JPH10200200A

JPH10200200A - 面発光型半導体レーザ

Info

Publication number: JPH10200200A
Application number: JP1179197A
Authority: JP
Inventors: Yukio Furukawa; 幸生古川
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-01-06
Filing date: 1997-01-06
Publication date: 1998-07-31

Abstract

(57)【要約】【課題】特別な電流狭窄構造が不要な面発光型半導体レ
ーザである。【解決手段】活性層１６を含む半導体層、これの両側に
設けられた第１、第２の多層反射膜１８、１２、活性層
１６に電流を注入するための電極２４、２６とからなる
垂直共振器型面発光型半導体レーザである。半導体層の
第１の多層反射膜２０と接する面が平面状の第２の多層
反射膜側１２に中心点を持つ所定の曲率半径からなるほ
ぼ球面或はシリンドリカル面を含んでおり、半導体層の
ほぼ球面或はシリンドリカル面上に第１の多層反射膜２
０が形成されている。第１の多層反射膜２０の中央部に
半導体層と電極２４とを電気的に接触させるためのコン
タクト領域２８が設けられている。第２の多層反射膜側
には光取り出し用の窓があけられた電極２６が設けられ
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光インターコネク
ション、並列光情報処理、大容量並列光伝送などに用い
られる面発光型半導体素子、特に、発光効率の良い面発
光型半導体レーザに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】面発光型半導体レーザは、高密度２次元
アレイ化が可能である、低しきい値駆動が可能であると
いった特徴から、光インターコネクションや並列光情報
処理、あるいは大容量並列光伝送といった分野における
光源として注目されており、その開発が進められてい
る。

【０００３】従来の面発光型半導体レーザの一例を図６
に示す。図６は断面図である。構造を簡単に説明する。
ｎ型ＧａＡｓ基板６０１上に、ｎ型半導体多層反射膜６
０２、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６０３、ｉ（ｉｎｔ
ｒｉｎｓｉｃ）−ＩｎＧａＡｓ活性層６０４、ｐ型Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層、ｐ型半導体多層反射膜６０６を、
ＭＢＥ等の方法で順次成長したものである。そして、２
つの電極６１０、６１１によって活性層６０４に電流を
注入して光を励起し、上下の反射膜６０２、６０６によ
って共振させ、基板６０１に対して垂直方向に光を取り
出すものである。

【０００４】

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、従
来の面発光型半導体レーザにおいては、電極が共振器の
損失になったり、光を外部に取り出す際の妨げになった
りしないように、少なくともどちらか一方の電極がリン
グ形状をしていたりするのが一般的であった。したがっ
て、活性層に効率良く電流を注入するために電流を狭窄
する手段が必要であった。図６の例では、活性層６０４
の外周部にイオン注入により高抵抗化した領域６１２を
設けている。その他、活性層の外周部を、高抵抗半導体
で埋め込んだり、極性を反転させたｐｎジャンクション
を設けたり、ポリイミド等で埋め込むことにより、電流
狭窄構造を形成する必要があった。

【０００５】このような課題に鑑み、本発明の目的を各
請求項に対応して以下に述べる。請求項１、２、３及び
４に係る発明の目的は、特別な電流狭窄構造が不要な面
発光型半導体レーザを提供することにある。請求項５の
発明の目的は、請求項１、２、３及び４の発明の目的に
加え、発光効率の良い面発光型半導体レーザを提供する
ことにある。請求項６の発明の目的は、安定に共振しう
る共振器構造を提供することにある。請求項７、８の発
明の目的は、請求項１、２、３及び４の発明の目的に加
え、基板に適した材料の多層反射膜構造を持つ面発光型
半導体レーザを提供することにある。請求項９、１０の
発明の目的は、請求項１の発明のようなレーザを簡単な
方法で作成できる作成方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】各請求項に対応した上記
目的を達成するための構成、作用をまとめると以下のよ
うになる。

