-18 | 华中科技大学 | 光栅辅助的微柱腔面发射激光器 |
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