【０００７】１）乃至５）手段：活性層を含む半導体
層、該半導体層の両側に設けられた第１、第２の多層反
射膜、活性層に電流を注入するための電極とからなる垂
直共振器型面発光型半導体レーザにおいて、該半導体層
の該第１の多層反射膜と接する面が該第２の多層反射膜
側に中心点を持つ所定の曲率半径からなるほぼ球面或は
シリンドリカル面を含んでおり、該半導体層のほぼ球面
或はシリンドリカル面上に該第１の多層反射膜が形成さ
れており、該第１の多層反射膜の中心部に該半導体層と
第１の多層反射膜側の電極とを電気的に接触させるため
のコンタクト領域が設けられており、該第２の多層反射
膜は平面で構成されており、該第２の多層反射膜側には
光を取り出すための窓があけられた電極が設けられてい
ることを特徴とする。或は、活性層を含む半導体層、該
半導体層の両側に設けられた第１、第２の多層反射膜、
活性層に電流を注入するための電極とから成る垂直共振
器型面発光型半導体レーザにおいて、該半導体層の該第
１の多層反射膜と接する面が、その各面に立てた垂線が
第２の多層反射膜構造の側で交わる様に各面の傾きが設
定されたほぼ屋根状面或は円錐状面を含んでおり、該半
導体層のほぼ屋根状面或は円錐状面上に該第１の多層反
射膜が形成されており、該第１の多層反射膜の中央部に
該半導体層と第１の多層反射膜側の電極とを電気的に接
触させるためのコンタクト領域が設けられており、該第
２の多層反射膜は平面で構成されており、前記第２の多
層反射膜側には光を取り出すための窓が開けられた電極
が設けられていることを特徴とする。

【０００８】更には、コンタクト領域の中心を通る第２
の多層反射膜の法線に対して該第１の多層反射膜が回転
対称構造をなしている。或は、コンタクト領域の中心を
通る第２の多層反射膜に垂直な面に対して該第１の多層
反射膜が面対称構造を成している。さらに、活性層にお
ける光強度分布と注入電流分布とが相対的に同じような
形状をしており、光強度の強い領域と注入電流密度の高
い領域とがほぼ一致している。

【０００９】作用：曲面或は傾斜ミラーである第１の多
層反射膜と平面ミラーである第２の多層反射膜が共振器
をなしており、第１の多層反射膜の中央部から電流を注
入することにより活性層の中央近傍に効率良く電流を注
入することが可能となる。

【００１０】６）手段：第１の多層反射膜の曲率半径或
はその各面に立てた垂線の交点までの距離が第１の多層
反射膜と第２の多層反射膜との距離とほぼ等しいか若し
くはそれよりも大きい。作用：共振器損失を小さくでき
る。

【００１１】７）手段：前記活性層を含む半導体層がＧ
ａＡｓ、ＡｌＧａＡｓおよびＩｎＧａＡｓからなり、第
１および第２の多層反射膜はＡｌＡｓおよびＧａＡｓの
多層構造若しくはＡｌＡｓおよびＡｌＧａＡｓの多層構
造からなる。作用：ＡｌＡｓおよびＧａＡｓの多層構造
の場合、半導体基板上にエピタキシャル成長が可能で、
２つの層間の屈折率差が充分とれて高反射率を有する多
層反射膜の形成が可能である。

【００１２】８）手段：前記活性層を含む半導体層がＩ
ｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰおよびＩｎＧａＡｓからなり、第
１および第２の多層反射膜はＳｉおよびＳｉＯ₂の多層
構造、ＳｉおよびＡｌ₂Ｏ₃の多層構造若しくはＳｉおよ
びＭｇＯの多層構造の多層構造からなる。作用：２つの
層間の屈折率差が充分とれて高反射率を有する多層反射
膜の形成が可能である。

【００１３】９）手段：前記の面発光型半導体レーザの
製造方法において、前記第１の多層反射膜の形成される
前記所定の曲率半径を有する半導体面を形成する工程
が、円状或は帯状に加工したフォトレジストを通常より
高い温度でベーキングすることによりフォトレジスト表
面を湾曲させる工程と、このフォトレジストをマスクと
して、基板を面法線を中心に回転させながら該面法線に
対して所定の角度で傾けた方向よりイオンビームを照射
することによりエッチングを行う工程から成ることを特
徴とする。

【００１４】作用：簡単な手法で所定の曲率半径を有す
る半導体面を形成可能である。

【００１５】１０）手段：前記の面発光型半導体レーザ
の製造方法において、前記第１の多層反射膜の形成され
る前記所定の曲率半径を有する半導体面を形成する工程
が、半導体基板上に円柱或は板状柱を形成する工程と、
その円柱或は板状柱上にその円柱或は板状柱より直径或
は幅が十分大きい円板或は平板を形成する工程と、この
円板或は平板をマスクとして、基板を面法線を中心に回
転させながら該面法線に対して所定の角度で傾けた方向
よりイオンビームを照射することによりエッチングを行
う工程から成ることを特徴とする。作用：簡単な手法で
所定の曲率半径を有する半導体面を形成可能である。

【００１６】

【発明の実施の形態】第１の実施例図１を用いて本発明による第１の実施例を説明する。図
１は、本発明の第１実施例による面発光型半導体レーザ
の斜視断面図である。層構成を以下に述べる。

【００１７】ｐ−ＧａＡｓ基板１０上に、ｐ−ＡｌＡｓ
／ｐ−ＧａＡｓからなる第１の半導体多層反射膜１２、
厚さ２μｍのｐ−Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ａｓクラッド層１４、
厚さ０．２μｍのｉ−Ｉｎ_0.2Ｇａ_0.8Ａｓ量子井戸活性
層１６、厚さ３．５μｍのｎ−Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ａｓクラ
ッド層１８を順次に成長する。成長手段は、例えば、Ｍ
ＯＣＶＤ、ＭＢＥ、ＣＢＥ等の方法で行う。

【００１８】次に、第２の多層反射膜２０の作製につい
て図２を用いて説明する。まず、上記したクラッド層１
８を最上層とした半導体基板１００上に、直径１０μｍ
の円形にパターニングしたフォトレジスト１０２を形成
し（図２（ａ））、これをレジスト１０２が十分軟化す
る温度でポストベークを行い、レジスト表面の表面張力
によって安定な球面に変形させる（図２（ｂ））。この
フォトレジスト１０２をマスクとして、基板１００を回
転させながら斜め方向よりＡｒイオンビームエッチング
を施し、ほぼ球状のパターンを半導体１００表面に転写
する（図２（ｃ）、（ｄ））。このエッチングは表面を
物理的に叩いて行なうもので、従ってフォトレジスト１
０２も次第に減少しながら基板１００の球状パターンが
形成されてゆく。この面の曲率半径はイオンビームの照
射角度を制御することにより制御が可能である。本実施
例においては、この照射角度を３０度として、曲率半径
７μｍのパターンを得た。これらの数字的な値は経験的
なものである。この手法については、ＩＥＥＥＪ．
ＱｕａｎｔｕｍＥｌｅｃｔｒｏｎ．ｖｏｌ．ＱＥ−
１７，ｐｐ．１７４−１７８，Ｆｅｂ，１９８１に
詳しく記載されている。その後、半導体表面をわずかに
ウエットエッチングすることにより表面の均一性ないし
滑らかさを改善した。

【００１９】さらに、この様にパターニングしたクラッ
ド層１８上にＭＯＣＶＤ等の手法により、ｎ−ＡｌＡｓ
／ｎ−ＧａＡｓからなる第２の半導体多層反射膜２０を
成膜する。この上に、ＣＶＤ等によりＳｉＯ₂絶縁膜２
２を成膜し、コンタクト領域２８の窓開けを行った後に
ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕからなるｎ側の電極２４を蒸着形成
する。コンタクト領域２８の窓開けは、絶縁膜２２上に
レジストを塗布し（このレジストの厚みは球状面の頂部
で最も薄くなる）、これを真上からエッチングすること
で行なわれる。

【００２０】次いで、ｐ−ＧａＡｓ基板１０を、裏面側
から予め機械研磨あるいは化学機械研磨等の手法で１０
０μｍ程度の厚さにまで研磨した後に、中央部の所定領
域を第１の多層反射膜１２が現れるまでエッチングし、
レーザ光取り出し用の窓を形成する。最後に、所定領域
にリング状にＣｒ／ＡｕＺｎＮｉ／Ａｕからなるｐ側の
電極２６を蒸着形成する。以上で本実施例の面発光型半
導体レーザが完成する。

【００２１】半導体表面をほぼ球面に加工するには次の
ような方法もある。図３を用いて説明する。上記した半
導体基板１００上に、フォトレジスト２０２を塗布し、
円形の窓をパターニングしたフォトレジスト２０４を介
して、フォトレジスト２０２を酸素ガスを用いた反応性
イオンビームエッチング等の手段でエッチングし、高さ
４μｍ、直径３μｍ程度の円柱２０６を形成し、その上
のフォトレジスト２０４を剥離する（図３（ａ）、
（ｂ））。その後、全面に粘性の高い埋め込み用フォト
レジスト２０８を塗布して円柱２０６を埋め込み、酸素
を用いた反応性イオンエッチング等の手段で円柱２０６
の頭出しを行う（図３（ｃ））。その上にエッチング耐
性のあるフォトレジスト２１０を全面に塗布し（図３
（ｄ））、円柱２０６の径より大きいパターンを形成し
た後に埋め込み用フォトレジスト２０８を除去して円柱
２０６より大きいレジスト２１０のマスクを持つ構造を
形成する（図３（ｅ））。そして、ウエハ１００を一方
向に回転させながら、ウエハの斜め上方から塩素ガスを
用いた反応性イオンビームエッチング等の手段でエッチ
ングを施し（図３（ｆ））、最後にフォトレジスト２０
８とフォトレジスト２１０を除去して所定の曲率半径を
有するエッチング面を形成する（図３（ｇ））。そし
て、上記と同様に、この上に第２の半導体多層反射膜２
０を成膜する。

【００２２】本実施例のレーザ発振の原理を図４の断面
図を用いて説明する。電子はｎ側のコンタクト領域２８
から基板内に注入され、活性層１６を通って矢印で示す
ようにリング状の電極２６に抜ける。活性層１６中にお
いては、領域４００で示された中心近傍がキャリア密度
が高い領域である。

【００２３】一方、光の共振においては、曲面ミラーで
ある第１の多層反射膜２０と平面ミラーである第２の多
層反射膜１２が共振器をなしている。一方が平面、他方
が曲面の共振器の場合、安定に低損失に共振させるため
には、ミラーの間隔と曲率半径の関係は、曲率半径がミ
ラー間隔と等しいか若しくは曲率半径の方が大きい方が
望ましい。本実施例においては、第２の多層反射膜２０
の曲率半径は７μｍであり、球面加工を経た後の最終的
な多層反射膜１２、２０間の間隔は５μｍであった。よ
って、曲率半径の方が大きいので、安定に共振させるこ
とができる。共振させた場合、活性層１６中において
は、領域４００で示された中心近傍が光強度が強い領域
となる。

【００２４】したがって、キャリア密度が高い領域と光
強度が強い領域がほぼ一致するため、特別な電流狭窄構
造を設けなくても発光効率の良いレーザを構成すること
が可能となる。

【００２５】本実施例においては、ｐ側の第１の半導体
多層反射膜１２中を電流が通過するような構成となって
いるが、これに限ったものではなく、電流が半導体多層
反射膜１２を避けるように電極を配置してもよい。ま
た、最初の基板１０としてｐ基板ではなくｎ基板を用い
てもよく、それに合わせて適当なプロセスを選択すれば
よい。また、光を外部に取り出すために基板１０の所定
領域をエッチングして窓を開けたが、本実施例では基板
１０は発振光に対して透明であるので、これは特になく
ても差し支えない。加えて、活性層１６に多重量子井戸
構造を用いれば、更なる低しきい値化が可能となる。

【００２６】第２の実施例ＩｎＰ基板を用いた場合の第２の実施例を図５を用いで
説明する。図５は、本発明の第２実施例による面発光型
半導体レーザの斜視断面図である。層構成を以下に述べ
る。

【００２７】ｐ−ＩｎＰ基板５００上に、ｐ−ＩｎＧａ
Ａｓエッチストップ層５０２、厚さ２μｍのｐ−ＩｎＰ
クラッド層５０４、厚さ０．２μｍのｉ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐ（バンドギャップ波長１．３μｍ）量子井戸活性層５
０６、厚さ３．５μｍのｎ−ＩｎＰクラッド層５０８、
厚さ０．３μｍのｎ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層５１０
を順次成長する。成長手段はたとえばＭＯＣＶＤ、ＭＢ
Ｅ、ＣＢＥ等の方法で行う。

【００２８】次に、第１の実施例で述べたような方法で
クラッド層５０８、コンタクト層５１０をほぼ球面状に
加工し、さらに、イオンビームエッチング等の手法で中
央部にクラッド層５０８とコンタクト層５１０の円柱状
のリブを形成し、Ｓｉ（厚さ９００Å）、Ａｌ₂Ｏ₃（厚
さ１９７０Å）を１ペアとして６．５ペアからなる多層
反射膜５１２を、電子ビーム蒸着あるいはスパッタリン
グ等の手法により成膜する。本実施例の材料系では半導
体層の多層構造では屈折率差が充分大きくできにくいの
で、この様な材料を用いた。さらに、ＡｕＧｅＮｉ／Ａ
ｕからなるｎ側の電極５１６を蒸着形成する。

【００２９】次いで、ｐ−ＩｎＰ基板５００を、裏面側
から予め機械研磨あるいは化学機械研磨等の手法で１２
０μｍ程度の厚さにまで研磨した後に、中央部の所定領
域をエッチストップ層５０２まで除去し、エッチングに
よって現れたクラッド層５０４上にＳｉ（厚さ９００
Å）、Ａｌ₂Ｏ₃（厚さ１９７０Å）を１ペアとして７ペ
アからなる多層反射膜５１４を電子ビーム蒸着あるいは
スパッタリング等の手法により成膜する。最後に、Ｃｒ
／ＡｕＺｎＮｉ／Ａｕから成るｐ側のリング状の電極５
１８を蒸着形成する。

【００３０】発振の原理については第１の実施例で述べ
た通りである。本実施例においては、ｎ側のコンタクト
をとるために第１の多層反射膜５１２の中心部分にはミ
ラーがなく、若干損失が大きくなるという欠点がある
が、上記円柱状のリブをレーザ発振に影響ない程度の大
きさにしておけば問題はない。

【００３１】また、最初の基板５００としてｐ基板では
なくｎ基板を用いてもよく、それに合わせて適当なプロ
セスを選択すればよい。加えて、活性層５０６として単
層ではなく多重量子井戸構造を用いて、更に低しきい値
化をしてももよい。さらに、多層反射膜としてＳｉ／Ｓ
ｉＯ₂、Ｓｉ／ＭｇＯなどを用いてもよい。

【００３２】ところで上記実施例では一方の多層反射膜
構造を球面状にしたが、これに限られるものではない。
例えば、ほぼシリンドリカル面、屋根状面、円錐状面な
どにして共振を起こさせることもできる。その場合、シ
リンドリカル面では上記曲率半径の条件を満たす様に、
屋根状面、円錐状面などでは各面に立てた垂線が他方の
多層反射膜構造の所或はそれより若干遠い所で交わる様
に各面の傾きを設定すればよい。電極とのコンタクト部
の作成、それらの面の作製法は上記実施例に準じて行な
えばよい。例えば、シリンドリカル面の場合は、図２の
方法に則して言えば、レジスト１０２を帯状に形成し、
基板を回転させながらＡｒビームエッチングを斜め方向
より施してシリンドリカルな面を半導体面に形成し、そ
こに多層反射膜構造を形成する。電極とのコンタクト部
は帯状に形成してもよいし上記実施例の如く中央部に丸
く形成してもよい。

【００３３】また、本発明の面発光型半導体レーザを光
通信の送信機の中で用いる場合、この半導体レーザに送
信信号に応じて変調された電流を供給することによっ
て、送信信号に応じて強度変調された信号光を取り出
し、この信号光を光受信機に向けて送信すればよい。

【００３４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば各請
求項の発明に対応して次のような効果がある。

【００３５】請求項１、２、３及び４の発明によれば、
特別な電流狭窄構造が不要な面発光型半導体レーザを提
供することができる。請求項５の発明によれば、請求項
１、２、３及び４の発明に加え、発光効率の良い面発光
型半導体レーザを提供することができる。請求項６の発
明によれば、安定に共振しうる共振器構造を提供するこ
とができる。請求項７、８の発明によれば、請求項１、
２、３及び４の発明に加え、基板に適した材料の多層反
射膜構造を持つ面発光型半導体レーザを提供することが
できる。請求項９、１０の発明によれば、請求項１の発
明のようなレーザを簡単な方法で作成できる作製方法を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による面発光型半導体レーザの第１の実
施例を示す斜視断面図である。

【図２】本発明による面発光型半導体レーザの一方の多
層反射膜構造の作成プロセスの一例を説明する図であ
る。

【図３】本発明による面発光型半導体レーザの他方の多
層反射膜構造の作成プロセスの他の例を説明する図であ
る。

【図４】本発明の第１の実施例による面発光型半導体レ
ーザの動作原理を説明する図である。

【図５】本発明による面発光型半導体レーザの第２の実
施例を示す斜視断面図である。

【図６】従来例の面発光型半導体レーザを示す断面図で
ある。

【符号の説明】

１０，５００基板１２，２０，５１２，５１４多層反射膜１４，１８，５０４，５０８クラッド層１６，５０６活性層２２絶縁層５１０コンタクト層２４，２６，５１６，５１８電極５０２エッチストップ層１０２，２０２，２０４，２０８，２１０フォトレジ
スト４００領域

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】活性層を含む半導体層、該半導体層の両側
に設けられた第１、第２の多層反射膜、活性層に電流を
注入するための電極とから成る垂直共振器型面発光型半
導体レーザにおいて、該半導体層の該第１の多層反射膜と接する面が該第２の
多層反射膜側に中心点を持つ所定の曲率半径からなるほ
ぼ球面或はシリンドリカル面を含んでおり、該半導体層
のほぼ球面或はシリンドリカル面上に該第１の多層反射
膜が形成されており、該第１の多層反射膜の中央部に該
半導体層と第１の多層反射膜側の電極とを電気的に接触
させるためのコンタクト領域が設けられており、該第２
の多層反射膜は平面で構成されており、前記第２の多層
反射膜側には光を取り出すための窓が開けられた電極が
設けられていることを特徴とする面発光型半導体レー
ザ。
【請求項２】活性層を含む半導体層、該半導体層の両側
に設けられた第１、第２の多層反射膜、活性層に電流を
注入するための電極とから成る垂直共振器型面発光型半
導体レーザにおいて、該半導体層の該第１の多層反射膜と接する面が、その各
面に立てた垂線が第２の多層反射膜構造の側で交わる様
に各面の傾きが設定されたほぼ屋根状面或は円錐状面を
含んでおり、該半導体層のほぼ屋根状面或は円錐状面上
に該第１の多層反射膜が形成されており、該第１の多層
反射膜の中央部に該半導体層と第１の多層反射膜側の電
極とを電気的に接触させるためのコンタクト領域が設け
られており、該第２の多層反射膜は平面で構成されてお
り、前記第２の多層反射膜側には光を取り出すための窓
が開けられた電極が設けられていることを特徴とする面
発光型半導体レーザ。
【請求項３】前記コンタクト領域の中心を通る第２の多
層反射膜の法線に対して該第１の多層反射膜が回転対称
構造を成していることを特徴とする請求項１または２に
記載の面発光型半導体レーザ。
【請求項４】前記コンタクト領域の中心を通る第２の多
層反射膜に垂直な面に対して該第１の多層反射膜が面対
称構造を成していることを特徴とする請求項１または２
に記載の面発光型半導体レーザ。
【請求項５】前記活性層における光強度分布と、注入電
流分布とが相対的に同じような形状をしており、光強度
の強い領域と注入電流密度の高い領域とがほぼ一致する
様に形成されていることを特徴とする請求項１、２、３
または４に記載の面発光型半導体レーザ。
【請求項６】前記第１の多層反射膜の曲率半径或はその
各面に立てた垂線の交点までの距離が第１の多層反射膜
と第２の多層反射膜との距離とほぼ等しいか若しくはそ
れよりも大きいことを特徴とする請求項１乃至５の何れ
かに記載の面発光型半導体レーザ。
【請求項７】前記活性層を含む半導体層がＧａＡｓ、Ａ
ｌＧａＡｓおよびＩｎＧａＡｓから成り、第１および第
２の多層反射膜はＡｌＡｓおよびＧａＡｓの多層構造若
しくはＡｌＡｓおよびＡｌＧａＡｓの多層構造から成る
ことを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の面発
光型半導体レーザ。
【請求項８】前記活性層を含む半導体層がＩｎＰ、Ｉｎ
ＧａＡｓＰおよびＩｎＧａＡｓから成り、第１および第
２の多層反射膜はＳｉおよびＳｉＯ₂の多層構造、Ｓｉ
およびＡｌ₂Ｏ₃の多層構造若しくはＳｉおよびＭｇＯの
多層構造から成ることを特徴とする請求項１乃至５の何
れかに記載の面発光型半導体レーザ。
【請求項９】請求項１記載の面発光型半導体レーザの製
造方法において、前記第１の多層反射膜の形成される前
記所定の曲率半径を有する半導体面を形成する工程が、
円状或は帯状に加工したフォトレジストを通常より高い
温度でベーキングすることによりフォトレジスト表面を
湾曲させる工程と、このフォトレジストをマスクとし
て、基板を面法線を中心に回転させながら該面法線に対
して所定の角度で傾けた方向よりイオンビームを照射す
ることによりエッチングを行う工程から成ることを特徴
とする面発光型半導体レーザの製造方法。
【請求項１０】請求項１記載の面発光型半導体レーザの
製造方法において、前記第１の多層反射膜の形成される
前記所定の曲率半径を有する半導体面を形成する工程
が、半導体基板上に円柱或は板状柱を形成する工程と、
その円柱或は板状柱上にその円柱或は板状柱より直径或
は幅が十分大きい円板或は平板を形成する工程と、この
円板或は平板をマスクとして、基板を面法線を中心に回
転させながら該面法線に対して所定の角度で傾けた方向
よりイオンビームを照射することによりエッチングを行
う工程から成ることを特徴とする面発光型半導体レーザ
の製造方法。